Способ получения л10нокристаллов тугоплавких окислов

Номер патента: 164016

Авторы: Обуховский, Сысоев

ZIP архив

Текст

Союз Советских социалистических Республикласс 12 п 1, 612 п, 1 ства М -авпсимое от авторско дет Мо 777813/22 Х,1962 явленои Го рисоединением зая риорит Государственныйомитет по делаизобретенийи открытий ССС-Д епьг, Бюл Опубл икова но ЗО,711.19 Дата опубликования описания 1 О.Х.19 б Авторы изобретенияЗаявитель А. Сысоев и Я, А. Обуховск СОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛО ТУГОПЛАВКИХ ОКИСЛОВ дписная группа М Для ряда областей современной техники необходимы монокристаллы высокотемпературных окислов: корунда, рутила, окиси магния, окиси бериллия, а также мопокристаллы соединений более сложного состава шницелей: берилла, андалузита и др,Известен способ получения мопокристаллов тугоплавких окислов из расплава, в котором они растворены.Предложено кристаллизацию монокрпсталлов тугоплавких простых и сложных окислов вести из многокомпонентных систем на основе криолитов (натриевого, калиевого, литиевого и др.), содержащих либо пе содержащих стехиометрический избыток одного из компонентов; Наличие в криолите двух составляющих компонентов - щелочной и кислой - позволяет осуществлять корректировку растворителя, необходимую для получения моно- кристаллов из материалов, обладающих кислым, щелочным и амфотерным характером.Предложенный способ обладает следующими преимуществами: он является универсальным, пригодным для получения монокри. сталлов большого числа простых и сложных окислов и других соединений, растворимых в криолите; выращивание может проводить. ся при более низких температурах, чем температуры плавления кристаллизуемых соединений; возможно выращивание кристаллов стехиометрпческого состава; благодаря без.градиентномр принципу выращивания исключаются термические напряжения в кристаллах и несовершенства кристаллической 5 решетки; возможно выращивание монокрпсталлов сложных соедшенпп; отсутствуют принципиальные затруднения в получении мопокристаллов больших размеров; растворитель пе вносит существенных искажений в 10 физические и оптические свойства кристаллов; легнрующие примеси равномерно распределяются по кристаллу; криолит является технически доступным материалом крупнотоннажного производства, достаточно изу ченным в промышленности в качестве растворителя.Описанное изобретение может быть принято за основу при разработке промышленных способов получения монокрпсталлов туго плавких простых и сложных окислов п других соединений, растворимых в криолптах для различных областей новой техники (кваптово-механические генераторы п усилители), ювелирной промышленности, приборострое нияит,д. Предмет изобретен и Способ получения монокристаллов туго плавких окислов простого и сложного соста.164016 Составитель Н, А. ИвановаРедактор В. П. Липатов Техред А.А. Кудрявицкая Корректор О. Б. Тюрина Заказ 232516 Тираж 525 Формат бум, 60 Х 901/8 Объем О,3 изд. л, Цена 5 коп,ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР Москва, Центр, пр, Серова, д. 4Типография, пр, Сапунова, 2. на, на 1 ример рутила, корунда, окиси магния, андалузита и других соединений, растворением исходных окислов в солевом расплаве с последующей кристаллизацией их из насыщенного ими расплава, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью получения мопокрнсталлов с заданными электрофизическими свойствами, исходные тугоплавкие окислы ьиачале .подвергают растворению в расплавленном натриевом, калиевом или литиевом криолите, содержащем или не содержащем стехио метрический избыток одного из компонентовкриолита, а затем выращивают монокристаллы охлаждением расплава,

Смотреть

Заявка

777813

Л. А. Сысоев, Я. А. Обуховский

МПК / Метки

МПК: C30B 29/16, C30B 9/12

Метки: л10нокристаллов, окислов, тугоплавких

Опубликовано: 01.01.1964

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-164016-sposob-polucheniya-l10nokristallov-tugoplavkikh-okislov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения л10нокристаллов тугоплавких окислов</a>

Похожие патенты