Патенты с меткой «выращивания»
Устройство для выращивания растений
Номер патента: 1771594
Опубликовано: 30.10.1992
Авторы: Аминов, Борисенков, Доронин, Курилко
МПК: A01G 9/24
Метки: выращивания, растений
...в виду располокенного горизонтально а аккумуляторе тепла трубопровода С вертикальными отводами, а также вытяжную трубу с запорно-регулирующим органом, вытяжная труба и горизонтальный трубопровод соединены между собой, при этом вертикальные отводы расположены внутри ограждения у цокольной его части на уровне основания, вытяжная труба выпал" нена из светопрозрачного материала, а выходное отверстие расположено под кровлей,На чертеже показано предлагаемое устройство.Устройство содержит светопрозрачное ограждение 1, основание(слой плодородного грунта) 2, аккумулятор 3 горячей воды, горизонтальный аоздуховод 4, вертикальные отводы 5, вытяжную трубу 6 и запорнорегулирующий орган 7(стрелками показано направление движения воздуха),Система...
Способ выращивания виноградника
Номер патента: 1771596
Опубликовано: 30.10.1992
Авторы: Квливидзе, Мгебришвили
МПК: A01G 17/00
Метки: виноградника, выращивания
...тем, что в способе выращивания виноградника, предусматривающем рядовую посадку саженцев с равным расстоянием между саженцами в ряду, согласно изобретению, саженцы второго и(57) Использование: в сельском хозяйстве для. закладки виноградных плантаций, Сущность изобретения: рядовую посадку саженцев осуществляют с величиной междурядий 1,0-1,3 м. Саженцы каждого третьего ряда высаживают со смещением вдоль ряда на половину шага относительно первого и второго рядов,каждого последующего третьего ряда высаживают со смещением, рядовую посадку саженцев осуществляют с сокращением величин междурядий до 1,0-1,3 м, а саженцы каждого третьего ряда высаживаются смещением ряда на половину шага относительно первого и второго рядов.Изобретение...
Субстрат для выращивания посадочного материала древесных пород
Номер патента: 1771611
Опубликовано: 30.10.1992
Авторы: Азанова, Мизондронцев, Падалко
МПК: A01G 23/00, A01G 31/00
Метки: выращивания, древесных, пород, посадочного, субстрат
...ия емной части сновно ко ня см/ а г/ аст м/ аст.,г/ аст. 1, Почва2, Почва+ перегной3. Перлит 4. Перлит+й 170 Р 130 К 160, На Арагоцком перлите; Из литературы известно использованиебуро-угольных гумусовых веществ в качестве стимуляторов роста для тонковолокнистОго хлопчатника,Сопоставительный анализ с грототипом и известными источниками показал, чтопредлагаемый субстрат, состоящий из перлита, минеральных удобрений и физиологически активных препаратов - ОКУ и ГН -отличается введением новых компонентов,а именно:, препарата ОКУ, полученногоокислением бурого угля аэотйой кислотой, атакже препарата ГН, полученного обработкой бурого угля гидроксидом натрия.Авторам не известно выращивание посадочного материала на субстрате перлит -. ОКУ и...
Устройство для гидропонного выращивания растений
Номер патента: 1771612
Опубликовано: 30.10.1992
Автор: Котов
МПК: A01G 31/02
Метки: выращивания, гидропонного, растений
...50 воздух, обогащенный углекислым газом из системы подготовки воздуха 11 через коллектор 9 поступает в аэраторы 7, По мере роста давления газа питательный раствор 2 вытесняется из полости аэратора 7 в отвер- .стия 8 и смачивает держатели 6 с растения ми, Высота подъема столба питательного раствора 2 определяется установкой регулятора 18 давления и поддерживается постоянной. несмотря нэ постепенное испарениежидкости. стия 5 и размещены держатели 6 для 15растений. Внутри каждой трубы 4 установлен аэратор 7, выполненный в виде трубы, . Парциальное давление углекислого газав полости аэратора 7 выше, чем в питательном растворе 2, поэтому углекислый газ частично переходит в раствор.После закрытия клапана 10 и открытияклапана 12 газ из полости...
Клетка для выращивания птицы
Номер патента: 1771630
Опубликовано: 30.10.1992
Автор: Щукин
МПК: A01K 31/06
Метки: выращивания, клетка, птицы
...на ступенчатых выступах пла 1771630стичных фиксаторов 11, эксцентрично установленных на стойках 1 с возможностью поворота вокруг горизонтальных осей 12. На одном иэ пластинчатых фиксаторов 11 закреплен приводной рычаг 13, имеющий, например, в верхней части выступ, пружинно фиксирующийся при изменении высоты установки горизонтальных прутков 10 путем зацепа эа ребра стойки 1. Клетка оборудована также кормовым желобом 14, установленным перед ограничителем 7, поилками и устройством для уборки помета (на чертеже не показаны).Обслуживание клетки при выращивании птицы производится следующим образом.При посадке цыплят дверку 5 задвигают по прутку б под верхнюю стенку 3, при этом фигурные выступы 8 зажимаются между горизонтальными...
Дверка клетки для выращивания птицы
Номер патента: 1771631
Опубликовано: 30.10.1992
Автор: Щукин
МПК: A01K 31/10
Метки: выращивания, дверка, клетки, птицы
...(30 - 32 новлены вертикальные сти основания, ось 3 установлена на е, отвечающей оптикормления взрослой примерно половине ее ьная ось 3 и руо 5 и со стойками, доходя- и, Поворотная рамка 2 вертикальными прута одном конце загибы 3, с соединяющими их тками 10, установлен- кормовыми зазорами(20-22 мм), обеспечивающими при исключении проникновения через них всего цыпленка доступ ему к корму в желобе 11, установленном на несущей раме 12 перед дверкой, Клетка оборудована устройством для раздачи корма и поилками (на чертеже не показаны).Работа с дверкой клетки при выращивании птицы осуществляется следу ащим образам.При посадке цыплят смонтированную дверку поднимают, проворачивают на продольном прутке 4 и продвигают под крыш: ой 13 клетки до...
Способ выращивания петушков
Номер патента: 1771636
Опубликовано: 30.10.1992
Авторы: Асриян, Кавтарашвили
МПК: A01K 67/02
Метки: выращивания, петушков
...98,29899,3 29 б98,7 Б 303 1 О ОохраЖив ть,9 о / ф ав нассв цнлрасте гсутки 38,3.0,4 40,12,38,3 в 0,41 139,9 Ц,9 280,ЙЗ, 336,74 5 7 793,7 ь 12 8780 М 14,1 38.,30,41 141,4 тг,7 288,9+4,8 340,7 9,2 7462 е 1 869,3113 38,3+О 1 Э 8,7 ф 290,0+ 38,30,41 40,82,2 298,713,8 3408 ьб 4 7972 й 104 872 4 1 520,41 38,3 тО 2 недел 4 недел 141,0 о283 7 Р 3340,26,3799,4 ь 1 б886 О, 3 2, 7 9 о 14 8 43 7 б 9 8 93 9 бЭф 99 3449+6 749,711 873 414 63 недел 795,3 87 о б 98,1 в недель Абсолтньй ср прирост живов расте, гс 2 до 4 несуточн ассы в в 11,34,1 0 11,3З,а8 29,7 дель 4 4 до б нед6 до 8 не ель,98 29, 8,9 29,9 29,с 8 до 10 нс суточногодель ельо 10 н 2,2,нь 1 х батареях Р, С целью выбора оптимального варианта были проведена производственная проверка по...
Способ выращивания монокристаллов высокотемпературного сверхпроводника в s с с о
Номер патента: 1772222
Опубликовано: 30.10.1992
Авторы: Булышев, Парфенов, Серых, Шнейдер
МПК: C30B 29/22, C30B 9/12
Метки: выращивания, высокотемпературного, монокристаллов, сверхпроводника
...С в течение6 . Затем смесь доводят до плавления ичерез 2 ч хлажда ат с печью до комнатнойтемп "а.уры, Приготовленную таким обра:ам ш хту помещают в вертикальную ци"рическую печь, выдержлвают 60 мин.,ри 950 С, затем охлаждаот до 850 С в теп; овом поле с градиентом 40 град/см со скоростью 1 град/ч и далее до комнатнойтемпературы со скоростью 200 град/ч, Изполученного слитка выкалывают пластинчатые монокриста/лы, Максимальные размеры кристаллов дастигаот 2025 х 0,1 мм .Дополнительный отжиг, проводят при 80 Гв,ечсние 4 ч, Выращенные таким. Спосоосммонокристаллы имеот температуру перехода в сверхпроводящее состаян е 87-89 К: перекристаллизацию путем охлаждениярасплава в неоднородном тепловом поле ипоследующий отжиг, процесс охлажденияведут в...
Способ выращивания сельскохозяйственных культур в условиях загрязнения почвы тяжелыми металлами
Номер патента: 1773317
Опубликовано: 07.11.1992
Автор: Дзанагов
МПК: A01B 79/02, A01C 7/00
Метки: выращивания, загрязнения, культур, металлами, почвы, сельскохозяйственных, тяжелыми, условиях
...При этом тяжелые металлы перемешиваются с почвой и более прочно сорбируются ее минеральной компонентой;Заделка в верхний генетический почвенныйгоризонт обеспечивает равномерное распределение веществ в плодородном слое, так как здесь происходят максимальные биологические и химические процессы.Способ особенно эффективен на дерново-подзолистых и дерново-глеевых почвах, куда вносятся известковые соединения для нейтрализации кислотности почв.Тяжелые металлы проникают в более глубокие слои, а верхний генетический горизонт содержит их в допустимых пределах (табл.1),Размещенный после такой обработки картофель снижает содержание стронция в 20-25 раз. Так, при посадке картофеля по предлагаемому способу содержание стронцияв клубнях в 0-20...
Аппарат для выращивания микроорганизмов или клеток
Номер патента: 1773936
Опубликовано: 07.11.1992
Авторы: Думанский, Иваненко, Иванов, Карлаш, Кишко, Поводзинский, Селезнев, Спивак
МПК: C12M 1/04
Метки: аппарат, выращивания, клеток, микроорганизмов
...конусов и расположены по концентрическим окружностям по всей площади перегородки с чередованием обращения больших оснований этих конусов вверх-вниз, Применение конических отверстий позволяет создать дополнительную турбулизацию поверхностного слоя жидкости, усиливающую поверхностную аэрацию. Аэри рующая перегородка одновремен но выполняет роль механического пеногасителя.Вторым элементом новизны является разделение всего объема аппарата на две зоны: зону локальной аэрации и зону культивирования, Это достигается установкой пакета неподвижных конических (сужающейся частью вниз) перфорированных отражательных элементов с отбортовкой вниз между аэрирующей пластиной и гибкими пластинами. Установка отражательных элементов служит для...
Емкость для выращивания растений
Номер патента: 1774840
Опубликовано: 07.11.1992
Автор: Быкмухамед
МПК: A01G 9/02
Метки: выращивания, емкость, растений
...вниз, так как корпус не позволяет развиваться боковым корням, что ухудшает условия их развития, При попытке выталкивания субстрата с растением через открытую верхнюю часть корпуса приведет к тому, что форма кома субстрата с корневой системой растения может быть нарушена из-за образования в нем трещин и отколов, что повлечет за собой повреждение корней при извлечении выращенных растений,Целью изобретения является исключение повреждения корней при извлечении выращенных растений и улучшения условий их развития,Укаэанная цель достигается тем, что труба выполнена с разъемом по вертикали, а кольцевой заплечик - разрезным, при этом соединение кольцевого заплечика с трубой выполнено разъемным.На фиг.1 показан общий вид емкости, в...
Установка для выращивания рыбы
Номер патента: 1774847
Опубликовано: 07.11.1992
Автор: Стеценко
МПК: A01K 61/00
Метки: выращивания, рыбы
...22 давлений, запорное средство кислорода 23, обратный трубопровод оксигенированной воды 24, газосброс 25, трубопроводы слива 26, холодной 27 и горячей 28 воды, перелива 29, трубопровод 30 для подачи воды в рыбоводные емкости, линию связи 31 блока управления температурной воды, аварийный трубопровод 32 для подачи воды из источника водоснабжения, Оксигенератор 3 выполнен с боковыми люками 33,При этом источник кислорода 1 с запорным средством 23 соединен с оксигенатором 3 в нижней его части кислородопроводом 2 с установленными на нем кислородными редукторами 21 и 22,Подпорно-расходный бак 5 установлен за оксигенатором 3 так, что дно его располокено выше дна последнего, и с одной стороны соединен с оксигенатором 3 посредством...
Гидропонная установка для выращивания растений
Номер патента: 1775077
Опубликовано: 15.11.1992
МПК: A01G 31/02
Метки: выращивания, гидропонная, растений
...- упрощение конструкции.На фиг,1 изображена предлагаемая ус тановка с наружным выгибом, на фиг.2 - то же, с внутренним выгибом.Предлагаемая установка содержит вегетационный сосуд для питательного раствора и размещения растений, 10 выполненный из двух емкостей 1. Боковая стенка 2 емкости 1 выполнена гибкой, а величина поверхности гибкой стенки 2 больше поверхности, ограниченной краями атой 1 стенки, Емкости 1 расположены стенками 2 15 навстречу друг другу и между ними размещен поворотный элемент 3, являющийся средством подтопления корней растения.Гидропонная установка работает следующим образом. 20Средство подтопления корней растения периодически поворачивают из горизонтального положения в вертикальное и обратно для поочередности...
Способ формирования рекультивационного слоя для выращивания растений
Номер патента: 1775456
Опубликовано: 15.11.1992
Автор: Пак
МПК: A01B 79/02, A01C 1/04, C09K 17/00 ...
Метки: выращивания, растений, рекультивационного, слоя, формирования
...подстилающей поооды 1(фиг,1) с помощью разбрасывателя органических удобрений РТОполосами с толщиной слоя 3-5 см и шириной, ограниченной дальностью разброса, наносят смесь мульчесеменного слоя 2. Поливочной машиной, идущей по колее РТО. производят увлаж 1775456 А 1(57) Сущность изобретения: заключается в нанесении на подстилающие породы полосами толщиной 3 - 5 см мульчесеменного слоя, состоящего из смеси (мас.ч.) растительных остатков 10 и навоза 1 с последу ощим покрытием их слоем утяжелителя, состав которого содержит (об.ч.) цемент 1., известковое тесто 1 и песок 3, который затем перфорируют, 1 з.п. ф-лы, 2 ил,водой (растворами минеральных ний) до полного насыщения водой. Я енную полосу перфорируют. Затем поверхность,...
Устройство для группового выращивания кристаллов
Номер патента: 1775510
Опубликовано: 15.11.1992
Авторы: Гриднев, Попенков, Пушкарев
МПК: C30B 11/00
Метки: выращивания, группового, кристаллов
...4, а нэ нем - дополнительный теплоиэолятор, состоящий иэ колпака 5 и керамического, например; алундового, стакана 6. На дно стакана помещен графит 7, имеющий коэф 5 10 15 20 25 30 35 40 50 55 фициент черноты излучения, близкий к единице. Последовательно за нагревателем 1 установлен холодильник 8.Устройство работает следующим образом.Включают нагреватель 1, разогревают блок 2 додостижения температуры на уровне фронта кристаллизации, равной температуре плавления сплава, Эту температуру контролируют с помощью пирометра излучения типа АППИР-С, визируемого на графит, находящийся на дне стакана 6, После приплавления нагреватель 2, теплоизоляторы и электропроводной блок 2 синхронно перемещают вдоль образующих контейнеров с заданной скрростью....
Способ выращивания посадочного материала яблони
Номер патента: 1776368
Опубликовано: 23.11.1992
Авторы: Мухин, Мухина, Пацуков
МПК: A01G 1/00
Метки: выращивания, посадочного, яблони
...культурного сорта; во 2-м поле питомника, иэ порос 1776368ли, возникающей ниже окулированных глазков культурного сорта, оставляют 1-2 побега, затем при достижении ими длины примерно 20 см из них делают отводки и к осени получают культурные привитые однолетки и дополнительно укорененные клановые подвои (1).Целью предложенного способа является увеличение выхода посадочного материала, улучшение его качества и снижения трудозатрат.На фиг.1 и 2 показан способ выращивания посадочного материала.Поставленная цель достигается тем, что порослевые побеги на штамбиках выше уровня почвы удаляют, а побеги, отросшие из почек на штамбиках ниже уровня почвы при достижении ими 2-3 см укорачивают у поверхности почвы и после их отрастания окучивают осенью...
Способ выращивания злаковых культур
Номер патента: 1777691
Опубликовано: 30.11.1992
Авторы: Голодный, Еременко, Корниенко, Крумздоров, Лутонина, Максименко, Недилько, Павлик
МПК: A01C 21/00, C05D 9/02
Метки: выращивания, злаковых, культур
...в растворе для некорневой подкормки. В пределах заявляемого интервала содержания сульфата меди (примеры 12, 13) цель достигается, Если содержание сульфата меди ниже заявляемого предела (пример 14), то цель не достигается. Введение в раствор сульфата меди в количестве, превышающем верхний предел заявляемого интервала (пример 15), не приводит к увеличению урожайности, и поэтому такое увеличение - нерационально.П р и м е р ы 16-19. Поступали так, как описано в примере 1, за исключением того, что изменяли в растворе для некорневой подкормки содержание углещелочного реагента (примеры 16, 17). В пределах заявляемых концентраций поставленная цель достигается. При содержании УЩР ниже заявляемого интервала (пример 18) - цель не достигается,...
Устройство для хранения продуктов и выращивания грибов
Номер патента: 1777707
Опубликовано: 30.11.1992
Автор: Калашников
МПК: A01F 25/00, A01G 9/14
Метки: выращивания, грибов, продуктов, хранения
...к производству товаров широкого потребления. Сущность: устройство состоит из стоек, уголков, поддонов, нижней емкости для во, верхней емкости для воды, сообщенных между собой крестообразным покрывалом. Устройство работает на принципе получения холода с помощью испарения. 1 з,п, ф-лы, 5 ил,покрывало 7, один слой которого должен обязательно быть выполненным в виде гидрофильного (хорошо впитывающего влагу) материала и иметь форму креста с крыльями 8, 9, опущенными в емкость 5, и планками 10, которые соединяются зажимами 11, Прижимается покрывало 7 ко дну потолка емкости 6, которая может иметь несколько конструктивных вариантов с помощью прижимов 12, которые могут быть выполнены в виде груза, Накрывается емкость 6 крышкой 13, которая придает...
Устройство для выращивания растений
Номер патента: 1777716
Опубликовано: 30.11.1992
Авторы: Верещагина, Голубкович, Доркин, Дрожжин, Иордан, Морозов, Рыбаков, Шурыгин
МПК: A01G 31/02
Метки: выращивания, растений
...профиля и обеспечивающий одновременный ввод в зацепление с винтом 3 всех гаек4, штифты которых находятся в отверстиях7.Устройство работает следующим образом.Выращивание растений производится в вегетационных сосудах 1. Вегетационные сосуды 1 с семенами устанавливаются на направляющие 2 в начале конвейера и снимаются с них в конце конвейера с растениями, прошедшими полный вегетационный период. При нахождении вегетационных сосудов в фиксированных положениях штифты 9 расположены в отверстиях 7 рейки 6, из которых выдвинуты штифты 8. Зацепление гаек 4 с винтом 3 отсутствует. Передвижение вегетационных сосудов производится периодически в соответствии с временным циклом конвейера в следующем порядке. Приводится во вращение винт 3,...
Устройство и. и. сташевского для гидропонного выращивания растений
Номер патента: 1777719
Опубликовано: 30.11.1992
Автор: Сташевский
МПК: A01G 31/02
Метки: выращивания, гидропонного, растений, сташевского
...19 при помощи изогнутого патрубка 20, Причем часть патрубка 20, которая погружена в питательный раствор выполнена перфорированной. Электрический подогреватель 19 состоит из трубчатых элементов, смонтированных в цилиндрическом кокухе. При прохождении воздуха через электрический подогреватель температура воздуха повышается. Емкость 2 снабжена штуцером 21 и золотником 22. Лебедка 12 снабжена храповым механизмом 23,Устройство работает следующим образом.При открытии вентиля 16 раствор из бака 13 сливается по трубопровобу 14 в трубчатую емкость 2 и наполняет ее до тех пор, пока уровень раствора достигнет сливного отверстия трубопровода 14. При этом каркас 3 находится в нижнем положении и трубчатые емкости 2 за счет собственной...
Устройство для гидропонного выращивания растений
Номер патента: 1777720
Опубликовано: 30.11.1992
МПК: A01G 31/02
Метки: выращивания, гидропонного, растений
...питания.На чертеже изображен общий вид предлагаемого устройства в аксонометрии.Устройство содержит растильни 1, которые сообщаются .со сливным трубопроводом 2 и с емкостью 3 для питательного раствора через поплавковый клапан 4. Емкость 3 дополнительным трубопроводом 5 соединена с емкостью 6 для воды. Емкость 6 соединена с водопроводом 7 через регулировочный поплавковый клапан 8, Трубопровод 5 подсоединен к сливному трубопроводу 2 под углом больше 0 и меньше 180,Устройство снабжено перекачивающим узлом, состоящим из насосов 9 и 10, которые соединены с одной стороны при помощи всасывающих трубопроводов 11 и 12 соответственно с емкостями 3 и 6, а с другой - с подающими трубопроводами 13 и 14.Предлагаемое устройство работает следующим...
Способ выращивания цыплят-бройлеров
Номер патента: 1777749
Опубликовано: 30.11.1992
Авторы: Алексеевич, Камано, Романова, Шевченко
МПК: A01K 67/02
Метки: выращивания, цыплят-бройлеров
...режиме по температуре, при этом в период со 2 по 8-й день их жизни брудер отключают на срок от 4 до 24 ч, что приводит к охлаждению воздуха от 15 до 22 С. После истечения указанного срока брудер включают и продолжают выращивать цыплят в соответствии со стандартным температурным режимом,Данный способ выращивания цыплят испытывают на цыплятах линий Б(6)-6 и Б(6)- 7 породы белый корниш, линий Б(6)-8 и Б(6)- 9 породы белый плимутрок и гибридных цыплятах "Бройлер", получаемых в результате скрещивания указанных 4 линий.Проводят однократное охлаждение цыплят линии Б(6)-6 на 2, 3 или 4 сут(группа А) на 5 или 6 сут (группа Б) и на 7 сут или 8 сут (группа В), Температуру снижают до 19 С, продолжительность охлаждения 24 ч, причем охлаждение...
Способ выращивания монокристаллов бромистого свинца р в
Номер патента: 1778202
Опубликовано: 30.11.1992
Авторы: Дыменко, Орипов, Пополитов, Цейтлин
МПК: C30B 29/10, C30B 7/10
Метки: бромистого, выращивания, монокристаллов, свинца
...многочисленные зародыши, скорость образования которых превышает скорость их роста, Одной из характеристик, влияющих на скорость отвода растворяемого вещества от границы шихта-раствор, является скорость конвекционного рвижения раствора, При введении в кварцевый реактор перегоророк, разделяющих зону растворения и роста, с диаметром отверстий от 1 до 4 мм, скорость конвекционного движения раствора при температуре 110-145 С, ДТ 3-6 изменялась от 14 до 18 см/сек.оУказанная величина скорости конвекционного рвижения раствора оказалась оптимальной рля пплучения моно- кристаллов РЬИг заданного выхода. Было найдено, что при14 см/сек (И - скорость конвекционного движе 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 6ния раствора) массоперенос растворенных Форм...
Устройство для выращивания кристаллов
Номер патента: 1580884
Опубликовано: 30.11.1992
Авторы: Бобырь, Михайлов, Смирнов, Чиненов
МПК: C30B 11/00
Метки: выращивания, кристаллов
...температуры. Печь выводят на режим, при котором температура в камере плавления достигает на 100 С выше температуры плавления вещества в ампуле температура йодида натрия 651 С).В дальнейшем процесс осуществляется автоматически, При достижении в камере плавления заданной температуры происходит плавление помещенного в ампулу 11 вещества 12 по асей высоте ампулы. Образующийся расплав за счет различия плотностей расплава и исходного вещества заполняет только нижнюю половину ампулы 11. За счет того, что выделяемая мощность нагревателем 5 нижней секции 2 локализована, ее становится достаточно для поддержания необходимой температуры в нижней части нагревателя 4 верхней секции 1,В результате система регулирования температуры нагревателя...
Способ выращивания высших грибов и устройство для его осуществления
Номер патента: 1779301
Опубликовано: 07.12.1992
Авторы: Гирченко, Жоров, Шаповалов
МПК: A01G 1/04
Метки: выращивания, высших, грибов
...чего охлаждали до 25 ОС и вносили мицелий через ячейки сетки, Режим 25 ОС оставался постоянным до конца прорастания мицелия.Время прорастания мицелия иа полную глубину слоя субстрата составляло 4 недели. После этого емкость перемещали из камерц выращивания мицелия в камеру выращивания плодов, где температуру поддерживали на уровне 14 С, а относительную влажность воздуха 90 опри слабой освещенности камеры (950 - 1000 люкс). Сетчатую кассету помещали в поле приточной вентиляции системы вентиляции "Климат".В течение 12 дней происходило формироваиие плодовых тел первой волны. Выход товарной продукции за это время составил 14 кг на 100 кг субстрата (14 о ). Через 18 дней началось плодоношение второй волны, товарный урожай составил 16,5 кг...
Способ выращивания активированных щелочно-галоидных монокристаллов
Номер патента: 1538557
Опубликовано: 07.12.1992
Авторы: Любинский, Неменов, Проценко, Радкевич, Эйдельман
МПК: C30B 17/00, C30B 29/12
Метки: активированных, выращивания, монокристаллов, щелочно-галоидных
...до 820 С и бокового - до 850 С. Через 2 ч после расплавления сырья в тигле соприкасают затравку с расплавом, оплавляют ее до удаления поверхностых дефектов и корректируют температуру донного нагревателя до достижения теплового равновесия,Затем соприкасают щуп с поверхностью расплава и включают систему автоматизированного радиального разращивания монокристалла до заданного диаметра (270-320 мм) с подпиткой неактивированной шихтой, После окончания разращивания по диаметру начинают автоматизированный рост по высоте с подпиткой шихтой, в которую вводят активатор концентрацией в шихте С 1, в течение времени 1, затем с концентрацией в шихте С 2 до окончания выращивания.Конкретные примеры различных вариантов режимов двухстадийной...
Брикет для выращивания рассады
Номер патента: 1780617
Опубликовано: 15.12.1992
Авторы: Абрамец, Матвиенко, Омецинский, Хозяев
МПК: A01G 9/10
Метки: брикет, выращивания, рассады
...в которой в 1,2-2,5 раза выше, чем в центральной части брикета, а толщина оболочки составляет 0,1-0,25 диаметра брикета. Получение брикетэ может быть осуществлено на прессе, пуансон которбго выполнен составным, снабженным штоком, с возможностью поступательного перемещения относительно пуансона.П р и м е р. Субстрат на основе торфа .загружают в приемный бункер пресса, В крайнем левом положений пуансона порция субстрата загружается в матрицу. После чего пуансон начйнает движение, отсекает часть торфа и сжимает его. При этом шток вьступает над рабочим торцом пуансона. По мере сжатия в конце процесса прессования шток плавно извлекается из субстрата получаемого брикета до уровняторца пуансона. Слои торфа в формирующемся брикете, прилегающие...
Субстрат для выращивания растений
Номер патента: 1780653
Опубликовано: 15.12.1992
Автор: Бойко
МПК: A01G 31/00
Метки: выращивания, растений, субстрат
...толщине обеспечивает развитие корневой системы 5 растений, оптимизацию корневого дыхания в процессе роста растений, расположению корневой системы в наиболее благоприятных водно-воздушных условиях питания,Таким образом, использование предла гаемого субстрата позволяет: повысить уро- - жайность выращиваемых культурза счет улучшения водно-воздушных условий питания растений, обеспечиваемых структурой субстрата; использовать меньшие (пример но на треть высоты субстрата) уровни (объема) питательного раствора за счет постепенного уменьшения влагоемкости к верху субстрата; улучшить условия работы в теплицах за счет снижения концентрации паров питательного раствора, более рационально использовать его в процессе выращивания растений. Формула...
Способ выращивания растений в условиях защищенного грунта
Номер патента: 1780654
Опубликовано: 15.12.1992
Авторы: Вольф, Галицкий, Гарбуз, Олейников
МПК: A01G 31/00
Метки: выращивания, грунта, защищенного, растений, условиях
...выращивание растений осуществляют, используя их облучение энергией с длиной волны 7200-, 8700 нм, Обработку проводят путем установки источников излучения около растений на уровне соцветий, в нОчное время и при снижении солнечной радиаций ниже 100 Вт/м, 2 табл. ы 7200-8700 нм вйочное время нии солнечной радиации ниже период от бутонизацийдо ббраязей, п)5 Й этом источник излучеагают у растений на уровне пособ осуществляют следующим обр В теплице поддерживают температуру ,20-25 С, Между рядами растений устанавливают низкотемпературные ИК-излучатели. При этом излучатели располагают ниже уровня верхней листовой поверхности на уровне (или чуть ниже) соцветий, обеспечивая их максимальную облученность, Излучатели устанавливают, с...
Устройство для выращивания растений
Номер патента: 1780655
Опубликовано: 15.12.1992
Автор: Курилов
МПК: A01G 31/02
Метки: выращивания, растений
...неннойшлангомсзапорнымустройством 4, лотрастений, обеспечивая ее равномерное рас- ., ков 9,имеющихаэрационные(а),сливные отвер- .пределение в зоне корней; подкормочного . стия в, например, гибком материале, содери поливочного приспособления, выполнен- жащем стержни 10 в проушинах, (б) ного в виде закрепленной на поворотной скрепленные скобами 11; питателей - змеевиков 12, заглубленных в субстрат (почву) (в) приемника 13 поворотной консоли 1, соединенного шарнирно со стояком 8.Поворотная консоль 1 выполняется с поперечной трубой 6 и без нее, в этом слу чае штангу ойускают вниз, запорное устройство 7 аннулируют.Предлагаемое устройство работает следующим образом,В лотки 9 засыпают субстрат или по чвейную смесь, скрепляют стержни 10 скобами...