Способ выращивания монокристаллов i -: -г. -у; луч: ; , •., ••, . j i. 1, л
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
.11.1964 ( 880554/22-2 3 аявле нием заявки М с присое Приор ит МПК С 22 Государственный комитет по делам изобРетений и открытий СССРДК 669;621.315.502 (088,8) 66.065.5:548.55 (088.8) бликовано 21.М 1.196515 лете та опубликования описания 24,И 11.1965 Авторыизобрете. Рез, Е. И, Сперанская, А, И. Сафонов, Л. В, Козлов Г. М. Сафронов, И. А, Буслаев и Е, Я, Роде Заявител,ГГЛОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОИОКРИСТАЛЛОВСЕ 1 НЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ дмет изобрете Подписная группа1 б В известных способах выращивания моно. кристаллов слоистого титаната висмута кристаллизацией из раствора - расплава бинарной системы В 40. - Т 10. кристаллы В 14 Т 404. отделяют после кристаллизации всего расплава.Описываемый способ отличается тем, что для увеличения выхода кристаллов и улучшения их электрофизических характеристик предлагается полученные кристаллы основного соединения отделять от расплава с помощью подвижной сетки-сепаратора при температуре выше температуры образования инконгруэнтно плавящегося соединения.По описываемому способу смесь исходных компонентов (В 10, 78% и Т 1 О 22%) загружают в платиновый тигель, в котором помещается также сетка, соединенная стержнем с подъемным устройством, После расплавления шихты расплав выдерживают в течение суток при 1200 С; сетка в это время служит для перемешивания расплава. После выдержки температуру расплава равномерно снижают со скоростью 1 - 2 в час до 900 С (сетка находится на дне тигля), в результате чего происходит процесс кристаллизации В 14 Т 1:04;. При 900 С сетку с кристаллами поднимают и выдерживают 5 - 6 час для стекания с них остатков растворителя.Кристаллы В 14 Т 40 могут быть подвергну ты отжигу при 600 С в том же устройстве.Отделение кристаллов сегнетоэлектрического соединения от расплава при температуре выше 865 С необходимо для предотвращения разъедания кристаллов и загрязнения их 10 поверхностей примесью вследствие образования при 865 С несегнетоэлектрического инконгруэнтно плавящегося соединения ВТ 10,4,Способ выращивания монокристаллов сегкетоэлектрических соединений, например В 14 Т 1;,04., кристаллизацией из раствора в расплаве, отличающийся тем, что, с целью 20 увеличения выхода кристаллов и улучшенияих электрофизических характеристик, полученные кристаллы основного соединения отделяот от расплава с помощью подвижной сетки-сепаратора при температуре выше темпе ратуры обр азования инконгруэнтно плавящихся соедиаений.
СмотретьЗаявка
880554
М. С. Рез, Е.И. Сперанска А.И. Сафонов, Л. В. Козлова, Г. М. Сафронов, Ю. А. Буслаев, Е. Роде
МПК / Метки
МПК: C30B 29/32, C30B 9/12
Метки: выращивания, луч, монокристаллов
Опубликовано: 01.01.1965
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-173421-sposob-vyrashhivaniya-monokristallov-i-g-u-luch-j-i-1-l.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ выращивания монокристаллов i -: -г. -у; луч: ; , •., ••, . j i. 1, л</a>
Способ получения кристаллов соединений а в
Номер патента: 1624925
Опубликовано: 23.05.1993
Авторы: Кобзарь-Зленко, Комар, Терейковская, Файнер
МПК: C03B 11/02, C30B 29/50
Метки: кристаллов, соединений
...газов избыточное давление в печи 50 устанавливают на уровне 50-100 мм водя- ного столба. Включают электронагреватель и .температуру в печи доводят до 1100 С, которую и выдерживают в течение 20 ч при слабом токе аргона. 55Рекристаллизованный в этих условиях сульфид кадмия имеетудельную поверхность 2,4 м /г и насыпную плотность 2766 г/л,Навеску рекристаллизованного сульфида кадмия в количестве 300 г помещают в графитовый тигель и устанавливают на штоке механизма перемещения компрессионной печи. Печь вакуумируют и заполняют аргоном до давления 60 ат. Повышают температуру до 1500 С и при этом избыточное давление аргона достигает 100 ат, Протягивают тигель со скоростью 30 мм/ч через градиент температур нагревателя для сплавления загрузки...
Способ соединения кристалла с выводом полупроводникового прибора
Номер патента: 1636879
Опубликовано: 23.03.1991
Авторы: Гарбер, Квурт, Наибов, Файнбойм
МПК: H01L 21/50
Метки: выводом, кристалла, полупроводникового, прибора, соединения
...на металлическом облуженном выводе и на полупроводниковый кристалл подают серию импульсов от генераторов измерительного и разогревающего токов. Первый импульс измерительного тока фиксирует в амплитудном детекторе с памятью величину прямого падения напряжения на разогретом кристалле. Измеритель амплитуды огибащей импульсов измерительного тока (детектор) отслеживает изменение прямого падения напряжения на кристалле при протекании через него импульсов от генера 5 10 15 20 25 ЗО 35 40 45 50 тора измерительного тока. Вычитающее устройство вычисляет разность между напряжением с детектора с памятью и напряжением с измерителя амплитуды огибающей. Эта разность является изменением падения напряжения на кристалле в процессе разогрева. Она...
Способ идентификации граней по крайней мере двух кристаллов соединений aiibvi и aiiibv
Номер патента: 725504
Опубликовано: 09.01.1995
Авторы: Буттаев, Гасанов, Магомедов
МПК: G01N 27/416
Метки: aiibvi, aiiibv, граней, двух, идентификации, крайней, кристаллов, мере, соединений
СПОСОБ ИДЕНТИФИКАЦИИ ГРАНЕЙ ПО КРАЙНЕЙ МЕРЕ ДВУХ КРИСТАЛЛОВ СОЕДИНЕНИЙ AII-BVIи AIII- BV, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, изолируют все грани кристаллов, кроме сравниваемых, поочередно опускают кристаллы вместе с угольным электродом в электролит, измеряют разность потенциалов между неизолированными гранями и угольным электродом, а об идентичности граней двух кристаллов судят по равенству измеренных разностей потенциалов.
Способ получения кристаллов соединений а в
Номер патента: 1478680
Опубликовано: 07.02.1993
Авторы: Кобзарь-Зленко, Комар, Кулик
МПК: C30B 11/00, C30B 29/48
Метки: кристаллов, соединений
...снижения содержакислорода.На фиг.1 и 2 покаэаньпускания кристаллов сульи кадмия соответственно,1 - спектры кристаллов, пбез дезоксидации, кривыекристалллов, полученных,цацией. ния примеси кислорода. В графитовый тигель загружают исходную загрузку и навеску тиокарбамида или селенокарбамида в случае сульфидов и селенидов соответственно. Ростовую камеру герметизируют, вакуумируют и заполняют аргоном. Вкаочают нагрев, посл дезоксидации проводят вакуумировани и заполнение ростовой камеры инерт ным газом, После расплавления соединения проводят кристаллизацию направлепной кристаллизацией. Дезоксидация позволяет уменьшить содержание приме" си кислорода па 2 - 3 порядка и повысить коэффициент пропускания. 2 вл,Ф оксида цинка, смешивают в...
Способ выращивания кристаллов и кристаллизатор для осуществления этого способа
Номер патента: 100124
Опубликовано: 01.01.1955
Автор: Поздняков
МПК: C30B 7/00
Метки: выращивания, кристаллизатор, кристаллов, способа, этого
...заканчивается отростком 2, сияружи которого рзсио- ЛОЖЕН ЭЛЕКтрИЧЕСКИй ИЯГрСВатепп. о, иагреваюший раствор в отростк, до температуры, прсвышающс и тс 1 иср- туру раствор в кристяллизаторс. С помощью электроиягреватс;1 я т и терморегулиру 1 оиего устройств (и 1 чертеже ис ио 1 сяз 11 и) достигается и поддерживается иужиая тсмперятура раствора и кристаллизаторс. сс)ез к 1 зыпку 1 с 1)истяллизятор 11 Грс 1 ходит ось б кристллоиосця, которая имеет постояисюс или рсвсрсивиос вр;нцси ис. Кристаллизуемос всцсство вводится в кристаллизатор чсрсз трубку б, проходяпую сквозь крышку.Вводмыс в кристаллизятор чстицы кристаллизусмого вссцсств, п- дая на диище, скатываются ио сго коиичсской повсрхиости вниз и иои- дают в отросток, гдс происходит их...
Предыдущий патент: Способ автоматического регулирования алюминиевых электролизеровбсесоюс; .: lt; gt; amp; плтеитнэ -т: ; чес;: ля с: , 5л; зте; а
Следующий патент: Чертежный прибор для вычерчивания графиков
Случайный патент: Устройство для очистки искусственных водоемов от плавающих торфяных островов