Патенты с меткой «выращивания»

Страница 57

Устройство для выращивания и сбора грибов

Загрузка...

Номер патента: 1606012

Опубликовано: 15.11.1990

Автор: Парамонов

МПК: A01G 1/04

Метки: выращивания, грибов, сбора

...из вырезов 6 по направляющим 4, останавливает ее электролебедкой 18, при этом покровный материал 11 частично проникает через решетку тележки 9 на поверхность решетки 3 и субстракта 2 и частично остается на решетке тележки 9 с грибами. В этот момент включенный привод 17 вращает кулачок 16, который контактирует с тросом 15, двигает тележку 9 вперед, а груз 14 возвращает ее в исходное положение, т.е. таким образом происходит вибрация тележки 9 и это полностью освобождает ее от покровного материала 11. Одновременно привод 17 выключается, и выключенная электролебвдка 18 полностью выкатывает тележку 9 за пределы лотка. В это время передние ролики 7 проходят мимо крючков 5, а оси 8 задних роликов входят в крючки 5, и тележка 9 опускается...

Устройство для гидропонного выращивания растений

Загрузка...

Номер патента: 1606035

Опубликовано: 15.11.1990

Авторы: Ермаков, Желтов, Рудницкий

МПК: A01G 27/02

Метки: выращивания, гидропонного, растений

...пленки, заполненные субстратом, например керамзитом, установлены на бортах смежных лотков 2. Надконтейнерами 4 размещено приспособление для полива в виде перфорированныхтруб 5. Емкость 1 снабжена крышками 6 из 25светонепроницаемого материала с отверстиями для стеблей растений и проходящейчерез дно подвижной сливной трубой 7. Трубопроводы 8 соединяют трубы 5 и сливнуютрубу 7 с баком 9 и насосом 10, 30Контейнеры 4 с растениями, корни которых проросли сквозь оболочку контейнеров 4, устанавливают на бортах смежных.лотков 2 так, что одна часть корней свисаетвниз в слой питательного раствора, а другая 35часть располагается на поверхности лотка 2. Перфори рован н ые трубы 5 уста навливают над контейнерами 4, после чего емкость 1...

Клетка для выращивания животных

Загрузка...

Номер патента: 1606058

Опубликовано: 15.11.1990

Автор: Утробин

МПК: A01K 1/03

Метки: выращивания, животных, клетка

...элементы 11, связанные между собой опорной штангой 12, В верхней части каркас 1 снабжен устройством имитации роста, выполненным в виде прозрачной панели 13 с консольно расположенными на ней штифтами 14, на которые опирается зубчатая рейка 15, шарнирно закрепленная одним концом на крышке 3 и установленная с возможностью взаимодействия при помощи зацепа 16 с кронштейном 6 механизма фиксации.Устройство для выращивания птицы работает следующим образом.Птица помещается в ограниченное пространство между Г-образным элементом 7 ограничения подвижности птицы и каркасом 1. По мере роста птица перемещает Г-образный элемент ограничения подвижности 7, который фиксируется при помощи зацепа 16 на зубчатой рейке 15, опирающейся на штифты 14,...

Способ выращивания цыплят

Загрузка...

Номер патента: 1606066

Опубликовано: 15.11.1990

Авторы: Алексин, Молоскин, Сипин

МПК: A01K 33/00

Метки: выращивания, цыплят

...слабых и в целом вся группа испытывает этологический стресс. В результате общая масса всей популяции совместно выращиваемой птицы (по прототипу) на 9,1 О меньше такой же популяции цыплят, но выращиваемых раздельно в соответствии со скоростью роста. Сохранность бройлеров из первой выемки за 56 дней жизни на 0,5 О выше, чем цыплят из второй и третьей выемок.Пример 2. Яйца кур кросса Беларусьбыли откалиброваны по массе в пределах 56 - 58 г и заложены на инкубацию в количестве 1060 шт. Вывод составил 86,1+1,0 О, а выход кондиционных цыплят 91,7+0,9 О от всех выведшихся цыплят, На выводе вынимали трехкратно, Первая выемка проводилась через 5 - 7 ч после начала вывода, вторая - через 11 - 13 ч после начала вывода и третья - через 17 - 19 ч...

Способ выращивания телят-молочников

Загрузка...

Номер патента: 1606097

Опубликовано: 15.11.1990

Автор: Долгов

МПК: A23K 1/00

Метки: выращивания, телят-молочников

...была не столь высокой по сравнению с группой 3 - всего на 1,2 выше контроля.Наивысший прирост был в группе 6, где не только сами телята получали витамицин А в переменной дозе, но и их матери на протяжении 2 мес до отела. По сравнению с 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 контролем прирост живой массы у этих телят был на 18,5 выше, что недостижимо для других режимов использования витамицина А.П р и м е р 2. Для уточнения дозы витамицина А в том же хозяйстве по принципу аналогов подобрали 5 групп коров в начале сухостойного периода по 15 голов в каждой, Все коровы получали основной хозяйственный рацион согласно примеру 1 и витамицин А. При этом доза витамицина А для первой группы коров составляла 0,2 мг на 100 кг живой массы, для второй...

Аппарат для выращивания микроорганизмов

Загрузка...

Номер патента: 1606527

Опубликовано: 15.11.1990

Авторы: Агафонов, Антонов, Богоявленский, Харьков

МПК: C12M 1/02

Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов

...в емкости 1 и внутри патрубка 10 при статических условиях, т.е. без эжекции из сопла 15. В этом случае отсепарированная в каплеуловителе 7 культуральная жидкость не скапливается в нижней части патрубка 10, а непрерывно отводится из него и основной объем жидкости в емкости 1, так как давление в сопле 15 меньше давления в патрубке 10, В случае, если патрубок 10 не полностью заполняется отсепарированной культуральной жидкостью или скорость ее оттока через сопло 15 - объемный расход, превышает объемный расход отсепарированной жидкости, то тогда вместе с жидкостью через сопло 15 эжектируется и,газ.Выполнение аппарата для выращивания микроорганизмов описанным выАппарат для выращивания микроорга" низмов работает следующим образом.В емкость 1,...

Способ приготовления питательной среды для выращивания дрожжей

Загрузка...

Номер патента: 1606532

Опубликовано: 15.11.1990

Авторы: Гельфанд, Попова

МПК: C12N 1/22

Метки: выращивания, дрожжей, питательной, приготовления, среды

...прирост биомассы дрожжей, который составляет4,63 г/л, содержание остаточных РВ0,15%, рассчитывают выход абсолютносухих дрожжей,в процентах от ассимилированных РВ. Он составляет 46,3%,содержание истинного белка в дрожжахсоставляет 44,3%. Приведенные значенияявляются средними из 5 параллельныхопытов.Для сравнения эффективности предлагаемого способа подготовки питательной среды с прототипом готовят нитательную среду по прототипу, а именно в тот же гидролизат вносят хлористый калий в количестве 2,5% от РВ,Фосфорную кислоту в количестве 3,5%от РВ, сернокислый магний в количестве 1,27. от РВ и уксусную кислоту вколичестве 15% от РВ, затем нейтрализуют аммиачной водой при комнатнойтемпературе до рН 6,3 и разбавляютводой до концентрации РВ...

Способ выращивания гречихи

Загрузка...

Номер патента: 1611245

Опубликовано: 07.12.1990

Автор: Ивахненко

МПК: A01C 7/00

Метки: выращивания, гречихи

...у них длиннее межфазные периоды и вегетационный период по сравнению с чистыми посевами, Благодаря таким особенностям фотосинтетическая деятельность растений совместных широкорядных посевов протекает более продолжительное время, в большем количестве образовываются органические вещества, лучше проходит плодообразование и налив зерна, что положительно сказывается на урожае гречихи в совместных посевах с просом.В таблице приведены данные по урожаю гречихи в пересчете на 1 га при известном (широкорядном однострочном с междурядьями 45 см) посеве гречихи и при ее посеве согласно предлагаемому способу. Дополнительно приведены данные по урожайности проса в пересчете на 1 га при его посеве известным (широкорядным однострочным с...

Устройство для хранения продуктов и выращивания грибов

Загрузка...

Номер патента: 1611271

Опубликовано: 07.12.1990

Автор: Калашников

МПК: A01G 9/14

Метки: выращивания, грибов, продуктов, хранения

...свободные концы которых входят в соединительные звенья 11, выполненные в виде трубок, Для предохранения отвертикальных и горизонтальных смещенийколен 10 в конструкции предусматриваютсяфиксирующие кольца-муфты 12, которые 30могут быть выполнены из резины или другого подобного материала,Образованная таким образом из полок1 и кронштейнов 8, стае 9, колен 10, соединительных звеньев 11 и муфт 12 конструктивндя система обворачивается покрытием13, которое совместно со шторой 14 образует экрытую пятисторонную обвертку сразФЕмными соединениями, выполненнымис помощью зажимов 15, Устанавливается 40конструкция своим основанием на подкладки 16, расположенные в коробе 17, наполненном водой 18, в которую должны бытьопущены свободные концы...

Способ выращивания цыплят

Загрузка...

Номер патента: 1611305

Опубликовано: 07.12.1990

Авторы: Кокошникова, Репина, Холодов

МПК: A01K 67/02

Метки: выращивания, цыплят

...с калибром, что способствует облегчению проведения операций в убойном цехе, повышает качество сортировки по категориям тушек бройлеров. В среднем живая масса бройлеров из калиброванных по массе составляет 465 г (из мелких - 1430, из крупных - 1500), из некалиброванных яиц - 1436 г (в 56 дней).При раздельном выращивании калиброванных по живой массе бройлеров получено от каждой головы дополнительно 29 г мяса в живой массе. Изобретение относится к сельскому хозяйству, в частности к технологии производства мяса на бройлерных птицефабриках,Целью изобретения является получение калиброванных по массе цыплят.Способ осуществляют следующим образом,В инкубатории яйцо сортируется на яйцесортировальной машине на 2 калибра: 50-57 г - мелкое, 58-65 г...

Питательная среда для выращивания микроорганизмов

Загрузка...

Номер патента: 1611927

Опубликовано: 07.12.1990

Авторы: Мамлеева, Никитина, Торбина, Хаертынов

МПК: C12N 1/20

Метки: выращивания, микроорганизмов, питательная, среда

...мин, фильтруют,терилизуют, разливают в стерильныечашки Петри. рН готовой среды составляет 7,2-7,4.П р и м е р 1. Для приготовления среды берут компоненты в следующем соотношении, мас. :Гидролизат матки яловыхкоров с сухим остатком10-11 . 1, ОХлористый натрий 0,5 1 ОДвууглекислый натрий 0,09Агар-агар 1) 75Дистиллированная вода ОстальноеДалее среду готовят, как описано.П р и .м е р 2Берут следующее соотношение компонентов, мас. фГидролизат матки яловыхкоров 1,2Хлористый натрий . О, 6Двууглекислый натрий О, 12Агар-агар 2,0Дистиллированная вода ОстальноеП р и м е р 3. Берут следующее соотношение компонентов, мас.Гидролизат матки яловых 25коров 0,8Хлористый натрий 0,4Двууглекислый натрий 0,06Агар-агар 1 у 5Дистиллированная вода Остальное 30...

Способ выращивания монокристаллов н м т

Загрузка...

Номер патента: 1611999

Опубликовано: 07.12.1990

Авторы: Гавалешко, Жовнир, Сочинский, Фрасуняк

МПК: C30B 13/02, C30B 29/48

Метки: выращивания, монокристаллов

...изотермиат. долио,оо Твердый раствор не образуетсв Качество хорошее Оптимальный вариант То же Качества хорошее Качество паховМонокристалл без пор и включений Та же. Манокристалл бвэ пар и включений То жеКачество хорошее То же Качества плохое То же20 20 16 2 0,22 0,14 0,26 945 900 9 БО 956 бо 400 420 200 975 9 БО 993 958 0,10,050.150,05 8 9 10 11 ДендритныйпаликристаллРастрескиваниеманок исталла 25 993 923 200 0,15 12 ческой выдержкой в.течение 10 - 50 ч при температуре, превышающей на 20-30 К его температуру ликвидуса. Охлаждая ампулу с гомогенным расплавом до комнатной температуры, получают поликристаллический 5 слиток НдТ-хМпхТе.Для проведения направленной пере- кристаллизации поликристаллический слиток Нд 1-хМпхТе целиком...

Способ выращивания картофеля

Загрузка...

Номер патента: 1613026

Опубликовано: 15.12.1990

Автор: Иващенко

МПК: A01C 21/00

Метки: выращивания, картофеля

...при посадке с помощью картофелепосадочной машины КСМ.Урожайность картофеля составила 388 ц/га, качество клубней было хорошее, В них содержалось сухих веществ 27,2, в пересчете на абсолютно сухое вещество, : крахмал 22,3; азот 1,35: фосфор 0,53; калий 2,69; содержание витамина С 29 мг 0, нитратов 44 мг/кг,1613026 Составитель Л.РубиноваТехред М.Моргентал Корректор О,Кравцова Редактор М.Циткина Заказ 3844 Тираж 503 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат."Патент", г. Ужгород, ул, Гагарина, 101 П р и м е р 3, На высокоплодородном легком суглинке выращивали картофель среднеспелого сорта "Дезаре" на площади 50 га,На фоне...

Парник для выращивания саженцев из зеленых черенков

Загрузка...

Номер патента: 1613055

Опубликовано: 15.12.1990

Автор: Коробченко

МПК: A01G 9/24

Метки: выращивания, зеленых, парник, саженцев, черенков

...днища лотка 4 и ниже его верхнего края. Лоток 4 выполнен из теплопроводного материала. По периметру лотка 4 снаружи каркаса 1 размещен нагреватель 9, выполненный в виде кольца с поглощающим солнечные лучи покрытием на его верхней поверхности. Для вентиляции в верхней части каркаса 1 установлена форточка 10, которая может автоматически открываться при повышении температуры воздуха внутри парника.Устройство работает следующим образом.Зеленые черенки под углом устанавливают в почву и закрывают каркасом 1 со светопрозрачным покрытием. При закрытом кране 7 через отверстие 3 в емкость 2 заливают воду и емкость 2 закрывают. Далее открывают кран 7, при этом воздух через трубку 8 свободно проходит в верхнюю часть емкости 2, а вода через трубку...

Устройство и. и. сташевского для гидропонного выращивания растений

Загрузка...

Номер патента: 1613064

Опубликовано: 15.12.1990

Автор: Сташевский

МПК: A01G 31/02

Метки: выращивания, гидропонного, растений, сташевского

...устройства (справа).Устройство включает размещенное на основании 1 культивационное сооружение 2 с емкостями 3 для питательного раствора, Над ними расположены держатели растений в виде сеток 4. Привод вертикального перемещения соединен с емкостями 3 для питательного раствора и выполнен в виде лебедки, пневмо- или гидропривода. Емкости 3 размещены в траншеях 5 основания 1, а над траншеями 5 между емкостями 3 смонтированы эстакады 6.Бак 7 для питательного раствора соединен с емкостями 3 посредством шланга 8 с краном 9 и трубы 1 О. Над траншеями 5 закреплены шпалеры 11.Привод вертикального перемещения выполнен в виде лебедки с валом 12, соединенным с емкостями 3 посредством тросов 13, или пневмоцилиндров 14, соединен 13064ных с...

Аппарат для выращивания микроорганизмов

Загрузка...

Номер патента: 1613484

Опубликовано: 15.12.1990

Авторы: Андреев, Боярчук, Кан, Листов, Литманс, Мордасов, Пехенько, Симаев, Сычев

МПК: C12M 1/02

Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов

...микроорганизмов работает следующим образом.Побудителем 7 расхода из нижней части переливного стакана 4 направляют обрабатываемую жидкость по всасы 50 вающему и нагнетательному трубопроводам 6 и 8 в эжекторы 9. В эжекторах 9 происходит смешение обрабатываемой жидкости с эжектируемым из атмосферы воздухом и ввод ее в аппарат в виде падающей струи, которая прорабатывает 55 весь слой монолитной жидкости, находящейся в аппарате. При контакте струи с устройством для распределения газожидкостного потока ее поток 1 делится следующим образом (фиг.3). Основная часть потока газожидкостной смеси проходит сквозь вертикальный цилиндр 10 - поток 111, а остальная часть, отсекаемая верхними кромками цилиндра 10, попадает на верхнюю поверхность...

Способ определения реакции растений ячменя на условия выращивания

Загрузка...

Номер патента: 1614769

Опубликовано: 23.12.1990

Авторы: Беленкевич, Васькина, Некрашевич, Свиридова, Шашко, Шутова

МПК: A01G 7/00

Метки: выращивания, растений, реакции, условия, ячменя

...нет вертогошлаговоголистьев появление остей1,5 до От до От до- 76 3,7 положительная То же 3,6 - З,9 - З,ь1)9От + 1,2 до + 5,0. го периода появления щк 1 ьца 1 е пзс 1 эТОГО - фЛаГОВОГО ЛИСтЬСВь В ЭТОМ СЛУчае диапазон различий между изученними генотипами по этому показатерпосамый большой; от -7,8 до +24,7 сутПри определении реакции по изменениюпродолжительности других межфазных,пе 1 эиодов происходит не только нарушение ранжировки сортов, но и снижа -ется точность оценки, так как уменьшаются различия между сортами, Наприме 1 э, параметры этой реакции по сортамизменялись: от -0,9 до -5,4 сут в течение межфаэного периода появления шильца первого - четвертого листьев; от -5,5 до +2,1 сут в течение периода появления шильца флагового...

Способ безвысадочного выращивания семян свеклы под покровом кукурузы

Загрузка...

Номер патента: 1616530

Опубликовано: 30.12.1990

Авторы: Балан, Жилин, Загородний, Оголенко, Султанский, Шевченко

МПК: A01C 1/00, A01C 7/00

Метки: безвысадочного, выращивания, кукурузы, покровом, свеклы, семян

...или овощной) семена кукурузы засыпают и устанавливают норму высева 40 - 45 кг/га, в семенные - семена сахарной свеклы и соответственно устанавливают норму высева 22-25 кг/га, Дальнейший уход эа посевами в период1616530 15. Формула изобретения Составитель В,КОвылинТехред М,МОргентал Корректор Л.Бескид Редактор С,Лиеина Вакаэ 4075 Тираж 514 ПОДпиСНОЕ ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и Открытиял при ГКН 1 СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Пе ъ 1 эво,хтпенно-издательский комбинат "Патент", г Ужгород, ул,Гагарина, 101 всходы - уборка покровной культуры осуществляют согласно известной агротехникекукурузы на зеленый корм. Уборку кукурузы проводят на повышенном срезе (2-36 ем вместо 10-15 см). Оставшаяся стерня...

Способ выращивания огурца

Загрузка...

Номер патента: 1620062

Опубликовано: 15.01.1991

Авторы: Золотухин, Лисовский, Прикупец, Сидько, Тихомиров

МПК: A01G 31/00

Метки: выращивания, огурца

...ФАР 100 5 Вт/м .Эксперименты ведут при различных терхкомпонентных сочетаниях отдельных спектральных областей в ФАР. Использование излучения ФАР, сосредоточенного в од ной из рассматриваемых спектральных областей либо представляющего собой любое двухкомпонентное сочетание исследуемых областей, всегда уступает по спектральной эффективности трехкомпо нентному излучению ФАР.Спектральную эффективность излучения ФАР в формировании урожая огурца оценивают по его среднесуточной продуктивности в расчете на весь период вегета ции (от всходов до.конца плодоношения), что характеризует возможности получения максимального урожая плодов в наиболее сжатые сроки, Из таблицы. видно, что этому критерию удовлетворяют спектральные ва рианты ЬЬ 14-16, для...

Способ выращивания красной водоросли грацилярии в черном море

Загрузка...

Номер патента: 1620063

Опубликовано: 15.01.1991

Авторы: Калугина-Гутник, Миронова

МПК: A01G 33/00

Метки: водоросли, выращивания, грацилярии, красной, море, черном

...сбор урожая.П р и м е р, В бухте на глубине 6 м 23 июля была установлена в горизонтальном положении опора - рама. 24 июля к этой раме с интервалом 20 см были подвешены у дна двухметровые поводцы с вплетенными в них фрагментами слоевищ гацилярии. Длина каждого фрагмента превышала 1 см, интервал между ними был равен 5 см. Через отт.Мои 1620063 А 1(54) СПОСОБ ВЪРАЩИВАНИЯ КРАСНОЙ ВОДОРОСЛИ ГРАЦИЛЯРИИ В ЧЕРНОМ МОРЕ(57) Изобретение относится к рыбной промышленности, Цель изобретения - повышение эффективности выращивания, Выращивание проводят три месяца. В конце июля фрагменты слоевищ длиной не мене 1 см закрепляют на поводцах с интервалом 20 см, Поводцы устанавливают на опоре на глубине 6 м, Урожай собирают по окончании периода наибольшего...

Способ выращивания поверхностной трещины в образце материала

Загрузка...

Номер патента: 1620890

Опубликовано: 15.01.1991

Авторы: Дмитрах, Ленец, Матвиенко, Панасюк

МПК: G01N 3/00

Метки: выращивания, образце, поверхностной, трещины

...нагрузки, а глубину усталостной трещины определяют с помощью инструментального микроскопа.Результаты испытаний приведены в табл. 1 и 2.По результатам этих предварительных испытаний для каждого значения Ло) определяют количество Й) циклов нагрузки, необходимое и достаточное для достижения трещиной границы зоны пластически деформированного материала, когда она прекращает свой рост. В первом случае Ь И 1=750 10 циклов, во втором Ь ИЗ ,= 500 10 циклов.Заказ 4240 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101 Затем для выращивания в образцах трещин заданной глубины 1,60 и 0,95...

Способ выращивания растений картофеля для гибридизации

Загрузка...

Номер патента: 1621824

Опубликовано: 23.01.1991

Авторы: Ермишин, Подлисских

МПК: A01H 1/04

Метки: выращивания, гибридизации, картофеля, растений

...частности к сел Изобретение относитсязяйству, в частности к селекартофеля,Цель изобретения - повыштивности последующей гибридпочтительно для форм со слабопродуктивностью за счет попыльцевой продуктивности,Способ осуществляют следу Клубни непылящих или слабопылящих форм картофеля, пыльцу которых необходимо получить, высаживают рядами в оранжерее, заделывая их на глубину 1 - 2 см. Расстояние между рядами 7 О см, между клубнями в ряду 50 см. Режим выращивания до появления всходов: температура 10 - 12 С, без искусственного освещения.Растения, достигшие высоты 10-12 см, выращивают на свету под лампами дуговыми ртутными высокого давления с иодидами металлов, например, ДРИ-6, фотопериод 16 ч, освещенность растений 15"=1 тыс.лк. Поддерживают...

Устройство для выращивания кристаллов белка

Загрузка...

Номер патента: 1622429

Опубликовано: 23.01.1991

Авторы: Дуров, Козлов

МПК: C30B 7/00

Метки: белка, выращивания, кристаллов

...и может 5 ыть использовано в биохимии, кристаллографии и кристаллохимии при выращивании кристаллов в условиях невесомости,Цель изобретения - повышение надежности устройства, а также уменьшение его массы и габаритных размеров.На фиг.1 показано устройство для выращивания кристаллов белка в рабочем положении, продольный разрез; на фиг,2 - сечение Л - Л на фиг,1,Устройство состоит из двух выполненных в форме дисков неподвижных блоков 1 с соосными цилиндрическими камерами, заполненными белковыми и солевыми растворами, расположенного между ними и имеющего форму диска подвижного блока 2 с каналами буферного раствора, в которых установлены мембраны 3 ерметично уплотненные резиновыми кольцами 4 и гайками 5, двух запирающих прозрачных дисков 6,...

Контейнер для выращивания и транспортировки растений

Загрузка...

Номер патента: 1623582

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Ржавский, Цымбал

МПК: A01G 9/02

Метки: выращивания, контейнер, растений, транспортировки

...35, Рау шская наб., л 4,511 роизволственно-издательский комбинат 11 атент, г Ужгород, ул Гагарина, 101 Изобретение относится к сельскому хозяйству и может быть использовано при выращивании растений.Цель изобретения - уменьшение объема при складировании и транспортировке.На чертеже изображен контейнер, вид сверху.Контейнер содержит поддонс наклонными стенками 2 и гофрированными перегородками 3 - 5, выполненными разновеликими по длине. Перегородки установлены параллельно одной из диагоналей поддона. Концы перегородок имеют скосы, конгруэнтные скосам бортов поддона.Устройство работает следующим образом.При складировании поддонывставляют один в другой, что обеспечивается за счет наклона стенок 2. Гофрированные перегородки 3 - 5 попарно...

Способ подготовки почвы для выращивания виноградных саженцев на гребнях

Загрузка...

Номер патента: 1623583

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Саникидзе, Уджмаджуридзе, Чхартишвили

МПК: A01G 17/00

Метки: виноградных, выращивания, гребнях, подготовки, почвы, саженцев

...и высажи.по три строчки виноград- обеспечить им достаточное пасенной в гребнях влаги, по- саженцев с единицы полез- и снизить трудозатраты по ниями, поскольку можно обойов. 2 табл.623583 формула изобретения Та блица 1 Высажен на 1 га ВыходсаженВыход Высажено Выход сажен- первосортна0,01 га,шт. цев с 1 га, шт,цев с 0,01 га, шт,ных привитых саженцев, 7 шт 178500 203100 208100 206500 188100 312000 312000 312000 312000 312000 3120 3120 3120 3120 3120 57,2 65,1 66,7 66,2 60,3 1785 2031 2081 2065 1881 20 30 35 0 50 Табяйцй 2 Выход первоВыход саженцев с 1 га,Выход саженцев с 0,01 га шт. Выс ажен на 1 га Высажено на 0,01 га шт. Вариант опыта сортных саженцев,шт,.рина верш 1 ны1 бня,.0 см рас )е ед е" - МЬЯ 1 80 ЕМ, ВЫСОта ,реонеп 25 см,...

Способ выращивания монокристаллов в геле

Загрузка...

Номер патента: 1624062

Опубликовано: 30.01.1991

Автор: Ракин

МПК: C30B 29/56, C30B 5/00

Метки: выращивания, геле, монокристаллов

...геля в обоих сосудах поверх геля заливают дистиллированную воду, Спустя 14 ч из пробирки раствор сливаюти добавляют поверх еля расгвор хлористого кальция концентрацией 10 вес.%, Зародыши образуются спус я сутки на расстоянии 1,3.лм с плотностью 8,8 см, Коэффициенты, рассчитанные на основе этих данных, составляют К 1=. 14,9, К 2 0,12. Прогнозируя плотность ээродышей-кристаллов в основном кристаллизаторс равную 1 см или около 5 кристаллов2в обьеме, рассчитывают время промывки ТК 1/К 2 й - 123 ч, что составляет около 5 сут. В течение всего этого времени в христаплиэаторе промывают гель. Затем ;. з;рх геля заливают раствор хлористо.с кальция концентрацией 10 весь и че, ез 8 сут в геле на расстоянии 4 лм образуются первые зародыши...

Устройство для выращивания кристаллов тугоплавких веществ

Загрузка...

Номер патента: 1624063

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Багдасаров, Кеворков, Сытин

МПК: C30B 11/00

Метки: веществ, выращивания, кристаллов, тугоплавких

...с возможностью осевого перемещения. Под нагревателем расположены система горизонтальных экранов и гистел 1 а до- -,О, НитЕЛЬНЫХ ЭКраНОВ, ВЫПОЛНг.ННя В форме усеченных конусов с углол 1 раскрытия 9 - 11, установленных на вепем горизонтальном экране раструбами вверх, Получены кристаллы иттрий-алюминиевого Я граната и его модификации. 1 ил,Контеинер 4 с исходным материдгом пол 1 ещают в рабочее пространство коаксиально нагревателю 2 В камере роста 1 создают необходимые температурные условия и давление Выращивание кг)исталлов осуществляют опусканием контейнера 4 через температурный градиент, создаваемый диафрагмой (не указано) нагревателя 2. Часть энергии, излучаемой нагревателем 2, попадает нд внугреннюю повеохносгь конусов 7 и...

Способ выращивания монокристаллов

Загрузка...

Номер патента: 1624064

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Абдуллаев, Азизов, Алексеев, Алиев, Петрова

МПК: C30B 11/02

Метки: выращивания, монокристаллов

...канала.Получают соединение ТйпЯе 2. Готовые образцы размером 1 х 1 х 5 мм получают раскалыванием монокристаллического слитка по двум взаимноперпендикулярным естественным плоскостям кристалла, выращенно. го методом зонной плавки.Данный способ позволяет получать готовые образцы с минимаЛьной степенью де1624064 Составитель Н. ПономарегэТехред М,Моргентал Корректор С. Шекма Сеглян Редак Заказ 171 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открыт 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5и ГКНТ ССС зводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород арина, 10 формации и с воспроизводимой заданной кристаллографической ориентацией 110). При этом время, в течение которого инертный газ прогоняется через систему при Р 1 = 0,2...

Устройство для выращивания кристаллов

Загрузка...

Номер патента: 1624066

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Беляев, Ларионов, Лизунова, Павлюк

МПК: C30B 15/00

Метки: выращивания, кристаллов

...затравкодержателя, Высота камеры снижена на 50(, 4 ил,женный нагревателем 14, Тигель 13 размещен на штоке 15, который связан с датчиком массы 16, жестко закрепленным на нижней плите 3 Устройство включает пульт управления 17, в который входят блои управления двигателями механизма вращения и вытягивания монокристаллов, уравновешивания весов, формирования задания веса, формирования закона регулирования, автоматического регулирования температуры, регистратор температуры и регистратор веса автокомпенсационный(не показаны).Устройство работает следующим обраПосле загрузки ши устанавливают через лю ская тигель вертикально крышку 10 с механизмом камеру. Включают элек теля 14, плавят шихту в затравливание идалее и проводится в автоматич...

Способ выращивания пленок теллурида цинка

Загрузка...

Номер патента: 1624067

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Семенюк, Скобеева

МПК: C30B 19/02, C30B 29/48

Метки: выращивания, пленок, теллурида, цинка

...С, Эту смесь загружают в ячейку кассеты, в другую помещают подложку из 2 п 5 е, Кассету устанавливают в кварцевый реактор, нагревают до 650 С при непрерывном пропускании водорода и выдерживают при этой температуре в течении времени, достаточного для насыщения раствора-расплава(20 мин), Контакт раствора-расплава с подложкой осуществляют поворотом кассеты на 180 вокруг своей оси, при этом раствор-расплав располагают над подложкой. Для осаждения пленки проводят охлаждение системы до 450 С. При этой температуре проводят отделение раствора-расплава с поверхности выращенной пленки путем возвращения кассеты в исходное положение. После охлаждения печи до температуры эвтектики подложку с осажденной пленкой извлекают иэ ростового реактора, В...