Патенты с меткой «выращивания»
Устройство для выращивания кристаллов белка
Номер патента: 1640219
Опубликовано: 07.04.1991
МПК: B01D 63/00, C30B 7/00
Метки: белка, выращивания, кристаллов
...например стали, и гуммируется селиконовой резиной для получения эластичных камер белкового раствора.Эластичные камеры позволяют компенсировать температурные изменения давления внутри камер, изменения давления прикристаллизации.В таком положении камеры белкового 5 10 15 20 25 3035 ао45 50 ния более эластичной камеры белкового раствора.Крышка 10 затягивается гайкой 11, герметизируя камеры 3 белкового раствора.Камеры 7 буферного раствора, расположенные в прижимном диске 6,.имеют выход в полость корпуса 1, образуя общую дополнительную камеру 22 буферного раствора, в которой расположен конусный клапан 13 гидроразьема.В камеры 7 буферного раствора диска 6 предварительно вставляются фитили из стекловаты с выходом в общую камеру 22,...
Установка для выращивания трещин в образцах материалов при циклическом нагружении изгибом
Номер патента: 1640594
Опубликовано: 07.04.1991
Авторы: Горбатенко, Клевцов, Меннер
МПК: G01N 3/32
Метки: выращивания, изгибом, нагружении, образцах, трещин, циклическом
...шлицев 12, и ме ханизм передачи нагрузки, включаю.щий размещенные в направляющих пазах5. толкатели 13 с установленными наосях 14 опорными роликами 15, предназначенными для взаимодействия с соответствующими образцами 7,Корпус 3 снабжен планками 16 с зажимными винтами 17 и винтами 18,предназначенными для Фиксации образцов 7 в установочных пазах 6.40Один .конец каждого образца 7 упирается в упругий резиновый 1 эле,мент 19.Установка работает следующим образом. 45Группы образцов 7 размещают в Установочных пазах 6 и зажимают планками 6 и винтами 17 и 18. Приводятво вращение эксцентриковьФ вал 8 сэксцентриковой втулкой 11, отрегулированной на заданный суммарный эксцентриситет, При этом все группы образцов последовательноизгибаютсяс...
Устройство для выращивания растений
Номер патента: 1641230
Опубликовано: 15.04.1991
Авторы: Вольф, Галицкий, Гарбуз, Олейников
МПК: A01G 31/02, A01G 9/24
Метки: выращивания, растений
...пленки в виде желоба, Короб 1имеет сверху два ряда отверстий 4 для уста-. новки растений, закрытых снизу опорнымиполимерными сетками 5, Внутри короба 1расположены трубопроводы б со средства- фми распыления питательного раствора в виде пневмораспылителей 7, связанные смагистральными трубопроводами подачи20питательного раствора 8 и сжатого воздуха9. Под коробом 1 размещен сборный трубопровод 10 для питательного раствора,Между рядами отверстий 4 на коробе 1выполнен продольный паз, в котором установлен воэдуховод 3, Последний снабжен.скрепленной с ним жесткой перфорированной крышкой 11, края которой размещенына краях продольного паза, 3 ОВнутренняя поверхность короба 3 по.крыта полимерной пленкой 12, а отверстия4 экранированы...
Способ выращивания хлебопекарных дрожжей
Номер патента: 1641882
Опубликовано: 15.04.1991
Авторы: Вовнянко, Головченко, Зеленюх, Малыш, Рудая, Янчевский
Метки: выращивания, дрожжей, хлебопекарных
...но при"этом снижается расход кислоты, Внесение супернатанта более 3,84 мас.7нецелесообразно из-эа сниженияуровня рН ниже оптимального для процесса роста биомассы дрожжей.П р и м е р 1, Для процесса выращивания дрожжей Бассйагошусеэсегечыа 1 используют нормальную35мелассу с рН 6,55, кислотностью1,0 град и следующими показателямикачества,%: сухие вещества 77,0,цветность 21,0, сумма сбраживаемых40углеводов 48, 64, доброкачественность63, 17 ф содержание Са 0 1,399, содержание формольнотитруемого азота0,4174 содержание общего азота 1,76;содержание фосфора 0,0524.45Навеску свеклосахарной мелассы107,2 г переводят теплой водопроводной водой (879,4 мп) в бродильныйсосуд, снабженный аэрирующим устройством, С учетом добавляемых в...
Устройство для выращивания монокристаллических лент сапфира
Номер патента: 1213781
Опубликовано: 23.04.1991
Авторы: Алябьев, Папков, Перов, Шевченко
МПК: C30B 15/34, C30B 29/20
Метки: выращивания, лент, монокристаллических, сапфира
...диаметру графитового нагревателя 5. Этот цилиндр вставляютвнутрь графитового нагревателя 5.Затем собирают устройство из графи"тоного нагревателя 5 с молибдено"ным цилиндром, пьедестала 4 и экранон 7. С помощью резистивиого нагрева графитового нагревателя 5 совставленным в него цилиндром подннмаот темйературу до2000 С и выдерживают в течение 0,5-1 ч. Приэтой температуре происходит интенсивная диффузия углерода в молибденовый цилиндр, взаимодействие егос молибденом с образованием слоя 6,карбида молибдена. При,этом давление паров углерода падает с 10 до.в1 0 " атм , т , е . уменьшается на три порядка .Спой 2 вольфрама на внешнюю поверхность молибденового тигля нано"сят при помощи плазменно-дуговойгорелки при 4 5000 С с использованием 3781...
Аппарат для выращивания микроорганизмов
Номер патента: 1643604
Опубликовано: 23.04.1991
Авторы: Евсеев, Межбурд, Писарев, Шаров
МПК: C12M 1/10
Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов
...3 пузыригаза, отделяясь от жидкости, поступают в верхнюю часть трубопровода 13и далее в газовое пространствоемкости 1, а культуральная жидкость - в блок датчиков 14 и далеев зону всасывания мешалки 3. 1643604жения микроорганизмов в культуральнуюжидкость подают питательные соли, водуи исходную газовую смесь через трубу4 и аэратор 5. Избыток культураль-ннои жидкости сливают. При включениимешалки 3 культуральная суспензияпринимает вращательное движение и постенкам емкости 1 поступает на направляющие пластины 8. С направляющихпластин 0 благодаря их проФилю частькультуральной жидкости сливаетсяравномерно по радиусу емкости 1 в основной объем перемешиваемой среды,а другая часть с большой скоростьюустремляется к центру емкости 1,...
Способ выращивания дрожжей
Номер патента: 1643607
Опубликовано: 23.04.1991
Авторы: Мавлани, Рахматуллаев, Сабиров, Ташменов, Тиллаева, Уланова, Фимушкина, Хамидова
МПК: C12N 1/16
Метки: выращивания, дрожжей
..."Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина,101 Маточный раствор содержит ингредиенты при следующих соотношенияхкомпонентов, г/л:Водораствори 2 иеа ми иоки сло тыУглеводыИнозитфосфатыНитрат аммонияДругие минеральные вещества 0,01" 0,02Отход, используемый для предла"гаемой питательной среды, существенно отличается от гидролизата расти. тельного сырья наличием инозитфосфатов и нитратов аммония,П р и м е р 1 (контроль).Для приготовления питательной среды используют гидролизат, состоящийиэ рисовой лузги и хлопковой шелухирН 7,5Готовят среду инокулюм и выращивают культуру БассЬагощусе сетечзае. Среду разливают в колбыобъемом 500 мп со 100 мп среды, за"крывают пробками и стерилиэуют при1 атм 30 мнн, Среду засевают 2 односуточного инокулюша,...
Устройство для выращивания растений
Номер патента: 1644828
Опубликовано: 30.04.1991
Авторы: Вольф, Галицкий, Гарбуз, Олейников
МПК: A01G 31/02, A01G 9/24
Метки: выращивания, растений
...этом его подача дозиЦель изобретения - повышение уро- руетсявентилем 9.8 противоположномконжайности и снижение энергозатрат. 5 це лотка 3 раствор сливается по патрубку 11На фиг, 1 изображено устройство для и трубопроводу 12 в общую сборную емвыращивания растений, продольный раз- костьнепоказана)длякоррекциииповторрез; на фиг. 2 - то же, поперечный разрез, ного использования, Из магистральногоУстройство включает теплоизолирован- воздуховода 2 воздух с заданными климатиный воздуховод 1, соединенный с побудите ческими параметрами поступает в воэдухолем расхода (не показан) через вод 1, Через отверстия 5 воздух затем магистральный воздуховод 2. Растильня вы- попадает к надземной части растений, а чеполнена в виде лотка 3, представляющего...
Теплообменное устройство к аппаратам для выращивания микроорганизмов
Номер патента: 1645288
Опубликовано: 30.04.1991
Авторы: Александров, Карасев, Пирогов, Слепов
МПК: C12M 1/02
Метки: аппаратам, выращивания, микроорганизмов, теплообменное
...каждого канала 2 и соединены между собой посредством пластин 10. 45Теплообменное устройство Работает следующим образом.В процессе выращивания иикрооргаиизмов в ферментаторе выделяется теп- . ло биосинтеза, которое отводится теплоносителем, циркулирующим в тепло- обменном устройстве,Теплоноситель из коллектора 3 по-. ступает в трубы 6 и истекает через отверсТия 1 в виде струй на внутРенньзо поверхность цилиндрического канала 2. Струи зидкости после удара о внутреннюю поверхность канала 2 растекаются по ее поверхности в виде турбулентной пленки, отводят через стенку канала тепло биосинтеза от культуральной зидкости, выделяющееся в процессе выращивания микроорганизмов. Отработанные пленки жидкости с двух противоположных сторон стекают...
Питательная среда для выращивания томатов в условиях гидропоники
Номер патента: 1646524
Опубликовано: 07.05.1991
Авторы: Багрий, Гудков, Симоненко, Ткачук
МПК: A01G 31/00
Метки: выращивания, гидропоники, питательная, среда, томатов, условиях
...я с я тем,что, с целью повышения урожайности нкачества плодов, она дополнительно содержит треххлористый титан при следующем содержании компонентов, мг/л:Азотнокислыйкалий 600-620Азотнокислыйкальций 1285-1340Фосфорнокислый однозамещенный аммонийСернокислыймагний 480-500 40СернокисдоежелезоВинная кис"лота 7,15-7,3045Борная кислотаДвухлорнстый- марганец 1,80-1,83СернокислаямедьСернокислыйцинк 0,215-0,225Иолибденовая кислотаТреххлористыйтитан1,61-3,22Вода Остапьное до 1 л 113-118 8,95-9,10 2,83-2,88 0,080"0,081 0,09"0,095 Сравнение проводят с выращиваниемтоматов на известной питательной сре.де, которая содержит, мг(л:Нитрат натрия 612Нитрат кальция .1312ОднозамещенныйФосфат аммония 115Сульфат магния 490.Иолибденоваякислота...
Устройство для выращивания монокристаллических пленок
Номер патента: 1647042
Опубликовано: 07.05.1991
Авторы: Ганин, Лиманов, Лифшиц, Мусатова
МПК: C30B 1/08, C30B 13/22
Метки: выращивания, монокристаллических, пленок
...поликремниевой пленкой 5, Размеры зоны нагрева определяют с одной стороны длиной и диаметромспирали источника 1, а с другой стороны - условиями фокусировки. Подложку 4, установленную нэ подложкодержателе 3 с вмонтированным в него нагревателем 7, перемещают со скоростью 5 10 м/с. При этом для компенсации ассиметрии теплового распределения в зоне нагрева собирающую линзу 2 смещают в направлении перемещения подложки 4 с держателем 3 на 1,5 10и, что удовлетворяет соотноше,Чнию Лх = А . Для осуществления смеащения собирательной линзы 2 в системе фокусировки последнюю закрепляют в каретке, установленной на направляющей типа "ласточкин хвост" (не показано). Величина смещения регулируется дифференциальным винтом. Переводной коэффициент А...
Устройство для выращивания кристаллов из растворов
Номер патента: 1647043
Опубликовано: 07.05.1991
Авторы: Клубович, Кондрашов, Семенович, Толочко
МПК: C30B 7/00
Метки: выращивания, кристаллов, растворов
...и других техни кристаллов.Целью изобретения явля ние надежности работы устр щение его конструкциии.На чертеже изображен продольный разрез,Устройство включает к онный сосуд 1 и кристалл Средство спирального пере сталлодержателей 2, содер лерную мешалку 3, уста возможностью свободного в сительно горизонтальной ос креплена на консоли 4, Консо на штоке 5, установленном с вращения вокруг вертикальн вочные кристаллы б установл сти работы онструкции. зационный м с возможзакреплена новлена меи располодикулярно ешалки уста- Устройство ещение кривода вертиил.1647043 5Составитель В,Захаров-Черненко гулич Техред М,Моргентал Корре В,Гирняк Рада ор каэ 1380 Тираж 265 Подписное БНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при...
Способ выращивания кристаллов иодистого цезия
Номер патента: 1647045
Опубликовано: 07.05.1991
Автор: Цирульник
МПК: C30B 17/00, C30B 29/12
Метки: выращивания, иодистого, кристаллов, цезия
...выращивания кристаллов, конкретно щелочногалоидных кристаллов иодистого цезия, и позволяет уменьшить пластичность кристаллов. В тигле расплавляют шихту соли иодистого цезия. Кристалл вытягивают из расплава на затравку, ориентированную вдоль оси 100 . На лазерных окнах, вырезанных из кристалла перпендикулярно оси роста, достигают предела текучести 1 кг/мм,дой, Рост кристалла осуществляют в воздушной атмосфере в вертикальной муфельной печи из платинового тигеля с расплэвом соли иодистого цезия, Печь закрывают керамической крышкой со смотровым окном. Перед началом цикла выращивания соль расплавляют, отжигают при 680 С. Через смотровое окно опускают кристаллодержатель с затравкой под крышку печи. Прогретую в течение 3 - 5 мин затравку...
Устройство для выращивания гидробионтов
Номер патента: 1648305
Опубликовано: 15.05.1991
Авторы: Горелов, Тегетаев, Халилов
МПК: A01K 61/00
Метки: выращивания, гидробионтов
...сил натяжения в оттяжках 11.Крепление оттяжек 11 к верхним и нижним частям опорных рам 1 одновременнопозволяет обеспечить сохранность рабочейформы каркаса при течениях и волненииморя, стрингеры 3 изготавливают из отрезков канатов стандартной длины, представляющих собой унифицированные деталидля монтажа каркаса, Использование поперечного набора стрингеров 3 обеспечиваетстабильное рабочее положение коллекторов 5 в секциях 4,Коллектора 5 представляют собой сетной рукав цилиндрической формы, разделенный на продольные отсеки с помощьюосевой пожилины 14 и поперечные гнезда -с помощью фиксирующих оттяжек 10 (гужиков), Концы осевой пожилины 14 крепят кпродольным ребрам 2.В качестве якорей 7 в устройстве могутбыть использованы бетонные блоки...
Аппарат для выращивания микроорганизмов
Номер патента: 1648972
Опубликовано: 15.05.1991
Авторы: Борский, Власов, Карханин, Шарлот
МПК: C12M 1/02
Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов
...из них струи газа направлены противоположно направлению вращения мешалки 7, при этом отверстия 17 имеют внутренню винтовую нарезку 18 для закручивания струй газа. На 1648972резка 18 в поперечном сечении имеет треугольную йли четырехугольную форму, Аппарат работает следующим образом. Корпус 1 заполняют жидкой рабочей средой и питательными компонентами через штуцер 15, а затем включают приводной электродвигатель 4, Под действием турбинной мешалки 7 жидкость приобретает вращательное движение вокруг оси корпуса 1 и под действием центробежных сил отжима- ется к стенке перфорированного цилиндра 8. в результате чего вокруг оси корпуса 1 образуется воздушная воронка, доходящая до мешалки 7. В камеру 9 подается сжатый . воздух, который,...
Способ автоматического управления процессом выращивания кормовых дрожжей в дрожжерастильных аппаратах непрерывного действия
Номер патента: 1648980
Опубликовано: 15.05.1991
Авторы: Петруня, Стретьячук
МПК: C12Q 3/00
Метки: аппаратах, выращивания, действия, дрожжей, дрожжерастильных, кормовых, непрерывного, процессом
...(или непосредственно в аппарате). Датчики 19 и 20 соединены с входами сумматора 22. Третий вход сумматора 22 соединен с задатчиком 7,Входы регулятора 23 соотношения соединены с выходами датчиков 18 и 21 сумматоров 11 и 22.Выход регулятора 23 соединен с ИУ 24, - установленным на трубопроводе подачикислоты в аппарат. 25 30 35 40 45 50 55 Способ реализуется следующим образом,Температура культуральной среды в аппарате, измеряемая датчиком 1, стабилизируется изменением расхода охлаждающей воды в рубашку аппарата с помощью ИУ 3, управляемого регулятором 2,Расход дрожжевого сусла, подаваемого в аппарат (датчик 5), регулируется регулятором 6 в зависимости от расхода питательной среды (датчик 4) и задаваемого эадатчиком 7 соотношения...
Система автоматического управления процессом непрерывного выращивания микроорганизмов
Номер патента: 1648981
Опубликовано: 15.05.1991
Авторы: Гваздайтис, Кильдишас, Манкявичюс, Станишкис
МПК: C12Q 3/00
Метки: выращивания, микроорганизмов, непрерывного, процессом
...потребления кислорода;Овозд, - расход воздуха на азрацию; Со,возд - концентрация кислорода в воздухе(величина постоянная);Со - концентрация кислорода в выходящих газах.Сигнал текущей скорости потребления кислорода с выхода блока 13 поступает на блок 14 определения среднеинтегральной скорости потребления кислорода, а сигнал от датчика 8 расхода аммиачной воды - на блок 16 определения среднеинтегральной скорости подачи аммиачной воды. В блоках 14 и 16 происходит суммирование моментных значений входных сигналов за заданный период времени и деление сигналов интегральной суммы на длительность периода интегрирования, Период интегрирования выбирается таким, чтобы сглаживать нестационарность текущих измерений. Сигналы с выходов блоков 14...
Способ выращивания картофеля
Номер патента: 1650023
Опубликовано: 23.05.1991
Авторы: Колтунов, Коновалов, Липодат
Метки: выращивания, картофеля
...картофеля, вклюающий посадку клубней путем их укладки на дно борозды, засыпки почвой слоем 1 - 3 см с Изобретение относится к сельскому хо. яйству, к способам выращивания картофе- я Цель изобретения - повышение урожайности,П р и м е р, Непророщенные клубни сорта "Темп" загружают в картофелесажалку СН - 4 Б, имеющую четыре заделывающих диска, расположенных за опорными колесами, Клубни укладывают в борозды глубиной 5-7 см (для тяжелых дерново-подзолистых почв). Рекомендуемая глубина борозды на легких почвах равна трем диаметрам клубня, на тяжелых - двум диаметрам, При укладке клубней в борозды температура почвы . на глубине борозды составляет 0-3 С, При укладке в борозды клубни засыпают почвой слоем 1-3 см.При появлении на клубнях корней...
Способ выращивания однолетних растений в засушливых условиях, преимущественно бахчевых культур
Номер патента: 1650038
Опубликовано: 23.05.1991
Автор: Попов
МПК: A01G 1/00
Метки: бахчевых, выращивания, засушливых, культур, однолетних, преимущественно, растений, условиях
...при выращивании растений на террасах. При выращивании плодовых культур на террасах свободную земельную площадь используют для выращивания бахчевых культур. Отбирают отводок корня толщиной 4 - 5 мм, выполняют на нем косой срез, надевают на него полихлорвиниловую трубку с размещенным в ней жгутом и отводят дальше границы размещения кроны дерева. Ко. нец трубки оставляют на глубине заделки семян и высаживают в него семечко тыквенных культур. Пасока растения-хозяина, поступающая по жгуту к семечку, увлажняет его и создает благоприятные условия в период его прорастания и в начале роста растения. 3-4 см, и высаживали в него семячка тыквенных культур, как арбуз, тыква, патессон.Посадку проводили в апреле-мае. Пэсока растения-хозяина,...
Устройство и. и. сташевского для гидропонного выращивания растений
Номер патента: 1650047
Опубликовано: 23.05.1991
Автор: Сташевский
МПК: A01G 31/02
Метки: выращивания, гидропонного, растений, сташевского
...верхнем основании 10 жесткого каркаса 11, Каркас 11 труб 3 образован расположенными вдоль их образующей поверхности секций 12 из жестко соединенных между собой и обтянутых сеткой 13 рамок иэ металлического участка. В каждой секции 12 рамки скреплены посредством болтов 15 и гаек 16. Рамки 14 смежных секций связаны через шарниры 17 своими продольными элементами. Каркас 11 труб 3 соединен гибкими связями 2 с барабаном 18 лебедки 19. Гибкие связи 2 подвешены на направляющих роликах 20, В каркасе 11 имеются посадочные отверстия 21 для растений, в которцх расположены опорные сетки 22, а над ними - складка 23 для крепления стебля с зажимом 24, Корни, размещаемые в сетках 22, сверху прикрыты пленкой 8. Над трубами 3 установлены лампы...
Аппарат для выращивания микроорганизмов
Номер патента: 1650690
Опубликовано: 23.05.1991
Авторы: Ванагс, Виестур, Кузнецов, Рикманис, Саксе, Скворцова
МПК: C12M 1/04
Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов
...микроперемешивания. Поднимающиеся дисперсные частицы газовой фазы - пузырьки воздуха попадают в вышележащую воронку, откуда эистационарную зону, что обеспечивает высокую турбулизацию жидкости,Поскольку лопастные мешалки 5 лишь ускоряют поток среды. достигается доста 5 10 15 20 25 30 35 40 45 точно высокий уровень введенной суммарной энергии без образования локальных эонперемеш ива ния,Таким образом достигается равномерное распределение энергии перемешивания по всему объему емкости 1,Направляющие продольные пластины 3обеспечивают аксиальное направлениециркуляционных потоков среды в пристенной зоне, увеличивают поверхность контакта теплообменных повеохностей с потокамисреды, а также препятствуют вращательномудвижению всей массы...
Способ выращивания кристаллов
Номер патента: 1650797
Опубликовано: 23.05.1991
Авторы: Азаров, Клубович, Кондрашов, Толочко
МПК: C30B 7/00
Метки: выращивания, кристаллов
...и удаляют с его поверхности капельки раствора путем легкого встряхивания кристалла, Нагревают кристаллизатор с раствором и вазелиновым маслом до 48 С и выдерживают при этой температуре до полного растворения пара- СЬ зитных кристаллов (в течение 4 ч), Охлажда- (Я ют раствор до первоначальной температуры О роста 38 С и вводят в него кристалл. Пленка с ваэелинового масла на поверхности кристалла не наблюдается. Выращивают кристалл в течение 24 ч до достижения им размеров 15 мм. Исследование выращенного крисалла показывает, что он является визуально прозрачным, не содержит вклю- ф чений, оптических неоднородностей.П р и м е р 2. Выращивают кристалл КДР в тех же условиях, что и в примере 1, но без ваэелинового масла. В период растворения...
Способ выращивания и скармливания животным гидропонного корма
Номер патента: 1653655
Опубликовано: 07.06.1991
МПК: A01G 31/02
Метки: выращивания, гидропонного, животным, корма, скармливания
...вертикального кон- (Л вейера 1 поочередно заправляют лотки-кор- (л) мушки 3 семенами из устройства 5 и (Ь раствором из емкости 4. Росту травы спо- (Я собствует система 7 освещения. Ежедневно (Л заправляют каждый лоток-кормушку 3. Когда трава в лотке подрастает (например, через месяц), завершив период вегетации, конвейер 1 опускает его вниз и животные в съедают на корню суточную норму зелени. Так как лотки-кормушки 3 закрыты стальными сетками 11, корни травы не повреждаются животными, а раствор не теряется.Ячейки сетки 11 имеют размер достаточный для прохода растущей травы и недоста 1653655точный для проникновения рыла и копытец животных. Каждый день конвейер 1 поворачивают на один шаг, равйый расстоянию между лотками и т.д.Когда...
Установка для выращивания гидробионтов
Номер патента: 1653656
Опубликовано: 07.06.1991
Автор: Беляев
МПК: A01G 31/02
Метки: выращивания, гидробионтов
...режим аэрации подбором состава газовоздушной смеси и регулированием ее подачи в каждый стакан через патрубки 24. Режим освещенности регулируют изменением высоты расположения светильника 9. некоторым изменением угла его наклона и длины тяг 11, отключением части ламп и установлениеминтервалов день - ночь.Фрагменты водорослей 21 закрепляют на сетках 20, в каждый из каркасов 19 устанавливают на такой высоте, чтобы сравнять возможные неоднородности освещенности. В процессе эксперимента периодически сливают часть отработанной питательной среды и добавляют новую. для чего опускают кольцо 26 и перекрывают отверстия 23, Питательная среда, поднимаемая пузырьками воздуха по эрлифту 22, через наконечник27 сливается в приемный желоб 28,...
Устройство для гашения пены к аппарату для выращивания микроорганизмов с перемешивающим устройством
Номер патента: 1654331
Опубликовано: 07.06.1991
Авторы: Безденежных, Болкунов, Виноградов, Виноградова, Иванов, Климов
МПК: C12M 1/00
Метки: аппарату, выращивания, гашения, микроорганизмов, пены, перемешивающим, устройством
...отвода теплоносителя смонтирова ны на верхней стенке 12 поплавка 4,15Устройство работает следующим образом.Поплавок 4 размещается в корпусе аппарата 1 таким образом, что вал 2 перемещения. Поплавок 4 состоит избоковой цилиндрической стенки и верхней стенки, в центре которой выполнено сквозное отверстие для обеспеченияпродольного перемещения поплавкавдоль вала 2 перемешивающего устройства 3. Патрубки 7 и 8 для подводаи отвода теплоносителя смонтированына верхней стенке поплавка. Устройство позволяет повысить эффективностьпроцесса пеногашения эа счет комбинированного - гидродинамического итеплового воздействия . 3 ил . перемешивающего устройства 3 проходит через центральное отверстие 13, а сам поплавок своей конусной частью обращен вниз и...
Способ выращивания монокристаллов l в о (он)
Номер патента: 1656014
Опубликовано: 15.06.1991
Авторы: Бичурин, Бондарева, Дыменко, Ломонов, Пополитов, Телегенов
МПК: C30B 29/22, C30B 7/10
Метки: выращивания, монокристаллов, оn
...р и м е р 2. В автоклав, футерованный фторопластом, помещаютхимические реактивы тетрабората литияи борной кислоты при их массовомсоотношении 2, 0: 1, О, затем заливаютэтанол (98 мас.7) и размещают перегородку для регулирования конвекциидля заданного температурного перепада, Отношение жидкой фазы к твердой3,0:1,0. Автоклав герметически закрывают и помещают в двухзонную печьсопротивления, где его нагревают дотемпературы (Т) 300 С (зона растворения) с температурным перепадом ( Т)о35 С. При данном нагреве давлениежидкой среды составляет 125 атм,20Процесс получения монокристаллов протекает по схеме, описанной в примере 1. Выход монокристаллов 98,1 Е,размеры до 5,7 мм.П р и м е р 3. В автоклав, футеро 25ванный фторопластом, помещают...
Способ выращивания растений
Номер патента: 1657114
Опубликовано: 23.06.1991
Автор: Ложкина
Метки: выращивания, растений
...выбирается равной 1-2 с. После обработки в торфяную смесь проводят посев семян.1 ил. перед пикировкои рассады с омагничен ного грунта превысила массу с контрольных растений на 125. Через 5-5,5 мес после магнитной обработки урожай томатов на 38 был выше урожая с контрольных площадей, а к завершению периода плодоношения, т.е. через 10 мес. после магнитной обработки превышение урожая составило 5,4 над контролем, Урожай салата кочанного через 2 мес после посева,в омагниченный грунт превышал на 63; урожай с контрольных площадей. Аналогичные результаты получены впоследствии и в других хозяйствах.Увеличение продуктивности растений после магнитной обработки грунта наблюдается в течение 10-11 мес, имеет тенденцию к постепенному снижению и зависит...
Способ выращивания монокристаллов кальций-ниобий-галлиевого граната
Номер патента: 1414015
Опубликовано: 23.06.1991
Авторы: Грошенко, Еськов, Крутиков, Островский
МПК: C30B 15/00, C30B 29/28
Метки: выращивания, граната, кальций-ниобий-галлиевого, монокристаллов
...пихту вьппе температуры плавления КНГГ составляющей 1 ч 50 С. Затеи снижают давление над расплавом путем откачивания ростовой камеры до давления не более 0,1 мм рт,ст. на время 3 минь после чего камеру заполняют инертным газом и кислоро дом (Аг + 5 об.7 О ). Выращивание кристалла проводят при 1450 С в цент. ре тигля. Максимальная температура Ф О у стенок тигля составляет 1550 С. Вытягивание.кристалла осуществля;ют со скоростью 3 мм/ч при скорости вращения 30 об/мин,Кристаллы имеют диаметр 30-35 ммпри хорошем оптическом и структурном совершенстве.Дачные о режимах роста и качестве кристаллов сведены в таблицу.Как видно из таблицы, выдержкарасплава перед выращиванием при давлении значительно больше 0,1 юя.рт.ст.не приводит к снижению...
Способ выращивания посадочного материала смородины
Номер патента: 1658897
Опубликовано: 30.06.1991
Автор: Коротков
МПК: A01G 1/00
Метки: выращивания, посадочного, смородины
...допри выращивании саженцев кродины, снижение загрязненияыми удобрениями и продуктада.пособ осуществляют следующим сразу же Я ПОЧЕЫ ДО арезанные двух суток омещались арганцового черенкииям опыта троль, без отехникой; м азотных внесение е внесение именялось ного удобнесение 6 25 кг/га.1658897 Формула изобретения 40 Составитель Н.БыковТехред М,Моргентэл Корректор М,Демчик Редактор С.Лисина Заказ 1792 Тираж 381 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушскэя наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 Четвертый участок получал трехразовое внесение азотного удобрения в следующих дозах: первое внесение 10 кг/га, второе -20 кг/га; третье - 30...
Устройство для выращивания растений
Номер патента: 1658922
Опубликовано: 30.06.1991
Авторы: Верещагина, Голубкович, Доркин, Морозов
МПК: A01G 31/02
Метки: выращивания, растений
...двух одинаковых отсеков 6 и 7, каждый из которых имеет большое 8 и малое 9 основания, Направляющие 2 выполнены расходящимися в направлении от малого основания 9 к большому 8, Противостоящие вегетационные сосуды 3 на соседних направляющих 2 в каждом иэ отсеков 6 и 7 соединены телескопическими элементами 10 с образованием блоков из нескольких сосудов 3. Каждый из сосудов 3 имеет паз 11 для установки на направляющей 2, Каждый из отсеков 6 и 7 снабжен механизмом 12 раздвижения вегетационных сосудов 3 и вентилятором 13, Вентилятор 14 подсоединен к объему, занимаемому источниками 4 света. Кроме того, камера 1 имеет систему полива растений (не показана).Устройство работает следующим образом.Блоки вегетационных сосудов 3 с помещенными...