Йсессю
Способ получения монокристаллов металлов и полупроводников
Номер патента: 166841
Опубликовано: 01.01.1964
Авторы: Александров, Йсессю
МПК: C30B 1/08
Метки: металлов, монокристаллов, полупроводников
...при со температуры и давлен зия таким условиям = 22 000 кг/см 2 и 1 = 19 р = 40 000 кгсл 2, г = 2 здании определеннои я, Например, для цесоответствуют р = 7 С, для рубидия - 0 С мого способа является о производят при давсоответствующих эквой плавления или криорф ного превращения вещества. При этих усия или полиморфное ят без изменения объеазование врожденных дме обретен Способ получени лов и полунровод сталлизацией расп цией в твердой фаз с целью получения сталлов, кристалли ленин и температ ремальной точке к тической точке по перекристаллизуем и ла е, лым числом дислокапособу могут быть пороцессе зонной переодписная гргггпа16 Известен сметаллов и пдислокацийрасплава илфазе.Отличием описываето, что кристаллизацилении и...