Патенты с меткой «выращивания»

Страница 10

Шихта для выращивания монокристаллов иттрий-железного граната

Загрузка...

Номер патента: 394315

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Куриленко, Сапожников, Титова

МПК: C30B 29/28, C30B 9/12

Метки: выращивания, граната, иттрий-железного, монокристаллов, шихта

...путем кристаллизаиз раствора компонентов УзОз, 1.-е,Оз, з в распл авс РЬО - РЬГз - ВзОз. Отлилсч тем, что, с целью увеличения коэфепта использования окиси иттрия и поии 51 Выходя крупных кристяллОВ, В шиходят двуокись свшша, а исходные комты берут в следующем соотношешш, %: иттрицииСаСОчаюафицивышету ввПЕНЕ 1вес. УзОз 1 езОз РЬО РЬ) В 20 з РЬОз СаСО 5,4 - 10,811,42 - 17,5530,9 - 34,1833,62 - 37,62,36 - 2,77,25 - 7,650,01 - 0,05 Опубликовано 22.7111.1973. Бю Изобретение относится к области хими 11 еской технологии и касается получения моно- кристаллов магнитных полупроводниковых материалов.Известна шихта для выращивания моно- Б кристаллов иттрий-железного граната (ИКГ) следующего состава (вес. %): 11,03 УзОз15,65 1;"е,Оз39,3 РЬО...

Шихта для выращивания ферромагнитных монокристаллов

Загрузка...

Номер патента: 394317

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Лебедь, Мосель, Муха, Титова, Яковлен

МПК: C01G 49/00, C30B 7/00

Метки: выращивания, монокристаллов, ферромагнитных, шихта

...расплавекристаллов с общей формулой з .Еео. А 1 1 п. Опь обладающих нченностью насыщения 4 зтМ, не болееузкой линией ферромагнитного рез(ф. м. р.) не более 1 э и полем анизо- не оолее 1 О э. Это достигается тК 1тИв известную шпхту на основе 1 еОз,ГезОз, А 1(ОН)РЬО, РЬР 2 вводят окдия, и разработанный состав шихтыследующее соотношение компонентов: Синтезированные монокрпсталлы имеют15 состав 1 е,з ттс 1 о,о А 1 ю,о 1 п о,зз Рез,75 Оснамагниченностью насыщения 4 тМ 400 гс,К,9 э, шир;ной линии ф.м.р. (измеренияИпроводятся на частоте 500 Мгтт), равной для20 лиска 0,7 э, лля сферы 1 э.П р и и е р. Исходные компоненты шихтыуказанного состава перемешивают путем виброомола, загружают в платпновьп тигельемкостью 250 слтз, закрывают платиновой25...

Аппарат для выращивания микроорганизмов

Загрузка...

Номер патента: 394420

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Глазман, Николаев, Северокавказский

МПК: C12M 1/06

Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов

...включает питающийтрубопровод 11, установленный в емкости 1 коццецтрично и расположенный непосредственно цяд турбцццыхт колесом 4; лток 12 для выходя отходящих газов. Аппарат выполнен 10 с полой рубашкой 13, имеющей штуцера Идля подвода охляждя 10 цей жцдкост 11.11 яправлгцощий цилиндр 2 снабжен рубашкой 15 для;оддержанця в аппарате заданного температурного режима.15 Работает аппарат следующим образом.Яцдкость засасывается турбинным колесом 4 ц затем с большой скоростью в виде сплошного потока цз диска турбинного колеса выбрасывается в протоки кольцевой ка меры 8. Благодаря скоростному истечениюжидкости и паденшо давления в воздушном коллекторе 3, через трубы 6, 7 и 5 осуществляется подсос воздуха и дробление его в жидкой фазе до...

Способ выращивания земляники

Загрузка...

Номер патента: 395046

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Сушков

МПК: A01G 1/00

Метки: выращивания, земляники

...определяемого высотой стебля.Состав насыпанной земли может быть в зависимости от природных условий самый различный, пригодна даже земля со значительным содержанием песка.В весенний период производят рыхление междурядий, проводят прополку, удаляя сорняки, пробившиеся сквозь слой земли вместе с рож 1 ками земляники.В дальнейшем проводят только дополнительную пронолпсу или полив по мере необходимости, соответственно при засоренности нгса 1 ждений и в период сильной засухи.Выборочная засыпка может быть применена в условиях круглогодичной вегетации земляники в подходящих климатических условиях или в теплицах.Удобрение и различные препараты лротив ,вредитедей и болезней землянички вносят путем распылення на кусты непосредспвен 11 о перед...

Аппарат для выращивания микроорганизмов

Загрузка...

Номер патента: 395430

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: C12M 1/06

Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов

...культуральной 3 жидкости, поступающей в корпус пеногасителя в процессе биосинтеза, увеличение пропускной способности аппарата по газу, предохранение неногасителя от возможных перегрузок и снижение расхода энергии на его работу, а следовательно, увеличение удельной производительностн аппарата при одновременном снижении затрат энсрпш. 1-1 а чертеже схематично изображен участок аппарата с псногасителем и системой отводных труб.Система отводных труб обеспечивает отношение культуральной жидкости в рабочем и пеногасящем объемах аппарата и состоит из нескольких (или одной) труб 1, соединяющих внутреннее пространство корпуса пеногасителя 2 с корпусом аппарата 3 в определенных точках. Входные участки труб устанавливают на отметке минимального...

Аппарат для выращивания микроорганизмов

Загрузка...

Номер патента: 396361

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Пищевой

МПК: C12M 1/04

Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов

...верхней частаппарата установлен пеиогаситель 7, состоящий из двух усеченных конусов, соед;1;е 11 иь 1 х между сооои, и имею 1 ций центральное отверстие для выхода воздух.Пеног 1 сител 1 7 лОсобств ет изменени 10 н 11- 15 правления газожидкостного потока от периферии к центральной циркуляционной трубе.Аппарат заполняется питательной средой доверхнего среза циркуляционной трубы 3 (до лопаток завихрителя 5). лроизвод 11 тся посев 20 микроорганизмов,и подается воздух через воздухораспределитель 4 в пространство между корпусом 1 н цнркуляционной труоой 3. За счет такого размещения воздухораспределителя возгикает обратная циркуляция 11 отока, 25 обусловлен иая разностью плотностей газожидкостной смеси в зоне барботажа и жидкости в зоне...

Способ получения субстрата для выращивания растений на основе анионита ан-2ф

Загрузка...

Номер патента: 397175

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: A01G 31/00

Метки: ан-2ф, анионита, выращивания, основе, растений, субстрата

...- прп 100 С в течение 20 час,Измельченный до размера частиц менее 2 мл 125 анионит во избежание растрескивания замачивают насыщенным раствором хлористогонатрия, переводят в гидроксильную форму,смешивают с катионитом КУв соотношении 1: 2 и насыщают макро- и микроэлемен 30 тами, необходимыми для питания растений,397175 Пр едмет и зобр етен ия Составитель Ю. КюрегянТехред Т. Курилко Корректор М. Лейзерман Редактор Е. Сотник Заказ 3724,9 Изд. Уе 15 Тираж 523 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, 7 К.35, Раушская наб., д. 45Типография, пр, Сапунова, 2 пропусканием 1 застворов нитраа кальция, нитрата калия, сульфата магния, однозамещенного фосфата калия, глюконата...

Шихта для выращивания монокристаллов гексаферрита baamgafeioozs

Загрузка...

Номер патента: 397477

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Винник, Громзин, Зверева, Филиппов

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: baamgafeioozs, выращивания, гексаферрита, монокристаллов, шихта

...%):Окись железа 30,9 - 31,0 Ъглскислый барий 58,0 - 58,2 Окись магния 2,5 - 2,6 Окись бора 8,3 - 8,5 8,5 мешают в печьИзооретение относится к получению ВагМдг 1 е 1 гОгг ферромагнитных гексагональцых монокристаллических материалов, применяемых в различных сверхвысокочастотных устройствах миллиметрового диапазона длин волн.Известна шихта для выращивания моцокристаллов гексаферрита ВагМдгГе,гОгг ца основе окиси железа, углекислого бария, окиси магния и соединения, образующего раствори- тель. При этом отмечается малая магнитная добротность монокристаллов, Для получения монокристаллов с высокой магнитной добротностью (ЛН (30 э) предлагается в качестве соединения, образующего растворитель использовать окись бора, а исходные компоненты...

Аппарат для выращивания микроорганизмов

Загрузка...

Номер патента: 397538

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: C12M 1/04

Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов

...впе емкости параллельно продольной ее 5 оси и сообщены с ней в верхней и нижнейчастях, при этом нижние концы труб вварепы в днище под углом 5.Воздухоподводящие трубы 4 установленыпо всей дтине циркуляционных труб 3, а на 10 их наружной поверхности укреплены перфорированные витки 5 шнека.Выходные верхние концы цнркуляционныхтруб 3 выполнены расширяющимися. Нижняя часть воздухоподводящей трубы 4 по образу ющей имеет пазы 6, а торец заварен заглушкой 7 с отверстиями, Аппарат имеет крышку 8.Работает аппарат следующим образом.В дрожжерастпльный аппарат непрерыв ным потоком пода от конднционнрованнуюбарду, соляную (серную) кислоту и чистую культуру дрожжей.После заполнешя аппарата жидкостью на1/20 объема включают воздуходувку, и воз дух...

Устройство для выращивания растений

Загрузка...

Номер патента: 398224

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: A01G 31/06

Метки: выращивания, растений

...раздвигать сетки без поперечного с мещения цх ячеек.На фиг. 1 показана предлагаемая установка, вид спереди; ца фиг. 2 - то же, вцд сбоку; на фцг. 3 - схема сетки.Установка состоит цз рамы 1, резервуара 2 для питательного раствора, насосной станции 3, трубопровода 4, растилен 5, пускоре-улирующеи аппаратуры б, досвечивающей системы, включающей в себя рамки 7, люминесцентные лампы 8 и механизм 9 подъема ц опускания, сеток 10, состоящих из гибких нитей 11, заключенных в жесткие рамки 12, соединенных между собой шарнирно-рычажными ромбами 13. Шарнирно-рычажные ромбы5 крепятся к досвечцвающцм рамкам 7.Технологический процесс работы установки состоит в следующем,Прц высадке посадочного материала поднимают в ерхцсе положение...

Аппарат для выращивания микроорганизмов

Загрузка...

Номер патента: 398602

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: C12M 1/14

Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов

...к кото)ы Подсоединен. барботеры 9.При этом в дпарате имеются воздухораспределители 10 с отводными трубками 11 с соплами 12 нд концах. Трубки 11 подключены к диффузорам 8.Воздухораспределитель 10 расположен в верхней части каждой сеции 3. Трубы 7 установлены по центральной части оси аппарата. Перегородки 2 выполнены полыми и снабжены патрубками для подвода хладотеплоагента. Секц: 8 соединсы между собоо переточными труоами 1 О.Аппарат работает следуюшм обрдзом.Питательная среда и посевная культура подаются в верхнюю секцию 8 и по переточным трубам 18 передаются вниз из секции в секцию.Из нижней секции культуральная жидкость отбирается на дальнейшую переработку.Воздух подается одновременно во все секции через воздухораопределнтель 10,...

Аппарат для выращивания микроорганизмов

Загрузка...

Номер патента: 400617

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Авторы

МПК: C12M 1/04

Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов

...входят всасывающий канал 5, распределительный коллектор б, задвижка 7, газовые каналы 8 и обводной канал 9. Эжекторы 3 установлены в полости 2 (на внутренней поверхности кольцевого цилиндра 1) под углом к касательной меньше, чем 90, Угол рассчитан таким образом, что радиальная составляющая скорости газожидкостного потока, выходящего из эжектора, обеспечивает достижение инжектируемым газом стенки 1 О с внутренней стороны цилиндра, а тангенциальная составляющая создает круговую циркуляцию культуральной жидкости внутри цилиндра. Центробежные силы куль туральной жидкости при этом вынуждают газперемещаться от стенки 10 к стенке 11 емкости с одновременным подъемом.Культуральную жидкость, находящуюся вцилиндре, через всасывающий...

Питательная среда для выращивания сибиреязвенных микробов

Загрузка...

Номер патента: 400620

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: C12N 3/00

Метки: выращивания, микробов, питательная, сибиреязвенных, среда

...1 л. В 1,)гл среды с содержанием 9 млрд. спор концентрация живых спорсоставляет 94 - 96" .Цель изобретения - повышение коццецтрации споровых культур сибиреязвеццых микроб)свЭто достигается тем, что предлагаемая питательная среда содержит кукурузный экстракт и молоко и имеет следующий состав:Кукурузц экстракт, % 1,0 - 1,1Молоко натуральное или сухое,растворсииое, %Серцокислое окисцое )келезо,Фосфорцокисльй одцоз а мещеццый калий, % 0,1 - 0,1 1Фосфорпокислый двузамещеццый калий, % О,Агар Корсаковский, выморожеииый, ,г 2,9 - 3,0Вода водопроводцая, л до 1Для получения предлагаемой среды все коапоцсцты (к 1)01 е аОлокл) съеиивгиот В уклзаииых пропорциях, 1)гревпот;О ио;Иого )1 Сплав,1 сци 51 гГл 1 ф 1 11 тр 1 к)т с)сз Влтц). л 1),1 еВВ 1 и...

Брикет для выращивания растений

Загрузка...

Номер патента: 406509

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Берзиньш, Брокс, Булиньш, Буш, Кариньш

МПК: A01G 9/10

Метки: брикет, выращивания, растений

...евон си 5 тельности заделываения предльной прой системы Предмет изобретен и выращивания растении, о т л итсм, что, с целью повышения ,ности труда при изготовлении делыванип в него корневой си 5 я, брикет выполнен с продольдля бокового ввода корневой ния,Брикет для ч а 5 о щ и й с я пронзводптел 20 брикета н за стемы растен ной прорезы системы растцельныц пряморессованной торпрорезью 2.брикет его корни Изобретение относится к областики посадочного материала, напримеовощных, декоративных растений, аженцев лесных пород.Известен брикет для выращиваниякоторый выполнен составным из двковых по форме частей, соприкасаюпродольной поверхности.Недостатком известного брикетасложность заделывания в него користемы сеянца.С целью повышения пронзвод...

Способ приготовления питательной среды для выращивания молочнокислых бактерий

Загрузка...

Номер патента: 408964

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Всесоюзный, Сыродельной

МПК: A23C 9/12, C12N 1/20

Метки: бактерий, выращивания, молочнокислых, питательной, приготовления, среды

...40.В качестве гидролизующего казеиц агентаиспользуют закваску Яг, 11 с 1 ие 1 ас 1 епз, приго.Б товлсццую ца обезжиренном молоке (2,5%заражения). Закваску вносят в приготовлен.цое вышеуказанным способом обезжирсццосмолоко в количестве 2,5% от его объема и перемешивают,1 о Культивировацис проводят в течение 21 нпспри 2 - 3-кратцом раскислецпи среды 20%-цымраствором МаОН до рН 6,8.По истечении указанного срока культивирования 8(г. 11 с 1 ие 1 ас 1 епз проводят первую стерв рилизацию в выдерживателс прп температуре105 - 110 С, давлении 1 ат.я в тсчсццс 15 лшн,Затем смесь охлаждают до 65 - 70 С,павшие после этого в осадок белки и ппактцвироваццые клетки отделяют ца сепараторс.20 Осветлеццую стерильцую среду подают вприемную ваццу,...

Питательная среда для выращивания продуцентов глюкоамилазы

Загрузка...

Номер патента: 361199

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: C12N 9/34

Метки: выращивания, глюкоамилазы, питательная, продуцентов, среда

...выращивании культуры Епт)отпусорз 1 зЙЬц 11 цег Кв условиях интенсивной аэра Процесс ферментации ведут при температуре среды 34 С, рН 7,5 - 8,0, давлении 0,4 - 0,6 ат,тт и скорости вращения мешалки 350 - 500 об(тттан. При этом аэрация ведется непрерывно, Во время вспенивания увеличивают давление до 0,8 - 1 аттт или добавляют пепогаситель, Для контроля процесса ферментации пробы отбирают через 9, 12, 15 и 18 часов роста. Определяют рН среды, глюкоамилазную активность, количество биомассы в г(100 лтл глубинной культуры, состояние клеток - микроскопически, отсутствие посторонней микро- флоры. Процесс ферментации прекращают после достижения максимальной глюкоамилазной активности. Затем глубинная культура поступает в сборники, далее на...

Питательная среда для выращивания микроорганизмов

Загрузка...

Номер патента: 362048

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Белова, Васильева, Вител, Данилова, Костенко, Лапотышкина, Медман, Моторна, Шагов, Ширшов

МПК: C12N 1/00

Метки: выращивания, микроорганизмов, питательная, среда

...выращивания количество дрожжей и полисахаридов углеводов увеличивают, при этом минеральные соли не прибавляют, так как они содержатся в дрожжах, Кроме того, кормовые дрожжи рекомендуется использовать для выращивания микроорганизмов на поверхности твердой агаровой среды. Для этой жс цели в среду прибавляют 2 - 3% агара, не менее 2% дрожжей и остальные компоненты, которые вносят в жидкую среду для глубинного выращивания.Дрожжевая среда, разработанная на примере указанных микроорганизмов, яелясгся пригодной для выращивания других микробов и грибов в средах, в состав которых взамен кукурузного экстракта введены дрожжи,Для приготовления питательной среды применяют сухие кормовые дрожжи в виде суспензии (болтушки), содержащей цельны с...

Аппарат для выращивания микроорганизмов

Загрузка...

Номер патента: 364661

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Государственный, Ликеро, Пиво, Спиртовой, Табачной

МПК: C12M 1/10

Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов

...например плесневых грибов, выполнен в в:Где вращающегося барабана 1, внутри которого имеются труочатые теплообменнцкц 2, выполняющие одновременно функцию перемец 1 цлактщего устройства, приспосоолецця Л для вго 1 питательной среды, приспособлений для ввода воздуха и для ввода посевной культуры (ца фигурах це показаны), приспособления 4 для вывода отработанного воздуха и приспособления 5 для вывода выращенной культуры,Все этп приспособления проходят через торцовые вставки 6 с уплотнениями 7,Барабан 1 дополнительно снабжен эксцентрич;1 о установленным перфорцровац 1.ым валом 8, 2 теплооомецникц 2 цавцты вокртг этого вала и имеют поочередно противоположные направления навивки (см. фпг. 6). При этом цавцвкп двух смежных...

Аппарат для выращивания микроорганизмов

Загрузка...

Номер патента: 366219

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Балышин, Беспалый, Вител

МПК: C12M 1/04

Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов

...циркуляционных труб 2, равномерно расположенных по длине окружности емкости, смонтированные над каждой трубой 2 отражатели 3 для гашения пены,воздуховод 4, от которого отходят плавно изогнутые патрубки б, оканчивающиеся воздухораспределителями б.Воздухораспределители выполнены в виде 5 конических насадок с отверстиями а, расположенными на образующей конусов, диаметр которых выполнен уменьшающимся к выходу воздуха из насадки.Отражатели выполнены откидными и удер живаются на трубах с помощью защелки 7.Циркуляционные трубы снабжены теплообменными рубашками.Аппарат заполняют питательной средой,после чего по воздуховоду 4 в него подают 15 воздух, который равномерно распределяетсявоздухораспределителями б по сечению циркуляционных труб, В...

Питательная среда для выращивания продуцента витамина bis propionibacterium shermanii

Загрузка...

Номер патента: 366739

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Московский

МПК: C12N 1/20, C12P 19/42

Метки: propionibacterium, shermanii, витамина, выращивания, питательная, продуцента, среда

...буфера может быть изменена путем изменения концентраций входящих в него компонентов (см. табл. 2).366739 Таблица 1 Накопление витамина В, и биомассы в зависимоеи от условий культивирования бактерийВитями Вип .5 кг л. Биомасса Чикроб оточес кй метод определеня, слоппя культпвпровзн 5 г,л Прп добавлении 0,4 М фосфат-лимонного буфера 13,1 10,1 10,7 Прп нейтрализации бикарбонатом нат- рия 9,7 10,3 10,9 Без добавления буфера и бпкарбоната натрия 1,8 5,6 не определено Данные табл. 2 показывают, что при увеличении концентрации буфера до 0,6 М рН не падает нике 6,5 в течение трех суток. При использовании 0,4 М буфера рН не падает нике 6, следовательно, нет необходимости в добавлении щелочи, как по известному способу.Количество биомассы и...

Аппарат для выращивания микрооргапизмов

Загрузка...

Номер патента: 368299

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вител, Воинов

МПК: C12M 1/08

Метки: аппарат, выращивания, микрооргапизмов

...формы.Поперечные перегородки 4 лопастей, расположенные ближе к оси вала, имеют перфорацию,а в нижней части радиальной перегородки 5между перфорированной перегородкой и валом имеются щели 6. ВАНИЯ МИКРООРГАНИЗМО Аппарат работает слсдующим образом.В емкость 1 непрерывно подают питательный субстрат по патрубку 7 и воздух по патрубку 8. Причем питательный субстрат пода 5 ют с таким расчетом, чтобы в верхней частинад жидкостью была определенная воздушнаязона. Затем приводят во вращательное движение вал. Лопасти 3, вращаясь вместе с валом,захватывают из наджидкостного пространства10 воздух и подают его в культуральную жидкость. При этом воздух, выходя через перфорированную поперечную перегородку 4, диспергируется, интенсифицируя таким...

Способ выращивания монокристаллов ниобатов и танталатов щелочных металлов

Загрузка...

Номер патента: 369748

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Иностранец

МПК: C30B 15/00, C30B 29/30

Метки: выращивания, металлов, монокристаллов, ниобатов, танталатов, щелочных

...на установке Чохральского с нагревом тигля при помощи нагревателя сопротивления. Исходный материал в виде порошка помещают в платиновый тигель и расплавляют в проточной атмосфере, представляющей собой влажный кислород или влажную смесь кислорода с инертными газами. Для создания требуемой степени влажности поток газа пропускают перед входомэкамеру через наполненныи водои сосуд при температуре 22 - 28 С. Скорость протекания газа должна обеспечивать его насыщение водяным паром при данной температуре и выбирается 5 в пределах 0,3 - 3,0 л/час, предпочтительно0,5 - 1 л/час.В процессе вытягивания между затравкойи расплавом создают короткое замыканиедля стекания поляризационных зарядов, возникаю щих при переходе в...

Способ выращивания микроорганизмов

Загрузка...

Номер патента: 370227

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: C12N 1/00

Метки: выращивания, микроорганизмов

...объем и рециркурируя его в нем.На чертеже показан пример осуществления предложенного способа,Из жидкостного слоя 1 побудителем 2 расхода циркулирующий поток 8 культуральной суспензии подают в распределитель 4. Последний проходит через газовые объемы 5 и чередующиеся жидкостные слон 6, причем на участках контакта с аждым из газовых соераспределитель 4 выполнен с отверстиями а.5 Проходя по распределителю 4, культуральнаясуспензия струями 7, перпендикулярными кструям 8 жидкостного слоя, поступает в культивируемый объем,Регулируя давление подаваемого газа, весь10 культивируемый объем распределяют на чередующиеся слои жидкости и газа малых объемов. Жидкостной слой проходит основным потоком в виде струй 8 через газовые объемы,свободно...

Способ выращивания древесно-кустарниковых растений в зоне многолетней мерзлоты

Загрузка...

Номер патента: 371888

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Никитин

МПК: A01G 23/00

Метки: выращивания, древесно-кустарниковых, зоне, мерзлоты, многолетней, растений

...минеральные удобрения: 200 г суперфосфата и 100 г калийной соли. Саженец 18 с компактной корневой системой (с толщиной кома почвы 25 - 30 слт, диаметром не менее 1 лт, в возрасте 10 - 15 лет) высаживают на подготовленную3почву 1, предварительно смочив ее 15 - 18 л воды, После посадки почву снова поливают из лейки в количестве 10 - 15 л и покрывают слоем перегноя толщиной 5 см. Для посадки крупного дерева можно подготовить посадочное место на двух и более изолирующих плитах. Данный способ можно использовать не только для групповых насаждений, но и для солитеров путем насыпки валов из плодородной почвы небольшой высоты до 60 - 80 см на изолирующие плиты. Для контроля за уровнем увлажнения почвы на глубину 20 см в изолированной почве...

Аппарат для выращивания микроорганизмов

Загрузка...

Номер патента: 372253

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Всесоюзный

МПК: C12M 1/14

Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов

...На каждой тарелке имеются переливные трубки 3 для среды, установленные с возмож. ностью регулирования их по высоте аппарата, трубки 4 для перетока пены и барбатер 5,В верхней части аппарата имеется пеногаситель, выполненный в виде отражателя б.Аппарат работает следующим образом.Каждую секцию аппарата заполняют культуральной средой до уровня, определенного положением переливных трубок. Затем с помощью вентилятора 7 в каждый барбатер через патрубки 8 подают сжатый;воздух.Плотность среды, находящейся непосредственно над барбатером, меньше плотности среды, находящейся в других частях секций, в результате чегго среда из верхних слоев (малоаэрированная среда) вытесняет среду нижележащих слоев, обеспечивая циркуляцию среды в секции и...

Питательная среда для выращивания культуры вас. diastaticus —продуцента а-амилазы; i; сесоюзн

Загрузка...

Номер патента: 372257

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: C12N 1/20, C12N 9/54

Метки: diastaticus, а-амилазы, вас, выращивания, культуры, питательная, продуцента, сесоюзн, среда

...рН АС ед 100 м Ъ 1 ч и/и ьной Наименование образца уб дкости Вас, Йаята 1 сцз, выраенная на картофельном варе 12- 500 Вас. сИазтансця, выращенная на полусинтетической среде Изобретение относится к микробиологической промышленности, а именно к питательной среде для выращивания культуры Вас. Жаласцэ - продуцента а-амилазы.Известна питательная среда для выращивания культуры Вас. йаэасиз - продуцента а-амилазы, содержащая карбонат кальция и воду Такая питательная среда не о высокой активности а-амилазы кул йаз(а(1 сиз и дорога.Предлагаемая питательная среда но увеличивает активность выра микроорганизмом а-амилазы, К она являегся более удобной и сравнению с известной. Достига дополните ную муку экстракт,5 держатся вес. %): Крахь Куку Азот...

Способ выращивания дрожжей в магнитном поле

Загрузка...

Номер патента: 374369

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Ковалевска

МПК: C12N 1/16

Метки: выращивания, дрожжей, магнитном, поле

...ьную сшнх жит, чем 10 Предмет изобретен ц он Изобретение относится к мской промышленности,Известен способ выращивания дрожжей в магнитном поле.Предлагаемый способ позволяет интенсифицировать рост дрожокей. Достигается это тем, что дрожжи выращивают у южного люса постоянного магнита мощностью 2400 - 2600 эрст.Берут равные количества питательной среды - мясопептоцный бульон с 4%-ной глюкозой, Рн среды 6,6 - 6,8, засевают равным количеством одной и той же культуры дрожжей при постоянной температуре 28 - 30 С и п мешают между полюсами постоянного маги та напряженностью 2400 - 2600 эрст на 3 - 4 дня. В результате происходит интенсивный рост клеток дрожжец и повышение опской плотности культуры.Установлено, что при посеве О,1...

Способ выращивания листерий

Загрузка...

Номер патента: 374373

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Телишевска, Трусова

МПК: C12N 1/20

Метки: выращивания, листерий

...0,221 0,284 О, 462+ О, 212 0,90 0,250 Примечание. Е - экстинкция и ЬЕ в увеличен экстинкции но сравнению с контролем,флаконах с добавками органических кислот показали увеличение накопления этой массы в среднем в 2 - 2,5 раза. Пример 1. Во флаконы с МППСГБ перед культивированием листерий добавляют стерильно 20%-ный раствор малеиновой кислоты из расчета 6 мл раствора на 100 мл среды (1,2%). В полученную среду вносят 1 мл бульонной культуры листерий, После культивирования в течение 24 час при 37 С определяли оптическую плотность выросшей культуры на нефелометре ФЭК-М (кювета 5 мм) против контроля состоящего из 5 лгл МППСГБ и 0,3 мл 20%-ного раствора малеиновой кислоты (1,2%).Полученную оптическую плотность сравнивали с оптической...

Корм для выращивания насекомыхpmoiu-b.; s-v; i; uia:

Загрузка...

Номер патента: 378214

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Кондратов

МПК: A01K 67/033

Метки: выращивания, корм, насекомыхpmoiu-b

...после чего добавляют автолизат 25 пивных дрожжей, формалин, уксусную кислоту, метабен, растворенный в этиловом спирте (2 г метабена в 8 игл спирта). Смесь снова тщательно перемешивают.После охлаждения до 40 - 45 С в смесь 80 добавляют водный раствор аскорбиновой кислоты (4 г порошка в 50 лсл воды), Смесь пе. ремешивают и разливают в стерильные банки слоем 1 - 1,5 слс, Банки накрывают матерчатыми крышками (два слоя .бязи с ватной прослойкой) и ставят на хранение в холодильник при 3 - 5 С до использования (хранить корм можно не более двух недель)..капустной совки ироходит прн плюс 24 С и длине светового дня 22 час.Оценку качества среды проводят по биологическим показателям развития капустной совки: продолжительности развития гусениц,...

Способ выращивания микроорганизмовi2

Загрузка...

Номер патента: 378405

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Всесоюзный

МПК: C12N 1/28

Метки: выращивания, микроорганизмовi2

...г 4 мг 8 мг 8 мг 0,8 мг до 1 л 0,75% к протоку 40 45 50 55 Составитель В. ЯкубинаТехред Т. Миронова Корректор Е. Сапчнова Редактор Л. Народная Заказ 338/1075 Изл,478 Тираж 467 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Тип. Харьк. фпл. пред. Патент Нефтяной дистиллят,фракция 240 - 360 С изнефти ставропольскогоместорождения, содержащей40% комплексообразующихуглеводородов 10 об, %Картофельный сок 1% к объемукультуральноисреды В качестве посевной культуры используют дрожжи, смытые с агаризованных сред, в количестве 0,06 мг/л (в пересчете на сухое вещество),Дрожжи культивируют в стерильных условиях на круговой качалке (240 об/мин) 48 час по 32 С и рН, равном 4,0 -...