Охапин

Номер патента: 172287

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Волынец, Губен, Козлов, Охапин, Смирный

МПК: C30B 11/10

Метки: газопламенного, монокристаллов, отжига

...того, с целью уменьшения концентрации дислокаций В монокристалле, ВО Врсмя кристаллизации проводят поочередное, начиная сверху, подключение трубок, расположенных по спирали.Данный способ иллюстрируется конкретным примером его осуществления для выращивания и Отжига моно,рцсталлОВ корунда (температура плавлсш 1 я 2050-С) длиной 150 х 1,1 и диаметром до 25 з 1,11 с крцсталлографической ориентировкой 0, 15", 40, 60, 75 и 90 в стандартной печи. В зоне отжцга были проделаны нормальцыс к поверхности печи (стальНОИ 1 у ,Ожуку ц адуцдовой жарОВО ТрубЕ) круглые отверстия, расположенные по спцральнОи криВО 1 таким ООразом, что каждое слсду 1 ощее ОтВерстне Вын 1 с (ц 1 и нцжс) предыдущего на 12 я,11, а их Осц смс 1 цецы в проекции ца...