Патенты с меткой «выращивания»

Номер патента: 665425

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Аксентьев, Барабошкин, Калиев

МПК: C30B 29/22, C30B 9/14

Метки: выращивания, монокристаллов

Способ выращивания монокристаллов кислородсодержащих соединений путем электролиза расплава их солей на постоянном токе и зарождении монокристалла в капилляре, отличающийся тем, что, с целью ускорения и упрощения процесса, зарождение монокристалла в капилляре ведут при плотности тока 0,2 - 1,5 А/см2 до спада катодного потенциала, а затем осуществляют выращивание монокристалла при катодном потенциале на 3 - 20 мВ отрицательнее равновесного потенциала получаемых кислородсодержащих соединений.

Номер патента: 1628521

Опубликовано: 20.07.1999

Авторы: Гольд, Ермакова, Малиновский, Мовчан, Нечаев, Стуков, Тюльпанов, Тюльпанова

МПК: C12M 1/14

Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов, мицелиальных, форм

Аппарат для выращивания мицелиальных форм микроорганизмов, содержащий вертикальную емкость с технологическими патрубками, размещенное в емкости устройство для образования пленки микроорганизмов, включающее носитель для микроорганизмов, средство для подачи посевного материала и снятия целевого продукта с поверхности носителя, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности, носитель устройства для образования пленки микроорганизмов представляет собой замкнутую ленту, образующую ряд вертикальных параллельных, свободно висящих петель, верхние участки которых установлены на роликах, снабженных приводом, при этом часть ленты размещена над петлями, а средство для подачи посевного...

Номер патента: 1587672

Опубликовано: 10.08.1999

Авторы: Абеленцев, Андреева, Андрианова, Джалагония, Кукаленко, Санин, Узунов, Уланова, Шестакова

МПК: A01N 55/02

Метки: выращивания, цитрусовых

Способ выращивания цитрусовых, включающий обработку растений рабочим раствором фунгицида, отличающийся тем, что, с целью снижения поражения растений инфекционным усыханием при повышении урожая и улучшении его качества, растения обрабатывают картоцидом при норме расхода 2,5 - 3,5 кг/га по действующему веществу.

Номер патента: 1565084

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Иванов, Хулугуров, Чернышев, Шнейдер

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, кристаллов, лития, фторида

Способ выращивания кристаллов фторида лития для лазерных элементов из его расплава, содержащего ионы гидроксила, в стеклографитовом или никелевом тигле в инертной атмосфере, отличающийся тем, что, с целью удешевления продукции при сохранении концентрации ионов гидроксила, стабилизирующих лазерно-активные F+--центры в кристаллах, ионы гидроксила вводят в расплав путем добавки паров воды в инертную атмосферу при их парциальном давлении 20 - 30 мм рт.ст.

Номер патента: 1575585

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Волочек, Иванов, Хулугуров, Шнейдер

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, кристалла, лития, фторида

1. Способ выращивания кристалла фторида лития с примесью гидроксила для лазерных элементов, включающий приготовление шихты фторида лития с добавкой и вытягивание кристалла из расплава, отличающийся тем, что, с целью удешевления и упрощения способа при сохранении концентрации гидроксила, в качестве добавки используют соединение фтора, разлагающееся при температуре плавления фторида лития в концентрации 0,1 - 1,0 мас.%, а вытягивание ведут на воздухе.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве добавки берут NH4F.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве добавки берут NiF2.

Номер патента: 782605

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Максимов, Марончук

МПК: H01L 21/205

Метки: aiiibv, выращивания, многослойных, основе, соединений, структур, типа

Способ выращивания многослойных структур на основе соединений типа A IIIBV с использованием химических газотранспортных реакций, включающий загрузку в реактор источника элемента третьей группы, подложек, подачу газовой смеси, содержащей галогенид пятой группы и пары воды, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения качества структур в источник элемента третьей группы добавляют кремний в количестве, превышающем предел растворимости, а концентрацию паров воды изменяют в интервале 10 - 500 ррт.

Номер патента: 764388

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Агишева, Имашев, Крупнов, Рахманкулов, Хазипов

МПК: C12N 1/20

Метки: бактерий, выращивания, питательная, среда, сульфатвосстанавливающих

Питательная среда для выращивания сульфатвосстанавливающих бактерий, содержащая калий фосфорнокислый однозамещенный, хлористый аммоний, сульфат натрия, хлористый кальций, сульфат магния, лактат натрия, дрожжевой экстракт, железо сернокислое закисное, лимоннокислый натрий и дистиллированную воду, отличающаяся тем, что, с целью повышения интенсивности роста бактерий и эффективности процесса, она дополнительно содержит в качестве добавки N, N, N', N' тетраалкилметилен (бис) амины общей формулы:где R = CH3, C2H5 при следующем соотношении компонентов, вес.%:Калий фосфорнокислый...

Номер патента: 1127486

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Михайлов, Мищенко, Щекочихин

МПК: H01L 21/36

Метки: выращивания, пленок, полупроводниковых, соединений, эпитаксиальных

Способ выращивания эпитаксиальных пленок полупроводниковых соединений, включающий испарение соединения в вакууме с последующим адиабатическим расширением пара, ионизацию пара, его ускорение электрическим полем, осаждение пленки на подложку, отличающийся тем, что, с целью получения эпитаксиальных пленок неконгруэнтно-испаряющихся многокомпонентных полупроводниковых соединений с заданным изменением стехиометрического состава по толщине пленки, пары испаряемых отдельно компонентов смешивают перед их адиабатическим расширением.

Номер патента: 1450428

Опубликовано: 27.02.2000

Авторы: Голов, Матвеев, Молгачев

МПК: C30B 15/36, C30B 29/02

Метки: алюминия, выращивания, кристаллов

Способ выращивания кристаллов алюминия из расплава на затравку, ориентированную по оси <111> в вакууме не ниже 1 10-5 мм рт.ст., отличающийся тем, что, с целью повышения степени чистоты кристаллов, выращивание ведут одновременно на затравку, ориентированную по оси <110> и параллельно присоединенную к затравке, ориентированной по оси <111>, со скоростью не более 60 мм/ч.

Номер патента: 845506

Опубликовано: 27.02.2000

Авторы: Баласанян, Вартанян, Габриелян, Казарян

МПК: C30B 15/00

Метки: выращивания, лития, монокристаллов, ниобата

Способ выращивания монокристаллов ниобата лития из расплава шихты, содержащей кислородные соединения ниобия и лития, отличающийся тем, что, с целью повышения оптической однородности кристаллов при увеличении скорости выращивания, в шихту дополнительно вводят калий и компоненты берут в количестве, определяемом из соотношения окислов пятиокиси ниобия и окиси лития, мол.%, равном (51,0 - 51,4) : (48,6 - 49,0), и окиси калия (4 - 6) % от веса суммы окислов ниобия и лития.

Номер патента: 1207140

Опубликовано: 20.03.2000

Авторы: Киктенко, Морозова, Хисамов

МПК: C12N 1/20, C12Q 1/04

Метки: выращивания, лептоспир, патогенных, питательная, среда

1. Питательная среда для выращивания патогенных лептоспир, содержащая натрий фосфорнокислый двузамещенный, калий фосфорнокислый однозамещенный, источник углеродного и азотного питания и воду, отличающаяся тем, что, с целью упрощения приготовления среды при сохранении выхода биомассы, в качестве источника углеродного и азотного питания она содержит эритроцитарную массу и жирную кислоту при следующем количественном соотношении компонентов, об.%:Натрий фосфорнокислый двузамещенный - 0,084 - 0,86Калий фосфорнокислый однозамещенный - 0,024 - 0,026Эритроцитарная масса - 0,025 - 0,1Жирная кислота - 0,001 - 0,01Вода дистиллированная - Остальное2. Среда по п.1,...

Номер патента: 1109990

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Бодин, Гневашев, Черняев

МПК: A61K 39/135

Метки: вируса, выращивания, ящура

Способ выращивания вируса ящура, включающий заражение матровым вирусом суспензионной культуры клеток ВНК-21 и последующую инкубацию в ней вируса, отличающийся тем, что, с целью уменьшения расхода количества матрового вируса, перед заражением клетки культуры концентрируют, заражение концентрата клеток матровым вирусом осуществляют в дозе 1 - 2 LD50 на клетку, перед инкубацией проводят адсорбцию вируса в течение 50 - 70 мин при комнатной температуре и разведение вируссодержащей суспензии питательной средой до исходной концентрации.

Номер патента: 1579088

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Богомолов, Дульцев, Исаенко, Позднякова, Пыльнева

МПК: C30B 29/22, C30B 7/08

Метки: выращивания, затравочных, калия, кристаллов, пентабората

Способ выращивания затравочных кристаллов пентабората калия, включающий нагрев насыщенного водного раствора и кристаллизацию путем снижения температуры при спонтанном зарождении на кристаллоносце, отличающийся тем, что, с целью получения кристаллов изометричной формы с развитой поверхностью (001), в качестве кристаллоносца используют вертикальную поверхность, которую помещают в раствор после его нагрева, и выращивание ведут при рН раствора, равном 6-7.

Номер патента: 1290762

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Белов, Денькина, Исаенко, Якушев

МПК: C30B 29/16, C30B 7/02

Метки: выращивания, иодата, лития, монокристаллов

Способ выращивания монокристаллов иодата лития путем изотермического испарения водного раствора, содержащего добавку, отличающийся тем, что, с целью увеличения прозрачности и лучевой стойкости монокристаллов, в качестве добавки берут трилон Б в количестве 0,1-0,5 мас.%.

Номер патента: 1294027

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Денькина, Исаенко, Якушев

МПК: C30B 29/10, C30B 7/02

Метки: liio3, выращивания, иодата, лития, монокристаллов

Способ выращивания монокристаллов иодата лития -LiIO3 из нейтрального исходного раствора иодата лития, включающий регенерацию затравки и последующий рост при изотермическом испарении раствора при температуре 60 - 65oC и поддержании постоянной его степени пересыщения, отличающийся тем, что, с целью получения кристаллов диаметром 50 - 70 мм с высокой оптической стойкостью, используют исходный раствор иодата лития, общее содержание микропримеси в котором не превышает 10-5%, регенерацию затравки осуществляют при подъеме температуры со скоростью 10 - 15oC/сутки и рост ведут при степени...

Номер патента: 1764285

Опубликовано: 10.04.2000

Авторы: Белов, Исаенко, Мазур, Овечко, Петренко

МПК: C30B 29/54, C30B 7/08

Метки: 3-метил-4-нитропиридин-1, выращивания, монокристаллов, оксида, ром

Способ выращивания монокристаллов 3-метил-4-нитропиридин-1-оксида (РОМ) из его раствора в органическом растворителе путем снижения температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения оптического качества и стойкости к лазерному излучению, в качестве растворителя используют ацетон с добавкой воды в количестве 3 - 15 об.%.

Номер патента: 603229

Опубликовано: 20.04.2000

Авторы: Бухтояров, Кобец, Рылкин, Столяров, Чибисова, Шульга

МПК: C12N 1/14, C12N 1/16

Метки: выращивания, микроорганизмов

1. Способ выращивания микроорганизмов на питательной среде, содержащей источники углерода, азота, минеральные соли и стимулятор роста, в условиях аэрации, отличающийся тем, что, с целью увеличения скорости роста микроорганизмов, в питательную среду добавляют экстракт, полученный в процессе денуклеинизации биомассы микроорганизмов.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что экстракт добавляют в количестве 1 - 5% от объема питательной среды.

Номер патента: 1538508

Опубликовано: 20.04.2000

Авторы: Абдуллин, Ахмеров, Дегтярева, Низамов, Николашина, Садыков, Шигапова

МПК: C12N 1/20

Метки: anthracis, bacillus, выращивания, капсульной, питательная, среда, формы

Питательная среда для выращивания капсульной формы Bacillus anthracis, содержащая сыворотку крови крупного рогатого скота и солевой раствор, отличающаяся тем, что, с целью усиления биосинтеза капсульного полипептида и повышения накопления капсульных клеток, в качестве солевого раствора она содержит гидрокарбонатную магниево-кальциево-натриевую минеральную воду при следующем соотношении компонентов, об.%:Сыворотка крови крупного рогатого скота - 35 - 40Столовая минеральная вода - 60 - 65

Номер патента: 745172

Опубликовано: 10.05.2000

Авторы: Нестеров, Шкидченко

МПК: C12H 1/02

Метки: аппарат, выращивания, жидких, микроорганизмов, мицелиальных, питательных, средах, форм

Аппарат для выращивания мицелиальных форм микроорганизмов на жидких питательных средах, содержащий емкость и размещенное в ней перемешивающее устройство, отличающийся тем, что, с целью обеспечения непрерывности процесса и повышения производительности, к стенкам емкости прикреплены горизонтальные кольцевые перегородки, а перемешивающее устройство содержит ряд дисков, укрепленных на приводном валу по его высоте и размещенных между перегородками с образованием зазоров для формирования слоя мицелия определенной величины, при этом приводной вал, диски, стенка емкости и перегородки выполнены из капиллярно-пористого материала и имеют каналы для подвода смеси питательной среды с воздухом в емкость.

Номер патента: 593338

Опубликовано: 27.05.2000

Авторы: Кидяров, Шелопут

МПК: C01B 35/00, C01B 7/00

Метки: водных, выращивания, кристаллизатор, кристаллов, растворов

1. Кристаллизатор для выращивания кристаллов из водных растворов, включающий центральный сосуд роста кристаллов и боковые сосуды растворения, соединенные с центральным сосудом посредством трубок, нагреватель и охладитель, отличающийся тем, что, с целью выращивания кристаллов йодата лития гексагональной модификации методом температурного и концентрационного перепада, соединительные трубки выполнены в виде U-образных и П-образных трубок, причем нижние части U-образных трубок снабжены конусными отводами с вентилями и стаканами с испаряющейся водой.2. Кристаллизатор по п.1, отличающийся тем, что нагреватель расположен по периметру центрального сосуда на 1/3 его высоты вниз от середины...

Номер патента: 948170

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Кантер, Сидоров, Шахина

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, монокристаллов, полупроводниковых

Способ выращивания монокристаллов полупроводниковых материалов из расплава в запаянной ампуле, включающий предварительный перегрев расплава, затравливание в носике ампулы и последующую направленную кристаллизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода монокристаллов, предварительный перегрев ведут не более чем на 5-10oC выше температуры плавления, затравливание проводят с регистрацией температуры в носике ампулы, и при наличии пика на температурной кривой процесс затравливания возобновляют.

Номер патента: 764208

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Лисовенко, Марончук

МПК: C30B 25/08, C30B 29/40

Метки: выращивания, полупроводниковых, слоев, соединений, эпитаксиальных

Устройство для выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений методом газотранспортных реакций, включающее вертикально установленный кварцевый реактор с подложкодержателем внутри, снабженный патрубками для подачи реакционного газа сверху и поддува инертного газа снизу и патрубком для отвода продуктов реакции, отличающийся тем, что, с целью исключения осаждения продукта на стенках камеры и попадания поддуваемого газа в зону осаждения, улучшения за счет этого структурного совершенства и воспроизводимости электрофизических параметров получаемых слоев, реактор снабжен кварцевой рубашкой, соединенной с реактором через отверстия, выполненные в его стенке ниже размещения...

Номер патента: 218324

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Клименко, Ржанов, Строителев

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, монокристаллических, слоев

1. Способ выращивания монокристаллических слоев преимущественно полупроводниковых материалов, например германия, в вакууме из расплава при температуре, близкой к точке плавления, отличающийся тем, что, с целью получения слоев на подложках, не эпитаксиальных кристаллизирующемуся веществу, с близкими коэффициентами термического расширения, приводят в контакт нормально расплавленному слою в область минимума теплового поля иглообразную монокристаллическую затравку, кристаллографическая ось которой совпадает с ее геометрической осью, и снижают температуру расплава по заданной программе.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения слоя на несмачивающейся подложке, растягивают...

Номер патента: 666700

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Александров, Матвеев, Райман, Симун, Соколов, Фритсше

МПК: C30B 11/00

Метки: вертикальной, выращивания, кристаллизацией, кристаллов, направленной, нескольких, расплава

Устройство для выращивания нескольких кристаллов вертикальной направленной кристаллизацией расплава, включающее несколько контейнеров, имеющих форму чаш, с отверстиями, установленных в стопу, и питатель, расположенный сверху, отличающееся тем, что, с целью упрощения изготовления устройства за счет исключения притирки контейнеров друг к другу, облегчения выгрузки кристаллов вследствие предотвращения затекания расплава в места контакта контейнеров и возможности очистки расплава от летучих примесей, отверстия выполнены в виде вертикальных каналов в боковых стенках контейнеров, соседние контейнеры установлены со смещением отверстий относительно друг друга.

Номер патента: 342395

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Лобачева, Черневская

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, монокристаллов

Устройство для выращивания монокристаллов направленной кристаллизацией расплава, контактирующего с газообразным реагентом, включающее герметичную камеру с неподвижно установленным нагревателем и тиглем, перемещаемым по вертикали при помощи введенного снизу полого штока, и расположенный вне камеры источник реагента, отличающееся тем, что, с целью увеличения эффективности воздействия реагента на расплав и уменьшения коррозии камеры и нагревателя, тигель установлен на опорах в полости укрепленного на штоке стакана с крышкой, причем полость стакана соединена с источником реагента посредством выполненного в штоке осевого канала.

Номер патента: 1396644

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Волков, Липатов, Рязанов

МПК: C30B 19/00, C30B 29/06

Метки: выращивания, полупроводников, эпитаксиального

1. Способ эпитаксиального выращивания полупроводников, включающий введение раствора-расплава в зазор между вертикально расположенными нагретыми подложками, рост слоев на подложках при их вращении, отличающийся тем, что, с целью увеличения скоростей роста слоев, раствор-расплав вводят в зазор до уровня центра подложек с отклонением не более 0,05Д, где Д - диаметр подложки, а вращение подложек проводят вокруг оси, проходящей через центр подложек перпендикулярно их поверхности.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения эпитаксиальных слоев кремния, процесс ведут при величине зазора между подложками 1,5-15,0 мм и скорости вращения подложек 0,1 - 20,0 об/мин.

Номер патента: 1831878

Опубликовано: 20.08.2000

Автор: Полуничев

МПК: C12M 1/00

Метки: аппарат, выращивания, добавки, жидкой, микроорганизмов, подачи

Способ подачи жидкой добавки в аппарат для выращивания микроорганизмов, предусматривающий перемешивание жидкой добавки в подготовительной емкости, транспортировку ее по трубопроводу в аппарат для выращивания микроорганизмов путем передавливания технологическим воздухом и ее смешивание с культуральной средой, отличающийся тем, что для перемешивания жидкой добавки в подготовительной емкости в нее направляют технологический воздух под слой смешиваемой среды путем барботирования, затем воздух сепарируют и впрыскивают в него жидкую добавку за счет гидростатического давления столба жидкости в подготовительной емкости, используя дозирующее устройство, а дальнейшую подачу подготовительной таким...

Номер патента: 1496557

Опубликовано: 20.09.2000

Авторы: Волков, Коняхин

МПК: H01L 21/208

Метки: автоэпитаксиальных, выращивания, кремния, расплав, слоев

Расплав для выращивания автоэпитаксиальных слоев кремния, содержащий кремний, олово и добавку металла, отличающийся тем, что, с целью повышения удельного сопротивления слоев, в качестве добавки металла расплав содержит титан при следующем соотношении компонентов, мас.%:Кремний - 0,05 - 10Титан - 0,008 - 4Олово - Остальное

Номер патента: 1496325

Опубликовано: 27.11.2000

Авторы: Детков, Киржайкин, Лебедева, Скачкова, Чунтонов, Яценко

МПК: C30B 11/02

Метки: выращивания, монокристаллов, раствора-расплава

Способ выращивания монокристаллов из раствора-расплава нормальной направленной кристаллизацией, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени процесса, кристаллизацию ведут с переменной скоростью R = min {R1, R2},где R1 - максимально допустимая скорость кристаллизации с устойчивым плоским фронтом, м/с;R2 - максимально допустимая скорость кристаллизации, когда концентрация на фронте ниже эвтектической, м/с,удовлетворяющие выражениямгде G - осевой градиент температуры, К/м;

Номер патента: 731645

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Бородин, Малахова, Пискун, Стериополо, Татарченко, Федоренко, Циглер, Чернышева, Чиркин

МПК: C30B 11/10

Метки: алюминия, выращивания, газопламенным, методом, монокристаллов, окиси, основе

1. Способ выращивания монокристаллов на основе окиси алюминия газопламенным методом, включающий подачу исходного порошка через факел пламени на затравку, разращивание кристалла до заданного диаметра, выращивание кристалла при поддержании постоянных условий процесса, сужение диаметра кристалла в конце процесса, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода кристаллов 30-90o - ориентации, сужение диаметра кристалла производят на 40-80% до соотношения высоты суженной части к диаметру, равного 1 : (0,3 - 1,5).2. Способ по п.1, отличающийся тем, что сужение диаметра кристалла производят путем одновременного уменьшения расхода сжигаемых газов и подачи исходного порошка.