Способ выращивания монокристаллов карбидакремния

Номер патента: 1663060

Опубликовано: 15.07.1991

Автор: Рыбкин

МПК: C30B 23/00, C30B 29/36

Метки: выращивания, карбида, кремния, кристаллов

...ЯС не фиксирована и зависит от температуры кристаллизации. Однако в любом случае зона активного испарения шихты или эона 10 сублимации в данном методе в несколько раз меньше по высоте, чем высота всей загрузки порошка ЯС,в контейнере, Это составляет одно иэ преимуществ предлагаемого метода, поскольку позволяет увеличить объем загрузки шихты ЯС иувеличить время кристаллизации. Последнее в свою очередь позволяет увеличить размеры выращивеамых кристаллов, используя перемещение кристалла и контейнера с шихтой в противоположныхнаправлениях10 В исходном положении (фиг.2) послеподьема со скоростью 250 - 300 С ч до2100 С температуры в зоне роста и создания ваккума(1 - 5) 10 ммрт.ст,впечидлякристаллизации ЯС создается осевое рас 5 пределение...

Номер патента: 913762

Опубликовано: 20.11.1996

Авторы: Водаков, Мохов

МПК: C30B 23/02, C30B 29/36

Метки: выращивания, карбида, кремния, политипа, эпитаксиального

1. Способ эпитаксиального выращивания карбида кремния политипа 4Н путем пересублимации исходного материала на монокристаллическую подложку карбида кремния в присутствии паров вещества, трансформирующего ее в политип 4Н, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных кристаллов, их совершенства и чистоты, в качестве трансформирующего вещества используют олово, или свинец, или германий, или их смесь.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью уменьшения толщины переходного слоя, пересублимацию ведут со скоростью нагрева исходного материала 100 1000oС/мин.3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что, с целью легирования кристаллов, пересублимацию ведут в присутствии паров легирующего вещества из ряда:...

Номер патента: 136328

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Шашков, Шушлебина

МПК: C30B 29/36, C30B 9/06

Метки: выращивания, карбида, кремния, монокристаллов

...его осуществляют под вакуумом, обеспечивающим необходимое для роста монокристаллов карбида кремния пер- сыщение раствора. Известен способ выращивания монокристаллов карбида кремния В атмосфере аргона посредством их кристаллизации из расплава кремния, насыщенного углеродом при пересыщении кремния карбидом кремния, за счет уменьшения температуры расплава,С целью получения более чистых и совершенных монокрпсталлов карбида кремния предлагается способ пх выращивания из расплава кремния, насыщенного углеродом при пересыщенпи расплава карбида кремния, за счет преимущественного испарения кремния в вакууме прп постоянной температуре расплава 1600 вместо 2500 в известном способе). Для осуществления процесса бекетовский монокристаллический...

Номер патента: 1538557

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Любинский, Неменов, Проценко, Радкевич, Эйдельман

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: активированных, выращивания, монокристаллов, щелочно-галоидных

...до 820 С и бокового - до 850 С. Через 2 ч после расплавления сырья в тигле соприкасают затравку с расплавом, оплавляют ее до удаления поверхностых дефектов и корректируют температуру донного нагревателя до достижения теплового равновесия,Затем соприкасают щуп с поверхностью расплава и включают систему автоматизированного радиального разращивания монокристалла до заданного диаметра (270-320 мм) с подпиткой неактивированной шихтой, После окончания разращивания по диаметру начинают автоматизированный рост по высоте с подпиткой шихтой, в которую вводят активатор концентрацией в шихте С 1, в течение времени 1, затем с концентрацией в шихте С 2 до окончания выращивания.Конкретные примеры различных вариантов режимов двухстадийной...

Номер патента: 1565088

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Байцар, Воронин, Красноженов, Мустафин, Островская

МПК: C30B 25/00, C30B 29/06, C30B 29/62

Метки: выращивания, кремния, кристаллов, нитевидных

1. Способ выращивания нитевидных кристаллов кремния для струнных резонаторов в вакуумированной кварцевой ампуле, содержащей исходный легированный бором кремний, добавки золота и оксида бора, путем переноса паров галоидом из "горячего" конца ампулы в "холодный" при постоянной температуре "горячего" конца и снижении температуры "холодного" конца в процессе выращивания, отличающийся тем, что, с целью увеличения механической прочности кристаллов, в качестве исходного кремния берут кремний, легированный бором до номинального удельного сопротивления 20 Ом·см, в ампулу дополнительно вводят медь с концентрацией (2,54-2,64)·10-3...