Патенты с меткой «выращивания»

Номер патента: 121237

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Бутузов, Добровенский

МПК: C30B 15/22

Метки: выращивания, монокристаллов, процесса, расплава

...для его осуществления поясняются чертежом, на котором изображена блок-схема автоматического регулирования процесса кристаллизации по заданной программе.В тигле 1 находится расплав вещества 2 с температурой несколько ВьШе ТЙМПераТуры КРИСТЯЛЛИЗЯЦИИ И Поддержнвае.110 ПОСТоянной С ПО- мощью соответствующего нагревания.ГА 121237 Предмет изобретения1. Способ регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава путем поддержания определенного температурного режима на границе жидкой и твердой фаз (расплав - кристалл) изменением тока жидкости в холодильнике, охлаждающей верхний конец выращиваемого кристалла, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью улучшения процесса кристаллизации, границу расплав - кристалл удерживают на...

Номер патента: 121419

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Гавалов, Гуревич, Донин, Егоров, Кац, Лесохин, Новикова, Фениксова

МПК: C12M 1/18

Метки: аспергиллус, выращивания, грибов, культуры, методом, плесневых, поверхностным

...с помощью ДВух ме 1 палок, 1 ф, с 120 кеных Ь-об)азны.Р двухваль- НЫМИ ЛОП 2 СТ 5)1 И, ПСЭРЕОДЕЧЕСКИ СТС)1,ПЕЗЛОЩРЕХСЯ ЭЛЕКТ)ОНБГ)ЕВОМ В 32- 1ЫЬХ СТВОЭКЕХ И ПОДЕИМ 2 ЮЩИХСЯ ПЭИ ГРОХОДЕ КЮБСТЫ. 2 ВЕЕ,.НХ МЕ- шалон,опасти нас 2 ксны В шахматном поэядке для Обеспечсни 5 раВНО- .С)ПОСТП ПС)Е.ЕШИВЗНИЯ И СОХРВНСПЕ 5 ПОСТ 05 НСТВ 2 СЛОЯ НЕ БССЙ ПЛ 01 ЦЕ- ДИ К 0 СТЫ:3 стерильного коридора 13 кюветы поступают Б камеру 14 для зы)2 ЩИБ 2 НИ 51 КУЛЬТУРЫ, СОСТ 051 ЩУЮ ИЗ ПЕСКОЛЬКРХ РЗОЛЩЭОБ 2 НПЬх ОТДСЛЕ- ний для роста и одного отделения для подсушки выращенной культуры.Чс)сз Воздухоэасп)еделит(ли 20 годастся копдицРОп;рован:н, БозД( С 32 Даи:ЫМН П 2 РаСТ)ам ТСМПС)2 ТУЭЫ И Б)12 К 1 ОСи ДЛ 5:(ах(Д;)О отде)с(я камеры 14. Б ней для вьеращивания...

Номер патента: 121758

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Колосков, Комаров, Серегин

МПК: C12M 1/16

Метки: выращивания, грибов, методом, плесневых, пневматическая, поверхностным

...время поддерживаются в воздушно-взвешенном состоянии и не падают на жалюзи. По мере расширения сечения камеры кверху скорость воздуха снижается и в самой широкой ее части становится недостаточной для подъема частиц. Вследствие этого частицы перестают подниматься вверх и начинают витать. При этом воздух освобождается от взвесей и через верхние жалюзи отводится в циклон 10.В циклоне производится контрольная очистка воздуха от случайно унесенных частиц культуры.Жалюзям 9, регулирующим подачу воздуха в камеру, отдельным шибером придано наклонное в .сторону разгрузочного приспособления положение, вследствие чего они, в свою очередь, придают воздушному потоку направленное движение под углом к вертикали. Благодаря этому масса взвешенных частиц...

Номер патента: 122465

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Курамшин, Мельцер

МПК: C12N 1/16

Метки: выращивания, дрожжей

...дрожжей в разведенной мелассе путем периодического отбора и сепарации части бродящего сусла, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью ускорения процесса выращивания дрожжей в силь. но разведенной патоке, например при ее разведении в отношении 1: 30, отобранное количество жидкости возмещают доливом разведенной мелассы, а задаточные дрожжи вводят в начале в дрожжерастительный чаи в количестве около 100% по отношению к весу перерабатываемой за четыре часа мелассы, и далее вместо задаточных дрожжей используют оставшееся после отбора сусло в количестве 50%,Редактор А К. Л ей кина Тскред Т. П, Курилко Корректор П. Лившиц Формат бум. 70 К 108/6 Тираж 660 ЦБТИ при Комитете по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва,...

Номер патента: 122478

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Муратов

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, монокристаллов

...больше диаметра получаемого монокристалла.Высота ампул для монокристаллов размером 40 Х 40 составляет 200 - 250 лм, Нижнюю часть ампул оттягивают на конус с углом 100 - 120, причем толщина стенок конуса у самого носика - не более 1,0 им.К верхней части ампулы припаивают шлиф из стеклянной трубки меньшего диаметра с внутренним отверстием 8 - 20 яд и толщиной стенок 1,5 - 2,0 мм,После засыпки в ампулу соли, ампулу по всей ее поверхности обклеивают листовым асбестом толщиной 1,0 - 1,5 мл, предварительно смоченным глиняной водой, содержащей до 20% глины из шамота или огнеупора с добавкой 10 - 20% корундового порошка и поваренной соли из рас чета 30 - 50 г/л. После этого ампулу загружают в печь без предварительной сушки термостойкого слоя....

Номер патента: 123123

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Горбачевский, Попсуев

МПК: C12M 1/14

Метки: выращивания, грибов, культуры, методом, периодического, плесневых, поверхностным

...транспортера загрузки 8, двенадцати секций парных вертикальных транспортеров 4, скребкового транспортера выгрузки 5, двенадцати шиберов б и воздушного коллектора 7.Стерильная питательная среда-масса, смешанная с посевным материалом, поступает в бункер 2 герметического корпуса 1, где скребковым транспортером 8 масса подается через отверстия с шиберами 6 на секции вертикальных транспортеров 4.Каждая секция состоит из двух сетчатых тра сущих на лентах поперечные угольники.Сетчатые ленты транспортеров секций имеют одно направление движения их внутренних ветвей, и с помощью поперечных угольников нспортеров, немасса удерживается в пространстве между вертикальными транспортерами 4.В период. роста плесневого гриба производится...

Номер патента: 123124

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Дерканосов, Осипов

МПК: C12M 1/12

Метки: аппарат, выращивания, герметичный, дрожжей, засевных, товарных

...следующих частей: цилиндра б, изготовленного из нержавеющеи трубы или листовой стали, разборного поршня 7, из нержавеющей стали; штока В с гайкой 9 также из нержавеющей стали, фланца 10 и крышки,11 цилиндра б, сальникового устройства 12, трубопровода И. Цилиндр б крепится к вытяжной трубе 4 с помощью фланца 1 О и кронштеина 14 Форсунка А крепится к штоку гидравлического клапана 15, а в нижней части приваривается к клапану 5.Форсунка А состоит из корпуса 1 б, рассекателя 17, прикрепляемого к корпусу форсунки на резьбе. Зазор между корпусом и рассекателем регулируется шайбой 18. К корпусу форсунки на шарнирах крепится фартук 19, который направляет кольцевую струю жидкости, выходящую из форсунки, на крышку или стенки аппарата 1. Фартук 19...

Номер патента: 123125

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Каплан, Мартыненко, Мельников

МПК: C12N 1/22

Метки: выращивания, гидролизатах, дрожжей, кормовых, целлюлозы

...всегда образующихся в процессе гидролиза и 2) в отличие от серной кислоты не вызывает коррозии основной аппаратуры. Кроме того, что очень важно с точки зрения расхода химикатов, затраченная для гидролиза соль целиком используется в качестве нутрпента для роста дрожжевых клеток, а получаемые гидролизаты могут перерабатываться без нейтрализации.123125 Предмет изобр етения Способ выращивания кормовых дрожжей на гидролизатах целлюлозы, растительного сырья, с ведением гидролиза при каталитическом влиянии ионов водорода, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью упрощения технологии производства дрожжей для гидролиза и перегидролиза растительного сырья, применяют кислые фосфорнокислые соли, которые в дальнейшем целиком используются в...

Номер патента: 124070

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Гуляевская, Звягин, Сухин

МПК: C12M 1/16

Метки: агарных, выращивания, культур, микробных, средах, твердых

...(агар) для выращивания микроорганизмов.Барабан вращается ро час ке, так и против, сохраняя ст124070Перед работой устройство стерилизуется паром через патрубки б и 7. Вентили 8, 9, 10, 11 и 12 находятся в таком положении, что пар, образовавшийся из небольшого объема воды, находящейся в корпусе, заполняет камеры 4 и 5 и стерилизует их.После стерилизации водяная камера 4 и рубашка 2 запо;ияется холодпой водой (устройство охлаждается) и затем производится наслоение твердой питательной среды на стенках камеры 5.Стерильная питательная среда (агар) подается в горячем виде по трубопроводу 13 порциями в таком объеме, чтобы при заполнении сектора камеры 5 жидкость касалась нижней и верхней стенок. При вращении барабана жидкость перемешается по...

Номер патента: 126454

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Голубчик, Запара, Ноткина

МПК: C12N 1/16

Метки: активирования, выращивания, дрожжей

...количес активирова лятора рос с целью у ри произво олизата в Спосо честве стим ся тем, чт его отхода в виде гид мицелия. кв ка- щийв виде елассу щество щиванияя гриба Ая процесанной кислве 8% по Способ активирования выращивания дрожжей путем добавления в стве стимулятора роста мицелия гриба Аспергиллюс известен.Описываемый способ активирования выращивания дрожжей по сравнению с известным более экономичен,Особенность способа состоит в применении мицелия, являющегося отходом при биохимическом производстве лимонной кислоты, Такой мицелий добавляют в мелассу в виде гидролизата в количестве 8% по расчету на сухое вещество мицелия,Способ осуществляют следующим образом. Мицелий гриба Аспергиллюс, получаемый прн производстве лимонной кислоты,...

Номер патента: 126685

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Лесничий

МПК: A01G 1/00, A01G 9/14

Метки: выращивания, помидоров

...Тираж 7101 ипография Комитета по делам изобретений н открытий при Совете Министров СССРМосква, Петровка 14. После 1 П 121 1;5 тия гОмидорных кустов Они Голвешив 1 Отея к 1 розолйкс, прот 51 нтои на.1 каждым стсл,1 жсм по ис,у рядов и крсплснпой к сто 5 ках,;ооЦимся в коцс каждого сгеллака.Воковыс иобс и уда.15 ютс 5 Нри 1 си кои;.В августе месяце при наступлении первых утренних хо,ядов; тсл,1 ажи чс,)ез боковыс прос(ы В стенах подаютсЯ В тсп,1 ицу, Где раз)1 сн,2 отся ЛО по,1 П 010 ВьГрсВаиия 321513 ей н 1 помидорньх кустах, п 1)чсз количество эт 1 Х 33 В 5 зе 1 Вполне лостатоно;ля:лодоношсни 5 на всс Зимний пс 1)иод (до март 2 мссяца зк,чю 1 ителыо) .Весной, во время слишком высокой тс.;нературы, выз,ваощ вы яГиванис рассады,...

Номер патента: 127225

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Колосков, Серегин

МПК: C12M 1/04

Метки: аппарат, выращивания, культуры, микроорганизмов, чистой

...воздуха в аппарат. П к у11ховоде нет давления или оно недостаточно, пружина дср и,а ат как только В воздуховод по. Як)ыты) и воздух не поступает в апп растся под давлением воздух он воздеиствует на д опышко сильфон,.; .ф .ру11 ри этом клапан-шток 9 перемещаетсяП любом спи)кепи мильфон и пружину; иВЛСВО, И В оздух начинает поступать в аппарат. При. , )(а (а-штока перемелсния или прекррацении подачи воздуха конец клап- р, е 1 . И аст СОпЛО Отшается до отказа вправо и одноврехенно концом прочишаетотложений хице,т)я.ействие на клаВозможно такВ . же дистанционное автоматическое возде"х на хвостовиланы-штоки с дом-(ах штоков,ется питательная среда вЧерез входной штуцер непрерывно подается по секцию аппарата, в которой происходит рост...

Номер патента: 127971

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Колосков, Серегин

МПК: C12M 1/04

Метки: аппарат, выращивания, культур, микроорганизмов, чистых

...Врс.1 с 1при: кратковременном прекращении поступления воздуха путем механического нажатия на конец штока, или воздействия на шток с помощьюэлектромагнита 10, связанюго со штоком.В целях обеспечения интенсивного перемешивания и хорошего контакта среды с возлухом вначале, в течение часа, воздух одастся черезОтВОды д, пр 13 этом жидкость Возлухоъ заВихриВаетс 51 и приводтс 51 ВОВряшение слеВ 2 напраВО; затем В течение часа Воздух подастся через Отводы 6 и жидкость врашается в обратном направлении; потом в течениечаса воздух подается через отводы 5 и б олновремсшо.При оыстром вихревом вращении всей массы жидкости в аппаратепроисходит насышение ее кислородом.Циклы могут повторяться в такой же или другой гослеловательности, с тем же...

Номер патента: 128423

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Дерканосов, Осипов

МПК: C12M 1/04

Метки: аппарат, выращивания, герметический, дрожжей, засевных, товарных

...для выращива Высокое диспергирование воздуха достигается зя отверстий 7 в крышках коробов,я в корооа в воздух пост ия дрожжей.счет малого ает В основном авт. св. Ьв 123124 описан герметический аппарат выращивания засевных и товарных дрожжей, выполнеш 1 ый в виде в тикального сосуда с вытяжной трубой.Описываемое изобретение является дальнейшим усовершенствова. нием этого аппарата и отличается тем, что на дне его установлено воздухораспределительное устройство, выполненное в виде коробов прямоугольного сечения с перфорированными крышками, имеющими отверстия диаметром 0,3 - 0,5 лл.На фиг. 1 изображено воздухораспределительное устройство в плане; на фиг. 2 - его разрез по АА на фпг. 1.Воздухораспределительное устройство выполнено в виде...

Номер патента: 128691

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Бизяев

МПК: A01K 61/00

Метки: бактерий, выращивания, грибков, дафний, дрожжевых, питания, разведении, рыб

...листьев тростников, камыша, кукурузы и других входящих в состав стога растений, создающих сенный настой, так и на базе добавления в стог различной питательной среды. При использовании разложений растений стог вначале через 2 - 3 дня, а потом ежедневно поливают водой с расчетом, чтобы промывочная вода проникала через всю толщу стога. В результате этой промывки большая масса развившихся в стоге бактерий и дрожжевых грибков вместе с сенным настоем вносится в воду, где выращиваются дафнии. Меньшая часть ба стерий и дрожжевых грибков остается в стоге как посев для следующего выращивания бактерий и грибков.При интенсивном разведении бактерий и дрожжевых грибков для их кормления готовят питательную среду из мясо-пептон-агара или...

Номер патента: 129601

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Колосков, Лосев

МПК: C12N 1/14

Метки: выращивания, грибов, методом, перемешивания, питательной, плесневых, поверхностным, процессе, среды

...орые для подается Способ зьрашиванияи процессе перемешиваниячто, с целью экономии расдуха и экономии энергии,вибрирующими коптактньохлаждения пропускаетсялиш, для оосспечсния про плесцитатходаперемигхладоесса Способ выращивания плесневых гргбоз повсрхносньм мстодох в процессе перемешивания питательной среды известен.О 1 исыв(е(ы 1( спосоо выра 1 ц(1 в(1 ния плсснсвых Грибов по срв(снО с известным является более экономичным в отношении расхода э;Срг(п( и кондиционированного стерильного воздуха.Особенность способа заключается в том, что перемешивание и охлаждение среды ведут вибрируюшими контактным иеп,Ообме(ик- ми, через которые пропускают хладоагент, а стерильньш воздух по;а ют;1 ишь для обеспечения процесса дыхания микроорганизмов.1 ри...

Номер патента: 129602

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Колосков, Лосев

МПК: C12M 1/16

Метки: аппарат, выращивания, грибов, методом, плесневых, поверхностным

...пара и раВномсрно прОГрсВаются. Постспенно даВлснис в Осряяцс цсдцц 3 Яс.с я;10 2 117,1, При таком даВлсции срс 12 Быдсрки- ВЯСТСЯ 5 ТСЧСЦЦС ОДЦ 10 ЧЯСЯ. ЗсТСМ, ПС 1 РССРасЦЯЯ БР 2 ЩСНЦС ОЯР 2021.Я дявлсццс смают Открытпсм 3 сцтц;5 Пя тру 0 рОВОдс 11 и 0 труос 6 пессс 110 т хлодн)ЛО Вд котря 51, Ероход 51 т)чб 1 ятыс Виор 2 торы, . лаждас т ццтспсльную среду После частичного охлаждения питатслиой среды в барабац при сЧ врашс ниц по трубопровод 3 1 подают порцию стсрилизованцой хлодцой Бо;1 ы 11 = 10 - 15) в количсстш, треб)схОм для довсдсция влажцсстц среды до 60" . После перс. МС.ШЦБЯЦ 51 С ХОЛОДНО ВОДО ТС.МЦСРЯТХ РЯ СРСДЫ ДОВОДИТС 5 ДО сЕО Ц ЗЯ. тем приступаот к засеву среды посевоп культурой при вращсш 1 барабаца. Засев производится...

Номер патента: 131315

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Моисеенко

МПК: C12N 1/14, C12N 9/14

Метки: выращивания, грибов, плесневых

...из кожицы, семян и твердых частей виноградной ягоды. Ферментные препараты, полученные на этой питательной среде, пригодны для обработки виноградного сусла и вина.Виноградные выжимки являются полноценной питательной средой для развития плесени и не требуют никаких добавок для повышения их питательной ценности.Виноградные выжимки как в свежем, так и в высушенном виде можно использовать для приготовления твердых и жидких питательных сред.Для приготовления твердой питательной среды свежие в стерилизуют, засевают взвесью спор и ставят для выращиванияа высушенные выжимки увлажняют водой илп острым паромстерилизуют.Для приготовления жидкой питательной среды из виноградных выкимок получают водный экстракт настаиванием при 60 в течение 4...

Номер патента: 132410

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Беленова, Малышев

МПК: C30B 15/20

Метки: выращивания, монокристаллов, печь

...2 кварцевого кожуха 3. Через пробк 1 пропущен свооодно перемещающийся в ней кварцевыйшток 4, Зазор между ним и цилиндрической частью пробки составляет 5,ик, Проникновение сквозь зазор 2 - 3 мг)час летучего компонентакомпенсируется из его запаса, находящегося в холодном конце5 печи.Разогрев тигляб осуществляют при помощи индкционной обмотки 7. В труоку 8, введенную через холодный конец 5, вставлены термопары, замеряюшие температуру расплава, Для уравновешиваниявнутреннего давления паров летучей компоненты на пробку 1 прилленена охлаждаемая ппужина 9, сила давления которой на 15 - 207 опревышает силу давления паров.Для наблюдения за поверхностью расплава, находящегося в тигле б, предусмотрено окно 10, выдвинутое за пределы рабочего...

Номер патента: 132445

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Гридасов

МПК: A01B 49/00, A01B 79/00

Метки: выращивания, проса

...корневой системы наиболее плодородного слоя, не учитывает необходимости закладки под поверхностью мульчирующего слоя и не предусматривает поперечной обработки посевов (прореживающе-окучивающего рыхления) в наиболее критический период жизни растений - в момент образования узлов кущения.При осуществлении описываемого способа используют пожнивные остатки для усиления плодородия почвы в подповерхностном слое и для мульчирования этого слоя. Кроме того, првводится мелкая зяблевая пахота с полным оборотом пласта и глубоким рыхлением пахотного горизонта прп помощи почвоуглубителя, а также глубокое пред- посевное рыхление почвы и ранняя поперечная обработка посевов в точный биологически обусловленный срок. При этом поле под культуру проса отводят...

Номер патента: 132613

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Васильева, Степанов, Хаимов-Мальков, Шефталь

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллов, расплава, ускоренного

...печи в не обогреваемую нижнюю часть, где соосно с тиглем установлен сосуд 2, заполненный легкоплавким металлом или сплавом (олово, сплав Розе или Вуда),Стенки сосуда охлаждаются током протекающей жидкости (вода, антифриз) или охлажденного газа, Сосуд имеет широкий слив 3, рас. положенный немного ниже его верхнего края, и приемник 4 для вытекающего из слива металла,Для успешного действия устройства расплав перегревается значительно выше температуры плавления, примерно на 200 и более. Горячий тигель с расплавом опускается в охлаждяемый сосуд с легкоплав. ким металлом и плавит последний, что приводит в результате интенсивного теплообмена к резкому охлаждению растущего кристалла прп одновременном перегреве расплава. Вытекающий из...

Номер патента: 132614

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Васильева, Степанов, Хаимов-Мальков, Шефталь

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллов, расплава, ускоренного

...и повышает чистоту кристалла.На фиг. 1 изооражено устройство в разрезе; на фиг. 2 - кольцоохл адитель.Тигель 1 с расплавом укреплен на подставке 2, при помощи которой может перемещаться из обогреваемой верхней камеры 3 трубчатой вертикальной печи в ненагреваемую нижнюю камеру 4. Камеры печи разделены массивным металлическим кольцом-диафрагмой Б, внутри которого по трубам циркулирует охлаждающая жидкость (вода, антифриз и др,) или охлажденный газ. Ось кольца-диафрагмы совпадает с осью тигля, а величина зазора между стенками нагретого тигля н кольцом должна быть минимальной (порядка 0,3 - 0,5 м,я).Тигель с расплавом опускается в охлаждающее кольцо-диафрагму, что позволяет производить сильное локальное охлаждение растущего кристалла с...

Номер патента: 132615

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Беляев, Витовский, Добржанский, Карпенко

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллизатор, кристаллов, раствора

...сосуда 1 - растворение кристаллизуемого вещества и прием конденсата; промежуточный сосуд 2 служит проводником раствора и затвором против попадания зародышей во внутренний сосуд 3, Во внутреннем сосуде происходит рост кристалла на подвешеннойг на нити 7 затравке 8,132 б 15Кристаллизатор снабжен магнитной мешалкой 9 для механического перемешивания раствора в сосуде 3.Выращивание кристаллов из раствора происходит так. Кристаллизатор заполняется насыщенным при заданной температуре раствором. Уровень заполнения кристаллизатора показан на чертеже. На дно между стенками сосудов 1 и 2 вводится избыток кристаллического вещества 6, заведомо больше веса кристалла, котоый желательно получить. За счет некоторого повышения температуры в донной...

Номер патента: 133712

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Ракин

МПК: A01C 11/02, A01G 1/00, A01G 5/00 ...

Метки: выращивания, шелковицы

...корпусом с одновремеиой планировкоЙ междурядий 2, Рядковую посадку саженцев шелковицы 3 производят в шахматном порядке на скошенных стенках 4 траншей на расстоянии 30 с.и от дна траншеи. Саженцы одновременно (1 ригибают и пришпиливают в горизонтальное положение а вдоль траншеи по обеим сторонам в два ряда 5. Сажают их на расстоянии 1(м друг от друга. Междурядия при посадке - 1,5 м. Таким образом, на 1 га можно нарезать пятьдесят граншей, при плотности растений. десять зысяч штук.;Цв 13372Сущность способа в том, что боковые побеги саженцев, отходящие от главного ствола б, механически обрезаются обычными жатками или кукурузоуборочными комбайнами. После первой обрезки резко увеличивается количество молодых боковых побегов и каждый из...

Номер патента: 135722

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Мураш

МПК: A01G 31/06

Метки: выращивания, овощей, тепличного

...ОпрыскпВЯния п)тятс 11 ным раствором,На фиг. 1 изображено устройство в плане; на фиг. 2 - разрез по Л-А на фиг. 1; на фпг. 3 - разрез по Б-Б на фпг. 1.устроЙСТВО состо из стелс)ягка 1, крыцк; а стеллажа с ОтвсрстпяХ 1 И 3 ДЛЯ УСТЯНОВКИ СЕТ 1 ЯТЫ СТЯКЯНЧКОВ а, В КОТОРЬ 1 Х 1 МЗСН;СТО)1 корневая система д 02 стсннй. ПО срсдПе стс,1,ажа укл 2 дыГ Ястся ПЯГнс тательная коллсктОРнЯЯ ТРУОЯ 6, снаожснн 251 Я Рным. Отвс 1)сти 5 мп г, р 2 спол 05 кенныи протиВ каждоГО кОрн 5 р 2 стсний, 11 и,)сдпаз:.Ячс:1:ы 11 Для питания корнсй раствором из коллскторной труоь путса Опрыскивания,М 135722 К коллекторной трубе, по центру расположения четырех сетчатых стаканчиков, приваривают стояк 8, который несколько выступает над крышкой стеллажа. На...

Номер патента: 136057

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Петров

МПК: C30B 29/10, C30B 7/00

Метки: выращивания, монокристаллов

...ия монокрист щийся тем, араметров в п травкс прида Ррхности ж 1 Д 1 выращиван,отличаюлогических пистальной зсительно пов Спосо ных кисло ства техно ла, монок жение отн крис 1 алл.истале дви- ивают Существующие методы выращивания монокристаллов имеют ряд недостатков, одним из которых является то, что форма движения кристалла (вращение или покачивание кристалл 1 затора) не обеспечивает надежную гермитизацию и не позволяст выращивать кристаллы в ускоренном режиме в формах.Зля обеспечения постоянства технологических параметров в процессе образования монокристалла предлагается способ, в котором моно- кристальной затравке придают возвратно-поступательное движение относительно поверхности жидкой среды, пз которой выращивают кристалл. При...

Номер патента: 136328

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Шашков, Шушлебина

МПК: C30B 29/36, C30B 9/06

Метки: выращивания, карбида, кремния, монокристаллов

...его осуществляют под вакуумом, обеспечивающим необходимое для роста монокристаллов карбида кремния пер- сыщение раствора. Известен способ выращивания монокристаллов карбида кремния В атмосфере аргона посредством их кристаллизации из расплава кремния, насыщенного углеродом при пересыщении кремния карбидом кремния, за счет уменьшения температуры расплава,С целью получения более чистых и совершенных монокрпсталлов карбида кремния предлагается способ пх выращивания из расплава кремния, насыщенного углеродом при пересыщенпи расплава карбида кремния, за счет преимущественного испарения кремния в вакууме прп постоянной температуре расплава 1600 вместо 2500 в известном способе). Для осуществления процесса бекетовский монокристаллический...

Номер патента: 136724

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Глебский, Красильников, Хохлов

МПК: C01F 7/38

Метки: аппарат, выращивания, корунда, кристаллов

...корунда; на фиг. 2 - схема кристаллизации.Аппарат для динамического вырашивания кристаллов корунда дискообразной формы состоит из керамической вертикальной печи 1, помещенной в разъемный чугунный корпус 2, В передней стенке имеется окно 3 для наблюдения за ходом процесса кристаллизации. От центра верхней стенки, в осевом направлении, проходит конусообразный канал 4 с дискообразным расширением 5, куда в струе водородно-кислородного пламени подается в расплавленном состоянии пудра (шихта). Пудра эта попадает на вращающийся стержень-затравку 6, закрепленньш в керамических держателях 7. Вращение стержня вокруг своей горизонМ 136724тальной оси осуществляется от цепной передачи со скоростью 0,1. об/люие., Вверху аппарата, над центральной...

Номер патента: 137107

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Костенко

МПК: C30B 15/22, G01D 5/24

Метки: выращивания, монокристаллов, процесса, расплава

...регулятора, применяемого для осуществления способа,Изменение скорости роста мдатчика Д, представляющего со137107 двух полуцилиндрических обкладок, между которыми опускается кварцевая или стеклянная ампула. Перемещение границы расплав- кристалл, находящейся посередине конденсатора, вызывает изменение суммарной емкости его вследствие перераспределения диэлектриков с разными диэлектрическими постоянными (в кр Ф в распл.), Величина емкости конденсатора влияет на резонансную частоту двухтактного генератора, обозначенного в виде преобразователя При Напряжение частоты с преобразователя Пр, и напряжение частоты задатчика 3 подаются на смесительный каскад (преобразователь Пр), с которого снимается напряжение промежуточной частоты, Это...

Номер патента: 141465

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Есафов, Приступа

МПК: C12N 1/16

Метки: выращивания, дрожжей, кормовых

...предприятиями, перерабатывающими отходы лесопиления на спирт и кормовые дрожжи.Полученный гидролизат нейтрализуют известковым молоком до рН 6 - 7 и затем охлаждают до 45 - 50. Г 1 ри этой температуре к гидролнзату добавляют коагулянт (сернокислый алюминий или др.) и рН доводят до 4,5 - 4,6. При этом в осадок переходят почти все органические вещества (гуминовые кислоты и др.), которые ранее находились в гидролизате в виде мелкодисперсных коллоидов. Эти вещества должны быть удалены, так как они мешают выращиванию дрожжей. Декантируемый гидролизат с добавкой питательных солей при температуре не141465 выше 40 и рН 4,5 - 1,Ь 11 рав,151 от в дрок 1 серас 1 тесьные чаны (или инокуляторы), где производится выращивание кормовых...