Всесоюзядя 11 латенчо-. “яи: нсмя « •-6 иот; аб. а. резников
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 171854
Текст
)оеуда рственный комитет по делам изобретений и открытий СССРриорит публиковацо 22.)/1.1965. Бюллетень12ата опубликования описания 26.711,1965 СПОСОБ ОТЖИГА АЛЛОВ напряжений в кристалле до цагревацця. После этого кристалл охлажда(от. Скорость о.(лаждеция нужно выбирать таким образом, чтобы прц каждой температуре термоупругце цапрлжеция в том же фиксированном месте кристалла были меньше (по абсолютной вслцчцце) напряжений, оставшихся в кристалле и р и той же температуре во время нагрева. 11 злс. ряется характерцал величцца цаирл(сцц.Например, режим откцга по предлагаемому способу для моцокрцсталла 1.)1 размером 20 Х 20 У 50 л) следующий, Образец цагрсцаюг со скоростью 20%(ин до Т=600 С, затем охлаждают со скоростью 3/цан. Максцмальцая величина напряжений растяжецця, измсреццая в средней плоскости параллелепипеда, составляет до отжига 35 кг/с,)(-", после - 5 кг/с)(2, Общая продолжцтельцость режима 220 л(ин,Способ отжига кристаллов, о пределом текучести, цапримр м(ц фторцстого Г)цтцл, цутм цгц р(пац дуюцего охлжд(ццл, 07.)Г(чик)щнй с це,О ускор(цця црпес(ч ц цц цратуро)(цг, ол аблц ил па 1 кгоццсо тица лстигат и( и )отиГ ( с(т Г) (х)) ( (бладающцхи 1) )(стал л а и ц посл. с тем, что,к( цц) тмикц)(:)- ( ) ь )(цй цр б Подпсн(л г/)(/(тп ЛГ д11 Отжиг, например моцокристаллов 1.)Р, поизвестному способу проводят в цзотермических условиях. При этом процесс требует достаточцо высокой температуры, большой выдержки при температуре отжига и медлецного охлаждения,Предлагаемый способ быстрого цизкотемпсратурцого отжига заключаетсл в использовании цецзотермцческой релаксации прибыстром нагревании. Прц этом уровець цапряжешш искусствеццо повышается за счетцаложецил ца остаточцые цапрякеция термоупругих цапряжеций (скорость, рассеяниеостаточцых напряжений возраста(от), температура, до Которой надо нагревать моцокристалл, понижается, допустимая скорость последующего охлакдеция повышается, а времяотжига сокращается.П р и м ер. Кристалл, подлежащий отжигу,нагревают с большой (постояццой) скоростью 20длл создацил в цем значительных тсрмоупругих цапряжеций. Одцовремеццо с нагреваниемв каком-либо месте кристалла с помощью,цапрцмср, поллризаццоццо-оптического метода, измеря)от вслц п(цу ццутрсцццх цапрлжс. 25ццй. Кристалл цагр(ца)от до тх пор, п(ц(а цслцчцца срслаксцровавшцх цапряъеццй (отсчц.тыва(мал от максцмаль(ой вел)ц) цутрсц.ц) х цг ц)якении ц д)ц цом м( ( т( ) ц( (.)ц(трацц)й роц. )( Г)ц(ц( сгаг(цх 30 рсдмст цзобрстсц ц71854 Составитель Т. И. УхорскаяТехред Л. К, Ткаченко .Корректор Г. И. Чугунова Редактор И, Г, Карпас Заказ 1631/7 Тирдгк ООО Форгват бум. БО;(90/а ОГьем О, изд. л. Цена 5 коп. Ц 1.1 И 11 ПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР Москва, Центр, пр. Серова, д, 4Типографии, пр. Сапунова, 2 3стром нагревании, например 20/яин, при толщине пластинки 20 мм, до температуры порядка 600 С, при которой величина срелаксиро вавших напряжений станет равной первоначальной величине остаточных напряжений в образце до нагревания.
СмотретьЗаявка
830662
МПК / Метки
МПК: C30B 29/12, C30B 33/02
Метки: аб, всесоюзядя, иот, латенчо, нсмя, резников, яи, •-6
Опубликовано: 01.01.1965
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-171854-vsesoyuzyadya-11-latencho-yai-nsmya-6-iot-ab-a-reznikov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Всесоюзядя 11 латенчо-. “яи: нсмя « •-6 иот; аб. а. резников</a>
Предыдущий патент: 171853
Следующий патент: Устройство для крепления и герметизации коллодиевого мешочка
Случайный патент: Устройство для регулирования подачи воды в зоны вторичного охлаждения на установке непрерывной разливки металла