Способ получения монокристаллов

Номер патента: 240689

Авторы: Михальченков, Урсул

ZIP архив

Текст

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Соиз Советскик Социалистическик Республикависимое от авт. свидетельствааявлено 15.1.1968 ( 1210945/23-26) соединением заявкииорите Комитет по делам аобретеииК и открыти при Совете Мииистров СССРпубликовано 01.17.1969, Бюллетень13 ата опубликования описания 25 Л 111.1969 Авторыизобретения Н, Д, Урсуляк, Н. ин и А. Г. Михальченко аявител СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КАЛ ЬЦИ Й-ВАНАДИ Й-ВИ СМУТОВО ГО ф ЕРРО ГРАНАТЛЕГИРОВАННЫХ ДОБАВКАМИ, НАПРИМЕР АЛЮМИН В процессе охлаждения происходи сталлов кальс-ванадй-висмутов граната, легированного алюминиекВ результате получают монокр става В 1 о,зз Са 2,з 2 1-ез,а Ч,з А 1 о,гг О ниченностью насыщения около 70 560 гс для состава Во,зз Сад,за 1 ез Это позволяет расширить границу кальцийванадиевых феррогранатов коротковолновую область приме 10 си. ри. рот росого сталл ос н 0 гс в сд Ъ,з примев ы со- амагместоОнь еня более8 -10 едмет пзобретени альмонокрпсталловго феррограната, например алюзиз раствора в распто, с целью упрощсвойств конечногов тигле пз окиси получе 51дЙ-всзутовоых добавкамсталлизацииссйсл тем, чи улучшенияроцесс ведутэлемента. Способ ццй-вана гированн путем кр отгссчасос процесса дукта, п рующего паве,енияпропегиНастоящее изобретение относится к области радиоэлектроники.Известен способ получения монокрпсталлов кальций - ванадий - висмутового феррограната Вз 2 з Са 2, 1.ез Ч,. О,в, легированных различными добавками, например алюминия, путем кристаллизации из раствора в расплаве в платиновом тигле.Основными недостатками известного способа являются слокость процесса, обусловленная трудностями дозированного введения легирующей добавки и недостаточно высокое качество конечного продукта,Для упрощения процесса и улучшения свойств конечного продукта предложено процесс вести в тигле из окиси легнрующего элемента,П р и м е р. Исходную шихту загружают в тигель из окиси алюминия. Тигель высотой 120 мм и диаметром 55 мм (емкость 300 смз) нагревают в печи до 1250 С, выдерживают при этой температуре в течение 10 час, затем охлаждают со скоростью 1,5"С/час до 1000 С. Кл. 12 пт, 11/00 12 п, 31/00 12 п, 29 с 00 12 п, 4900 12 п, 17/06 МПК С 01 С 01 о С 01 д С 01 д В 01 УДК 546,418818772.

Смотреть

Заявка

1210945

Н. Д. Урсул Н. И. Уткин, А. Г. Михальченков

МПК / Метки

МПК: C30B 29/28, C30B 9/12

Метки: монокристаллов

Опубликовано: 01.01.1969

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-240689-sposob-polucheniya-monokristallov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения монокристаллов</a>

Похожие патенты