174171
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 174171
Авторы: Всесоюзный, Кисиль, Крайнюков
Текст
37437 Союз Советских Социалистических Республикависимое от авт, свидетельстваЗаявлено 10.Х 1,1963 ( 864930/26-2 12 с,соединением заявкиГосударствейный комитет по делам изобретений и открытий СССР1 ПК В 010 поритст УДК 548,55(088,8) Опубликовано 27.Ч 111.1965, Бюллетень КДата опубликования описания 8.Х.1965 БС:03".;, , 1 13":"нгг" . нокристарлов- ,ь -, =, И. Кисиль и Н. юков сесоюзный научно-исследовательскии институт аявит Я ВЫРАЩИВАНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АМ жение 30, В пулы диаме двухст товлен диамет риала едмет изобретения одпсная группаИзвестные ампулы для выращивания высокотемпературных монокристаллов типа сульфида кадмия, имеют сужение (шейку) для отбора монокристаллической затравки,Ампулы, изготовленные, например, из кварца, не пригодны для повторного использования и применяются в сравнительно узком температурном интервале, Предлагаемая ампула отличается от известных тем, что в нее по скользящей посадке вставлена соответствующего размера диафрагма с отверстием для отбора монокристаллической затравки. Такая конструкция облегчает выращивание монокристаллов и повышает их выход. При этом возможна замена деформированной диафрагмы новой и, следовательно, многократное использование ампулы в широком температурном интервале.На чертеже показана конструкция предлагаемой ампулы.Она изготовлена из графита и имеет форму цилиндра с коническим дном 1 под углом 120 - 130, заканчивающимся коническим сум, но с острым углом, например 20 - ысота ее - 150 лглс В конусное дно амвставлена диафрагма 2 до упора, с тром 22 лл и высотой 12 лглс, имеющая оронние конические углубления, изгоные под углом 120 в 1, и отверстие ром 0,8 лл. Изготовлена она из мате- ампулы,Ампула для выращивания высокотемпературных монокристаллов типа сульфида кад 15 мия, имеющая форму цилиндра с коническимдном, заканчивающимся коническим сужением, но с более острым углом, от,гичаюигаясятем, что, с целью интенсификации выращивания и многократного использования ампу 20 лы, она снабжена сменной диафрагмой,имеющей отверстие для отбора монокристаллической затравки и вставляемой в ампулуперед выращиванием,174171 Составнтсль Т, Ухорскаяедактор И, Хабибулина Текред Т. П, Курилко Корректор Ф, П. Ки Типография, пр. Сапунова,аказ 2680/1 и -ц,. Тираж суда р 00 Формат бум, 60 Х 90/з Объем 0,1 изд. л. Цена 5 коп.енного комитета по делам изобретений и открытий СССРМосква, Центр, пр. Серова, д. 4
СмотретьЗаявка
864930
И. И. Кисиль, Н. И. Крайнюков, Всесоюзный научно исследовательский институт монокриста лов
МПК / Метки
МПК: C30B 11/00, C30B 29/50
Метки: 174171
Опубликовано: 01.01.1965
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-174171-174171.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">174171</a>
Предыдущий патент: Массообменная колонна для системы пар(газ)-жид кость
Следующий патент: Способ определения заданной границы раздела зон концентрации
Случайный патент: Способ очистки масляных фракций нефти