Способ выращивания монокристаллов

Номер патента: 184246

Авторы: Витовский, Добржанский, Нете, Чернышев

ZIP архив

Текст

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ И АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республикависимое от авт. свидетельства47896/26-25) влено 22.И 1.1965 с присоединением заявки М МПК В 010ЪДК 548,522(088,8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРиоритет чиковано 21.Ъ 11.1966. Бюллетень15 ата опубликования описания 13,1 Х.1966 ЙОСОБ ВЪРАЩЙВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ Известен способ выращивания монокристаллов веществ из газовой фазы в запаянной ампуле, при котором используется свойство веществ возгоняться при температуре ниже точки плавления, При этом ампула расположена горизонтально и не производится ее вращения.Предложенный способ отличается тем, что вращают ампулу с шихтой и растущим в ней мснокристаллом и перемещают ее вертикально вверх в печи с заданным температурным режимом при совмещении осей печного пространства и ампулы.На чертеже изображена установка для осуществления способа.Кристаллизационная установка состоит из вертикальной трубчатой (прозрачной) печи с воздушной теп,чоизоляцией и механизмов подъема и вращения ампулы. Печь соорана из двух цилиндров (плавленный кварц), вставленных один в другой. Наружный цилиндр 1 служит защитным кожухом, позволяющим создать воздушную теплоизоляцию. Внутренний цилиндр 2 является оболочкой печи и каркасом для размещення нагревателя. Распределение обмотки нагревателя по цилиндру должно соответствовать определенному температурному графику 3. Оба цилиндра устанав. ливаются в пазах асбоцементной подставки 4 и закрываются сверху крышкой Б,Порошкообразное кристаллизуемое вещество засыпается в конусную часть ампулы 6с крючком для крепления 7, затем плотно утрамбовывается. После этого в цилиндриче 5 ску 10 часть ампулы помещается спрессованноеьещество и закрывающий поршенек 8 (из материала ампулы). Подготовленная таким образом ампула откачивается или наполняетсянеобходимой газовой средой и запаивается,Запаянная ампула прикрепляется к стержню9, соединенному с механизмами вращения иперемещения ампулы, Благодаря теплопроводности стержень выполняет роль дополни.тельного теплоотвода от растущего кристал 15 ла,После включения нагрева печи ампула усганавливается так, чтобы центр теплоотводанаходился в зоне максимальной температуры,после чего включается механизм вращения 102 О и механизм подъема 11. При движении ампу.лы вещество, находящееся в конусной части,попав в зову максимального обогрева, начнетуплотняться, освобождая вершину конуса. Образовавшиеся пары кристаллизуемого веще 25 ства устремятся в более холодную часть ампулы и плотно закупорят брикет с поршнем вампуле. Такое самозакрывание исключаетвозможность конденсации вещества в противоположном конце ампулы. При выходе из гочО рячей зоны конической часги ампулы скопив184246 Составитель Ю. Рапкии Техред Т. П, Курилко ректор М. П. Ромашов арпа дакт аказ 2545/1 Тираж 900 Формат бум. 60 Х 901/, Объем 0,16 изд. л. ЦНИИПИ Комитета по длам изобретений и открытий при Совете Мини Москва, Центр, пр. Серова, д, 4одписное ов СССР ипография, пр. Сапуно шиеся пары начнут осаждаться, образуя центр кристаллизации.При необходимости проводить кристаллизацию на ориентированную затравку в конусную часть ампулы вместо порошкообразного реактива, монтируется затравка,Предмет изобретенияСпособ выращивания монокристаллов веществ, разлагающихся при температуре ниже точки плавления, из газовой фазы в запаянной ампуле, перемещаемой в печи с заданным температурным режимом на ориентированной затравке или без нее, отличающийся тем, что, с целью получения однородных монокристаллов, врашают ампулу с испаряемым вешеством и растущим в пей монокристаллом и перемещают ее вертикально вверх в печи с задам температурным режимом при сонме.10 щении осей печного пространства и ампулы.

Смотреть

Заявка

947896

Б. В. Витовский, Г. Ф. Добржанский, Г. Б. Нете, К. С. Чернышев

МПК / Метки

МПК: C30B 23/00

Метки: выращивания, монокристаллов

Опубликовано: 01.01.1966

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-184246-sposob-vyrashhivaniya-monokristallov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ выращивания монокристаллов</a>

Похожие патенты