Патенты с меткой «выращивания»

Номер патента: 1584836

Опубликовано: 15.08.1990

Автор: Парий

МПК: A01H 1/04

Метки: выращивания, гибридных, свеклы, семян, тетраплоидных, форм

...которая обладает высокой комбинационной способностью и обеспечивает получение высокопродуктивных гибридов при скрещивании ее со стерильной Формой. Производят выращивание корнеплодов стерильной формы, тетраплоидного и диплоидного компонентов отцовской формы, На участке гибридизации высаживают 4 ч, односемянной диплоидной стерильной материнской Формы и 1 ч. отцовской формы, В качестве отцовской формы высаживают смесь тетраплоидных и дипло. идных растений. Смесь состоит иэ 4 ч. тетраплоидов и 1 ч. диплоидов. Отцовский компонент опыляет стерильную форму. Семена с материнского компонента убирают отдельно от отцовского компонента. Затем их калибруют на машинах и используют для производственных посевов, Гибридные семена имеют 70-807...

Номер патента: 1585324

Опубликовано: 15.08.1990

Авторы: Абрамов, Агафонов, Лужков, Руденко, Соболенко, Школьник

МПК: C12M 1/02

Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов

...так, что образуют горизонтальные участки 10,расположенныемежду теплообменниками б, и вертикальные участки 11, расположенные на внешней поверхности змеевиков теплообменников б.Аппарат работает следующим образом.Емкость 1 заполняют питательнойсредой и посевным материалом и подают воздух в барботер 7.Во время процесса культивированиячерез барботер 7 осуществляют диспергирование в культуральную жидкость газа в виде пузырьков, которые увлекаются циркуляционными потоками внутри емкости 1, создаваемыми вращающимися ме-,шалками 5. Общее направление циркуляционных потоков происходит в вертикальной плоскости от мешалок 5 к стенке емкости 1, затем движение вверхи вниз через участки 10 лент 8 вцоль5стенок и частичный возврат газожид 1 состного...

Номер патента: 1585328

Опубликовано: 15.08.1990

Авторы: Атабеков, Бойко, Волкова, Гаевая, Егоров, Загребельный, Зейрук, Каплан, Карпейский, Катков, Колпаков, Куприянова, Леонова, Лещинская, Лопатнев, Матохина, Панфилова, Салганик, Сенженко, Тальянский, Трофимец, Якобсон

МПК: C12N 5/00

Метки: выращивания, картофеля

...Приготовлениеконтрольной и используемой в опытепитательных сред проводят аналогичнопримеру 1. Конечная концентрация нуклеазы в среде 1 мкг/мл.П р и м е р4. Приготовление 10 контрольной и используемой в опытепитательных сред проводят аналогично примеру 1. Конечная концентрациянуклеазы в питательной среде 0,1 мкг/мл,Полученные данные по примерам1 - 4 представлены в табл. 3.П р и м е р 5, В приготовленную среду Мурасиге-Скуга добавляютнуклеазу Бег,шагсезсепз ВИ-АТССдо конечной концентрации 20 100 мкг/мл. Вычлененные меристемыиз почек ростков картофеля сорта"Лорх" пересаживают на питательнуюсреду в пробирки. Контролем служилимеристемы, высаженные на среду без 25 добавления нуклеазы. Проводили наблюдение за ростом прижившихся меристем через...

Номер патента: 1586603

Опубликовано: 23.08.1990

Автор: Мериакри

МПК: A01G 1/00

Метки: выращивания, культур, плодовых, саженцев

...на эти черенки с помощью модифицированной прививочной машины прививают черенки персика с двумя глазками методом улучшенной копулировки с язычком, после чего прививки опять упаковывают в полиэтиленовые пакеты и устанавливают для безсубстратной стратификации 20 - 22 дн. За это время место копулировки затягивается раневой тканью (каллюсом), который также образовывается и на базальной части подвоев. В таком виде в конце января - начале февраля прививки высаживают в необогреваемую пленочную теплицу1586603 Формула изобретения 10 Составитель Г. БростюкРедактор И. Дербак Техред А. Кравчук Корректор М. СамборскаяЗаказ 2375 Тираж 462 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при КГКНТ СССР113035, Моск в а, Ж - 35, Рау ш...

Номер патента: 1586621

Опубликовано: 23.08.1990

Авторы: Апостол, Реутова

МПК: A01G 31/02

Метки: аэропонного, выращивания, растений

...насоса соединен трубопроводом 4 с соседней емкостью.Емкости 1 в зоне дна соединены между собой трубопроводом 5 с регулирующим вентилем 6. Трубопровод 5 расположен ниже 20уровня дна емкостей 1.Устройство работает следующим образом,В емкости заливают 3 м питательногозраствора, который, распространяясь по 25всем растильням, образует слой жидкостивысотой 0,05 м (по 0,75 мз в каждом),Высаживают рассаду огурца в фазе 5настоящих листьев (растения выращены вкубиках из минеральной ваты) по 2,5 растения на 1 мз. Включают насос одной иземкостей и осуществляют перекачку питательного раствора из первой части во вторую. При этом регулирующим вентилемустанавливают расход питательного раствора, убывающего из второй части устройствав первую под...

Номер патента: 1588751

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Зохнюк, Матвеев, Молдавский, Орлов, Сидорова, Скворцов, Эйромджанц

МПК: C12M 1/02

Метки: выращивания, микроорганизмов

...19 с отбортовкой 20, направленной вверх с образованием полости 21 и щели 22 со стенкой ферментера 150 для отвода воздуха из полости 21 и защищенной таким образом от проникновения в нее пены. Устройство 3 со-, держит кольцо 23, образующее камеру 17 и установленное соосно трубопроно ду 4, Камера 17 сообщена с трубопроводом 24 для подачи пеногасителя или моющего раствора. Для перемешивания питательной среды установка снабже. на мешалкой 25, приводимой но вращение двигателем 26. Трубопровод 27 служит для подачи аэрирующего воздуха н ферментер 1, для очистки и стерилизации которого служит устройство 28Установка для выращивания микроорганизмов работает соедующим образом.В предварительно простерилизованный ферментер 1 посредством магистрали...

Номер патента: 1588752

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Лебедев, Чунихин

МПК: C12M 1/04

Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов

...соединена патрубками с газовым коллектором, который в свою очередь соединенгазозаборными трубами 23 и 24 с газовым пространством вышележащей и нижележащей секций. 2 ил.)родкой выполнена пористой. Междустенками внутреннего 8 и промежуточнго 9 патрубков размещен стакан 15,перекрывающий пористую стенку 14по всей высоте и соединенный патрубком 16 с коллектором 17 для отвода продуктов метаболизма. При этомпромежуточный патрубок 9 над горизонтальной перегородкой 13 имеет окна 18 для создания разрежения. Навнешнем патрубке 10 имеются отверстия 19, расположенные ниже горизонтальной перегородки 13 и соединенные с коллектором 20 для подвода свежей питательной среды. Нижняя секцияпод горизонтальной перегородкой13 соединена патрубками 21 с...

Номер патента: 1590479

Опубликовано: 07.09.1990

Авторы: Агафонов, Зябрев, Игонин, Сидоров

МПК: C12M 1/00, C12N 1/26

Метки: выращивания, микроорганизмов

...требуется поток газа с расходом 3 л/мин, то пуем перераспределения при помощи заслонки потоков газа внутри вихревой трубы с "холодного" конца трубы отводится поток (3 л/мин) охлажденного газа на ээрэцию в ферментер, а с "горячего" конца трубы поток (4 л/мин) нагретого гэзэ подается в теплообменник, где он нагревает циркулирующую культуральную жидкость перед мембранным блоком.В результате разделения потоков газа в вихревой трубе в зависимости от регулирования температура охлажденного потока составляет 16-,18 С, э нагретого 39 - 53 С.Интервал температур осуществления способа по примеру 1 и данные по массопереносу кислорода в культурэльную жидкость и изменению концентрации микроорганизмов в зависимости от температуры нагрева кул ьтурал ь...

Номер патента: 1594220

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Владимиров, Губернаторов, Кетов, Соколов

МПК: C30B 1/04, C30B 29/02

Метки: выращивания, кристаллов, металлических

...и первичнойрекристаллизации.После,проведенных обработок получают заготовку с градиентом движущей. силы вторичной рекристаллизации подлине,На. конце заготовки,. где деформацню определяют равной 40%, устанавливают, что вторичная рекристаллизация при часовой выдержке начинаетсяпри Т 1,940 С, а скорость ростакристаллов при этой температуре равна 9 мм/ч, а на другом конце заготовки при Тк = 1020 С, а скорость .ростакристаллитов 15 мм/ч, По определенньм значениям температур и наименьшей скорости роста кристаллитов вычисляют скорость изменения температуры.При окончательном рекристаллиэационном отжиге Чн 12 .град/ч. Заготовку нагревают до 1020 С со скоростью 12 град/ч. По окончании от"жига фиксируют, что заготовка приобрела...

Номер патента: 1595325

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Ален, Жорж, Клод, Оливье, Ролан

МПК: A01G 17/00, A01G 17/02

Метки: выращивания, деревянистых, полудеревянистых, привитых, растений, саженцев

...его часть).1595325 Фиг.7 Аналогично подготавливают черенки привоя 8, с той разницей, чточеренок привоя нарезают только с одним глазком. Качественное срастаниечеренков привоя и подвоя при их прививке возможно только при наличииу них листовой пластинки. Если листо"вая пластинка слишком большая, ееможно уменьшить на одну треть. 1 ОДля выполнения прививки основание9 привоя 8 срезают в виде клина 10,а в верхней части черенка подвоя 7выполняют расщеп 11 на глубину 5 -10 мм. После подготовки компонентыпрививки соединяют, и прививку 12высаживают для сращивания и укорене ния в субстрат. В качестве субстратаиспользуют смесь торфа и пуццолана сразмером фракций. 5"20 мм, а такжеможет быть использован любой другойсубстрат. Субстрат увляжняют...

Номер патента: 1481912

Опубликовано: 30.09.1990

Авторы: Ежак, Парфенов

МПК: A01B 79/02

Метки: выращивания, лесных, насаждений, пастбищезащитных, пустынях

...слой песка или супеси, 2 " гипсоносный слой, 3- лента обработанной почвы, 4 - взрыхленный гипсоносный.слой в смеси с песком или супесью, 5 - растение, 6 " песчаный или супесчаный горизонт ,почвогрунта.19-89 2Ленточную обработку почвы осуществляют агрегатом, состоящим изтрактора и рыхлителя с несколькимизубьями. Зубья рыхлителя устанавливают так, чтобы глубина рыхленияувеличивалась от периферии к центруленты 3, При этом гипсоносный слой2 рыхлится и смешивается с пескомили супесью. При взламывании гипсоносного слоя 2 до песчаного горизонта 6 нижняя часть взрыхленногогипсоносного слоя 4 заходит под гнпсоносный слой 2. Корни растений 5,высаженных в середине на ленты обработанной почв "3, используют влагунв только взрыхленного...

Номер патента: 1595904

Опубликовано: 30.09.1990

Авторы: Мандельштейн, Музалевский

МПК: C12Q 3/00

Метки: выращивания, микроорганизмов, питательной, приготовления, процессом, среды

...исполнительного механизма 14, Контур регулированиярасхода воды состоит кз датчика 10расхода мелассы, датчика 15 расходаводы, датчика 16 концентрации РВ, регулятора 17 соотношения и исполнительного механизма 18. Контур регулирования величины рН состоит из датчика 19величины рН, регулятора 20 и исполнителЬного механизма 21, Контур регулирования расхода готовой смеси состоитиз датчика 11 уровня в смесителе,датчика 22 расхода готовой смеси, датчика 23 уровня в сборнике готовой смеси, переключателя 24, регулятора 25 иисполнительного механизма 26, Контурзащиты от переполнения или опорожнения сборника готовой смеси включаетдатчик 23 уровня в сборнике и релейный преобразователь 27, управляющийпереключателями 12 и 24, изменяющимиструктуру...

Номер патента: 1597125

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Ермишин, Подлисских

МПК: A01C 7/00, A01H 1/04

Метки: выращивания, гибридных, картофеля, растений, семян

...в полевых условиях, чтоустраняет недостатки, связанные с выращиванием растений в. закрытом грунтеКроме того, за счет использования техники, упрощения процедуры посадки и ухода за растениями снижаются трудозатраты. Формула изобретения 1, Способ выращивания растенийкартофеля для получения гибридных семян, включающий посадку клубней ипериодическую обработку почвы вокруграстений в процессе их роста для ослабления клубнеобразования, о т л и -ч а ю щ и й с я тем, что, с цельюснижения трудозатрат за счет возмож-.ности проведения гибридизации в полевых условиях, посадку клубней осуществляют рядами в верхнюю часть гребня с последующим образованием вокругкаждого клубня холмообразного участка на поверхности почвы, а при обработке почвы...

Номер патента: 1597128

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Крючков, Кузнецов

МПК: A01K 61/00

Метки: выращивания, моллюсков

...и стремящаяся всплыть, испытывает кроме статических и динамические усилия во время штормов, при этом величина силы плавучести во времени рывков возрастает по сравнению со статической в 3-4 раза, поэтому, если разрывной элемент будет рассчитан на меньшую нагрузку, то он будет разрушен.При выборке коллектора с урожаем на судно происходит последовательное разрушение разрывных элементов 7 и разворачивание коллектора в линию.Необходимое усилие может быть достигнуто при достаточном сопротивлении, создаваемом грузами в воде, где каждую петлю удерживают два груза. Если прочность нити будет больше величины а (разрушающее усилие), то коллектор 3 не оборвется от несущего троса 1 и для его обработки (снятия урожая) придется применять дополнительные...

Номер патента: 1597401

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Логинов, Рандошкин

МПК: C30B 19/04, C30B 29/28

Метки: выращивания, пленок, феррит-гранатов, эпитаксиальных

...этого температуру снижают до значения Т= 865-900 Со расплав помещают подложку из гад ний-галлиевого граната с ориентаци К 1597401(111) диаметром 20 мм, предварительно прогретую до той же температуры, Под- е ложку приводят во вращение со скоростью 120-180 об/мин. Наращивание пленок проводят в течение 1-30 мин, после чего подложку извлекают из раствора-расплава, приводят ее в ускоренное вращение для стряхивания капель раствора-расплава и охлаждают.Параметры пленок скорость движения доменных стенок, коэффициент опти- СР ческого поглощения гленок, выращенных при разных составах раствора-расплава и температуре роста, даны в таблице,1597401 Ф ор м у л а и з о б р е т е и и я СоставСодержание компонентов, мол.7) Вьоа Тт Оа Реоа Сатори т, фС...

Номер патента: 1597403

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Гостев, Гусаковский, Мандрыка, Молочков, Цетович

МПК: C12N 1/00, C12N 13/00, C12P 13/08 ...

Метки: выращивания, лизина, мелассосодержащих, питательных, приготовления, продуцентов, сред

...частоты выше 300 кГц приводит к значительным знергоэатратамбез улучшения качества срецы, При этоме,интервал температур 40-80 С обуславливает снижение вязкости среды и лучшее распределение воздействия пульсаций.П р и м е р 1.Посевной материалштамма ВгесЪасйегцш яр, Евыращивают в 34-х литровом ферменте в среде следующего состава, %: меласса 1 О(по РВ); кислотный гидролиэат БВК6 (по объему); хлористый аммоний 2;фосфат калия двухзамещенный 0,2; мел1, при рН 7,0,Выращивание ведут 18-24 ч при следующих параметрах: температура 30+1 С;рН 6,8-7,5; подача воздуха 0,51,0 об/об среды в 1 мин.Для ферментации 1,-лизина готовятпитательную среду следующего состава,кг (Х: меласса (12 по РВ) 6500(0,5); калий фосфорно-кислый однозамещенный 13...

Номер патента: 1598900

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Алимов, Максимчук

МПК: A01C 21/00

Метки: выращивания, озимой, пшеницы

...вегетации твердыми удобрениями и некорневым способом в форме водного раствора мочевины, к раствору мочевины добавляют азотно-фосфорное жидкое комплексное удобрение с обеспечением соотношения азота к фосфору (2,5:1) - (3,5:1), а некорневую подкормку осуществляют на Ч 111 - 1 Х этапах органогенеза. 1 табл. Внесение такого раствор ода 350 л/га обеспечило д а, а фосфора - 10 кг/га.Увеличение соотношения азота к фосфору в рабочем растворе более 3,5:1, как и его уменьшение менее 2,5:1, вызывает существенное снижение эффективности использования растениями азота удобрений. Наибольшие величины продуктивности посевов и эффективности использования азота достигаются при осуществлении подкормки на Ч 111 - 1 Х этапах органогенеза. Более ранние,...

Номер патента: 1598917

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Астафуров, Астафурова, Верхотурова, Левицкий, Симонова

МПК: A01G 7/00

Метки: выращивания, грунте, защищенном, культур, овощных, рассады

...в грунт на 28 - 30-й день после начала облучения.Данные морфометрических измерений 23-дневной рассады огурцов приведены в табл. 1.Пример 2. Рассаду огурцов выра шива ют при тех же условиях, что и в примере 1, однако при этом соотношение потоков лучистой энергии в спектральных диапазонах от 400 до 500 им, от 500 до 600 нм и от 600 до 700 им составляет 0,44:1:0,46. Облученность в области фотосинтетически активной радиации составляет 27,7 Вт/м.В данном варианте используются люминесцентные лампы типа ЛР,Через 20 - 21 день облучения появляется пятый лист и рассада готова к высадке в грунт.Данные морфометрических измерений 23-дневной рассады огурцов приведены в табл. 1.Пример 3, Рассаду огурцов выращивают при тех же условиях, что и в примере...

Номер патента: 1599447

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Бодячевский, Бойко, Данько, Катрич, Самсонов

МПК: C30B 11/02, C30B 29/20

Метки: выращивания, монокристаллов, окислов, тугоплавких

...включают механизм, и контейнер перемещается со скоростьюпротяжки 8 мм/ч, В течение всего процЕсса уровень концентрат.и примесейпОддерживается на уровне, не превышающем уровень концентраций, достигнутый в ходе нагрева шихты. Процесскристаллизации проводится при постоянных значениях мощности нагрева и скорости перемещения контейнера, После 15окончания кристаллизации проводитсяотжиг путем снижения мощности от еезиачения в процессе кристаллизации(12,5 кВт) до нуля в течение 16 ч 20Полученный кристалл характеризуется отсутствием тиндалевского рассеяния и луче гелий-неонового лазера,Способ выращивания монокристаллов тугоплавки окислов, включающий нагрев и расплавление шихты в молибденовом контейнере в тепловом узле из углеграфитовых...

Номер патента: 1599448

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Акчурин, Жегалин, Уфимцев

МПК: C30B 19/04, C30B 29/40

Метки: выращивания, слоев, эпитаксиальных

...823 К. При этой температуре осуществляют гомогенизацию раствора-расплава в течение 2 ч после) чего снижают температуру до 773 К (температура насыщения раствора-расплава) и осуществляют контакт раствора-расплава с первой подложкой 1 пАя. После проведения подпитки раствора-расплава контакт с первой подложкой прерывают и с помощью специальных слайдеров разделяют раствор- расплав на пять равных порций, Высота каждой порции раствора-расплава 0,2 см. Далее снижают температуру на 10 К и осуществляют последовательный контакт второй подложки 1 пАя с каждой порцией раствора-расплава. Время контакта с каждой порцией 3 мин3 1599448 4 Таблица 1 Пример Состав щих Толщина Суммарное время контакта подложки с .раствором расплавом,мин оличество...

Номер патента: 1600653

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Гуляев, Лихолат, Мануильский, Савинский

МПК: A01G 31/00

Метки: выращивания, огурца, растений

...мг н растение.Рассаду растений огурца сорта Олимпиада в возрасте двух настоящих листьев обрабатывают 0,100-ным водным раствором ИПБА до полного смачива ния листьев. Расход препарата составляет 6 мг на одно растение,Влияние различных концентраций раствора ИПБА на урожайность растений огурца сорта Олимпиада показано в табл. 1.Как свидетельствуют приведенные в табл. 1 данные, оптимальной концентрацией для обработки растений огурца в возрасте двух настоящих листьев является 0,001 - 0,0100-ный водный раствор ИПБА при расходе препарата 0,06 - 0,6 мг на одно растение. Дальнейшее увеличение дозы препарата не повышает продуктивности растений огурца.На основании приве л. 1 примеров можно сд ть бработка рассады огурца в в н6006534сить урожайность...

Номер патента: 1602411

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Дворнина, Додылева

МПК: A01G 1/04

Метки: выращивания, грибов, дереворазрушающих, инокулята, питательная, посадочного, среда

...на среде-прототипе и на предлагаемой среде, свидетельствует о явных преимуществах последней.Таким образом, использование изобретения позволяет создать питательную среду, обогащенную всеми необходимыми элементами питания для развития посадочного инокулята дереворазрушающих грибов, устойчивого к болезням, отличающегося силой и скоростью роста. Полученный инокулят характеризуется плотной консистенцией, белой окраской. По своему качественному составу он отличается высоким содержанием сухих и экстрагируемых веществ, общим содержанием белка, углеводов, комплекса витаминон.Плодовые тела дереворазрушающих грибов, полученные из такого посадочного инокулята, характеризуются хорошими товарными качествами, повышенным содержанием комплекса...

Номер патента: 1602418

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Алексеева, Береш, Летунова, Муромцев, Петров, Шаповал

МПК: A01N 59/00

Метки: выращивания, кормовой, свеклы, семена

...обработке растении релом урожай семян остается пр чески на уровне контроля. Внес в почву карбида кальция в доза 120 кг/га приводит к уменьшени жая семян. бид кальция влияет на качестве казат ели семян увеличивает 1000 семян, а также их лаборавсхожесть. Отмечено возрастани ния массы 100 зародышей к масс мян. Это свидетельствует о том рбид кальция способствует фор418подкормкой растении удобрениями в Вазу полной розетки листьев, когда высота растений не превышает 10-15 см, что полностью исключает травмирование растений, снижает затраты труда и себе. стоимость полученной продукции. Кар,бид кальция улучшает также морАологическую структуру растений, что имеет значение для облегчения механизированной уборки семян кормовой свеклы. Формула...

Номер патента: 1604266

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Дзюбенко, Землицкий, Якименко

МПК: A01G 31/02

Метки: выращивания, гидропонного, растений

...в ложементе с крышкой, в которой ус тановлены средства для крепления растений. Также можно использовать изношенные автопокрьппки или расположенные по кругу пластиковые цветочные ящики, У покрышки при этом заклеен 40 боковой проем и вырезаны отверстия для растений. Покрытие 8 из пленки крепится на каркасе 12.Привод 3 включает редуктор 13, выходной вал которого снабжен пружинной муфтой с ведущими катками 14, на которых установлена площадка 4. С другой стороны площадка 4 опирается на опорные катки 15, закрепленные на плоских пружинах 16. 50Привод 3 вращения может быть выполнен в виде ветряного двигателя и . сблокированного с ним резервного электродвигателя (не показан).Резервуары 10 и 11 частично запал няют питательным раствором,...

Номер патента: 1604302

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Жилюкас, Жилюкене

МПК: A01K 61/00, A01K 63/00

Метки: выращивания, молоди, рыб, садок

...для выращивания молоди рыб включает каркас 1обтянутый сетным полотном 2, и элемент 3 подводного электроосвещения для привлечения живого корма. Садок оснащен сетчатым 25 чехлом 4, размер ячей которого меньше размера ячей сетного полотна 2 каркаса 1, закрепленным на каркасе 1 посредством системы колец 5, крючков 6 и шнуров 7 с возможностью пе ремещения вдоль стенок садка.Садок работает следующим образом.Садок устанавливают на плавсредстве (не показано), зарыбляют личинками и подключают к источнику питания 35 электрического токаВ ночное время чехол 4 находится в опущенном положении и, таким образом, не препятствует мигранян зоопланктона из озера внутрь падка, где ус тановлен электросветильник 3. При включенном электросвете концентрация...

Номер патента: 1604847

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Дымент, Янковский

МПК: A23C 9/12, C12N 1/20

Метки: бифидобактерий, выращивания

...Получение кисломалочнага напитка.Вначале готовят сочетание бифидо - бактерий с уксуснакислыми бактериями, С этой целью в 10 мп сте)ильнаго молока вносят 0,3 мл штамма В,1 опттцтп 415 и 0,1 мп штамма А.асеС К(ВКПБ В). Смесь тщательно перес мешивают и вьдерживают при 30 С в течение 16 ч. Полученное сочетание через каждые 3 дня перевивают в свежее молоко при тех же режимах.Сочетание характеризуется следующими признаками: содержание клеток бифидобактерий 2,2 млрд вмл, количество клеток уксуснокислых бактерий 0,7 мпрд в 1 мл, сочетание свертывает молоко при внесении ЗЕ инокулята в течение 10 ч, увеличивает содержание аытннаго азота в молоке на 5,2 мг 7.в поле зрения микроскопа видны тонкие длинные палочки и мелкие подвижные палочки.Сочетание...

Номер патента: 1604867

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Васильев, Глазунов, Гуреев, Гусев, Забелышенский, Левандовский, Обрывков

МПК: C30B 15/20

Метки: выращивания, кристаллов

...16 камеры 1 роста и передаетсяв оптическую систему телевизионнойкамеры 9. Изображение кристалла нафронте кристаллизации формируетсяобъективом 12 телевизионной камеры 9в плоскости светочувствительного элемента видикона, где происходит преобразование светового излучения вэлектрический сигнал, который передается на телевизионный приемник 13.В зависимости от параметров выбранного объектива 12, черно-белоеили цветное изображение на экране телевизионного приемника 13 может бытьполучено с различной кратностью увеличения. Регулировка масштаба изображения производится перемещением телевизионной камеры 9 вдоль оптической оси и соответствующей фокусиров-кой объектива 12. Регулировка яркости и контрастности изображения производится...

Номер патента: 1604868

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Еськов, Кривцов

МПК: C30B 15/32

Метки: выращивания, затравкодержатель, кристаллов

...штока, при меньшей длинехвостовой части возможна разориентация затравки. Соотношение длин элементов затравки определены экспериментально,Высота прямоугольного выступа(0,15 внутреннего диаметра + толщинастенки керамического штока) определяется внутренним и внешним диаметрами штока. В затравочном,кристаллеи в штоке выполнены соосные отверстия 6 для металлического штифта 5.Диаметр отверстия в штоке равен диаметру штифта + О, 1 мм, диаметр отверстия в кристалле равен диаметруштифта + 0,15 мм, что соответствуеттехнологическим допускам,Это позволяет заклинивать затравку поворотомштифта. Для этого штифт имеет изгиб,радиус кривизны которого определяютопытным путем.Затравочный .кристалл вставляютв шток хвостовой частью, совмещаяего...

Номер патента: 1604869

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Петьков, Редькин, Татарченко

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, кристаллов, профилированных

...фронта кристаллизации.П р и м е р. Проводят выращивание кристаллов ниобата лития из тигля диаметром 40 мм, высотой 35 мм. Формообразователь имеет среднюю кривизну сопрягающей поверхности 0,1 б К в - 10, причем изменение средней кривизны ЬК по всей поверхности сопряжения не превышает 0,2. Тигель и формообраэователь выполнены из платины.Результаты экспериментов представлены в таблице.Использование изобретения позволя ет осуществлять выращивание монокристаллов в виде стержней, пластин иразличных замкнутых профилей. Формула и з обретенияСпособ выращивания профилированныхкристаллов, включающий затравление сторца формообразователя, зацеплениемениска расплава за рабочую поверхность формообразователя и выращивание при подвижном мениске...

Номер патента: 1604872

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Епифанов, Суздаль, Цуранов, Шевченко

МПК: C30B 29/20

Метки: алюмоаммонийных, выращивания, квасцов, корунда, кристаллов, шихты

...степени ее загрязнения, вкачестве неконденсированной среды используют водяной пар, нагретый до 95 - 120 С,давление поднимают до 150 - 200 кПа, а и роцесс проводят в течение 5-10 мин. аемыйть сте- тепени ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР(56) Авторское свидетельство СССРМ 1189831, кл, С 04 В 7/00, 1984,Авторское свидетельство СССРМ 1024563, кл. Е 02 Р 5/30, 1981,(54) СПОСОБ ОБРАБОТКИ ШИХТЫ ИЗАЛЮМОАММОНИЙНЫХ КВАСЦОВ ДЛЯВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ КОРУНДА Изобретение относится к области выращивания кристаллов, в частности к способам обработки алюмоаммонийных квасцов при приготовлении шихты для выращивания монокристаллов корунда.Целью изобретения является повышение степени измельчения шихты при снижении степени ее...