Способ получения монокристаллов тугоплавких металлов и сплавов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ГО П И С АЙ-М Е 232214 Сооз Советских Социалистических Республикависимое от авт, свидетельства М МГ 1 К В 01 17 12,ъ 1,1967 ( 1150707/22-1) аяв присоединением заявкириоритет Комитет по делам изобретений и открыти при Совете Министров ДЕ 669 046-172(088 1, БО;Летепь12 Опубликовано 26.11 Е 1 Дата опубликования писания 5.Х.1 Авторизобретения Е. Баранов и Н. Н. Раскат Институт металлург им. А. А, Байкова АН ССС вител СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛ ТУГО 11 ЛАВКИХ МЕ 1 АЛЛОВ И СНЛАВО изобретен едм Способ полученплавких металлов онокристаллов туго авов выращиваниек Известен способ получения монокристалловвеществ, в том числе металлов, направленнойкристаллизацией расплава на затравке, перемещаемой вниз со скоростью роста монокристалла. 11 ри этом торец затравки и подаваемый на него исходный материал нагреваютсяплазменной струей, поверхность торца затравки О ил а В ля етс 51.Отличием описываемого способа являетсято, что па торце затравки создают ванну расплана с максимальной глубиной нс менеедвух пятых диаметра выращиваемо 0 монокристалла, имеющуо температуру у поверхности не менее чем на 500 С, превышающуютемпературу плавления перекристаллизуемого 15вещества, причем исходный материал, поступающий в ванну, нагревают до температуры,превышающей гемпературу 1 лавления не менее чем на 1000"С. 3 о дает возможность выращивать монокристаллы металлов и сплавов 20с диаметром до 25 лл и больше,Иа чертеже изображена схема осуществления описываемого способа.ИонокристаллическуО затравку 1 из вольфрама или другоо тугоплавкого металла укрепляют на медном водоохлаждаемом штоке2, соединенном с приводом вращения и возвратно-поступательного перемещения по вертикали, В качестве источника нагрева используется плазменная струя, создаваема при помощи плазменной дуговой горелки 3, В качестве плазмообразующего газа - аргон, 1 елий, азот и другие газы, неактивные по от. ношени 10 1 перекристаллизуемому металлу, 11 сходный материал, например, в виде прутка 1, равномерно подают в процессе выращивапы в горячую зону плазменной струи, где он расплавляется и стекает в образующуюся на )Ор 110 затравки жидку 10 Ванну, удерживаезук 1 слами поверхностноо натяжения. Б качестве исходного материала может быть использоВа Также порошок и;1 н ме.1 кии б 011. Изменяя расстояние между горелкой и затравкой, рег)Л 1 руют тепловую мощность и температуру плазменной струи. Глубина образующейся ванны расплава в процессе выращивания составляет 1 О - 12 лл при диаметре выращиваемого кристалла 25 ялт,Исходный расплавленный материал, поступшощий в вашу расплава, нерегрсвается не менее чем на 000"С выше гехшературы плавления, В связи с чем происходит его дополнительная очистка от летучих примесей; верхние слон расплава наведенной ванны нагреваю до температуры, не менее чем на 500 С превышающей температуру плавления,232214 Составитель Г. ФирсоваТехред Л, Л. Евдонов Редактор Т, Каранова Корректор Л. В. Куклина Заказ 2453/7 Изд. М 1034 Тирагк 473 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж.35, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр, Сапунова, 2 из расплава на затравке, перемещаемой вниз со скоростью роста монокристалла, с нагревом торца затравки и подаваемого на него исходного материала плазменной струей, отАииаюи 1 ийся тем, что, с целью получения монокристаллов с большим диаметром, на торце затравки создают ванну расплава с максимальной глубиной не менее двух пятых диаметра выращиваемого монокристалла, имеющую температуру у поверхности, не менее чем на 500 С превышающую температуру плавления перекристаллизуемого вещества, причем 5 исходный материал, поступающий в ванну,нагревают до температуры, превышающей температуру плавления не менее чем на 1000 С.
СмотретьЗаявка
1150707
Институт металлургииА. А. Байкова СССР
Е. М. Савицкий, Г. С. Бурханов, Л. Г. Баранов, Н. Н. Раскатов
МПК / Метки
МПК: C30B 11/10, C30B 29/52
Метки: металлов, монокристаллов, сплавов, тугоплавких
Опубликовано: 01.01.1969
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-232214-sposob-polucheniya-monokristallov-tugoplavkikh-metallov-i-splavov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения монокристаллов тугоплавких металлов и сплавов</a>
Устройство для измерения температуры жидких расплавов
Номер патента: 1022034
Опубликовано: 07.06.1983
Авторы: Главацкий, Ленович, Фролов, Фролова, Хорюшин, Юкса
МПК: G01N 27/46
Метки: жидких, расплавов, температуры
...В экономически нецелесообразно, а увеличение,.разности. между электродными потенциалами больше чем 0,5 В снижает точность замерЪ температуры. Использование в качестве электрода металла со значительным сродством к кислороду позволяет расширить диапазон измеряемых температур при высокой точности замера.3 10220Величина и направление ЭДС в галь" ванических парах С-Сг, С-Ио и С-Ч характеризуют температуру жидкогО расплава. Абсолютные значения величины ЭДС в каждой гальванической паре могут:зависеть от некоторых факторов 1(качества графитового электрода, состава электролита и т,д.), Отношения ЭДС пар С-Сг, С-Ип, С"Ч более точно определяют температуру расплава, так 1 О как они зависят только от температуры расплава. Иагазин металлических...
Система автоматического управления нагревом и поддержанием температуры обрабатывающей среды гальванических ванн
Номер патента: 1727400
Опубликовано: 15.12.1993
Авторы: Алексеев, Елистратов, Мунтян, Осадчий
МПК: C25D 21/12
Метки: ванн, гальванических, нагревом, обрабатывающей, поддержанием, среды, температуры
...с уровнем "логЛ" навыходе схемы 42, ИМ 11, появление сигна 0 ла с уровнем "логЛ", на выходеЛЗ ИЛИ 57,ЛЭ И 62, обеспечивающего включение (закрывание) через усилитель 70, ИМ 17 и исчезновение сигнала с уровнем "лог.1" навыходе схемы 43, что, в свою очередь, при 5 водит к удержанию в закрытом состояниипутем снятия управляющего сигнала с входаи выхода усилителя 69, ИМ 21;- на третий вход ЛЭ И 62 и третий входсхемы 44.0 При этом на выходе ЛЭ И 61 и ЛЭ ИЛИ54 также присутствуют сигналы с уровнем"лог. 1".Пар начинает циркулировать по схеме:- источник нагрева теплоносителя (на5 фигЛ не показан) - ИМ 10 - змеевик 7 ванны1 - трубопровод 20 с ИМ 19 - змеейик 8ванны 2- трубопровод 24 с ИМ 23- змеевик9 ванны 3 - конденсатоотводчик -...
Способ определения температуры жидких расплавов
Номер патента: 370482
Опубликовано: 01.01.1973
Автор: Кузнецов
МПК: G01K 11/06
Метки: жидких, расплавов, температуры
...отличающихся варианта этого способа опре деления температуры.370482 рынщ йцаанл Г/ 2 Р 3 Р 90 50сдсляочельнсспь йУюрлтьгг, селТехред Г. Дворина Корректоры; Л. Бадылаи А. Степан Редактор Т. СвиридоваЗаказ 101 б/1 Подписное Изд, 2 Тираж 755 гпография, пр. Сапунова 1 вариант, Выдержка равна или меньше продолжительности времени от момента введения тела до окончания кристаллизации на пем жидкого металла при максимальной измеряемой температуре (выдержка 7 сек), В этом случае температура определяется только по закономерности кристаллизации жидкого металла (привесу). Полояительная сторона этого варианта - малые теплопотери жидкого металла, большой диапазон измеряемых тем ператур, а отрицательная - большое влияние точности выдержки тела в...
Устройство для измерения температурь) кристаллизации расплавов
Номер патента: 398838
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Ев, Иващенко, Пистун, Шелепннков
МПК: G01K 11/28
Метки: кристаллизации, расплавов, температур
...моста 2 и поступающего на дифманометрический преобразователь 5, а также изменен е давления на выходе дифманометрического преобразователя 5. Стрелка регистрирующего прбора 6 при прогревании змеевика 1 и дросселей ) и 4 непрерывно перемещается вверх.Прп достп)кении температуры, соответствующей м,ксимально Возможной температуре кристаллизации, давление па выходе дифм,- номегрического преобразователя 5 становит;я равным давлению задатчика В и мембранный блок сумматора 10 передвигается в верхнее положене, при этом нижнее сопло сумматора открывается, В результате этого давление на выходе сумматора 10 становится равным давлению задтчик 9, т. е. становится равным даьлепшо В средних камерах сумматора 11.Мембранный блок сумматора 11 за счет...
Способ определения температуры расплава
Номер патента: 246790
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Пруцкой, Тупальский
МПК: B22D 2/00
Метки: расплава, температуры
...устройство. Это устройство с помощью электромагнитного усилите,чя переключает генератор на пониженный режим плавления, который является исходным при определении температуры сливаемого ме талл а. Способ определения(металла) при скорост 25 путем применения ф тода, отличающийся т печения повторяемости мого металла, фиксиро нагрева осуществляю 30 флюктуаций расплава.температуры расплава ных процессах плавки отоэлектрического меем, что, с целью обестемпературы сливаевание отсчета времени т в момент начала Известей сйособ измерения температуры жидкого металла, основанный на вычислении по некоторым промежуточным точкам, фиксируемым в зоне регулярного режима.Предложенный способ отличается от известного тем, что фиксирование отсчета...
Предыдущий патент: 232213
Следующий патент: Способ очистки циркуляционных газов от инертных примесей в производстве аммиака
Случайный патент: Микрохолодильник