Способ получения кристаллов синтетическойслюды
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОП И САНИ Е ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимос от авт. свидетельстваКл, 12 с, 2 Заявлено 06,1.1964 ( 874904/26-25)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 09.Х.1965. Бюллетень20Дата опубликования описания 4.17.1966 МПК В 01 дУДК 66,065.5(088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРВСЕГОэ; ,А,"1 Авторы зобретени И. Н, Аникии и Е. Е. Кочетковаесоюзный научно-исследовательский институт синтесырья Заявите нерального ОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ СИНТЕТИЧЕСКО СЛЮДЪой и газом, ленной в вцбортом, по одят сварку, цгля. Шцхтугомогенизачасти тигля 3 - 5 С выше ведут синтез да. Крцсталрегрева расехнол огню и диэлектриче Предм ет цзобре лов сцнтетцты, содержагсь ц фторцдах сопротивредои, отти рощения техс высокцмц практическиаццю ведут иповерхностьют от окалиивают, а заПодписная группа39 Известен способ получения кристаллов синтетической слюды из расплава шцхты, содержащей калиевый полевой шпат, окись ц фторид магния, в защитной среде водорода в железных тиглях, Прц этом получают слюду, загрязненную железом и его окислами, что снижает диэлектрические свойства слюды и ограничивает ее применение.Предлагаемый способ состоит в том, что синтез ведут в условиях, исключающих присутствие влаги и воздуха, в специально обработанном и герметизироваццом путем сварки железном тигле, при наличии систем замера и регулирования давления п подачи инертного газа в процессе опыта.После механической очистки внутренних стенок удаляют пыль тампоном, смоченным спиртом, и просушивают при температуре 60 - 70 С, Загружают шихту, состоящую цз ортоклаза, периклаза и фторцстого магния, с величиной зерен 0,05 - 1 лл, с содержанием окислов железа и влаги не более 0,1% 0,01% соответственно.Для удаления болыпей части имеющцхся в объеме тигля воздуха ц глагц в период загрузки шцхты производят неоднократное вакуум ировапие с последующим заполнением осушенным ц очищенным от кислорода газом (аргоном, азотом). Тигель в процессе вакуумировация прогревают до 120 в 1 С. После заполнения тигля шихт сго закрывают крышкой, цзготов де плоской тарелки с высоким верхнему краю которого процзв 5 обе=печпвающую герметизацию т оасплавляют, выдерживают для ции расплава, а затем в донной устанавливают температуру ца температуры кристаллизации и 10 обычным методом в среде водоро лизацию ведут, це допуская пе плава шихты более 25 С,Способ позволяет упростить т получать кристаллы с высокими 15 скимц свойствами.1. Способ получения крцстал 20 ческой слюды цз расплава шцх щей калиевый полевой шпат, ок мапшя, в железном тигле в печ ления с водородной защцтной с кающийся тем, что, с целью уп 5 цолопш ц получения кристаллов диэлектрическими свойствами,без примеси железа, крцсталлцз герметичном тигле, внутреннюю которого предварительно очцща 0 ны, промывают спиртом, просуш175480 Составитель Т. И. УхорскаяТехред Ю. В, Баранов Корректоры: С. Н. Соколоваи О. Б. Тюрина Редактор И. Г. Карпас Заказ 1050/2 Тираж 900 Формат бум. 60 Х 90/в Объем 0,1 изд. л, Подписное ЦНИИПИ Государстьенного комитета по делам изобретений и открытий СССР Москва, Центр, пр. Серова, д. 4Типография, и р. Сапунова, 2 тем загружают при нагревании и неоднократном вакуумировании с последующим заполнением объема осушенным и очищенным от кислорода аргоном или азотом, шихтой, не содержащей гигроскопичных растворимых в годе легкоплавких компонентов, причем окись магния вводят в шихту в виде кристаллического периклаза. 2, Способ по п, 1, отличающийся тем, что5 кристаллизацию ведут, не допуская перегрева расплава шихты более 25 С.
СмотретьЗаявка
874904
Всесоюзный научно исследовательский институт синтеза минерального
И. Н. Аникин, Е. Е. Кочеткова
МПК / Метки
МПК: C30B 11/02
Метки: кристаллов, синтетическойслюды
Опубликовано: 01.01.1965
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-175480-sposob-polucheniya-kristallov-sinteticheskojjslyudy.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения кристаллов синтетическойслюды</a>
Устройство для слива и транспортировки расплава хлористого магния
Номер патента: 981416
Опубликовано: 15.12.1982
Авторы: Епишев, Медведчиков, Непомнящий, Никитин, Никонов, Огурцов, Подлесный, Прокопьев
МПК: C22B 34/12
Метки: магния, расплава, слива, транспортировки, хлористого
...расплава хлористого магния из аппаратов восстановления, включающем дозатор, нагреватели, транспортный желоб и миксер, дозатор ддя сливаемого распдава хлористого магния установлен с воэможностью перемещения вдоль желоба параллельно оси ряда аппаратов восстановления,.а желоб выполнен секционным с электрическими нагревателями для каждой. секции и с дренажными кана 30 лами в плоскостях стыка секций желоба,На фиг, 1 изображено устройство для транспортировки хлористого магния, об щий вид; на фиг. 2 - дозатор; на фиг. 3- сечение А-А на фиг. 1.Устройство для транспортировки хло 35 ристого магния из печи 1 восстановления через спивное устройство 2 содержит дозатор 3, передвигающийся о направляющей рамесекционный желоб40 5 со стыками...
Способ выращивания монокристаллов высокотемпературного сверхпроводника в s с с о
Номер патента: 1772222
Опубликовано: 30.10.1992
Авторы: Булышев, Парфенов, Серых, Шнейдер
МПК: C30B 29/22, C30B 9/12
Метки: выращивания, высокотемпературного, монокристаллов, сверхпроводника
...С в течение6 . Затем смесь доводят до плавления ичерез 2 ч хлажда ат с печью до комнатнойтемп "а.уры, Приготовленную таким обра:ам ш хту помещают в вертикальную ци"рическую печь, выдержлвают 60 мин.,ри 950 С, затем охлаждаот до 850 С в теп; овом поле с градиентом 40 град/см со скоростью 1 град/ч и далее до комнатнойтемпературы со скоростью 200 град/ч, Изполученного слитка выкалывают пластинчатые монокриста/лы, Максимальные размеры кристаллов дастигаот 2025 х 0,1 мм .Дополнительный отжиг, проводят при 80 Гв,ечсние 4 ч, Выращенные таким. Спосоосммонокристаллы имеот температуру перехода в сверхпроводящее состаян е 87-89 К: перекристаллизацию путем охлаждениярасплава в неоднородном тепловом поле ипоследующий отжиг, процесс охлажденияведут в...
Устройство для вращения и перемещения тигля в аппарате для вытягивания кристаллов
Номер патента: 928853
Опубликовано: 20.01.1997
Авторы: Жвирблянский, Кац-Ванхадло
МПК: C30B 15/30
Метки: аппарате, вращения, вытягивания, кристаллов, перемещения, тигля
1. Устройство для вращения и перемещения тигля в аппарате для втягивания кристаллов из расплава, включающее установленный в опорах шток тигля, механизм перемещения тигля, содержащий взаимодействующую со штоком гайку с ходовым винтом, и механизм вращения тигля, снабженные приводами, отличающееся тем, что, с целью повышения качества кристаллов за счет снижения вибрации расплава, механизм вращения снабжен соединенной со штоком тигля виброгасящей муфтой, валом с лысками, соосно установленным со штоком тигля, а зубчатое колесо привода снабжено жестко к нему прикрепленной втулкой с роликами, взаимодействующими с лысками вала.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что виброгасящая муфта содержит установленную на штоке тигля вилку с...
Способ создания однонаправленной циркуляции расплава в тигле индукционной печи
Номер патента: 457738
Опубликовано: 25.01.1975
Автор: Френкель
МПК: C21C 5/52
Метки: индукционной, однонаправленной, печи, расплава, создания, тигле, циркуляции
...Тираж 648 Подписное ЦНИИПИ Государственного. комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раугпская иаб., д. 4,5Типография, пр. Сапунова, 2 нитные силы, связанные с радиальными компонентами напряженности магнитного поля в придонной зоне расплава (или это движение возникает главным образом под действием последних). Этот фактор позволяет уменьшить предельное соотношение между линейными токовыми нагрузками в секциях индуктора, необходимо по известному способу с 1,9 до 1,4.Например, в тигле с конусностью не более 0,03,и сужающейся к геометрической оси донной частью, причем радиус кривизны был не менее 0,6, а осевая высота сужающегося участка тигля - 0,28 долей среднего диаметра тигля, соответственно, при...
Механизм перемещения тигля в устройстве для выращивания кристаллов флюорита
Номер патента: 488954
Опубликовано: 25.10.1975
Авторы: Викман, Гулевич, Тазьба
МПК: F16H 3/00
Метки: выращивания, кристаллов, механизм, перемещения, тигля, устройстве, флюорита
...эгекта,",.тцег,; Му 11 утЕ6 ЦЗИ Этом дГДРа СВОбодного хода 13 вра.цвет гайку в 11 ротивоположном направлении, планетарный редуктор " врадается вхолостую, а винт Э с тиггем 3 быстро подним.аэ Гся.Поедмет изобретения1., Механизм переменения тигля в устройстве дгя выращивания кристаллов фгюоритавключаюгдий червячный редуктор и винтовую пару, о т л и ч а ю ы и й с я тем,. что, с целью более плавного опускания тигля и.;.Скг ючения ручных операций при его подъеме, хвостовикгайкиви 11 товой пары снабжен втулкой с зубчатым вен "омнаходяшнмса в залег:лен фи с са.егнитными ыестернями, смонтированными на червя 1 ном колесе., к втулка связана через эг.ектрома нитную муфту с опорной чавей, которая жестко соединена с хзостовиком гайк,1 эи...
Предыдущий патент: Способ гидрофобизации материалов текстилбногоназначения
Следующий патент: Гранулятор для получения гранулированных минеральных удобрении
Случайный патент: Устройство для профессионального отбора операторов