163588

О П И С А Н И Е 163588ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубликКл. 12 с,аявлено 17,17,1961 ( 71110523-4) Государственныйкомитет по делаизобретенийи открытий ССС убликовано 22 Х 11.1964 г. Бюллетень М 1 ата опубликования описани Авторизобретения ельман ОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВОВ СОЛЕЙ чьно печи, холодильник, кр одновременно вращаться в 5 т. е. за единицу времен кристалла должна быть сталлизовавшегося расп З 0 соответственно плотност масса выросшего равна массе закриава (бакр и улс -кристалла и рас дписная группа Л 3 33 Известен способ вырашивания монокристяллов из расплявов солей введением в тигель с. рясплявом врашающейся затравки и последуюгци.;( вытягиванием монокристалла.Предлагаемый способ отличается от известного тем, что в процессе вытягивания кристаллов одновременно перемещают тигель с расплавом и растущий кристалл со скоростями, определяемыми расчетным путем из уравнения материального баланса кристаллизующегося расплава. Это дает возможность увеличить размеры кристалла.Е 1 я фиг. 1 изображена схема, поясняющая предлагаемый способ; па фиг. 2- распределение температуры по осн печи.Тигель 1 с рясплавом соли помещают ня подставке по оси цилиндрической вертикальной электрической печи. Печь состоит из двух камер - верхней, в которой поддерживается температура ниже точки кристаллизации данного вещества, и нижней, температура в которой выше точки плавления. Обе камеры разделены теплоизолирующей кольцевой перегородкой-диафрагмой 2, Разностью температур 71 - Т, задается величина осевого температурного градиента в зоне диафрагмы. Сверху в печь вводят холодильник 3, на торце которого укреплена затравка 4. Как тигель с расплявом, так и холодильник с затравкой могут вертикально перемещаться с заданной скоростью относите. о ме того, может округ своей оси.Перед началом выращивания кристалловтигель с расплавом устанавливают так, чтос ы поверхность жидкости находилась несколько ниже диафрагмы, т. е. при температуре, несколько превышающей точку плавления Т В расплав вводят затравку, после че- О го при перемешении холодильника и тигля срасплавсм вверх с заданными скоростями относительно печи происходит выращивание кристалла.Соотношение скоростей подъема холодиль ника с затравкой (11) и тигля с расплавом( Р 2) выбирают исходя из заданной величины диаметра кристалла. Так как граница кристаллизации неподвижна относительно печи (ее положение задается распределением тем- О пературы по оси печи), то при росте цилиндрического кристалла диаметром а в тигле диаметром 0 должно выполняться соотноше)к 750 по ислам изобр пр. Серова, д.Типограия, пр. Сапунов плана вблизи точки плавления), Отсюда следует д = т. /Таким образом, диаметр выращивавмого кристалла для данного вещества с данным отношением -" - " определяется величинойодиаметра тигля .0 и соотношением скоростей Ь 1 и У,. Для веществ с отиос 11 тел(цо малымотношением - - ", например, для щелоч ых1 тгалогенидов ХаС 1, Ха 1, 1,Л, КС 1 и др., для которых это отношение составляет 0,8 - 0,85, гозможно выращивание кристаллов при 1, = 17, так как зазор между боковой и)- верхностью кристалла и стенками тигля будет достаточно большим. Так, для кристалла ХаЗ ( " - 08) прц диаметре тигля 100 1 и20 д -- О. - -= 100/ 0,8 = 89,5 лл. При1.Тэтом нет необходимости раздельного перемещения холодильника и подставки с тиглем относительно печи, более удобно перемешать печь вниз относительно неподвижных тигля ц холодильника. В этом случае конструкция кристаллизационпой установки существенно упрощается и она может быть использована прц промышленном получении кристаллов стандартных размеров.В самом начале процесса выращивания мопокристалла 1 до тех пор, пока кристалл не вырастет от затравки до заданного .1 иаметра) скорость подъема холодильника 1 должна быть небольшой, так как в противном случае ВОЗЪ(ОЖ 10 11 ЕРс 111 Е 1 Р 1 Е КИЧЕСТВа КРИСТЗЛЛЕ 1 Р 13-3(1 больцОЙ скорости роста в радиолы(ом 1(атрав)енин. По дости)кении заданного диаметра скорость подъема холодильника может быть увеличена, так как дальнейший рост кристалла происходит только в высоту, прц этом скорость роста кристалла равна скорости подъема холодилы(цка. Предмет изобретения Спосоо выращивания монокристаллов из расплавов солей путем ввода в тигель с расплавом вращающе(т(ся затравки и последующего вытягивашгя мопокристалла, о т л и ч аопций ся тем, что, с целью увеличения размеров кристаллов, в процессе вытягивания кристалла од 11 овремеицо перемешают тигель с расплавом и растущий кристалл со скоростямп, определяемыми расчстиым путем из урав 1 гени 51 материалы 10 ГО Оаланса 1")истяллизуюшегося расплава.