ZIP архив

Текст

Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт, свидетельства М 5 7.963 ( 21 37 40400/3 4) Заявлегн присоединением заявки МПК С ОЬ Приорите Опублико Государственный комитет ло делам изобретений и открытий СССРБюллетень3 о 0596 та опубликования описания 15.11.1965 Авторыизобретепн Г. Ф. Лымарь 4 с1 Ощ- Нф 1 ЕСКИ ИИОТГ 1;А иканов и С. А. Медведе аявител ОКРИСТАЛЛОВ КАРБИДА КРЕМ ОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ одписная группа М 45 Известный способ получения монокристаллов карбида кремния гексагональной модификации (а - 51 С) заключается в том, что при пользовании обычной трубчатой печью сопротивления с графитовым нагревателем при температуре 2500 С в течение 10 - 16 час в среде азота или водорода в полости цилиндра выращивают и - 51 С в виде топких пластин. Выход продукта составляет 1 - 3% от исходной загрузки. 10Предложенный способ отличается тем, что процесс выращивания ведут в вакууме. Кристаллы получают в виде крупных объемных монокристаллов и - ЯС. Выход составляет 30 - 40% от исходной загрузки, 15П р и мер 1. Для выращивания используют вакуумную печь сопротивления с графитовым нагревателем. Мощность пе и 30 - 40 ква, регулировка мощности плавная. Точность стабилизации мощности 0,3%, Диаметр горячей зо ны нагревателя 90 чл, высота 200 л,и. Материал нагревателя, экранов и тигля - графит.В графитовый тигель диаметром 70 - 80 лл и высотой1 О лл загружают исходный карбид кремния, который предварительно травят в 25 кипящей царской водке пли смеси азотной и плавиковой кислот для удаления поверхностных загрязнений. Средний размер кристаллов исходного карбида кремния 0,5 в5 л и. Тигель закрывают графитовой крышкой и помещают внутрь нагревателя в таком положении, чтобы температура дна тигля была на 60 - 100 С ниже, чем в верхней его части, а с постепенным ее повышением печь откачивают при вакууме не ниже 10 - з лю рт, ст. (2 - 3 час откачки). Г 1 о достижении 1900 - 1950=С тигель выдерживают в течение 1 час повышение температуры (рабочий) до 2150 С должно занимать не более 15 лин, Прп 2100 - 2250 С процесс продолжается б - 8 час, вакуум 10 4 .ил рт. ст,Кристаллы а - ЫС легко отделяются от 1 З - ЯС. Большинство а - 1 С (по рентгеноструктурному исследованию) принадлежит политипу бН, однако часто встречаются кристаллы политипов 21 К и 4 Н.После подобной двукратной перекристаллизации выросшие мопокристаллы а - ЯС бесцветны, имеют проводимость и-типа и удельное сопротивление до 10" о,ц сл.В процессе вакуумной перекрпсталлизации возможно легирование растущих кристаллов, для чего в исходный карбид добавляют примеси в виде элементов или их соединений. Например, при дооавке еаллесоо бора вырастают монокристаллы а - ЫС р-типа с удельным сопротивлением порядка десятков ои сл.167836 Предмет изобретен ия Составитель Т. И. Ухорская Редактор Л. Г. Герасимова Текред А. А. Кудрявицкая Корректоо Л. В. ТюняеваЗаказ 12/4 Тираж 500 Формат бум. 60 Х 90,8 Объем 0,13 изд, л, Цена 5 коп. ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР Москва, Центр, пр. Серова, д. 4Типография, пр, Сапунова, 2 1. Способ получения монокристаллов карбида кремния путем перекристаллизации через газовую фазу при высоких температурах, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода карбида кремния гексагональной модификации, перекристаллизацию ведут в вакууме (не ниже О - ." мм рт. ст,) при непрерывном откачивании.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что выращивание монокристаллов ведут при температурах 2100 - 2250 С с градиентом температуры 6 - 10 С при однородном заполнении верхней половины тигля исходным карбидом кремния с величиной зерен 0,05 - 1,5 ми.

Смотреть

Заявка

840400

МПК / Метки

МПК: C30B 23/00

Метки: 167836

Опубликовано: 01.01.1965

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-167836-167836.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">167836</a>

Похожие патенты