Способ выращивания монокристаллов флюорита

Номер патента: 1107589

Опубликовано: 20.01.1997

Авторы: Давиденко, Карпов, Смирнов

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллизации, кристаллов, методом, направленной

Устройство для выращивания кристаллов методом направленной кристаллизации, включающее ампулу и установленный на дне тигель, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности за счет увеличения коэффициента использования тигля, ампула снабжена перегородкой в виде воронки с осевым отверстием, расположенной над тиглем.

Номер патента: 136724

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Глебский, Красильников, Хохлов

МПК: C01F 7/38

Метки: аппарат, выращивания, корунда, кристаллов

...корунда; на фиг. 2 - схема кристаллизации.Аппарат для динамического вырашивания кристаллов корунда дискообразной формы состоит из керамической вертикальной печи 1, помещенной в разъемный чугунный корпус 2, В передней стенке имеется окно 3 для наблюдения за ходом процесса кристаллизации. От центра верхней стенки, в осевом направлении, проходит конусообразный канал 4 с дискообразным расширением 5, куда в струе водородно-кислородного пламени подается в расплавленном состоянии пудра (шихта). Пудра эта попадает на вращающийся стержень-затравку 6, закрепленньш в керамических держателях 7. Вращение стержня вокруг своей горизонМ 136724тальной оси осуществляется от цепной передачи со скоростью 0,1. об/люие., Вверху аппарата, над центральной...

Номер патента: 268376

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Дорфман

МПК: B01D 9/00

Метки: выращивания, кристаллов, эпитлксиального

...осаждения (подложке) располага 1 от источник, газовый поток с транспортирующим агентом направляют параллельно источнику и 3 подложке, а перпендикулярно подложке ц оси потока создают градиент температур, направленный так, что перенос осуществляется от источника к подложке.П р ц м е р 1. В качестве исгочнцка,используют поликрцсталлцческцй германий, в качестве подложки - монокрцсталлцческцц герм анцц (арсенид галлпя). 1 Лсточнцк и подложку располагают на расстоянии 0,1 - 2 сл друг от друга, на источнике создают температуру 500 - 600 С, на подложке - 400 - 500 С и вдоль источника ц подложки параллельно им пропускают газ (папрцмер гелцй, аргон илц азот), содержащий цод в концентрации 0,02 - 0,5 г/л. В результате получают эпцгаксцальный...

Номер патента: 425420

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Гаврилова, Козин

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, дигидрофосфата, калия, кристаллов

...пере сыщения.Это достигается тем, что в процессе выращивания в кристаллизационную камеру добавляют ненасыщенный раствор при комнатной температуре, а конденсат отво дят в количестве, равном количеству растворителя, добавленному с раствором.П р и м е р. Путем синтеза, например, по реакции КОН+НзР 04 = КНР 04+ Н,О из ранее приготовленной соли готовят пасы щенный раствор данной концентрации. Раствор перегревают выше температуры его насыщения на 1 - 2 С и заливают в кристаллизационную камеру с заранее укрепленными и нагретыми в нем затравками, 30 Одновременно с этим к кристаллизационной камере подсоединяют устройство для подпитки раствора и отвода конденсата. Вещество, с помощью которого производят подпитку, вводят в кристаллизационную...

Номер патента: 550958

Опубликовано: 15.03.1977

Автор: Ханс

МПК: B01J 17/10

Метки: бестигельной, выращивания, зонной, кристаллов, методом, плавки, процессом

...на фронте кристаллизации, угол раскрытия зоны. Сигнал диаметра зоны плавления через усилители-регуляторы 3 - 5 воздействует на механизм 6 растяжения - сжатия зоны до тех пор, пока диаметр кристалла не будет равен заданному от программника 7.На программник 7 поступает от электронного блока 2 действительный угол раскрытия зоны, сравнивается с программнозадаваемым углом раскрытия зоны плавления, и сигнал, как результат сравнения, поступает на усилитель-регулятор 8 для регулирования через частоту генератора энергиями, подводимой к зоне плавления.При выполнении конусообразного перехода между затравочным и выращиваемым кристаллами программником 7 задается диаметр зоны плавления на фронте кристаллизации согласно следующей функции1 д = г, +-...