Способ выращивания монокристаллов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
262860 Союз Советских Соддиалистическик РеспубликОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ симое от авт. свидетельства-л. 12 д, 17/О аявлено 18 Х 1.1968 ( 1249099(2присоединением заявки-Комитет по деламобретений и открытийри Совете МинистровСССР МПК В 01 дУДК 669.054-172 (088,8) орите Опубликован 11.1970, Бюллетень М та опубликования описания 11.1.19 Авторыизобретени, А, Рыбин А. Н, Киргин нститут неорганической химирского отделения АН 1 СС ь аявите ОКРИСТАЛЛОВ ИВАНИ СПОСОБ В 2 Изобретение относится преимущественно к области выращивания из расплава моно- кристаллов полупроводниковых материалов.Известен способ выращивания монокристаллов направленной кристаллизацией расплава в трубчатом контейнере, установленном горизонтально или под углом к горизонту и вращающемся вокруг продольной оси. Монокристалл, выращиваемый из расплава, занимающего часть объема контейнера, повторяет форму внутренней полости контейнера, в связи с чем он имеет повышенную плотность дислокаций,По предлагаемому способу кристаллизацию осуществляют при начальном осевом градиенте температуры в твердой фазе не менее 100 С на 1 см и перегреве расплава до гемпературы не менее, чем на 100 С, превышающей температуру плавления кристаллизуемого материала.Скорость вращения контейнера поддерживают в пределах 300 - 400 об,мин. Это отличие устраняет контакт расплава у фронга кристаллизации со стенками контейнера, вследствие чего монокристалл растет в свободных условиях и имеет меньшую плотность дислокадий,На чертеже изображена схема, поясняющаяредлагаемый способ,Исходный материал загружают в трубчатыйконтейнер 1 из графита или кварца в количестве, при котором распла загр) женного кдатериала занимает 40 - 70% объема внутренней5 полости контейнера. Контейнер устанавливают под углом 0 - 5 к горизонту и вращают со скоростью 300 - 400 об(иан. Выращивание производят на затравку 2, плотно входящую в полость контейнера. Расплав перегревают до 10 температуры не менее чем на 100 С вышетемпературы плавления кристаллизуемого материала, Затравку принудительно охлаждают для создания в твердой фазе начального осевого градиента температуры не менее 100 С 15 на 1 слд. В этих условиях происходит расслоение расплава по длине контейнера на а-расплав, примыкающий к затравке, и р-расплав, а-расплав более вязкий и плохо смачивает стенки контейнера. В связи с этим монокрнс талл, кристаллпзующпйся из а-расплава, растет в свободном состоянии и имеет дпаметр несколько меньше внутреннего диаметра контейнера. По данному способу в контейнере с внут.ренним диаметром 16 ллт получают монокрис таллы германия, имеющие плотность дислокаций (ддсключая последние 20 лдлд) 10 з - 104 с,ц, длиной 140 - 150 лдлд. Расслоение расплава германия происходпт при температуре -расплава 1200 С и осевом градиенте температуры в за- ЗО травке 200 С на 1 сль,Заказ 3769/15 Тираж 48 С ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Рауьпская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 1. Способ выращивания монокристаллов,например полупроводников, направленной крис. таллизацией расплава в трубчатом контейнере, установленном под углом к горизонту не более 5, с частичным заполнением полости контейнера расплавом исходного материала и вращением контейнера вокруг продольной оси, отличающийся тем, что, с целью устранения контакта расплава со стенками контейнера у фронта кристаллизации, кристаллизацию осуществляют при начальном осевом градиенте температуры в твердой фазе не менее 100 на 1 слю, причем расплав перегревают до тем пературы не менее, чем на 100 С, превышающей температуру плавления кристаллизуемого материала.2, Способ по п. 1, отличающийся тем, что,.с целью улучшения условий перемешивания 10 расплава, скорость вращения контейнера поддерживают в пределах 300 - 400 об/мин,
СмотретьЗаявка
1249099
А. Н. Киргинцев, Ю. А. Рыбин, Институт неорганической химии Сибирского отделени
МПК / Метки
МПК: C30B 11/02
Метки: выращивания, монокристаллов
Опубликовано: 01.01.1970
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-262860-sposob-vyrashhivaniya-monokristallov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ выращивания монокристаллов</a>
Расплав для выращивания сегнетоэлектрических монокристаллов метаниобата свинца
Номер патента: 875890
Опубликовано: 07.07.1983
Авторы: Дугин, Крайзман, Шолохович
МПК: C30B 9/06
Метки: выращивания, метаниобата, монокристаллов, расплав, свинца, сегнетоэлектрических
...температу.ры. Кристаллы отмывают от раствори,теля 101-ным раствором КОН или йаОН. При сравнении примеров 3-8 и 10-12 видно, что наиболее целесообразно использовать в качестве растворителя для РЬО и МЬ 20(1:1) расплав из РЬО и"Ч 2 О в отношении 2;1, так как при использоваНии расплава из РЬО и Ч Ов в соотношении 1:1 хотя ирастут орторомбические (сегнетоэлектрические ) кристаллы РЬ ЙЬ 20, но они менее прочные и при закаливании растрескиваются перпендикулярно оси С.Размерыкристаллов,мм Примечание Кристаллическаяструктура Несегнетоэлектрическая, ромбоэдричес- кая Несегнетоэлектрическая,ромбоэлектрическая 5 х 0,4 х 0,4 Сегнетоэлектрическая, орто,".ромбическая 3 875Иэ примера 1 и 2 следует, что при содержании в исходном расплавв менее 60 мол А...
Контейнер для выращивания кристаллов из расплава и способ получения углеродсодержащей облицовки на кварце
Номер патента: 976726
Опубликовано: 20.11.2002
Авторы: Браташевский, Васильков, Дорошенко, Стоян
МПК: C30B 15/10, C30B 25/02
Метки: выращивания, кварце, контейнер, кристаллов, облицовки, расплава, углеродсодержащей
1. Контейнер для выращивания кристаллов из расплава, выполненный из кварца с углеродсодержащей облицовкой, отличающийся тем, что, с целью уменьшения смачивания стенок контейнера расплавом и обеспечения возможности наблюдения за процессом кристаллизации, облицовка выполнена из -карбида кремния в виде пленки с шероховатой поверхностью.2. Способ получения углеродсодержащей облицовки на кварце путем термического разложения CH3SiCl3 в потоке водорода, отличающийся тем, что, с целью получения облицовки в виде оптически прозрачной шероховатой пленки, осаждение ведут при концентрации...
Контейнер для выращивания и транспортировки растений
Номер патента: 1623582
Опубликовано: 30.01.1991
МПК: A01G 9/02
Метки: выращивания, контейнер, растений, транспортировки
...35, Рау шская наб., л 4,511 роизволственно-издательский комбинат 11 атент, г Ужгород, ул Гагарина, 101 Изобретение относится к сельскому хозяйству и может быть использовано при выращивании растений.Цель изобретения - уменьшение объема при складировании и транспортировке.На чертеже изображен контейнер, вид сверху.Контейнер содержит поддонс наклонными стенками 2 и гофрированными перегородками 3 - 5, выполненными разновеликими по длине. Перегородки установлены параллельно одной из диагоналей поддона. Концы перегородок имеют скосы, конгруэнтные скосам бортов поддона.Устройство работает следующим образом.При складировании поддонывставляют один в другой, что обеспечивается за счет наклона стенок 2. Гофрированные перегородки 3 - 5 попарно...
Способ выращивания рассады томата на гидропонике при пониженной температуре в зоне корней
Номер патента: 1711731
Опубликовано: 15.02.1992
Авторы: Беляева, Георгиева, Къдрев, Маркова, Сабирова, Саляев
МПК: A01G 31/00
Метки: выращивания, гидропонике, зоне, корней, пониженной, рассады, температуре, томата
...(5 мг/л). Эксперименты проводилина дистиллированной воде, растворы меняли через день, Опыт закончили на фазе бутонизации. 25 ментов, проявляющиеся в условиях оптимальной температуры в зоне корней, при пониженной температуре в зоне корней, при пониженной температуре нивелируют.ся. В условиях пониженной температуры 50 потребность детерминантных и индетерминантных томатов к, соотношениям макроэлементов носит одинаковый характер иможет быть выражена следующим рядом:. М ЯР, Са М 9 К. Различия в потребности к питанию у этих сортов заключаются в несовпадении абсолютных количествэлементов питания, А именно, детерминантным сортам, по сравнению с индетерми; Как видно по данным табл.2, при преоб ладании нитрата, сульфата, фосфата и калия...
Установка для распыления в воздухе расплавов с высокой температурой плавления
Номер патента: 124923
Опубликовано: 01.01.1959
Авторы: Бойко, Исламов, Спрыгин, Шека
МПК: B01J 2/02
Метки: воздухе, высокой, плавления, расплавов, распыления, температурой
...расположенном внутри каметель 9.124923Распылитель 9 представляет собой цилиндрический корпус 10, внутри которого посредством ребер 11, укреплен конусный заполнитель 12 с расположенным в нем центрально стержневым рассекателем 13. Рассекатель 13 имеет контактные выводы 14 для подвода электрического тока.Скошенная внутренняя торцовая кромка корпуса 10 и торцовая кромка конусного заполнителя 12 ооразуют кольцевую щель 15 для вывода раоплава. Полость между корпусом 10 и охватывающим его кожухом (на чертеже не показан) заполнена, с целью термоизоляции, слоем диатомитовой крошки.Подача воздуха в камеру 1 производится вентилятором 1 б в нижнюю ее часть под струю расплава.Плав, например хлористого магния, с помощью бестигельного вакуумковша...
Предыдущий патент: Автоклав для выращивания кристаллов в гидротермальных условиях
Следующий патент: 262861
Случайный патент: Винтовая машина