161127
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 161127
Текст
СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИККласс 4 Щ 1 вв КОМУ СВИ,Ь,ЕТЕЛЬСТВУ К АВ1611 22 Ь Заявлено 03.1.1962 ( 758444/22-2) ГОСУААРСТВЕННЫИКОМИТЕТ НО ДЕЛАЖОБРЕТЕНИЙ и ОТКРЫТИЙ УДК убдиковано 09.И 1.1964 г. детеньодписная группа, М, Демен Маслов, А. А, Давыдов ВЫРАЩИВАНИЯ ДЕНДРИТНЫХ ЛЕНТ ИЗ РАСПЛАВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ ПОС Предо изобретени Способ расплава и лич ающ лент с ра рующих и гают нагр Известен способ выращивания дендритныхполос (пластин) большой ширины из полупроводниковых материалов с использованием дендритной затравки, расположенной под углом 120 к направлению выращивания.Сущность предлагаемого способа состоитв том, что дендритная лента стягивается с поверхности находящегося в лодочке расплава полупроводникового материала в горизонтальном направлении, Это позволяет регулировать форму фронта кристаллизации, скорость кристаллизации и равномерное распределение легирующих добавок, а также дает возможность стабилизировать процесс.На чертеже схематически изображена установка для осуществления предлагаемого способа.Расплав полупроводникового материала находится в лодочке 1 из кварца или графита, которая заключена в кварцевую трубу 2, имеющую кварцевые окна 3 и 4. Первое из этих окон служит для наблюдения за процессом, второе для пропускания теплового излучения от дополнительного нагревателя на поверхность расплава. Кварцевая труба 2 вместе с лодочкой 1 помещается в электро- печь 5.Процесс ведут как в вакууме, так и в атмосфере инертного газа. В последнем случае возможно обдувание поверхности расплава газовой струей через трубку б для локального охлаждения. Лодочку нагревают преи.щественно снизу, чтобы обеспечить необходимый температурный градиент в расплаве, После расплавления полупроводникового материала мощность нагревателя понижается, поверхностный слой переохлаждается на 8 12 С и затравка 7 приводится в тангенциальное соприкосновение с мениском расплава 8.Затравка закреплена на штоке 9 затравкодержателя, совершающего во время затравливания и стягивания дендритной ленты возвратно-поступательное движение по направляющим 10 от электропривода.Локальное изменение температуры в поверхностном слое расплава, а следовательно, регулирование формы фронта и скорости кристаллизации, достигаются при помощи дополнительного нагревателя и фигурного экрана 11, В качестве дополнительного нагревателя используют источник сфокусированного или направленного ИК-излучения. Скорость стягивания дендритной ленты 12 с поверхности расплава равна скорости ее роста. выращивания дендритных лент из олупроводниковых материалов, о ти й с я тем, что, с целью получения вномерным распределением легиимесе"1, исходный расплав подвереву преимущественно снизу и ло161127 стве которых используют источник ИК-излучения, а полученную ленту непрерывно стягивают с поверхности расплава в горизонтальной плоскости. 0 К-излучение Составитель Г. А. Григоренко Редактор В. П. Липатов Техред А. А. Камышникова Корректор НовичковаФормат бум. 60Тираж 700енного комитета по деламМосква, Центр, пр. Серов обретенид. 4. Типография, пр. Сапунова, 2 кальному охлаждению инертным газом при этом форму фронта кристаллизации и скорость кристаллизации регулируют при помощи дополнительных нагревателей, в качеПодп. к печ, 6/И 11 - 64 гЗаказ 1834ЦНИИПИ Государств Объем 0,1 изд, л. Цена 5 коп.открытий СССР
СмотретьЗаявка
758444
МПК / Метки
МПК: C30B 15/06, C30B 29/64
Метки: 161127
Опубликовано: 01.01.1964
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-161127-161127.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">161127</a>
Предыдущий патент: 161126
Следующий патент: 161128
Случайный патент: Устройство для погружения, например, свай