Шихта для выращивания ферритовых монокристаллов

Номер патента: 253953

Авторы: Готе, Рубальска, Рубинштейн, Титова

ZIP архив

Текст

253953 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУСоюз Советских Социалистических Республик(088.8) Комитет оо делам изобретений и открытий ори Совете Министров СССРАвтарыизобретения Э. В. Рубальская, С, Ш. Генделев, Б. Е. Рубинштейн, Ю, М, Як Ывт :.,",и А. Г, Титовав,.".о.от-1 ЕА с Заявитель ШИХТА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ФЕРРИТОВЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВИзобретение относится к области получения ферромагнитных монокристаллических материалов, применяемых в СВЧ-технике.Известен ферромагнитный монокристаллический материал на основе литиевой феррошпинели, полученный путем кристаллизации монокристаллов из раствора в расплаве.Исходная шихта для их выращивания имеет следующий, состав, вес, %:Углекислый литий 5,2 Окись железа 16,5 Окись свинца 68,0 Окись бора 10,3 Монокристаллы,;полученные из шихты указанного состава, имеют намагниченность насыщения 3900 гс и ширичу ферромагнитного резонанса менее 5 эр. С целью увеличения намагниченности насыщения ферритов при сохранении узкой линии ферромагнитного резонанса предложено использовать исходную шихту, содержащую помимо известных .компонентов также окись цинка и окись галлия. Эффект достигается за счет замещения части окиси железа окисью цинка или окисью галлия,Монокристаллы с намагниченностью насыщения до 5000 гс получают из расплава шихты следующего состава, вес, %: Окись железа 13,3 - ,16,0 Окись цинка 0,3 - 1,8 Окись свинца 68,1 - 68,7Окись бора 10,4 - 11,05 Углекислый литий ОстальноеМонокристаллы с намагниченностью насыщения до 4400 гс получают из расплава шихты следующего состава, вес. %:Окись железа 12,0 - 16,010 Окись галлия 0,5 - 4,3Окись свинца 68,0 - 68,1 Окись бора 10,3 - 10,4 Углекислый литий ОстальноеСпособ получения монокристаллов с указан.15 ными свойствами осуществляют следующимобразом.Исходные компоненты, взятые в определенном соотношении, взвешивают и подвергают вибропомолу. Полученную смесь помещают в 20 печь для выращивания монокристаллов.Подъем температуры в печи до 1100 С осуществляют со скоростью 150/час с выдержкой при температуре 1100 С в течение 15 - 20 час для лучшего растворения исходных компонен тов в расплаве, Охлаждение расплава проводят со скоростью 0,5 - 1/час,до 500 С. Затем печь отключают, кристаллы из застывшего расплава извлекают кипячением в разбавленной азотной кислоте, Полученные монокрис таллы имеют октаэдрическую структуру, ИзмеСостав шихты для выращивания монокристаллов,вес, %1.1 зСОз 5,2 РезОз 14,7 ХпО 1,1 РЬО 68,4 ВзОз 10 6 1.1 0 3,0 ХпО 5,4 РеОз 91,6 1.10 2,8 Таблица 1 4600 Намаг- ниченность на- сыщения, гс Состав шихты для выращивания моно- кристаллов, вес. % Состав кристаллов,вес. %1.1,СОз Рез 03 ХпО РЬО ВзОз 5,2 14,4 1,3 68,5 10,6 4700 ХпО 7,3 РезОз 89 9 1.1,СОз 5,2 РезОз 12,0 ОазОз 4,3 РЬО 68,1 ВзОз 10 4 3,0 Ре,Оз 79,24400100 1.1,СОз 52 Ре,Оз 13,8 УпО 1,6 РЬО 68,5 ВзО, 10,9 1.1. 0 2.пзО 2,7 8,0 4800 ОазОз 17,8 20 РезОз 89,3 1.1 зСОз 5,2 РезОз 13,3 ХпО 1,8 РЬО 68) 7 ВО П,0 1.10 2,5 ЕпО 9,4 5000 Ре,О, 88,1 12,0 - 16,0 0,5 - 4,3 68,0 - 68,1 10,3 - 10,4 Остальное Составитель Г. ПортноваРедактор О. С. Филиппова Техред Л. В. Куклина Корректор О. Б. Тюрина Заказ 1172/10 Тираж 480 ПодписноеПНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква Ж, Раушская наб., д. 475 Типография, пр. Сапунова, 2 рения свойств монокристаллов показывают, что значение намагниченности насыщения на образцах лежит в пределах 4900+.100 гс при ширине линии ферромагнитного резонанса на сферах диаметром 0,4 - 0,5 мм 1,5 - 2 эр,В табл. 1 приведен состав шихты для выращивания моноиристаллов с намагниченностью насыщения 440 гс. Дальнейшее увеличение содержания окиси галлия в шихте приводит к снижению намагниченности насыщения,В табл. 2 .приведены составы шихты для выращивания монокристаллов с намагниченностью насыщения до 5000 гс,Предмет1, Шихта для выращивания ферритовых монокристаллов кристаллизацией из раствора в раоплаве на основе литиевой феррошпинели, включающая окиси свинца и бора, отличающаяся тем, что, с целью увеличения намагниченности насыщения ферритов при сохранении узкой линии ферромагнитного резонанса, в нее ,введены окиси цинка и галлия. 2. Шихта по п. 1, отличающаяся тем, что, с целью получения феррита с намагниченностью насыщения до 5000 гс, в нее введена окись цинка при следующем соотношении компонентов, вес. %: Дальнейшее увеличение содержания окиси цинка в шихте приводит к снижению намагниченности насыщения,изобретения30 Окись железа 13,3 - 16,0Окись цинка 0,3 - 1,8 Окись свинца 68,1 - 68,7Окись бора 10,4 - 11,0 Углекислый литий Остальное 35 3, Шихта по п. 1, отличающаяся тем, что,с цель 1 о получения феррита с намагниченностью насыщения до 4400 гс, в нее введена окись галлия при следующем соотношении компонентов, вес, %:40 Окись железаОкись галлияОкись свинцаОкись бораУглекислый литий

Смотреть

Заявка

1155918

Э. В. Рубальска С. Ш. Генделев, Б. Е. Рубинштейн, Ю. М, А. Г. Титова, НЬ. ГОТЕ

МПК / Метки

МПК: C30B 29/26, C30B 9/12

Метки: выращивания, монокристаллов, ферритовых, шихта

Опубликовано: 01.01.1969

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-253953-shikhta-dlya-vyrashhivaniya-ferritovykh-monokristallov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Шихта для выращивания ферритовых монокристаллов</a>

Похожие патенты