Патенты с меткой «выращивания»
Аппарат для выращивания микроорганизмов
Номер патента: 323434
Опубликовано: 01.01.1972
Автор: Белоусов
МПК: C12M 1/08
Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов
...в пеногасцтель ц аэрирующсс устройство газ распределяется Вращснц м устройства 17, при этом пропускная способность отверстий 18 изменется, что приводцт 45 К УМЕНЬШЕНИО ИЛП УВЕЛИЕЦПО КОЛЦЧССтца газа.Скорость вращения лопастей увслцчцвается или уменьшается независимо от скорости вращения лопастей аэрирующего устройства. 50 В крайнем верхнем положении трубки все коЛ.1 сЕСТВО ПОДа Ва СМОГО Газа ПОС 3 .ас В а Э)Р). - руощсе устройство, в крайне)1 )хс нижнем .оложениц устройства 17 Весь газ подастся:3 ц.- цогаситель. Образуощисся в процес;с ферме)- тации брызги гасятся диском 20.Отработанный газ поступает В патрубок 7 для отвода отработанных газов, а :з негоХВПЛСуЛОВ.тЕЛЬ сч, Где улавлцваОтея КаПЛИ брызг культуральцои )кдосц, цсрсмеща)ощейся с...
Способ выращивания растений
Номер патента: 325941
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Бурень, Вознесенский, Глухов, Ленинградский
МПК: A01G 9/24
Метки: выращивания, растений
...растений при искуссном освещении,Целью изобретения является уменьшен ирасхода электроэнергии.Достигается это тем, что растения "ьвают при импульсном облучении светпример продолжительность освещения -затемнения - 3 сек.Импульсное облучение обеспечивают мническимп или электрическими генераторрежим работы которы.; определяют агротеческими требованиями.П р и м е р. Продолжительностьго облучения рассады огурцов16 час в сутки. Мощность ламп доне менее 600 - 900 вт/и.Температуру воздуха в теплице пвают днем 26 - 27 С, ночью 18 - 19 С,или питательного раствора не менеевлажность воздуха поддерживают в96 - 98%.В таблице приведены ревация растений цо предлопо известному при одном ирастений Общий рост десяти растений 19до трс тьего листа, с,иВ й...
Аппарат для выращивания аэробных микроорганизмов
Номер патента: 328161
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Бойко, Кузнецов, Мельников, Михайлов, Ревазов
МПК: C12M 1/04
Метки: аппарат, аэробных, выращивания, микроорганизмов
...под каждой сс.кцисй.2. Ацпрт по и. 1, Отлича)оиийся тем, чтобО оц сцбжсц В всрхцси части диффузорамц стцгсцциальцо расположсццымц патрубкамидля вывода отраб)отИП 1,х газов ц пеногасителямц тарельчатого типа,цой воздухоподводящей трубой 1,), служащейодновременно центральнои опорой крышки 2аппарата. Центральная аэрирующая секция12 вместе с центральным диффузором 9 образуют кольцевой проход для притока циркулирующей суспензии,Подвод воздуха в воздушный коллектор босуществляется от источника подачи воздухав двух точках через патрубки 14.Внутри аппарата в нижней части аэрцрусмых зон (в восходящи."с потоках) располокены коллекторы 15 и 16 для равномерного распределения основного вещества, например парафина и аммиачной воды, а в всрцсй ч;шти -...
Установка для выращивания растений
Номер патента: 328892
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Ивтоди, Корбут, Мика, Фролов, Члачндзе
МПК: A01G 31/06, A01G 9/24
Метки: выращивания, растений
...выращивания растений содержит многоопорный стеллаж 1 с промежуточными стойкамц 2; рамку верхнего яруса (рельсы) 8; цррцгаццонну 10 систему 4, вкло чающую помпу 5, растильни 6, слцвную магистраль , бак 8 для раствора, досвечивающую систему 9 с люмццесцентнымц ламцамц 10,Досвечивающая система 9 состоит цз тележки 11 (фиг. 2), связок 1, винтовых сочленений 18, облучателей 14 с люмцнесцецтнымц лампами 10 и поперечными ламподержателями 1 Б, звездочек 1 б, цепи 17, рулевого колеса 18 ц пуско-регулирующей аппаратуры 19. Злектропрцвод 20 (фиг. 3) совместно с тележкой 11 обеспечивает горизонтальное перемещение досвечцваюц,ей системы, а синхронное вертикальное перемещение облучателей 14 достигают вращением рулевого колеса 18,Связки 12 с...
Способ выращивания плодовых одполеток
Номер патента: 330838
Опубликовано: 01.01.1972
Автор: Золотухин
МПК: A01G 1/00
Метки: выращивания, одполеток, плодовых
...однолеток.Для этого в качестве привоя берут маточник районированных сортов, а в качестве почвойното материала - ускоренные черенки, от. резки корней, отводки.Для выращивания плодовых однолеток необходимо иметь постоянно действующие ма. точники районированных сортов. Для этого весной надземную часть привоев двух-трехлетних саженцев срезают на пень и получают вертикально растущие однолетние побеги.Черенки вегетативно размножаемых подвоев ( 118,91, КУселекции проф. Бу 2даговского) помещают на - длины в поли 3 этиленовые мешочки, заполненные смесьюопилок и песка (3:1) и пропитанные раство о ботанического общества ром Кнопа с добавлением 0,005%-ной индолилмасляной,кислоты, Кроме черенков, можно использовать отрезки корней...
Питательная среда для выращивания продуцентов протеолитических ферментов
Номер патента: 331086
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Всесоюзный, Джавахи, Евтихов, Калун
Метки: выращивания, питательная, продуцентов, протеолитических, среда, ферментов
...бактериальной культуры выращиваемой на такойсреде низкая, а период культивирования длцтелен,1Кроме того, учитывая, что при поверхностном методе культивирования невозможносоздать абсолютно стерильных условий, топри применяемом температурном режиме(30 С) может иметь место инфицирование засеянной бактериями среды аспергиллами, пенициллами и особенно мукоровыми, так какрекомендуемая температура для многих изних является оптимальной температурой ихроста,Предлагаемая питательнаяповысить ферментативную актуры.Для этого в среду дополнительно вводятуглекислый кальций и кукурузную муку вколичестве, соответственно равном (в % отобщего веса среды) 2 - 5%, преимущественно3, и 14 - 20%, преимущественно 16.Выращивание проводят следующим образом;...
Способ выращивания микроорганизмов
Номер патента: 334239
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Зобретенн, Морозова, Родзевич, Шилова
МПК: C12N 1/14
Метки: выращивания, микроорганизмов
...например, 60 мин и более. Суспензию каждой посевной культуры приготовляют на холодной стериальной воде. Соотношение между количеством засеваемой стериальной среды и ко личеством вносимой в нее водной суспензииконидий посевной культуры зависит от требуемой влажности среды после засева ее суспензией. Влажность же среды зависит от вида культивируемого микроорганизма и других 15 факторов. Например, при культивированииплесневых грибов Азрегрпз огугае на твердых сыпучих средах оптимальная влажность засеянной среды составляет 60 - 627 о,В простерилизованную среду без ее ох лаждения вносят всю порцию посевной суспензии и быстро перемешивают. При этом повышается температура засеянной среды, в результате чего ускоряется инкубационный период...
Способ автоматического управления процессол выращивания микроорганизмов
Номер патента: 334240
Опубликовано: 01.01.1972
Автор: Изо
МПК: C12Q 3/00
Метки: выращивания, микроорганизмов, процессол
...способ поясняется черте жом.Одновременно с помощью диафрагмы 1 и расходомера 2 измеряют расход воз. духа на аэрацию дрожжерастильного аппарата 3, а с помощью датчика 4,и газоанализатора 5 - ,концентрацию углекислого газа в отходящих из аппарата газах.В блоке б перемножают измеренные величины, произведение которых является оценкой количества углекислого газа (6,), выделяемого дрожжами в данный момент времени, Количество углекислого газа 61)поступает в запоминающее устройство 7 и в устройство 8 сравнения, где сравнивается с количеством углетсислого газа (6) предыдущего измерения, выполненного при ином расходе воздуха.При равенстве этих двух величин (6, = 69) логическое устройство 9 делаег вывод о достижении максимума...
Питательная основа плотных сред для выращивания микробов
Номер патента: 338115
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Бурова, Ленинградский, Сывороток, Трошина, Чаленко
МПК: C12N 1/00
Метки: выращивания, микробов, основа, питательная, плотных, сред
...эта питаю себестоимость трудоемко и длиолиз пые пем уют Сокуриных эмбриодля п(ультнвироитательной осноед для выращиПре обретен и оны размельчают дуется 3 - 4 эмвшей на дно разодят водопроводИзобретение относится кности к производству диалогинеллезных препаратов,Известно использованиедиагностических салмонеллемясных питательных сред.тельная среда имеет высокуа изготовление препаратовтельно.Предлагается применениенов, ранее использованныхвания вирусов, в качестве пвы плотныл питательных свания микробов.П р и м е р. Куриные эмбри(на изготовление 1 л расхобриана), декантируют от осмельченной скорлупы, разв АТЕЛЪНАЯ ОСНОВА ПЛОТНЫХ СРЕДДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МИКРОБОВ ной водой в 10 раз, устанавлввают рН20%-ным раствором едкого натра вносятпан 1...
Питательная среда для выращивания serratia marcescens 44 — продуцента нуклеазы
Номер патента: 340691
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Бел, Гарейшин, Юсупова
Метки: marcescens, serratia, выращивания, нуклеазы, питательная, продуцента, среда
...перемешивании и интенсивной аэрации. Оптическая плотность среды, измененная на ФЭК-М 54 с красным фильтром в 3-миллиметровых кюветах, за 48 час инкубации достигает 1,8 - 2,0 оптических единиц, дезоксирибонуклеазная (ДНК) активность 50 - 60 тысяч виокозиметричеоких единиц на 1 мл или 7,5 мкм расщепленного субстрата ДНК в мин/мл.Бактериальные клетки отделяются центрифутированием. Фермент из надосадочной жидкости очищается осаждением сульфатом аммония с последующей хроматографией на колонке с ДЭАЭ целлюлозой и сефадексом У. 1. Питательная среда для выращивания Бег.га 11 а гпагсеэсепз 44 - продуцента нуклеазы, содержащая воду и хлористый натрий в количестве 0,5 г, отличающаяся тем, что, с целью увеличения выхода и активности...
Способ выращивания защитных насаждений на барханных подвижных песках
Номер патента: 343660
Опубликовано: 01.01.1972
Автор: Среднеазиатский
МПК: A01G 23/00
Метки: барханных, выращивания, защитных, насаждений, песках, подвижных
...хорошо сохраняется влага. Кроме того, такие защиты недолговечны. Устройство механических защит из стеблей травы и веток требует трудоемких ручных работ по заготовке трав и хвороста, перевозке их к месту работ, распределению по площади и при установке или укладке мехзащит.Цель изобретения - создание более благоприятных условий для развития лесных насаждений и повышение производительности труда при проведении лесомелиоративных работ.Это достигается тем, что посадку осуществляют с подветренной стороны насыпаемых песчаных валов, на поверхность которых наносят структурообразователи.Предложенный способ осуществляют следующим образом. Валы из песка строят п мКЗУ-ОЗ, а затем на вал наносярон структурообразователи.Растения высаживают с...
Способ выращивания микроводорослей5с1: союзнаяf-. rjlki: “; “5fеч5л: ; от1. кл
Номер патента: 345907
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Анпилогов, Ломов, Мансурова, Насыров, Нескубо, Узбекский, Яроновский
МПК: C12N 1/12
Метки: 5fеч5л, rjlki, выращивания, микроводорослей5с1, от1, союзнаяf
...секциями 8 пе 15 рекачивают насосом 4 в секцию б, содержащую 1500 л питательной среды. По истеченииодних суток всю суспензию из секции 5 перекачивают в секцию б, добавляют 5000 л питательной среды и культивируют 8 - 12 час,20 после чего всю суспензию в количестве 8000 лперекачивают насосом 4 из секции б посевного культиватора в емкость 7 основного производственного культиватора 8, куда заранее заливают 24 т питательной среды, и в течение25 дня суспензию перемешивают воздухом, содержащим 0,5 - 1% углекислого газа.Далее суспензию насосом 9 перекачивают,в емкость 10 через осветительную площадкужелоб П.30 Таким образом, перекачивание пз емкости 7345907 Предмет изобретения Составитель М, ЛаринаТехред 3. Тараненко Корректоры: С, Сатагулова и...
Способ выращивания картофеля
Номер патента: 348166
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Настенко, Украинский, Электрификации
МПК: A01C 7/00
Метки: выращивания, картофеля
...агрегата одновременно производится глубокое рыхление междурядцй, а О полугребци обрабатываются профильными боронками, Благодаря профильной бороцке профиль рядков остается полугребневым.Вторая довсходовая обработка производится через 7 - 8 дней после первой, т. е. через 14 - 15 дней после посадки, когда ростки на клубнях достигают 4 - 5 сл.Для уничтожснця сорняков рабочие органына культиваторе устанавливаются следующим образом. В междурядьях устанавливают О стрельчатые лапы на глубину 12 слт, а рядкиобрабатываются бритвами на глубину не бо лее 4 - 5 сл. После прохода агрегата между рядья обрабатываются стрельчатой лапой, а в рядках над клубнями сорняки подрезаются 25 бритвами. Благодаря профильной боронкерядки хорошо разрыхляются и...
Способ выращивания сибирской лиственницы
Номер патента: 348180
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Древесины, Романенко, Савин, Савость
МПК: A01G 23/00
Метки: выращивания, лиственницы, сибирской
...а также нс стимулирует накопления влаги в зоне посадок.Целью изобретения является обеспечение лучшей приживаемости саженцев и накопления влаги в зоне посадок.Для этой цели многолетними травами занимают часть наветеренного поля в виде полосы, перед саженцами создают кулису из трав высокостебельных растений, а поперек полосы производят щелевание участка. По ставленная цель достигается созданием до посадки саженцев лиственницы защитного фона, для чего место будущей полосы размечают за год до ее посадки и вводят в севооборот наветренного поля полосу многолет них трав шириной предпочтительно 50 - 100 м, По наветренной закрайке лесополосы производят в течение трек-четырех лет ежегодный посев, например, горчицы в виде кулисы шириной 0,5 -...
Вегетационный сосуд для выращивания высшихрастений
Номер патента: 352638
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Головин, Келлер, Кузнецов, Лилов, Машинский, Оберг, Чучкин
МПК: A01G 31/02
Метки: вегетационный, выращивания, высшихрастений, сосуд
...Секции разделены втулкой б с отверстием, закрытым пористой влагопроводящей перегОрОдкОй б, В кОнтакте с КОтОрой находптс 51 влагопроводящий субстрат 7.В верхнеи части корнеооптаезОи секции 2 установлена пористая вставка 8 из влагопроводящего материала. Пористая вставка 8 соединена с межсекцпонной перегородкой б жгутами субстрата 7.Субстрат 7 выполнен, например, в форме жгутов из гпдрофильных и п 1 дрофобных материалов, сочетание которых обеспечивает требуемые водно-воздушные свойства корне- обитаемой среды,Дозирующая секция 8 присоединена мягкой эластичной трубкой к питающему резервуару. Во время работы трубка находится в нормально пережатом состоянии с помощью запирающего механизма.При кратковременном соединении резер вуара с...
Питательная среда для выращивания патогенных
Номер патента: 353959
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Калина, Московский, Шнганова
МПК: C12N 1/20
Метки: выращивания, патогенных, питательная, среда
...Л ТЕМ, ЧТО, С ЦЕЛ Ъ Питатсльнгенных энте тый натрий,калий, хлор 0 Оглицаюгга)г Пеитон ОтечествснныХлористый натрий 8,4 43 Изобретение относится и области санитарной и эпидемиологической микробиологии.Известна питательная среда для выращивания патогенных энтсробактерий, содержащая 5,0 г бактотриитозы, 14 - 15 г хлористого натрия, 1,6 г КНаР 04, 40,0 г хлористого мапшя и 3 лтл 0,4%-ного раствора малахитового зеленого на 1000 лгл среды.Однако на известной среде недостаточно эффективно Выявляотея энтеробактерии в фекальноо-загря знсг и ы х жидкостях.Цель изобретения -- повышение эффективности В,Явления эГгсробзктериЙ В фекалг,нозагрязнеиных жидкостях,Эа 1 Сгн, достигается испол.Зовянием ире 11- лзгземой иитзтельиОЙ средь), В состяв котор)Й...
Аппарат для выращивания микроорганизмов
Номер патента: 355214
Опубликовано: 01.01.1972
Автор: Институт
МПК: C12M 1/02
Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов
...от зоны ферментации перегородкой 5.Культуральная жидкость выходит во внешний контур циркуляции с блоком б датчиков состояния культуры и различными технологическими вводами и выводами через штуцер 7, расположенный в периферийной части насоса.Устройство работает следующим образом, Культуральная жидкость из зоны ферментации, находящейся над перегородкой 5, через центральное отверстие в этой перегородке самотеком поступает в нижнюю часть ферментера - камеру центробежного насоса.Вращающиеся радиальные лопатки крыльчатки насоса, расположенные вертикально, создают поле центробежных сил, отбрасывающих культуральную жидкость к периферической части камеры, откуда она под действием создавшегося давления через штуцер 7 поступает по тракту...
Непрерывный способ выращивания дрожжей
Номер патента: 357215
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Белова, Всесоюзный, Крючкова, Семихатова
МПК: C12N 1/38
Метки: выращивания, дрожжей, непрерывный
...РгОв дрожжах 11%.Таким образом для получения 8000 кг дрожжей из 10000 кг мелассы необходимо иметь в питательной среде 444 кг сернокислого аммония и 176 кг диаммонийфосфата.Режим работы товарного аппарата по непрерывной (удлиненной) схеме осуществляется в два периода: накопительный и период отбора среды. За первые 6 - 7 час происходит накопление дрожжей и дрожжерастительный аппарат заполняется на всю полезную емкость, после чего начинается отбор среды в отборочный аппарат в течение 12 - 13 час,В накопительный период расходуется 2800 кг мелассы, содержание калия в мелассе 2,30% (КгО) .При переработке 2800 кг мелассы необходимо добавить 1,12 г дестиобиотина, Для получения дрожжей хорошего качества необходимо иметь в мелассе 3,5% КгО....
Способ выращивания бактерий
Номер патента: 383725
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: C12N 1/20
Метки: бактерий, выращивания
...и может быть использовано в пищевой промышленности, в кожевенном производстве, медицине, а также в бытовой химии, где протеолитические ферменты могут быть использованы в качестве добавок к моющим средствам.Известен способ выращивания бактерий, например, продуцентов протеолитических ферментов.Целью изобретения является расширение сырьевой базы, а также удешевление способа.Достигается это тем, что бактерии выращивают на мицелци грибов, являющемся отходом производства антибиотиков, например, пенициллина.Пример. Берут мицелий следующих видов грибов: Реп 1 с 1 цз стузооепцгп штамм СК-продуцент пенициллина, Азрегрцз 1 цп 11- да(цз штамм 4/3 - продуцент фумагиллина. Азрегрцз цптда 1 цз штамм 61 - продуцент мигиллина (глиотоксина).Указанные...
Питательная среда для выращивания шродуцентов литических ферментов
Номер патента: 383726
Опубликовано: 01.01.1973
Метки: выращивания, литических, питательная, среда, ферментов, шродуцентов
...Ж.35, Рдушскдя иаб., д. 4/5 Типография, пр, Сапуповд, 2 ре 37+.1 С в течение 16 час. Активность литических ферментов в фильтрате культуры составляет 2720 ед.ЛА/мл.П р и м е р 2. Способ приготовления питательной среды и посевного материала, а также режим выращивания культуры те же, что и в примере 1,В качестве продуцента литических ферментов используют штамм Вас. эциоз 402, Активность лнтических ферментов в фильтрате культуральной жидкости составляет 5000 ед. ЛА/мл.П р и м е р 3. 20 кг соевых бобов помещают в аппарат, имегощий рубашку для подогрева паром и нижний сливной штуцер. В аппарат вливают 100 л воды и добавляют 10 г хаОН. Зкстракцию соевых бобов проводят в течение 1 час с момента закипания, а затем экстракт переводят в ферментер...
Способ выращивания нитевидных монокристаллов карбида кремния
Номер патента: 384208
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Вейцар, Инастраи, Иностранна, Клод, Швейцари, Якоб
МПК: C30B 29/36, C30B 29/62
Метки: выращивания, карбида, кремния, монокристаллов, нитевидных
...О Применяемый раствор имеет концентрацию 0,01 - 2 г железа на 100 г растворителя; время погружения варьируется от 0,5 до 5 мин, После нанесения раствора подлояки супоат для,вьспаривания растворителя и помещают в 15 реакционный объем.Реакпор состотст из водоохл аждае ма гостального кожуха, футерованното муллитом и графитовыми плитами, напревательньсм элементом является графитовый стержень. Под ложечки располагают по вертикали на расстоянии 5 см друг от друта; на каждую подложку наносят элементарный кремний или ЯОг и уголь. Молярное отношение ЯОг, С составляет от 1:1 до 1:10. Уголь полностью или частич но может быть з,амещен газообразными углеводородами (метан, этан, горопаи), Реактор наполняют водородом или смесью из Нг и аргона и...
Способ выращивания в поликультуре молоди карпа и растительноядных рыб
Номер патента: 384483
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: A01K 61/00
Метки: выращивания, карпа, молоди, поликультуре, растительноядных, рыб
...в мальковых или друпих,прудах с 20 мая до 15 июня.Нерестовую кампанию распительноядных рыб проводят, ная 1 ример, в период 1 - 20 июня. Начинают заливать вырастнойаруд, через 3 - 6 дней после яанала инкубации икры, растительноядных рью, например, в период 5 - 15 июня, Зарыбляют выраетной пруд личинками растительноядных рыб в период,йерехода на смешанное пита 1 ние (возраст 4 - 5 еуток), например, в период 9 - 25 июня. После,зарыбления пруда дичинками растительноядных рыб и их адалтации через 2 - 3 дня зарьнбляют вырастной неруд подрощенной молодью карпа, например, в оериод 12 - 27 5 июне.В дальнейшем проводят общепринятые меро 1 приятия по совмеспному выращиванию.Посаженные в пруд личинки яе аодвергаются воздействию крупных хищных форм...
Способ выращивания продуцентов протеолитических ферментовt ha t
Номер патента: 386004
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Балтрушис, Бересневичюс, Лугаускене
Метки: выращивания, продуцентов, протеолитических, ферментовt
...кислота 0,01Крахмал подвергают гидролизу с помощьюамилазы до .появления с йодом коричневой ок 10 раски.В качестве стимулятора роста берут амид1 ч- (5-хлор-пиридил) Р-алании в количестве0,0001 - 0,01 вес. % от питательной среды, Выращивание проводят на качалках при 37 С в15 течение 42 - 44 час при начальном рН 7,2, После выращивания рН определяют рН-метромЛПУ.Далее вес сухой биомассы при 105 С определяют общеизвестными способами: протеоли 20 тическую активность по методу Ансона, модифицированному Куницом; специфическуюактивность на 1 г сухой биомассы; содержание белка по методу Лаури; фосфора по методу Фишке и Суборау, модифицированному25 Лаури и Лопезом.На каждую концентрацию стимулятора проводят по шесть опытов и...
Аппарат для выращивания микроорганизмов
Номер патента: 388016
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: C12M 1/04
Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов
...с трубками б. ВсасывающИе кон цы труб 2 оканчиваются раструбами 7.Внутри емкости 1 имеется погруженный вжидкость цилиндр 8, снабженный змеевиками 5 с циркулирующей в них охлаждающей водойи диффузорами с обеих сторон цилиндра 8,Патрубок 9 служит для подачи культураль-.цой жидкости в аппарат, а патрубок 10 - для выхода излишнего количества воздуха.10 Работает аппарат следующим образом.Питательный раствор и чистая культура подаются через патрубок 9 п заполняют емкость 1 не менее чем до половицы. Воздух от компрессора (ца чертеже не показан) по воздухо подводящему трубопроводу 3 поступает в кол.лектор 5, откуда по трубкам 6 - в аэрпрующие устройства 4. Благодаря кинетической энергии и энергии аэрлифта воздух засасывает культуральную...
Устройство для выращивания кристаллов и исследования кинетики их роста
Номер патента: 388779
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: C30B 11/02
Метки: выращивания, исследования, кинетики, кристаллов, роста
...9 снабжензатворной крышкой 18 для предотвращения 10 выплескивания жидкой фазы из стакана приего вращении.Кристаллизационный стакан устанавливается на теплоизолирующей прокладке 14 на опоре 15 с ребристыми направляющими 1 б, 15 вращающейся на оси привода 17 со скоростью, достаточной для того, чтобы под действием центробежной силы жидкий расплав образовал вогнутую поверхность параболоида вращения требуемой кривизны.20 Устройство работает следующим образом.Трубчатый кристаллизатор с циркулирующим в нем хладагентом заданного расхода и температуры погружается в исследуемый расплавив. При этом выступы вилочки 7 на кор пупе кристаллизатора 2 входят в шлицы замка 8 корпуса кристаллизационного стакана, соединяя их в единый узел и одновременно...
Аппарат для выращивания микроорганизмов твердых агаровых средах
Номер патента: 390135
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Васько, Демин, Дука, Киселев
МПК: C12M 1/16
Метки: агаровых, аппарат, выращивания, микроорганизмов, средах, твердых
...во внутреннюю емкость 1 аппарата черезнижний штуцер 26 сборника 27 при помощивакуумной системы вводят воду и нагреваютее до кипения паром, циркулирующим в рубашке емкости 1, После этого использованнуюрасплавленную питательную среду удаляют итаким же образом емкость аппар "та аналогично заполняют раствором детергецта. Затемемкость 1 вращают в горизонтальной плоскости определенный промежуток времени. Дляболее тщательной мойки внутренней поверхности носителей 5,культуры иопользуют явление гидравлического удара. Для этого емкость выводят в вертикальное положение, раствор детергента собирают в сборнике 27, емкость 1 вакуумируют, после чего ее нижнюючасть заполняют раствором детергента и открывают клапан 28 отсечки. При этом атмосферный...
Шихта для выращивания ферритовых монокристаллов
Номер патента: 391847
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: C30B 29/28, C30B 9/12
Метки: выращивания, монокристаллов, ферритовых, шихта
...насыщения 51750 гс.Однако для создания ограничителей мощности с малым уровнем ограничения требуются монокристаллы с более высоким, чем уиттрийжелезного граната значением намагниченности насыщения при сохранении узкойлинии ферромагнитного резонанса.Цель изобретения - разработка составадля выращивания монокристаллов с общейформулой аз.е 5,5 с,Ог (при х не более 0,7), 15обладающих повышенной намагниченностьюнасыщения, узкой линией ферромагнитногорезонанса и высоким удельным электросопротивлением,Это достигается тем, что в исходную шихту 20вводят окись скандия при следующем соотчошении компонентов, вес. %: гОз 6,19 - 6,18;ГегОз 13,48 - 13,12; 5 сгОз 0,94 - 1,26; РЬО34,63 - 34,65; РЬГг 44,76 - 44,79.П р и м е р. Шихту, содержащую, г:...
Кассета для выращивания и пересадки рассады
Номер патента: 393982
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Авторы, Егоров, Корбут, Липов, Мика, Параева, Шульженко
МПК: A01C 11/02
Метки: выращивания, кассета, пересадки, рассады
...своих концов прикреплена к катупвке с радиально опорными лучами. На фиг. 1 изображен элемент ленты предлагаемой кассеты; ца фцг. 2 - лента кассеты, свернутая в плоскую спираль и опираю. щаяся на радиально опорные лэучи катушки, вид сверху; на фиг. 3 - ячейки кассеты с выращенной в них рассадой.Кассета для выращивания н пересадки рассады содержит гибкую ленту 1 с равномерно расположенными вдоль нее перегородками 2 и зубьями гребенки 3. Ячейки 4 образуются при спиралевидном расположении ленты, для чего один конец ленты крепится к катушке 5, снабженной радиально опорцымц лучами 6, а второй конец ленты - свободный ц крепится к предыдущему витку ленты.Применение кассеты для выращивания и пересадки рассады состоцт в следучощем,Кассету...
Способ выращивания растений
Номер патента: 394008
Опубликовано: 01.01.1973
Автор: Автор
МПК: A01G 9/00
Метки: выращивания, растений
...пределами корцеобитаемой зоны.Цель изобретения заключалась в разработспособа, позволяющего раццоцальцо исльзовать поливную воду и улобреция при ращивации растений. тся тем, что растения выах, отделеццых от осталь. непроницаемым экраном, гаубицу корневой системы 5 О 5 О 5 Волоцепроииц 11 еч 1 й экрдц 1 устлцдвливают ца глубину корцсвой сисгсмы и в отлелециыс таким образом от остальной части поля учдстки Высяжи Вд ют р я степ 1 я -. Н 11 исол 11 ГО- приятцых землях (цлпример здсолсццых, песчацых и т. п.) эти участки заполняют почвой 3. Дл 1 прслотврдщспя потери влаги и подъема физио Огичсски врслц х солей 1 ид засолециых поч 11 х) в цижпцс сух,10 гор;1 зоцты ниже корцсобитасмой зовы уклдлывдют гравийио-галсчипково прослойку 4, а лля...
Шихта для выращивания монокристаллов магний-марганцевых ферритов
Номер патента: 394094
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: C30B 11/10
Метки: выращивания, магний-марганцевых, монокристаллов, ферритов, шихта
...магта: 21,5 МдО, 34,9выращенного по меменьшей из нескольквов шириной линиинанса (Л Н), равной9470 Мгц при комнат и ширину линии фмр, измеренную при комнатнон температуре на частотах 4850 и 9100 Мгт 1 в кристаллографическом направлении (100), меньшую или равную 3 эрстедам, 5 П р и м е р. Сернокислые соли магния имарганца (да) и железоаммонийные квасцы (ОЧ), взятые в указанном соотношении перемешивают и подвергают термическому разложению при температуре 900 С. Затем 10 вновь перемешивают и обжигают при 1250 Св течение 3 час. После обжига шихту размельчают и просеивают через сито 10000 отв/смг. Монокристаллы выращивают на аппарате с использованием двухканальной ки 1 з слородно-водородной горелки и кристаллизатора с внутренним диаметром 30 -...