Патенты с меткой «выращивания»

Номер патента: 209137

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Возн, Лебедев, Ослёдкин

МПК: A01G 31/00

Метки: выращивания, зеленого, корма

...на ном растворе. При осуществлении соба для борьбы с плесенью приме чение бактерицидными лампами.В предложенном способе для у плесневения и увеличения выход массы в питательный раствор доб лекислый кальций, например в ви мсргеля и им подобных.Мергель может бытьпри приготовлении пвзамен питательных вв примесях некоторых ованы Тар для этой целиски залежиСаСОэ можсеменам пз р могут быть исп бергелей близ г. т быть добавлен счста 20 г мела зеленого ие семян питатель этого спо няют облуени редмет и меньшениязеленой вляют уг де мела Способ вычающий нами выращиванличаюи 1 ийсяплесневениямассы, в питлекислый камергеля и и о корма, вклюпроращивание растворе, отуменьшения хода зеленой добавляют угв виде мела,ращивания зеленог ачивание семян,...

Номер патента: 209417

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Булах, Ёт, Зад

МПК: C30B 23/00, C30B 29/50

Метки: выращивания, монокристаллов

...нагретого лав рный поверх паров и усл распо и инте я комп ности перевиях оженсив- енсаИзвестен способлов соединений спри температуре пфида кадмия, переровую фазу в герммой из зоны нагрепротивления, с верградиентом.Особенностью пляется то, что зонумощи ванны расплтого у поверхноституры, чем температрекристаллизуемоговыращивания, Этобильные и благопрзации, следовательнращивания.Сущность изобре Ампулу 1 с ют полностью греваемое печ создают верт диент с темпер ниже темпера кристаллизуем выращивания, ние ванны с р ность перемеш 8.Ч.1969, Бюллетень18 ции тепловой асимметрии системы ампулу вращают вокруг оси.В расплаве ампула находится в течениевремени, необходимого для спекания и уплот нения загрузки. Затем ее начинают вытягиватьвверх со...

Номер патента: 211941

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Мозгов

МПК: A01K 61/00

Метки: выращивания, круглогодового, рыв

...от рыбы.Периодически, например шесть раз в сутки,из бассейнов отводят загрязненные нижние слои воды, с последующим пополнением их свежей водой до прежнего уровня.ЗО Для ускорения процесса окисления, в основ211941 Предмет изобретения Составитель М. Андреева Редактор Т. Рыбалова Техред Л, Я, Бриккер Корректоры: А. П, Татаринцева и Е. Н. ГудзоваЗаказ 810/8 Тираж 530 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Центр, пр. Серова, д, 4 Типография, пр. Сапунова, 2 ном трудноокисляемых органических веществ, и регулирования в среде обитания рыбы концентрации микроорганизмов-минерализаторов дополнительно создают зону очистки воды, свободную от рыбы, в которой искусственно поддерживают более высокую...

Номер патента: 212201

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Вирусологии, Дианова, Мартаков

МПК: C12N 1/14

Метки: выращивания, грибов, плесневых

...материала в виде спор или мицелия с образованием в процессе выращивания пленки,Предлагаемый способ способствует образоанию нитчато-губчатой структуры мицелияповышению выхода и активности пектолитических ферментов. Для этого питательную среду насыщают воздухом, подаваемым непосредственно под пленку, и осуществляют замену питательной среды одним из известных способов, например, декантацией или вытеснением свежей питательной средой по принципу непрерывной подачи снизу вверх.Предлагаемый способ осуществляют следующим образом.В питательную среду вводят посевной материал в виде споровой суспензии или непосредственно мицелия гриба и выращивают при температуре 28 - 30 С. После образования плотной пленки производят аэрацию питательной среды...

Номер патента: 212237

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Деларова, Дукельска, Смирный

МПК: C30B 11/10

Метки: вернейлю, веществ, выращивания, монокристаллов, приготовления, шихты

...тем, я шихты,мк смеиготов ристал обжи ссифи устр а;рупно порош ичеств верхно астираСпособ пр вания монок включающи чснием и кла что, с целью 1фракцию с шивают с взятой в кол вания на по ного слоя, р кислоты, я образо- лекуляр- ссифици 0 с присоединением заявкиОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВИзвестные способы приготовления шихты для выращивания монокристаллов по Вернейлю включают в качестве заключительных операций обжиг, измельчение и классификацию, Подготовленная таким образом шихта при транспортировании по магистралям питателя комкуется и налипает на стенки питателя и горелки, чем нарушается равномерность ее подачи на растущую поверхность. Отличием описываемого способа является смешение фракции с крупностью частиц до 60 мк с...

Номер патента: 212937

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Быховский, Градова, Сороколетова, Сустина, Фишер, Шварцкройн

МПК: C12N 1/36

Метки: выращивания, микроорганизмов

...дозревания в ферментер подают только субстрат, содержащий органические кислоты и другие кислородсодержащие производные.Выход биомассы при выращивании по этому способу увеличивается на 15 - 20% по сравнению с выходом, полученным при выращивании микроорганизмов (дрожжей) только на углеводородных фракциях нефти.П р и м е р 1, Дрожжи штамма ДК рода Сапс 1 Ыа выращивают на качалке в 0,3 л колбе на обычной водной минеральной среде, в которую входит в качестве источника углерода 0,5 об;- % парафина и смесь водного и ще212937 3 Предмет изобретения Составитель М. АндрееваТехред 3. Тараненко Редактор В. Чулкова Корректор Т. Журавлева Заказ 1185/1 Изд. , 310, Тираж 467 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров...

Номер патента: 212938

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Голгер, Калун, Колосков, Фремель, Яровенко

МПК: C12M 1/20

Метки: выращивания, культур, микроорганизмов, непрерывного

...поступает исходная питательная среда. Она проходит через камеру 8 устройства для стерилизации, где прогревается теплом радиации до заданной температуры от змеевиков 4. При этом она перемешивается ворошителями 15,При выходе из камеры 3 на среду из дозатора б подается стерильная вода. Затем среда перемешивается ворошителем 1 б и на нее из дозатора б подается посевная культура. Перемешанная обсемененная среда в результате поворота пластин на 90 пересыпается на нижерасположенную ветвь конвейера и перемещается в зону выращивания культуры. Проходя участок пути перед каждой поворотной звездочкой, пластины конвейера опрокидываются и занимают вертикальное положение. При этом среда и культура с них пересыпается на нижерасположенную ветвь...

Номер патента: 212939

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Государственный, Иванова, Лихтенберг, Петрова, Чесалов

МПК: C12M 1/16

Метки: выращивания, культур, плесневыхгрибов

...б и 7, соединяющих перемешивающее приспособление с внешними коммуникациями; электродвигателя 8; вала 9 с эксцентриком 10; подшипников 11; воздушного клапана 12.Параллельные элементы перемешивающего приспособления объединены коллекторами И и 14, причем коллектор И объединяет трубы 4, а коллектор 14 - трубы 5.Работает предлатаемое устройство следующим образом. Включают перемешивающее приспособление. Через люк 2 в камеру 1 загружают питательную среду, например отруби, По трубам 4 подают воду, после чего отруби стерилизуют паром, поступающим под давлением через эти же трубы. Для более быстрого нагрева среды пар подают в трубу 5 и рубашку камеры 1. Проходя через отруби, пар взрыхляет и дополнительно перемешпвает их. Простерилизованные...

Номер патента: 212941

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Дудкин, Киселева, Левина, Хаит

МПК: C12N 1/16

Метки: выращивания, дрожжей, кормовых

...же раствор сульфа пятствует размноже 5 кормовых честве пит промышя тем, что льзуют отва. Это побретени Предме ыращивания кормовых дрожжей с нием в качестве питательной срепромышленности, отличающийся целью расширения сырьевой базы, питательной среды используют дикислоты, полученные в результаотки щелочного стока - отхода ва капролактама,Способ в 10 использова ды отходов тем, что, с в качестве карбоновые 15 те перераб производстпо известй кислотой аботанный о содержат и добав- питательвых дрожх и моноЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 21.111.1966 ( 1063676/30-1 С. Дудкин, Р. А. Киселева, С Известен способ выращивания дрожжей, согласно которому в ка тательной среды используют отход ленности. Описываемый способ отличаетс в...

Номер патента: 217123

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Гиголашвили, Грузинский, Пириашвили, Сакварелидзе, Электрификации

МПК: A01K 31/06, A01K 39/00

Метки: батарея, выращивания, клеточная, молоднякаптицы

...описываемая клеточная батарея, общий вид; на фиг. 2 - то же, вид сверху; на фиг. 3 - вид сбоку, в разрезе на качающийся лоток и часть клетки. Предложенная клеточная батарея состоит из секций круглых вращающихся поярусно расположенных клеток 1, установленных в центре поилок 2, по периферии кольцевых кормушек 3, поддонов 4, скребков 5 для уборки помета, вертикальных питателей б кормов с отводными патрубками 7. Кольцевые кормушки 3 разделены передней стенкой 8 клеток или ее продолжением на вскармливающее и загрузочное отделения. Передняя стенка кормушки 9 выполнена регулируемой по высоте. На отводные патрубки 7 надеты 5 регулируемь 1 е по высоте, например, с помощью регулировочного болта качающиеся лотки 10.Корм в процессе раздачи из...

Номер патента: 220432

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Гринюк, Желтикова, Казакова, Ковылкина, Русакова, Соколова, Суворов, Шпингис, Щукина, Ярославцева

МПК: C12N 1/14

Метки: caucasicum, fusarlum, выращивания

...азотной кислот (азотнокислый калий и азотнокислый аммоний); либо на среде, содержащей глюкозу, в состав которой вместо пептона вводят кукурузный экстракт. ращенный в пяти колбах, передают в стеклянный ферментатор с 12 л. стерильной воды ивводят первую порцию стероида, Прогестерон вводят по частям пятикратно, каждыйраз берут раствор 2,4 г стероида в 240 мл ацетона. К первым двум порциям добавляют по0,24 г р-нафтола. Анализ на полноту превращения прогестерона проводят через 24 час спомощью хроматографии на бумаге в систе 10 ме формамид-метанол - циклогексан и полярографическим методом. Через 46 час анализповторяют и, через 48 - 52 час процесс заканчивают. Выделяют продукт путем экстракции6 л хлороформа или дихлорэтана. Получают15 7,6 г...

Номер патента: 220914

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Азбель, Михайлов

МПК: C12N 1/00, C12N 1/16

Метки: выращивания, глубинного, микроорганизмов

...продуктами жизцедея 1 ельцости микрооргацизмов, о 1 водят в поглотительцу 1 о систему, за пол цеццую веществом, поглощающим СО, а затем возвращают очищенный газ ца аэрацию.Сущность способа поясняется схемой, изображеццой ца чертеже, и заключается в следующем.Установка состоит из аппарата 1 с каскадцо расположепцыми тарелками 2 диафрагбмеццого типа (отпошецие - (О,б, где о -- толщина тарелки, с - диаметр отверстия илц щели) или обычного типа, поглотительцого устройства 3 и воздухоцагцетателя 4.Сверху аппарата 1 производится засев культуры микроорганизмов и подвод питатсльцой среды. жидкость стекает вниз по каскадцо располохкеццым тарелкам 2. Сццзу в аппарат 1 под перву;о тарелку подается через воздухоцагцетатель 4 кислород цлц кис...

Номер патента: 220915

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Вирусологии, Вител, Гутыр, Катруш, Маринченко, Масум, Остапченко, Семенов

МПК: C12N 1/26

Метки: выращивания, микроорганизмов

...деструкции с получением при этом фракций, имеющих температуру кипения, преимущестьсцно равную 220 в 4 С.Процесс деструкции следует проводить при температуре, равной 565 С, и давлении 2,5 ата.П р и м е р. Для приготовления питательной среды в качестве источника углерода был взят твердый парафин, имеющий следующие физико-химические показатели: плотность 0,8043,Квасников, В. Я. Масумян,нко и Т. П. Остапченко температура плавления 51,4 С, молекулярньш вес 383, содержание ароматических углеводородов 0,42 вес. ", содержащие масел 2,3 вес.в начало кипения 348 С, конец кипения 426 С.После термической деструкции была получена олсфицосодсржащая фракция со следующими показателями. Начало кипения 282 С, коцсц кипения 356 С, температура...

Номер патента: 220959

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Никитин, Штернберг

МПК: C30B 7/10

Метки: выращивания, кристаллов

...камеры растворения в камеру роста, ось автоклава будет смещаться относительно горизонтали. Скорость роста кристалла, соответствующую скорости переноса вещества в автоклаве, можно определить, подвешивая к соответствующей отсчетной точке груз, необходимый для установления прикрепленной к коромыслу стрелки в нулевое положение, при котором ось автоклава горизонтальна.Наблюдение за перемещением стрелки осуществляется через отсчетный микроскоп 13. ываемая устафиг, 2 - то же,оклав 1, помещенционированным наорого регулируютасположен в полоцевой подставки 5, а жестко прикрепосей б ножевых на расположена в На фиг. 1 изображена о новка, поперечный разрез; продольный разрез.Установка включает авт ный в полость печи 2 с сек гревателем 3, секции 4...

Номер патента: 257405

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Вольф, Конев, Котецкий, Хохлова

МПК: C12N 1/00

Метки: выращивания, микроорганизмов, основа, питательных, плотных, сред

...крахмал) широко применяются в пищевой промышленности и, следовательно, их использование для других целей нежелательно.Предлагается применять в качестве основы для плотных питательных сред для выращивания микроорганизмов пол ивиниловый спирт,Это соединение набухает и растворяется в воде в любых пропорциях, образуя гель различной плотности при комнатной температуре, и хорошо выдерживает стерилизацию, Примененные тест-микробы - Яар 1 ту 1 ососсцз оцгецз 209 Р, Вас 1. сое 1 Сапйда а 11 исацз, Тг 1 с 11 ор 1 ту 1 оп дцрзецгп.Готовят плотную питательную среду, например мясопептонную, в которой агар заменяется водным раствором поливинилового спирта со степенью полимеризации 1000 - 1500 в концентрации 15%. Остальные ингредиенты добавляют...

Номер патента: 234314

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Института, Северо

МПК: C12M 1/04

Метки: аппарат, аэробных, выращивания, микроорганизмов

...расположено в кольцевойкамере 11, образованной воздушным коллек 30 тором и днищем емкости, Кольцевая камераимеет кольцевые протоки 12 для циркуляции смеси питательной среды и воздуха между резервуаром и направляющим цилиндром и за пределами последнего.Резервуар снабжен люком 13 для выхода отходящих газов и выполнен с полой рубашкой 14, имеющей штуцера 15 для подвода охлаждающей жидкости, Направляющий цилиндр также снабжен полой рубашкой 1 б для поддержания в аппарате заданного температурного режима. Коллектор б имеет отверстия 17 для выхода воздуха в кольцевую каме- РУ 11Аппарат работает следующим образом, жидкость засасывается вращающимся турбинным колесом д, закрепленным на приводном валу 4 и затем с большой скоростью в форме...

Номер патента: 234981

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Катаева, Сумчинска

МПК: C12N 1/16

Метки: выращивания, дрожжей

...особенностью предложенного способа является то, что биостимулятор вводят в виде концентрата пивных дрожжей, гомогенизированных в мелассе при температуре 40 - 45 С. Концентрат пивных дрожжей вносят в питательную среду в первой стадии выращивания дрожжей в количестве 30% к весу маточных дрожжей.Это отличие позволяет повысить выход дрожкей и улучшить их качество.Дрожеой концентрат готовят из избыточных пцВных дрожжей, тщательно Отмытых От хмелевых смол и остатков зеленого пива. Отмытые дрожжи сепарируют до влажности 75 - 80% и смешивают в соотношении 1: 2 с концентрированной мелассой. Полученную смесь, перемешивая, гомогенизируют прп температуре 40 - 45 С.Лелассу, идущую на приготовление концентрата, предварительно подкисляют...

Номер патента: 237082

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Всесоюзный, Еськов, Институт, Калун, Колосков, Лккеро, Максименко, Петрова, Прокофьев, Рубинова, Яровенко

МПК: C12M 1/20

Метки: выращивания, грибов, культуры, непрерывного, плесневых

...(по ходу технологического процесса) царга снабжена контрплцтой 10 лля иагравления движения срезы к шнеку 8, а нижняя - контрпальцамц 9 для измельчения выращенной культуры. Средние царгц выполнены лвустенными, причем внутренние стенки перфорированы, а наружные снабжены люками 11 и штуцерами 12 лля подвода конлиционированного воздуха. Царгц соединяются при помощи фланцев. Привод шнека осущестьляется посрелством релуктора 13, установленногоо нал крышкой 6 колонны.Во время работы установки в верхнюю царту аппарата для выращивания поступает стерильная среда, засеянная культурой плесневых грцбоз. Контрплита 10 прелотвращаетВыращенная культура поступает в третью зону, нижнюю часть колонны, в которой происходит продуцирование ферментов. Этот...

Номер патента: 237781

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Голгер, Калун, Колосков, Яровенко

МПК: C12M 1/10

Метки: выращивания, микроорганизмов, непрерывного, поверхностного

...внутри нее шнеком 12, навыходном участке которого имеется пресс И.Экстрактор снабжен патрубкамп 14, 15 и 16 ответственно для ввода растворителя, вывоанного воздуха.а-вытяжки выращенной культуры и отрабо10 Патрубок 1 б снабжен фильтрующей тканью, например тканью Петрянова.Работает установка следующим образом, Среда через загрузочный бункер 1 и дозатор 2 непрерывно подается в стерилизатор 3, где она стерилизуется при заданных параметрах.Стерильная среда через дозатор 17 поступает в устройство 4, где она охлаждается, увлажняется путем подачи стерильной воды из дозатора 18 и засевается культурой, которая подается из дозатора 19.Затем среда, засеянная микроорганизмами, через устройство для подачи культуральной среды и воздуха поступает в...

Номер патента: 238275

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Ермаков, Медведева

МПК: A01G 31/00

Метки: выращивания, растений, субстрат

...поверхности пленку. Изобретение может быть использовано для выращивания растений в защищенносм и открытом грунтах, а также при выращиваяии растений без почвы методом гидропоники.Известны субстраты для выращивания растенийсостоящие из гранул минерального материала, например вермикулита, перлита, керамзита.При длительном их использовании под действием питательного раствора и корневых выделений они разрушаются; кроме того, они имеют недостаточную влагопроводность. Все это ведет к снижению урожая выращивавмых растений.Цель изобретения в ,получение субстрата, иъгеющего более:высокую влагопроводимость и инертнссть, Зто достигается тем, что на гранулы минерального материала наносят суспензию пластмассы, которая после спекания образует на...

Номер патента: 239704

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Ремпе

МПК: A01G 7/00

Метки: выращивания, высших, корневой, растений, системой, стерильной

...посевную трубку предва рительно стерилизованной установки (включающей емкость, соединяющуюся с посевной трубкой при помощи пробки, и внешнюю трубку для израстания растений) помещают пинцетом стерильные проростки гак, чтобы их 3 корни соприкасались с питательным раствором, налитым в емкость, а семя опиралось на нижний край посевной трубки. Затем на по. следнюю надевают цилиндрическую трубку с ватной пробкой в верхней ее части, а между стенок трубок также помещают слой ваты.Через пять-шесть дней после посадки проростков приступают к освобождению их стеб. лей: снимают верхнюю трубку, закрывают корневую систему в посевной трубке слоем стерильной ваты, насыпают слой стерильного па рафинированного, песка и еще один слой тако. го же песка,...

Номер патента: 244273

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Кестельма, Соколов, Федик

МПК: C12N 1/00

Метки: выращивания, микроорганизмов, них, питательных, подготовки, сред, сыпучих

...одновременной транспортировкои среды, а также упрощается процесс, Для этого процесс стерилизации и перемещения осуществляют стерильньтхс газом, например воздухом, подаваемым иод слой среды.Способ подготовки сыпучих питательных сред для выращивания на них микроорганизмов, например плесневых грибов, поясняется схемой.Среду, например пшеничные отруби влажностью до 40%, подают в верхнсосо часть желоба 1, установленного с небольшим наклоном к горизонтальной плоскости, иа пористую перегородку 2, иод которусо через патрубок 3 подают теплоноситель, например газ, пар, смесь газов, паро-воздушную смесь, под давлением, обеспечивающим влажную стерилизацию при 120 С.Геилоноситель, распределяясь по всей длине пористой перегородки, проникает в верхнюю...

Номер патента: 244783

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Корольков

МПК: A01G 9/14

Метки: выращивания, других, круглогодового, культур, овощных, теплица

...солнечной радиации в весенне-летние дни и предохраняет тем самым растения от перегрева,Однако низкая интенсивность освещения в осенне-зимний период ухудшает световой режим растений, выращиваемых в теплицах, и овощеводы вынуждены применять дополнительное электрическое освещение, что значи 1 ельно повышает себес гоим ость продукции.Предлагаемая теплица отличается тем, что для улучшения светового режима растений за счет использования солнечных лучей она снабжена вогнутым огражательным экраном, 2 установленным поворотно с северной стороны теплицы.На чертеже схема гическиустройство для улучшения световв теплице. 2Вдо цы 1 смонтирован к рнирно укреплены п янутой на них полиэти с может измель северной стенки теплиаркас 2, на котором...

Номер патента: 244790

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Кистень, Шаповалов

МПК: A01G 31/06

Метки: выращивания, рассады

...по выращиванию рассады в20 куль гивацнонном помещении автоматизирован ы. Пре ет пзоб ния Устройство включающее сщивапия расте щенные в одно 30 личаоцееся те Изобретение отпосится к устройствам длявыращивания растений, преимущественно рассады на субстрате или на почвенной смеси,Известно устройство для выращивания рассады, содержащее заполненные субстратомили почвенной смесью ячейки для растений,которые устанавливают на горизонтальныестеллажи, периодически заполняемые питательным раствором. Для освещения рассадынад стеллажами устанавливают люминесцентные лампы,Однако при использовании таких устройствнеобходимость размещения ячеек в горизонтальных стеллажах затрудняет использованиевсего светового потока ламп освещения примногоярусном...

Номер патента: 246202

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Вечкутов, Павликов

МПК: A01G 31/00

Метки: выращивания, растений

...количества питательного раствора; подача питательного раствора в виде аэрозоля не обеспечивает достаточного питания корневой системы.Цель изобретения - уменьшить расход питательного раствора и улучшить питание корневой системы.Это достигается тем, что питательный раствор в зону корневой системы подают в виде пены на заданный уровень периодически или постоянно.В емкость, заполненную искусственным суб. стратом, где находится корневая система растений, под напором воздуха через перфорированное дно подают питательный раствор,который вспенпваясь разг м между частицами субстратякорневыми волосками.Высота подъема пены питательного раство ра в субстрате зависит от давления воздухаи от уровня залитого в субстрат питательного раствора,Продув...

Номер патента: 246954

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Иванов

МПК: A01G 31/02

Метки: выращивания, растений

...усиков или петельиз инертного материала,Увлажнение корней позйсоления. На чертеже схематически изосываемое устройство для вырастений.Устройство содержит сосуд 1 сраствором, покрытый сверху светмой пластиной 2 со сквозными одля растений.С нижней стороны пластины рядом со сквозными отверстиями выполнены гнезда 4 для семян. Прижимные конструкции, в данном случае усики Б, надежно фиксируют зерновки в своих гнездах. Устройство имеет нагревательный элемент 6, а также воронку с водомерной трубой 7, служащей для доливания в сосуд воды или питательного раствора.После установки в гнездах семян пластина накладывается на сосуд. Количество питательного раствора в сосуде должно быть таким, чтобы обеспечить зазор между зерновкой и поверхностью раствора...

Номер патента: 249844

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Елсуков

МПК: A01K 61/00

Метки: выращивания, организмов, планктонных

...перемещаться возвратно-поступательно вдоль трубы,На фиг, 1 схематически изображено предлагаемое устройство, продольный разрез; на фиг. 2 - группа предлагаемых устройств для ьыращивания планктонных организмов. ство представляет собои размещеносредственно в водоеме и изготовлен- полиэтилена трубу 1, концы которой ны через поплавки 2. На последних ены стойки 3 с крючкази 4, к кото- помощи тросов 5 крепятся концы труп этом концы трубы занимают верти- положение. Поскольку диаметр внут- отверстия поплавка меньше, чем диабы, то образовавшиеся вмятины 6 упрепятствуют выходу газа из трубы, собирается в верхней части трубы.(орректор С, М. Сигал Фиг. Типография, пр. Сапунова,ческой формы вдоль трубы 1 по ее наружной поверхности.При эксплуатации...

Номер патента: 253778

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Государственный, Ионов, Колосов, Проектный, Прокофьева, Рейфман

МПК: C30B 23/00, C30B 29/36

Метки: выращивания, карбидакремния, монокристаллов

...цссодержащий гермдццй в пающем содержание в цсм есей в 1 О- - 10 рдз. Спосоо выращцв 15 бида кремния пер го легированного тсрцала через газ тем, что, с цель 1 о щцваемых моцокр 20 ходный м атерц ал количестве, превьп акцепторцых примИзвестен способ выращивания моцокристаллов карбида кремния перекрцсталлцзацией исходного легированного поликристаллического материала через газовую фазу.По предлагаемому способу используют исходный материал, содержащий германий в количестве, превышающем содержание в нем акцепторных примесей в 10- - 10" раз. Прц перекристаллизации материала, содержащего германий, повышается чистота получаемых монокристаллов.Способ выращивания монокристаллов карбида кремния осуществляется следующим образом. Исходный...

Номер патента: 253953

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Готе, Рубальска, Рубинштейн, Титова

МПК: C30B 29/26, C30B 9/12

Метки: выращивания, монокристаллов, ферритовых, шихта

...1100 С в течение 15 - 20 час для лучшего растворения исходных компонен тов в расплаве, Охлаждение расплава проводят со скоростью 0,5 - 1/час,до 500 С. Затем печь отключают, кристаллы из застывшего расплава извлекают кипячением в разбавленной азотной кислоте, Полученные монокрис таллы имеют октаэдрическую структуру, ИзмеСостав шихты для выращивания монокристаллов,вес, %1.1 зСОз 5,2 РезОз 14,7 ХпО 1,1 РЬО 68,4 ВзОз 10 6 1.1 0 3,0 ХпО 5,4 РеОз 91,6 1.10 2,8 Таблица 1 4600 Намаг- ниченность на- сыщения, гс Состав шихты для выращивания моно- кристаллов, вес. % Состав кристаллов,вес. %1.1,СОз Рез 03 ХпО РЬО ВзОз 5,2 14,4 1,3 68,5 10,6 4700 ХпО 7,3 РезОз 89 9 1.1,СОз 5,2 РезОз 12,0 ОазОз 4,3 РЬО 68,1 ВзОз 10 4 3,0 Ре,Оз 79,24400100...

Номер патента: 254445

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Квасников, Крепис, Лазаренко, Логинова, Новохатний, Руссу

МПК: C12M 1/06

Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов

...книзу конуса 1 би 17 с образованием между ними канала 18,сообщенного с верхней частью емкости по 15 средством трубопроводов 19 с распылительными приспособлениями 20 для рециркуляциикультуральной жидкости.На трубопроводах укреплен диффузор 21с теплообменником 22 и кольцевым электро 20 дом 23.В нижней части емкости расположено аэрпрующее устройство 24, выполненное в видетрубы, свернутой по спир али Архимеда,снабженной ниппелями 25.25 Работает аппарат следующим образом,Жидкая масса заливается через патрубок 2до определенного уровня, обеспечивающегоусловие ее режимной циркуляции,При включении электродвигателя 13 шнек30 15 всасывает жидкость внутрь емкости и за 254445ставляет ее плавно циркулировать путем тангенци альн ого з ахв ата...