Патенты с меткой «выращивания»

Номер патента: 1780671

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Асриян, Кавтарашвили

МПК: A01K 67/02

Метки: выращивания, петушков

...141,8-2,1 ЭОЗ,З 5,О 360,9+6,2 783,Э+10, 931,612,3 39,020,27 142,02,2 305,623,7 381,6 5,2 805,4+10,7 967,4012,3 и 821,4-Эээ 982,9 ь 1,0 -" среди есуточт мивой массы е, г:4 недель Абсолютныый приро 14,03,129",710,8 с 2 до 30,2 1,6 н 4,130,2 4.Э 29,0,5 6 д 10 11,5 10,точного до 10 2,512,13,5 пы 5, Ампутацию гребней в группе 5 в 3недельном возрасте по сравнению с контрольной (1) позволило: повысить сохранность поголовья на 1,3071, живую массу в10-недельном возрасте на 8,5, среднесуточный прирост живой массы на 8,90 ь, атакже снизить расход корма как на 1 голову,так и на 1 кг прироста живой массы на 12,1и 19,2 соответственно.П р и м е р 2. Из суточных петушков 10кросса "Пи были сформированы 2 группыпо 7500 голоа в каждой, В базовом...

Номер патента: 1780674

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Аретинская, Бондаренко, Булавина, Мещеряков, Приходько, Смирнов

МПК: A01K 67/04

Метки: выращивания, дубового, шелкопряда

...2 данных использование препарата в 0,10/ концентрации по заявляемому способу в сравнении с контролем и прототипом приводит к 89,50 обеззараживанию поверхности грен ы, увеличению показателей оживления грены на 14,9, выживаемости гусениц на 65;4, шелконосности самок и самцов соответственно на 1,38 - 1,050/, а по сравнению с прототипом оживление увеличивается на 2,1 ф, выживаемость гусениц на 14, масса оболочек самок и самцов на 15 - 16 мг, шелконосность самок на 0,130 Д и 0,14 самцов. П р и м е р 2. Грену ойытного варианта обрабатывают 0,01-ным водным раствором препарата друод в течение 15 мин, По истечении заданной экспозиции испольэуемый раствор сливают, а грену промываютводой и просушивают. Как видно из приведенных в табл. 1 данных,...

Номер патента: 1780677

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Богданова, Жежер, Пеккер

МПК: A01N 33/04, A01N 57/14, A01N 57/20 ...

Метки: выращивания, пшеницы

...р и м е р 2. В вегета определялась динамика н массы и высоты растения по ки баковай смесью хлороф ретарданта тур(3 кгlга) и о адача опыта: выающее уровень льных и защитновлено, что инетафос лучше ствуют выводу туаций, Активиментной систек повышению клетки против ций, происходялизирует струкем усиления иствии табл 1) ционном опыте акопления биосле их обработоса (1 кгlга) и тдельными инг1780677 Таблице 1 Влияние фосфорсодержащих соединений на биохимические парамеры пшеницы блица 2 обработок на биомассу и вы ений. лияние хими редиентами. Полученные данные (табл. 2), доказывают максимальное накопление биомассы растений, несмотря на снижейие высоты в варианте с баковой смесью.П р и ме р 3. В вегетационном опыте определяли уровень содержания...

Номер патента: 1782381

Опубликовано: 23.12.1992

Автор: Валиев

МПК: A01B 79/02

Метки: выращивания, кукурузы

...приведены е табл,1.ппейИз данных табл.1 видно, что проведение предпосевного полива до уборки предшественника позволяет произвести посев на,6 дн раньше, чем в контроле. Получение ранни); всходов обеспечивает ускоренное прохождение фаз роста и развития кукурузы и обеспечивает созревание зерна на 16 дн раньше, чем в контроле (табл.2).1782381 Таблица 1 Календарные"сроки проведения агротехнических мероприятий Наименование мероприятий Кален а ные с оки Испытуемый способКонтроль Заравнивание основной и вспомогательной оросительной сети Уборка ишественника Нарезказправка оросительной сист чыРеставрация поливных борозд, оправка временной оросительной сети, оправка выводных и концевых поливных бороздПоливВнесение...

Номер патента: 1782382

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Горяев, Демин, Желтунов, Костров

МПК: A01B 79/02

Метки: выращивания, культур, сельскохозяйственных

...и направлением воздушных потоков 5. Технология осуществляется следующим образом, Поле многолетних трав разбивают на полосные участки, состоящие из многолетних трав шириной до 200 м, поЛос посевов однолетних растений до ширины 150 - 200 м и паровых полос шириной до 100 м. Полосы разбивают таким образом, чтобы они располагались в направлении перекрещивающимся с преобладающим направлением ветра. При этом относительная влажность приземного слоя воздуха над многолетними травами днем составляет 70-90 ф 6, а над однолетними культурами 30 - 50. За счет . подъема многолетними травами вод иэ глубинных слоев почвогрунта наряду с повышенной влажностью отмечается более низкая температура над многолетними травами и составляет в период вегетации 26-...

Номер патента: 1782446

Опубликовано: 23.12.1992

Автор: Рыбалов

МПК: A01G 1/00

Метки: выращивания, кустарниковых, ягодников

...все приживаются.Целью изобретения является повышение приживаемости растений и сокращение срока создания плантации при выращивании черной, красной и золотистой смородины.Поставленная цель достигается тем, что заготовленные в осеннийпериод черенки, мийуя питомник, сразу высаживаются на постоянное место не по одному, а по два вместе. При этом в нижней части каждая пара черенков связывается вместе, а при посадке они раздвигаются в верхней части. Благодаря скреплению черенков в нижней части и слою почвы над ними исключается выпирание черенков в зимне-весенний период и достигается полная приживаемость (98-100 О). Для создания узкорядных насаждений скрейленные черенки высаживают в плоскости ряда, а С целью создания широкорядных насаждений их...

Номер патента: 1782447

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Алиев, Аскеров, Кулиев, Мамедова

МПК: A01G 1/00

Метки: выращивания, парковых, роз

...Остальные побеги срезают на зеленую массу при достижении ими 20-25 см. тальные обрастающие побеги при достижении ими 20-25 см срезают для полуения зеленой массььДляполучения 50% побегов с буто 4 ами и цветами и 50% побегов для добывания зеленой массы при осенней обрезке и" кусте оставляют 5-10 основных ветвей, т.е, больше обычной нормы. При этом удаляют все сухие, больные и очень тонкие; невьзревшие ветви и побеги и почти все крупнь.е побеги оставляют на кусте. При появлении сочньх побегов весной 2-3 побега, образованных близко в верхушке куста, оставляют на своевременную отдачу бутонов и цветов, остальные крупные побеги, особенно из нижней и средней части куста,.длиноо 20- 25 см убирают как зеленую массу, оставив при зтом 1-2...

Номер патента: 1782449

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Марин, Флюрцэ

МПК: A01G 1/00

Метки: выращивания, деревьев, плодовых, подвоях, слаборослых

...тельных опор, Целенаправленное увеличекорнеобитания, а также снижения интен- ние глубины проникновения корней сивности корнеобразованйя в верхнем слое 5 достйгается еще и тем, что приствольную почвы, Отличие от прототипа заклачается в площадь под проекцией кроны задерняют том, что в предлагаемом способе ороситель- сидератами, которые являются конкурента"нуюводу подают в зону проектируемого ми в борьбе за влагу, в связи с чем по сравкорнеобразования - ниже корневой систе- нению с черным паром интенсивность мы саженца, Второе отличие заключаетсяв 10 образованйя корней значительно снизитс, том, что приштамбовую поверхность почвы После вСтуйленйя деревьев в пору плодон под проекцией кроны на этот же период шения орошенйе осуществляют на...

Номер патента: 1783009

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Апинов, Икрами, Кузнецова, Сидоров

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: выращивания, дифторида, марганца, монокристаллов

...аОЬеге Иеце. ОвнеТтесЬпс пеон, М 7, 1986, р.544.(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОЧИСТКИ ДОРОЖНЫХ ПОКРЫТИЙ(57) Использование:,относится к области машин для летнего и зимнего содержания городских территорий, преимущественно типа подметальных машин и скалывателей уплотненного снега. Сущность - содеркит рабочий орган в виде усеченной в радиальной плоскости симметрии отработавшей ресурс автомобильной шины 7, закрепленной на несущем диске 8 под углом к дорожному покрытию 11. Усеченная автомобильная ши на 7 установлена с наклоном оси вращения вперед и вбок с возможностью воздействия на грунтовые наносы и снег внешним периметром 13, снабжена приводным гидромотором 6 и связана с несущим диском 8 посредством внешних и внутренних радиальных пластин 14 и 15,...

Номер патента: 1784151

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Орлов, Рабченок, Рункова, Трунилов, Швец, Щербань

МПК: A01K 61/00

Метки: водоснабжения, выращивания, замкнутым, рыб, системе, циклом

...сывороточныхбелков.50 Полученный лифилизат измельчают иупаковывают в одноразовые упаковки в количестве 1 - 2 милиграмма, получая таким образом набор поепаратов печени рыбразличного вида и массы для последующего55 анализа,Далее иэ этих препаратов готовят гомогенаты с содержанием 1 или 2 милиграммовлифилизатов в 1 мл, суспензируя соответствующие навески а охлаждаемом трис-буфере, содержащем 0,005 М КС и 0,001 М М 9 С г,имеющим рН,4, Затем в приготовленных прилагаемойзависимостью изменения масгомогенатах печени рыб каждого вида раз- сы от изменения эндогенной активности окличной массы определяют эндогенную ак- сидаз в гомогенатах препаратов печени рыб тивность с помощью "тетразолиевой карповых пород. Из этих препаратов готометодики" по...

Номер патента: 1784169

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Рудейчук, Старухин

МПК: A01G 31/00, A23K 1/00

Метки: выращивания, зеленого, корма

...причем в сыром виде,Для того, чтобы пытаться приблизиться.к такому подбору элементов, необходимо 5 Ц 17841 б 9 А 1(57) Использование: сельское хозяйство, в частности производство кормов, Сущность изобретения; необмолоченную эерносоломистую массу размещают на гидропонную растильню, вплотную ставят поддоны;. заполненные соломистымйавоэом сдождевыми червями, В период культивирования зеленой массы черви мигрируют в растильню и обогащают зеленый корм. Соотношение зеленой массы и дождевых червей выдерживаютв пределах 1:(0,02 - 0,03), 2 табл,(Лиметь гарантированное обеспечение (снаб- С жение) целого ряда комбикормов таких как широко применяемые в хозяйствах соевая, оыбная и мясо-костная мука, подсолнечни-.ковый и арахисовый жмыхи,...

Номер патента: 1784668

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Арендаренко, Барышев, Буравцев, Волынкин, Жигунов, Лобызов, Чариков

МПК: C30B 25/12, C30B 25/14

Метки: выращивания, полупроводниковых, эпитаксиального

...В теле основания 2 и теле диска 3 выполнены соответственно газотранспортные канавки 13 и 14, соединенные со средством ввода 15 транспортного газа(водорода).В диске 3 выполнены соосно сателлитам 4 кольцевые проточки 16 и 17, соединенные с началом газотранспортных канавок 14. Глубина внут 2 оенней проточки 17 составляет (1,3-1,5) 10 наружного диаметра проточки 16, В диске 3 выполнены сбросные канавки 18, соединенные с отверстиями 19 и 20 диска 3, отверстиями 21 и 22 основания 2 и выводным патрубком 11. Каждый сателлит 4 выполнен в виде двух соединенных между собой круглых дисков 23 и 24, при этом диаметр верхнего диска 24 больше диаметра нижнего диска 23, а нижний торец 25 верхнего диска 24 выполнен со скосом кромки,Устройство работает...

Номер патента: 1785416

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Бекин, Грин

МПК: A01K 61/00

Метки: выращивания, рыб

...1 лП р ие р 1 Рыб выращивают в поли (пьтуре 1- прд/ ппощадьнз 1 га при пп 1 зтност посад и нарпа Я тыс шг /га г 10 Г.Топобь 11 а - 10 тьп шт /га Нагульные пруды зарыбпчаг подрощенной молодью 0 5-1 0 г Б мае первого вегетационного перчада з пр/д дополнительно подса ннчвают 50 тыс шг 1 га молоди гопстопоби аЕыращза 4 е рыбы а пруду проаодлт по непрерывна Тенолю,11, при высэном уровне нте 1 с 1 фи 1 ации :1,Г 10 вь у рыб проеодчт непоср-дственно в нагупьно пруду Б 1 ае следующего года при достц+,енгьч гассы тол 1 толоби 1,0 в 100 г/шт осуществплют чагтичный и Отлов После отлова 50 тыс шт /га топсгЭГзз 111 оа продоп нают аыраш 11 вание в:таашейсл рь 1 бы до говарной г 1 аГсы а отловленны толстопабннов нчспопьз,ют наь нруп 4 ый...

Номер патента: 1382052

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Андреев, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, группового, кристаллов, профилированных

...каждый Формообразовательхотя бы в одной точке Затравку доводят до соприкосновения с основныминаиболее высокими Формообраэователями 4 и оплавляют ее до контакта сдополнительным более низким Формообразователем 5. Образовавшийся расплав стекает по капиллярам в тигель.Затем включают механизм подъема вытягивающего устройства (на чертеже 1не показана) и начинают кристаллизацию При этом одновременно с основными изделиями, Форма которых задается основными формообразователямирастет монокристаллический отражательный экран, Форма которого задается дополнительным Формообраэователем 5, Отражательный экран повышает температуру внутренней стенки изделия, выравнивает ее по сечению иэ"делия, тем самым улучшает качествоиэделия за счет снижения...

Номер патента: 1443488

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Бутинев, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34, C30B 15/36

Метки: выращивания, кристаллов, профилированных

...вытягиваюший ме"ханиэи.Повышают температуру тигля 1 по заданной программе до начала планле ния прокладок 8. По мере оплавления последних поверхность затравки 4, свободно установленной на них, плав-.но и медленно сближают с Формообразователем 7. После полного оплавления прокладок 8 затравка 4 ложится на формообразователь 7 и полки 3, После контакта затравки 4 сполками 3 делают выдержку для стабилизации тепловых условий на Фронте кристаллизации и начинают вытягивание кристалла известным способом. При этомтяги 2 самоцентрируются на затравке4 за счет смещенного центра тяжестии наличия шарниров 5, фиксируя затравку 4 и растущий кристалл в заданном положении.П р и м е р. Выращивание сапфировых (А 10 з) тиглей цилиндрическойформы с наружным...

Номер патента: 1786998

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Вашадзе, Хонелидзе, Чхартишвили

МПК: A01G 17/00

Метки: винограда, выращивания, кустов, подвойных

...а также в увеличении трудоемкости работ в виноградниках,На чертеже изображен одностороннийвертикальный кордон с горизонтально расположенными побегами, выращенныйпредлагаемым способом:1 - многоярусный вертикальный штамб;2 - головки-рожки; 3 - проволока; 4 - побеги; 5 - подвязочный материал, например, изпластмассы,П р и м е р, На плантажированный участок, предназначенный для создания маточников подвойных лоз, в декабревысаживают на постоянном месте черенки,минуя школку. Весной второго года на кустеоставляют один наиболее развитый побег,который обрезают на два.глазка. Из развиьшихся зеленых побегов на каждом кусте оставляют один, наиболее развитый, которыйподвязывают вертикально, а остальныеудаляют. Когда оставленный побег...

Номер патента: 1412383

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Буравлева, Чаркина, Чубенко, Эйдельман

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, иодистого, монокристаллов, цезия

...кристаллов при сохранении оптических свойств Способ включает нагрев шихты,содержащей иодистый цезий с добавкой 4-5 масВ бромистого цезия, После нагрева до плавления проводят выдержку в течение 1,0-1,5 ч. Нагрев и выдержку расплава ведут при непрерывном вакууми-гровании до давления 1 10 в , 510 г мм рт.ст а рост кристалла ведут в атмосфере азота при давлении 110 -1,10 мм ртст., Достигнут предел текучести 200-260 г/мм 2, 1 табл,1412383 условиях без добавления примеси бромистого цезия, улучшены при этом оптические свойства. формула изобретения Способ выращивания монокристаллов иодистого цезия, включающий нагрев шихты, содержащей иодистый цезий с добавкой бромистого цезия, до плавления, выдержку и последующий рост кристаллов по методу...

Номер патента: 1787383

Опубликовано: 15.01.1993

Автор: Пунько

МПК: A01G 31/02

Метки: выращивания, растений

...растений содеркит располокн 4 ое 6 наклонной плоскости и ймеющее привод вращения 1 несущее кольцо 2 с шарнирно закрепленными на нем посредством горизонтальных осей 3 вегетативными сосудами 4, Под кольцом 2 расположена емкость для питающей жидкости 5 с боковым отверстием б, емкость установлена на площадке снабженной поворотным шарниром 8 имеющей винт 9 регулирующий наклон площадки 7,Устройство работает следующим образом,Регулирующим винтом 9 устанавливают определенный угол наклона устройства, Производят посадку растений в вегетационные сосуды 4. В емкость для питающей жидкости 5 заливают питательный раствор через боковое отверстие 6 при этом ниже- расположенный вегетативный сосуд 4 оказывается погрукенным в питательный раствор, а...

Номер патента: 1788876

Опубликовано: 15.01.1993

Авторы: Гавриш, Король, Тараканов

МПК: A01G 31/00

Метки: верлиока, выращивания, гибрида, детерминантного, зимних, теплицах, томатов

...одно соцветие, оставляя новый, ближе к верхушке растения, Этот резервный пасынок не оказывает сколь-либо серьезного влияния на рост и развитие растений, а также на завязывание плодов близлежащего соцветия, что объясняется его слабой этрагирующей способностью,При этом следует учитывать, что в пазухе листа, расположенного под соцветием, которым ограничился рост стебля. пасынок или совсем не растет или ростовые процессы идут слабо, Если же два соцветия закладываются на растении через один лист, то пазушная почка в рост также практически не трогается, Достаточно мощный пасынок образуется только в том случае, когда число листьев между соцветиями равно двум или более, В случае ограничения роста "главного" стебля резервный пасынок,...

Номер патента: 575807

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Бирман, Иванов, Нагорная, Смирнов

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллизацией, кристаллов, направленной, расплава

...края.2. Устройство по и.1, о т л ч а ю щ е е с я тем, цто высота лодильника равна 0,2-0,3 диамето пулы. чем перемешивание расплава в ампуле имеет слабую интенсивность.Цель изобретения - повышение скорости роста и качества кристаллов вследствие улучшения условий конвективного перемешивания расплава в области фронта кристаллизации.С этой целью холодильник выполнен в виде цилиндра с внешним диаметром, равным 0,2 - 0,4 внутреннего диаметра печи, и толщиной 0,05-0,15 диаметра ампулы и установлен в зоне нагревателя на расстоянии 1-2 диаметров ампулы от его нижнего края. Высота холодильника равна 0,2-0,3 диаметра ампулы.575807 Редактор Т,Шаргано хред М.Моргентал Кор 1.Филь Заказ 1088 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по...

Номер патента: 1789155

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Битехтина, Карпенко, Лапунова

МПК: A01K 61/00

Метки: выращивания, мальков, рыбца

...250 тыс.экз,/м . Отход через65 дней 25/.П р и м е р 2 аналогичен примеру 1,скорость водообмена 5 л/мин, плотность 20 25 30 35 40 45 55 посадки 100 тыс.экз./м, Корма вносят чезрез 2 ч в количестве 100 от массы тела.В конце периода отход 8 , масса тела7 мг.П р и м е р 3 аналогичен примеру 1,скоростью водообмена 5,5 л/мин, плотность посадки 125 тыс.экз./м, содержаниезкислорода 8 мг/л. В конце 15-суточного периода отход 8 , масса тела 7 мг,П р и м е р 4 аналогичен примеру 1,скорость водообмена 6 л/мин, плотностьпосадки 150 тыс.экз,/м, Отход 10 , массазтела 7 мг,П р и м е р 5 аналогичен примеру 1,скорость водообмена 7 л/мин, плотностьпосадки 170 тыс.экз./м, Содержание кисзлорода упало до 5 мг/л. Отход увеличился до25 , а масса тела...

Номер патента: 1789243

Опубликовано: 23.01.1993

Автор: Зотов

МПК: A01B 79/00

Метки: выращивания, люцерны

...на 2-й год жизни от недостатка влаги и высокой температуры в летний период,Целью изобретения является увеличеурожайности зеленой массы и повышение ее качества при вырв условиях жесткой иосадками богары.Для достижения этподсев озимого ячменя3-го года жизниАгротехникь .ледуводят боронование лБИГв 2 следа. Борожелательно после 1-го оПосев ячменя провкой на глубину 5 см, носемян на 1 га,ащивании полуобесп ерны нной й це влю оводится ки 2-го и ющая. О юцерны нование сеннего одят ряд рма высе ю проронами сводить ждя.й сеял 0 - 40 кг овоа,0оватая,Корне располага люцерны чвы,Зимне ченной б полноцен кореньину по- М беспе- ровать П р и м е р . Чимкентскии зерновои сортоиспытательный участок высевал в люцерниках озимый ячмень сорта Циклон....

Номер патента: 1789552

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Салькова, Хужеев

МПК: C12M 1/04

Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов

...верхней части аппарата дополнительно установлено пеногасящее устройство 11, представляющее собой плоскую спираль Архимеда, выполненную из проволоки меньшего диаметра по сравнению с диаметром пружины вибромешалки 4, Пеногасящее устройство 11 зафиксировано на штоке 5 с помощью хомута 12. Хомут 12 установлен с возможностью перемещения по длине штока 5. Периферийный виток устройства 11 закреплен на стенке емкости 1 аппарата,Пеногасящее устройство расположено над уровнем жидкости в аппарате, в зоне пенообразования, Аппарат может быть подключен по мере необходимости к стационарному пеногасителю (не показан) любого принципа действия. Позициями 13 - 15 обозначены соответственно штуцера для подачи питательнойсреды, отвода культуральной жидкости и...

Номер патента: 1789556

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Киселев, Перетрухин

МПК: C12M 1/42

Метки: выращивания, грибов

...а крышка емкости выйолнена из радиопрозрачного материала, 2 ил.1789556 перемещения емкостей и облучение мицелия в нужной стадии его развития.На фиг. 1 показана предлагаемая установка, продольный разрез, на фиг, 2 - разрез А-А на фиг, 1.Лента 1 транспортера охватывает ролики 2, 3 и опирается на ролики 4. Привод 5 приводит во вращение ролик 2. Емкости 6 с радиопрозрачной крышкой 7 заполнены грунтом с мицелием 8. Модулятор 9 соединен волноводом 10 с гибким участком 11 с излучателем 12. Качающее устройство 13 изменяет положение излучателя 12 вокруг оси 14. Помещение 15 обогревается электроподогревателем 16 с терморегулятором 17, Стены 18, 19 выполнены с окнами 20, 21, занавешенными эластичными ленточными шторами 22, 23. Б окнах 20, 21...

Номер патента: 1789577

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Ангерт, Голубович, Кудрявцева, Новопашина, Тюшевская

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Метки: висмута, выращивания, германата, монокристаллов, шихты

...начинается спекание шихты, котороеможет приводить к необратимому захватуеще неудаленных ОН - групп в объеме шихты при закрывании пор при спекании. Винтервале температур 830 в 8 С происходит синтез фазы эвлитина Вцбез 02. По результатам рентгенофазового анализа наэтой стадии наблюдается также присутствие фазы силленита В 46 езОа и Ое 02, При900-950 С достигаются полнота синтеза изначительное (в 1,5-1,6 раза) уплотнениематериала; плотность таблет шихты В ГО после такой термообработки достигает 90%от плотности расплава ВГО.Выше температуры 950 С начинаетсяподплавление шихты (т пл. ВГО = 1050 С).П р и м е р 1, Смесь просушенных порошков оксидов германия ОеОг и висмутаВ 20 з, взятых в стехиометрическом соотношении 2:3, смачивают...

Номер патента: 1789578

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Бондаренко, Бондарь, Бурачас, Кривошеин, Мартынов, Пирогов

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Метки: висмута, выращивания, германата, монокристаллов

...затравку, разращивание верхнего конуса, рост при постоянном диаметре, отделение кристалла от расплава и последующее его охлаждение, согласно изобретению, разращивание верхнего конуса осуществляют в пределах телесного угла 130 - 160.В основе предлагаемого способа лежат следующие физические явления. Телесный угол разращивания верхнего конуса соответствует определенной скорости снижения температуры расплава в ходе разращивания и, следовательно, определенным тепловым условиям на фронте кристалл и за ции. Кон к ретн ы й хара кте р этих условий определяет характер роста Р-, Я- и К-граней. Поскольку, как показал предварительный анализ для достижения поставленной цели необходимо исключить преимущественный рост Р-граней, но обеспечить...

Номер патента: 1790331

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Богатырев, Голодный, Еременко, Корниенко, Крумздоров, Максименко, Недилько, Павлик, Чуйко

МПК: A01C 21/00

Метки: выращивания, злаковых, культур

...(примеры 8,9) урожайность и содержание белка в зерне повысились по сравнению с прототипом. Если содержание бутоксикремнезема ниже заявляемого интервала (пример 10) цель не достигается, Если содержание бутоксикремнезема выше заявляемого интервала (пример 11), то урожайность и содержание белка в зерне такие же, как в примере 9. Следовательно, использование бутоксикремнезема в количестве, превышающем верхний предел заявляемого интервала, нецелесообразно.П р и м е р ы 12 - 15. Поступали так, как описано в примере 1; за исключением того, что изменяли содержание диэтиленгликолевого кремнезема в водной композиции для некорневой подкормки пшеницы. В пределах заявляемого интервала содержания диэтиленгликолевого кремнезема (пример 12,13) -...

Номер патента: 1790356

Опубликовано: 23.01.1993

Автор: Кощер

МПК: A01K 61/00

Метки: выращивания, рыбы

...центральным отверстием 4, понтона 5 переменной плавучести, швартовных бочек 6 и якорей 7.Каждый садок 1 состоит из подвешенного на плавучих опорах 8 сетного мешка с верхним сетным перекрытием 9, которое имеет участки (не изображены), покрытие светонепроницаемым материалом, образующим теневой участок.Плавучие опоры 8 снабжены настилом 10, леерным ограждением 11 и служат для перемещения обслуживающего персонала Секции, образующие настил 10, соединены между собой с помощью шзрнирое 12 име. ющих ограничение по углу поворота.Шарниры 12 содержат крестовины 13, Плавучая платформа 3 выполнена из материала, имеющего положительную плавучесть, и имеет форму многоугольника. Шарниры 14, соединяющие плавучую плзтформу 3 с настилом 10, также имеют...

Номер патента: 1790358

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Гилев, Каргаполов, Кугаевская

МПК: A01K 61/00

Метки: выращивания, рыбы

...на фиг. 4 - узел подачи воды, разрез. 20Устройство для выращивания рыб содержит цилиндроконическую емкость 1, установленную на опорах 2, В верхней частиемкости 1 на кронштейнах 3 закреплены вдвух диаметрально противоположных точках дополнительные цилиндроконическиеемкости 4 для живого корма, Для предотвращения ухода личинок из емкости 1 предусмотрен фильтр 5. В верхней частиемкости 1 с наружной стороны расположен 30желбб 6 для сбора переливающейся из емкости 1 воды, Желоб 6 снабжен патрубком,к которому прикреплен шланг 7 для отводаводы в канализацию, В средней части емкости 1 расположен водовод 8 с запорным 35вентилем 9 и двумя патрубками 10 для подачи воды. Патрубки 10 расположены в двухдиаметрально противоположных точках...

Номер патента: 786110

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Аракелов, Белабаев, Бурачас, Дубовик, Назаренко, Саркисов, Тиман

МПК: C30B 15/00, C30B 15/14, C30B 29/30 ...

Метки: выращивания, монокристаллов, оксидов

...следящей системы,Постоянное вмешательство следящейсистемы в процесс выращивания обусловливает основной недостаток известного способа и устройства автоматического управления процессом ростамонокристаллов, так как постоянноевмешательство приводит к искусственным колебаниям температуры расплава,связанным с самим управлением. В своюочередь, колебания температуры отрицательно сказываются на оптическойоднородности кристалла и снижают выход годных кристаллов,Применение кристаллов ниобата лития в квантовой электронике предъявляет к качеству кристаллов повышенные требования, особенно к однородности структуры кристалла по высоте.Искусственные колебания температурырасплава, возникающие в процессе автоматического управления процессомроста,...