Способ контроля чистоты кварцевых изделий

О П 255209 Союз Советских Социалистических РеспубликИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт, свидетельства ЛеЗаявлено 15.1 тС.1968 ( 1232979/22-1) л, 12 д, 17/00 исоединением заявки Лз МПК В ОЦУД К 669.054-172 (088.8) ПриоритетОпубликовано 28.Х.1969. Бюллетень М 33Дата опубликования описания 27.111.1970 Комитет по делам изобретений и открыт ори Совете й 1 инистро СССР, Гашенко, Ф. Н, Зарубин, К, Н. Неймарк, М. И. Осовский и В, И. Бакуменка Заявитель СПОСО ЛИЙ ТРОЛЯ ЧИСТОТЪ КВАРЦЕВЫХ т с ина затем очистку. Описываемый способ может быть использован преимущественно для определения чистоты кварцевых изделий применяемых в качестве контейнеров в металлургии полупроводников.Известный способ контроля чистоты кварцевых изделий, используемых для плавки полупроводниковых материалов, включающий расплавление в контролируемом изделии павески . полупроводникового материала, выдержку расплава, вытягивание из расплава монокристалла на затравку и измерение его удельного электросопротивления, дает возможность определить суммарную концентрацию примесей, содержащихся в поверхностных слоях кварцевого изделия.Описываемый способ отличается тем, что в качестве исходного полупроводникового материала используют кремний р-типа проводимости с удельным электросопротивлением не менее 1000 олс с,и и содержанием бора не более 5 10 И атомов/слсз, Монокристалл после вытягивания подвергают бестигельной зонной очистке в условиях вакуума, а затем сравнивают величины концентраций бора, найденные по значениям удельного электросопротивлеция очищенного монокристалла и исходного материала. Это дает возможность определить содержание бора в поверхностных слоях контейнеров. На чертеже изображена схема, цллюстрирующая описываемый способ.Контролируемое изделие 1 или часть егоустанавливают пепосредствеццо ца индуктор 2, расположенный в полости вакуумной камеры аппарата. В полость изделия помещают цавеску кремния р-типа в виде шайбы 3.Удельное элекгросопротивлецие кремния, используемого в качестве исходного материала, 10 расплавляемого в кварцевом изделии, должно имегь величину це менее 1000 о,и с,и при содержац 1 ш бора це более 5 101 З атомов/сл(сз.В держателях верхнего и нижнего штоков4 и 6 укрепляют затравки 6 и 7 из зоццоочи щенного кремния р-типа проводимости судельным электросопротивлением це менее 1000 олс слс. Для стартового разогрева шайоы 3 между затравкой 7 и изделием 1 помещают шайбу 8 из кремния с удельным элек тросопротивлением менее 1 о.и слс. После разогрева шайбы 3 затравку 7 отводят вниз, и шайба 8 сбрасывается на дно вакуумной камеры. Расплав 1 сремния В изделии выдерживают в течение времени, необходимого для 25 растворения поверхностного слоя кварца, после чего из расплава ца затравку 6 вытягивают моцокристалл.Контролируемое изделие сбрасываюдуктора 2 при помощи затравки 7,30 производят бестигельную зонную2552 О 9 Предмет изобретения Составитель Т. ФирсоваФадеева Техред Т. П. Курилко Корректор В. И. Жолудева едакт Заказ 514/16 Тираж 480 ПодписноЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва Ж, Раушская наб., д. 4/5 ипография, пр. Сапунов Процесс осуществляют в условиях вакуума при остаточном давлении не более 510 ,им рт. ст,В процессе зонной очистки примеси с коэффициентами распределения меньше и больше единицы перешедшие в расплав кремния из кварца, концентрируются в конечных частях монокристалла, вследствие чего значение удельного электросопротивления очищенного монокристалла соответствует содержанию в нем бора.После определения удельного электросопротивления очищенного монокристалла величину его сравнивают с величиной удельного электросопротивления исходного кремния, определяют количество бора, перешедшего в кремний из кварца, и находят концентрацию бора в поверхностных слоях контролируемого кварцевого изделия в зависимости от скорости растворения кварца в кремнии, времени и площади контакта кремния с кварцем, веса исходного кремния и разности концентраций бора в кремнии, определяемых по значениям удельного электросопротивления исходного кремния и очищенного монокристалла. Способ контроля чистоты кварцевых изделий, используемых для плавки в них полупро водниковых материалов, включающий расплавление в контролируемом изделии навески полупроводникового материала, выдержку расплава, вытягивание из него монокристалла на затравку и изменение его удельного элек тросопротивления, отличающийся тем, что, сцелью определения содержания бора в поверхностных слоях изделий, в качестве исходного полупроводникового материала используют кремний р-типа проводимости с удельным 15 электросопротивлением не менее 1000 о,ч сми содержанием бора не более 5 10" атомов/смз, а монокристалл после вытягивания подвергают бестигельной зонной очистке в условиях вакуума, после чего сравнивают ве личины концентраций бора, найденные позначениям удельного электросопротивления очищенного монокристалла и исходного материала.