Патенты с меткой «выращивания»

Номер патента: 171382

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Бажал

МПК: C30B 29/22, C30B 7/04

Метки: выращивания, монокристаллов

...заявкил. 12 с, 2 МПК В 01 д ДК 66,065.5(088,8 иоритет Опубликовано 26.Ч.1965. Бюллетень11 Дата опубликования описания 28.И.1965 ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛО редмет изоб Известныйсталлов метоных растворолен. посоо выращивания монокрим кристаллизации из насыщендлителен и малопроизводитеени Предлояенныи способ лишен этих недостат. ков и состоит в том, что кристаллизацию ве дут при темпер ату ре кипения насыщенного раствора в строто герметизированном объеме и постоянном давлении,одписная группаГосударственный комитет по делам изобретений и открытий СССРСпособ выращивания монокристаллов, например алюмоаммониевых квасцов, методом 5 кристаллизации из насыщенных растворов,отлссчаюи 1 ийся тем, что, с целью интенсификации процесса,...

Номер патента: 173421

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Буслаев, Козлова, Рез, Роде, Сафронов, Сперанска

МПК: C30B 29/32, C30B 9/12

Метки: выращивания, луч, монокристаллов

...кристаллы основного соединения отделять от расплава с помощью подвижной сетки-сепаратора при температуре выше температуры образования инконгруэнтно плавящегося соединения.По описываемому способу смесь исходных компонентов (В 10, 78% и Т 1 О 22%) загружают в платиновый тигель, в котором помещается также сетка, соединенная стержнем с подъемным устройством, После расплавления шихты расплав выдерживают в течение суток при 1200 С; сетка в это время служит для перемешивания расплава. После выдержки температуру расплава равномерно снижают со скоростью 1 - 2 в час до 900 С (сетка находится на дне тигля), в результате чего происходит процесс кристаллизации В 14 Т 1:04;. При 900 С сетку с кристаллами поднимают и выдерживают 5 - 6 час для...

Номер патента: 175020

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Голгер, Евтюхов, Калун, Колосков, Науменког, Фремель, Яровенко

МПК: C12M 1/18

Метки: выращивания, микроорганизмов, поверхностный

...заключается в следующем.Стерильную питательную среду, смешанную 15 с посевной культурой, загружают на первую полку камеры выращивания. В камеру подают воздух, который в воздуховоде смешивается с насыщенным водяным паром, соотношение которых берут таким, чтобы температура 20 паровоздушной смеси равнялась 32 - 33 С, и относительная влажность 96 - 98%.Через равные промежутки времени продукт механически пересыпают с полки на полку.Общая длительность пребывания растущей 25 культуры на всех полках камеры в зависимости от вида культуры составляет 24 - 48 час.В результате ступенчатого пересыпания с полки на полку питательной среды с посевной культурой происходит ее разрыхление, созда ются условия для лучшего аэрирования, отвода продуктов...

Номер патента: 175021

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Левчик, Самохин

МПК: C12M 1/16

Метки: выращивания, грибов, культуры, нлесневых, периодического, поверхностнымспособом

...2 и воздушные каналы , снабжена вентилятором 4, нагнетательным 5 и вытяжным 6 коллекторами, бактерицидным фильтром (на чертеже не изображен) и калорифером 7,Секции 2, предназначенные для среды (ело засеянных отрубей), чередуются с воздушными каналами, причем последние поочередно закрыты сверху и с/Пзу и открытой верхней частью сооб/цены посредством и Гяжного коЛектора 6 через калорифер и фильтр с ве/тилятором 4. В этой установке среда охлаждается продуванием через нее воздуха,поэтому толщина слоя заи/сит от давления //оздух 1. Так, ри напоре Ги)здхха в 120 .ц.ц /ч)Г). ст. слой Отрбс .О/;с Г оь 1 ть Довсдси ДО 206,)/,ц. Возд 5 х в устаюкс используется мно гократ/о и охлаД)стс 5 и калорифере, поэ/ом 5 ис/,Очен;1 1/с)Оход/.Ость его...

Номер патента: 176225

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Всесоюзный, Плевако, Семихатова

МПК: C12N 1/16

Метки: выращивания, микроорганизмов, непрерывного

...до 130 час и более.Расход мелдссы в первом и втором периодах зависит от производительности аппарата, обусловлешгой способностью его воздухораспределительной системы накапливать то илн иное количество дрожжей в 1 лгз среды, В зависимости от этого меняется расход мелассы и кратность разбавления ее водой устанавливается в пределах от 1: 5 до : 17, причем установленный предел разбавления поддерживается постоянным во время всего процесса выращивания дрожжей.В случае перехода на новую питательную среду (новую партию сырья) определяют ско176225 ххахо ЯДи ххоха, хаида о,ххххохозох ьхоаоед ао о х а о о ао -х о о,ох фхо ххоахх4 Предмет изобретения Период х х д а ее о о 82027 10 32 15 40 20 50 23 60 24 , 70 0 1 12 2 15 3 18 4 22 5, 20 6181,15...

Номер патента: 176851

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Гул, Поторжинский

МПК: C12N 1/14

Метки: выращивания, микроорганизл10в

...Известны способы выращивания микроорганизмов, например плесневых грибков продуцентов ферментов, путем посева их ца стерилизованную и увлажненную питательную среду при непрерывной ес аэрации. Тяк, известен способ выращивания плесневого гриба Азрегп 111 цз дгугае в качестве продуцецта протеолитических и диастатических ферментов ня предварительно спорцлизовацном и увлажненном белоксодержащем питательном сырье, например соевых зернах, соевом шроте, жмыхе, при непрерывной аэрации.Предложено питательную среду предварительно гранулировать, что улучшает условия аэрации.Способ заключается в следующем.Питательную среду, соевый шрот или жмых раздробляют в крупку, стерилизуют острым паром при18 - 120-С, охлаждают, после чего смешивают со стерильной...

Номер патента: 184246

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Витовский, Добржанский, Нете, Чернышев

МПК: C30B 23/00

Метки: выращивания, монокристаллов

...4 и закрываются сверху крышкой Б,Порошкообразное кристаллизуемое вещество засыпается в конусную часть ампулы 6с крючком для крепления 7, затем плотно утрамбовывается. После этого в цилиндриче 5 ску 10 часть ампулы помещается спрессованноеьещество и закрывающий поршенек 8 (из материала ампулы). Подготовленная таким образом ампула откачивается или наполняетсянеобходимой газовой средой и запаивается,Запаянная ампула прикрепляется к стержню9, соединенному с механизмами вращения иперемещения ампулы, Благодаря теплопроводности стержень выполняет роль дополни.тельного теплоотвода от растущего кристал 15 ла,После включения нагрева печи ампула усганавливается так, чтобы центр теплоотводанаходился в зоне максимальной температуры,после чего...

Номер патента: 184808

Опубликовано: 01.01.1966

Автор: Клименко

МПК: H01L 21/20

Метки: выращивания, монокристаллических, слоев

...какуумературе,ика,Известен способ получения монокристаллических полупроводниковых пленок, например германия, на нейтральной подложке методом микрозонной плавки с помощью электронного луча, Способ сложен и не применим для получения пленок легколетучих соединений.Предлагаемый способ заключается в том, что кристаллизацию ведут в вакууме, порядка 10 "мм рт. ст. при температуре, близкой к точке плавления полупроводникав зазоре, создаваемом плоскостями ориентированной и нейтральной подложек. При этом происходит перепечатывание эпитаксиального слоя на изолирующую подложку, изготовленную из материала, имеющего коэффициент расширения, близкий к кристаллизующемуся веществу, например сапфира или керамики.На чертеже показано устройство для...

Номер патента: 185087

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Баранов, Горюнова, Прочухан

МПК: C30B 29/40, C30B 9/12

Метки: выращивания, монокристаллов, фосфидабора

...с частотой 50 гтрк.Кристаллы выращиваются в специальносконструированной печи, питаемой от сети с двойной стабилизацией тока. Печь помещается в термостатированный шкаф. Колебания температуры в течение суток составляют + 4=С. Печь имеет дополнительную обмотку, состоящую из пяти секций, позволяющих установить заданный температурный градиент.Конструкция печи допускает установку ее в горизонтальном и в вертикальном положении.На первом этапе работы печь располагается горизонтально (большая поверхность рас плава способствовала ускорению растворенияпорошка ВР) и во всех точках ампулы устанавливается температура 1180 С, Через 50 час при интенсивной вибрации система прибли.кается к равновесному состоянию (весь поро.20 шок растворяется). После...

Номер патента: 186367

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Всесоюзный, Кондратьева, Крылова

МПК: C12N 1/00, C12N 1/16

Метки: выращивания, микроорганизмов

...содержащей в качестве источника углерода подмыльные щелока, а также минеральные соли и стимуляторы роста выращивают микроорганизмы, например дрожжи и плесневые грибы.П р и мер 1. В колбу на 750 мл помещают 50 мл минеральной среды следующего состава (в г/л):1 чн 4 Н 2 Р 04 2,0(МН) зНР 04 0,2КзЯОз 0,6МдЗО, 0,1СаС 1 з 0,1с добавлением подмыльных щелоков фабрики Свобода из расчета 10 г/л глицерина к среде. Среду заражают смывом односуточной культуры Сапйда агЬогеа К-З, выращенной на косяке с су кубкруговой к е х с32 С.Выход абсолютно сухой биомассы при этомсоставляет 2,81 г/л; выход абсолютно сухой биомассы к заданному количеству глицерина 30,2 ого; потребление глицерина составляет 53,5 ооПример 2. В колбу на 750 мл0 50 мл минеральной...

Номер патента: 189373

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Калун, Кодин, Левчик, Самохин, Яровенко

МПК: C12M 1/20

Метки: выращивания, грибов, культуры, непрерывного, плесневых

...конвейер 2 с лотками 3 и расположенными под его лентой воздуховодами 4, ванну 5 для мойки порожних лотков, систему шприцев б и устройство 7 для стерилизации лотков.Лотки выполнены перфорированными и опрокидными. Они опираются на направляющие 8 и при движении конвейер т по ним.Около звездочек 9 в напр сделаны вырезы 10, в которые про ся лотки, поворачивающиеся вокруг при огибании звездочек.Над каждой ветвью конвейера установленыграбельные ворошители 11, прикрепленные к втулочно-роликовым цепям транспортеров 12, совершающим возвратно-поступательное движение. Для равномерного ворошения питательной среды пальцы 1 т одного ворошителя смещены относительно пальцев другого на полшага, Вентилятор 14 подает воздух в воздуховоды, а...

Номер патента: 177844

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Конвисар, Райский, Сысоев

МПК: C30B 11/06, C30B 29/46

Метки: выращивания, группа, монокристаллов, полупроводниковых, селенидов, сульфидов

...подготовленный стехиометрический порошок сульфида кадмия загружают в графитовый контейнер, помещаемый внутрь трубчатого графитового нагревателя, расположенного в автоклаве. После герметизации внутреннего объема его вакуумируют с подогревом для удаления из автоклава влаги и газообразных примесей. В вакуумированный объем автоклава вводят заданное количество сероуглерода, после чего в автоклав из баллона подается аргон до давления 30 - 40 ат. Последующие операции включают плавление порошка сульфида кадмия, некоторый перегрев расплава и затем программное снижение температуры расплава таким образом, чтобы в коническом дне контейнера возникла монокристаллическая затравка, которая разращивается последовательно снизу вверх по объему...

Номер патента: 178768

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Ленинградский, Пищевой

МПК: C12N 1/38

Метки: выращивания, микроорганизмов

...дного объема водойрастильный аппаратлочной экстракт раи после складыванипарата и измеренияпускают приток расдельными порциямимелассы. а стадии получения тоВводят экстракт или в ведением затора до полли притоком в дрожже- В последнем случае щеводят в сборнике водойожжерастнльного апбродящей жидкости а или подают его отграфику поступления я др рН твор поПредм тзобретепня Спосопримернспользоюи 1 ийсямикроорроста и0 щнйся о Способы выращивания дрожжей с использованием различных стимуляторов, напримерзамочных вод ячменя и кукурузного экстракта, известны,Предложено в качестве стимулятора роиспользовать щелочной экстракт, являющся отходом производства витамина Д.,увеличивает выход микроорганизмов.Предлагаемый способ заключается в...

Номер патента: 178770

Опубликовано: 01.01.1966

Автор: Степанищев

МПК: C12M 1/10

Метки: аэробных, выращивания, микроорганизмов, ферментатор

...имеет опорные стояки 17.Работает оц следующим образом.Приготовленную питательную среду по 5 штуцеру 14 через приемные окна 18 ц полыйвал 4 подают в нижнюю часть аппарата. Затем через штуцер 15, приемные окна 18 и полый вал 4 вводят чистую культуру. После этого полый вал с укрепленными на нем диска ми, спиралями и кожухом приводят во вращение. В результате этого культуральная жидкость (питательная среда с чистой культурой) через нагнетатель 19 поступает в полый вал 4 и поднимается по нему, Дойдя до 15 отверстий 20 (размер которых можно регулировать), она попадает на диски 5 и под действием центробежной силы отбрасывается ца конусообразные винтовые спирали ц поднимается по нцм.20 Через некоторое время, необходимое длянакопления...

Номер патента: 178788

Опубликовано: 01.01.1966

МПК: B01D 9/00

Метки: выращивания, кристаллов, расплава, тугоплавких

...теплоносителя, например расплавленного чугуна.По предложенному способу, с целью обеспечения надежного термостатирования кристаллизуемого расплава, сокращения времени кристаллизации, в качестве расплавленного теплоносителя используют вещество, имеющее температуру плавления ниже, чем кристаллизуемое вещество, например расплавлен ное стекло, Способ состоит в том, что тигель, заполненный шихтой, погружают в расплав стекла при температуре 1200 в 12 С. Под тигель, на дно ванны, насыпают электрокорундовую крошку. Стекло находится в тигле-ванне, установленной в печи. После расплавления шихты и гомогенизации, т, е. выдержки расплава при температуре 1400 С в течение 15 -20 час, проводят кристаллизацию путем медленного понижения температуры...

Номер патента: 179720

Опубликовано: 01.01.1966

Автор: Бекер

МПК: C12N 1/00, C12N 1/16

Метки: выращивания, микроорганизл10в

...удлинения пути прохождения пузырьков воздуха ферментатор может быть выполнен в виде вертикально установленного цилиндра ) с дном в виде узкого конуса, в вершине которого расположено воздушное сопло 2,При больших диаметрах цилиндрической части фермента тор дно последнего целесообразно выполнять в ьиде нескольких конусов 1 с воздушньпи соплами 2.Сущность пред)агдемого способ состоитслед ющем,Сжатый воздух, предназначенный дляаэрации ферментируемой среды, подается в виде расширяющегося керху турбулентного потока в нижн)010 чсть конус ферментято- О ря, причем скорость Выходящего из соплавоздуха выше барботажной скорости и составляет 40 - 60 5 и/сск, в результате чего среда интенсивно насыщается воздухом и дополнительно перемешивается до...

Номер патента: 179721

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Абрамович, Гончаров, Муратов, Трухин, Тют, Чистов, Яковлева

МПК: C12M 1/18

Метки: выращивания, грибов, культуры, плесневых, поверхностным, способом

...для нагнетания кондиционированного гоздухя под растильный слой и егоотсос содержцт нап)еттельный вентилятор12 с калорифером, увлажнителем и фцльтром,Т).)КЕ ОТССЬ)вс)Ю 1 цнй БЕ)Т)1 ЛяТОр 1 с).Ротяетстс 1 новк;) след юШим 001)язом.П)ггтельную среду, например отруби, цпрвляют Б стерцлцзтор 9. По окончаниистсрцлцз;)ццц среду охляждют до 40 -42 С,;)обавляя в цее охлжденну)0 стерильную воду цз дозатора 10 и доводя влажность до58 - 60 з,г .Затем в пнтатс,тьную среду вносят посевную культуру в количестве, например, 0,8 -каз 820/4 Тирагк 550 Формат бум. 6090/ Объсз О,6 изд. л. ПодясноеНИИПИ Комитета по тола;, изобретенийоткрьтий при Совете Миносров ССС 1 о Ъосква, Центр, пр. Серова, д. 4 Тпографиг 1, ир. Сапунова. А 1,О кг ца 100 г...

Номер патента: 181589

Опубликовано: 01.01.1966

Автор: Дерканосов

МПК: C12M 1/04

Метки: выращивания, дрожжей

...для выращивания маточных дрожжей, а верхняя и средняя - для товарных, На днище каждой емкости расположены воздухораспре-.делители 4, 5 и 6. Прц этом воздухораспреде лители 4 и 5 соответственно верхней 1 и средней 2 емкостей представляют собой полукольцевые короба прямоугольного сечения с перфорированными крышками, Воздухораспределитель 6 нижней емкости выполнен в виде 0 двух неполных сегментных камер, образованных крышками с отверстием, установленными ца опорные рамки, изготовленные по конфигурации крышек.Воздух подводится к воздухораспределите лям через воздуховоды 7, 8 и 9 и установленные внутри емкостей распределительные кол.лекторы 10, 11 и 12.В центре нижней емкости 3 установлена воронка 13 с патрубком для подачи питатель...

Номер патента: 190864

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Абаев, Еремеев, Мильвидский, Митюхин, Офицеров, Петров

МПК: C30B 15/30

Метки: mohokf«h«4t«jlob-•, выращивания

...затравки. В начале процесс 11 штОк затравки сцимяетс 51 с фиксаторов с помоп 1 ью электромагнитного привода перемещения и вращения затравки.Электромагнитный механизм вращения и перемещения затравки и тигля (фиг, 2) состоит из стационарного электромагнита, представляющего собой обмотку пз ьодоохлаждаемых медных трусок 15, являющихся одно временно токоподводящей системой и холодильником. Трубки размещены в корпусе маг нитопровода из магпитовоспрпимчпвого материала. Вращение затравки и тигля осу 1 цеств. ляется с помощью полосных наконечников 16 (концентраторов магнитных силовых линий), вращающихся от специального механического привода 17. Электромагниты имеют систему плавного регулирования магнитного поля изменением силы тока в...

Номер патента: 193418

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Зак, Сушков

МПК: C12M 1/04

Метки: аппарат, аэробных, выращивания, микроорганизмов

Номер патента: 194034

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Грачева, Кестельман, Московский, Чипизубс

МПК: C12M 1/00

Метки: активных, биологически, веществ, выращивания, кювета, микроорганизмов, продуцентов

...микроорганизмы, например аспергилловые грибы, являющиеся продуцентами ферментов, поверхностным способом. При этом питатель пую среду, например пшеничные отруби, помещают на кюветы, изготовленные обычно из оцинкованного железа. Активные микробиологические процессы, протекающие в слое питательной среды на металлической кювете, вы сокая влажность среды (р - 98 - 100% ) температура ее, равная 30 - 32"С, обусловливают интенсивную коррозию кювет. Сро службы кювет в ферментных производствах ограничен. 15Предложено выращивать микроорганизмы в кюветах, изготовленных из пластмасс, например из фторопласта, полиэтилена СНП высокого давления.При применении таких кювет сокращается 20 продолжительность процесса выращивания и МИКРООРГАН ИЗМОВ - И...

Номер патента: 195052

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Окунева, Подъ

МПК: C12N 3/00, C12P 19/54

Метки: выращивания, посевного, продуцента, спорового, стрептомицина

...состряхивают, По окончаше ом сушат в вакуумарафинируют, Допустиобы выращива ала продуцента твердом субст чертой предла ащивание споро пшене с добав з сои, глюкозы одика выращив бнотическую а ча и увеличить стерильноной кульвыра щивких днейдеркивтонии ростасушильномая влая ия спорового стрептомициате,аемого спосового посевнолением пита- и поваренной ния позволяктивность по- срок его храредмет пзооретен 1 Способ выращивания спорово материала продуцента стрептох чаюи 1 ийся тем, что, с целью по антибиотической активности и уве ка хранения, споры выращивают добавлением питательной основы козы и поваренной соли. о по ци спорового посевно стрептомицина исп пшено с добавленисоевой муки, глток готовленный субстр спор, приготовленно Для...

Номер патента: 197525

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Гольдштейн, Карпенко, Тресв

МПК: C30B 11/02, C30B 29/16

Метки: выращивания, кристаллов, магния, окиси

...от известных тем, что в качестве исходного сырья ис. пользуют магнезию, содержащую не менее 90 вес. % активной окиси магния, в которю в процессе гидратации вводят не менее 6 мол.% избыточной воды. При расплавлении шихты наплавляют блок расплава объемом це менее 0,2 л 1 з, с отношением высоты к диаметру от 1:2 до 1:1 и перегревают расплав на 20 - 100=С выше температуры плавления окиси магния,Проведение процесса выращивания кристаллов при указанных условиях дает возможность получать друзы оптически прозрачных металлов 50 лтл длиной и 25 - 30 млт диаметром в количестве 25 - 30 вес. % закристаллизованного блока, Кристаллы могут использоваться в полупроводниковой технике, и в радиоэлектронике и расчетной технике. Прп увеличении...

Номер патента: 198544

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Бранд, Гипецка, Диневич, Молдавский, Старикова, Тарков, Хович, Черн, Шор, Эпидемиологии

МПК: C12N 1/20, C12Q 1/04

Метки: бактерий, выращивания, среда, тифо-паратифозных

...(088.8) Опубликовано 28.И,1967. Бюллетень14Дата опубликования описания 28 Х 11.1967 при Совете Мииист СССРЗаявител ельскии институт гигиеньлогии СРЕДА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ТИФО-ПАРАТИФОЗНЫХ БАКТЕРИЙвительна, чем извест Я. 1 ур 1 п в максимал П редмет Среда для выращ ных бактерий, содер однозамещенный без игаяся тем, что, с ц сырья, она содержи 0 лизат казеина и ма держанием аминногфо-па одньп рий, в й пеп Известна ратифозных однозамеще состав которивает клеткиешш. гзооретения ивания тг жащая се водный на елью замен т панкреат ртечовский о азота око одерна и каниПредлоге жит панкре мартеновски ем аминного Среда пресреда для выращивания ти бактерий, содерхкащая безв ный селенистокислый нат ой входит также дефицитны иная среда взамен...

Номер патента: 199337

Опубликовано: 01.01.1967

МПК: C12N 5/02

Метки: выращивания, заражения, клеток, кулбтур, покровнб1х, пробирка, стеклах, ткани

...крючка 4. едмет изобре я и заражения овиых стеклах, теклянный корцелью улучшеоблегчения изнная часть выплощадки, раск продольной я от бирки щадки, одольв разрезе; 1извлечения пробир ение дл Известны устройства культуры ткаиеи, предст лянный сосуд плоской стеклянными прямоугол отогнутым торцовым коВ таких устройствах жение клеток культур предметных стеклах, чт количества питательнойПредложенное устрой известных тем, что дон выполнена в виде косо расположенной под остр ной оси пробирки.На фиг. 1 изображена на фиг. 2 - приспособ покровного стекла,для выращивания авляющие собой стек- формы со съемными ьными пластинами с нцом для захвата, выращивание и зара- ткани производят на о требует большого среды,ство отличаетс ная часть про...

Номер патента: 199795

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Бруновский, Кданапсон, Крастин

МПК: C12N 1/16

Метки: выращивания, микроорганизмов

...подвергают воздействию высокого 20давления в пределах от 20 до 250 ат,и, длячего их пропускают, цапример, через замкнутую систему, включаощую насос, обеспечиваощий необходимое давление.На чертеже изооражсца схема производства 25дрожжей по описываемому способу.Оц заключается в следующем. Суспецзию,содеркащуо засеьчыс микроорганизмы, цапример дрож(и подаот в екость 1,чают насос 2 и редуктором 3 по манометру 4 30 регулируют давление. Затем по циркуляциоцкому контуру суспсцзию многократно (до 5 раз) прокачивают через насос, После этого обработанный давлением зассвцой материал направляют в ферм ецтатор, В результате умецыщается аппо сравнению с известными способами) длительность фермсцтацци, увеличиается выход биомассы.Обработку...

Номер патента: 200552

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Иерусалимский, Чирков

МПК: C12N 1/00

Метки: выращивания, микроорганизмов, непрерывно-проточный

...по этому способу концентрация питательных солей в культиваторе изменяется в результате изменения относительного содеркания компонентов питательной среды в обшем потоке поступающего в культиватор субстрата. Это приводит к нарушению режима выращивания микроорганизмов.Для ликвидации этого недостатка часть воды, подлекащей для приготовления раствора питательных солей, вводят в культиватор по самостоятельному каналу и при подаче химического реагента уменьшают на величину, равную количеству химического реагента.Способ осуществляется следующим образом.В культиватор субстрат поступает по двум каналам, по одному 100 м,гчас раствора питательных солей, а по другому - 100 тг г(час воды, Для стабилизации рН среды по мере еобходимостн подают...

Номер патента: 202331

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Маевска, Мартынов, Николаева, Скворцов

МПК: H01L 21/20

Метки: выращивания, полунроводниковых, слоев, эпи1аксиального

...сорбируюствора, содержание билизировать. Такоеоляет обеспечить покак легколетучих,так тов исходного испаолезном израсходовараствора. При испараствора изменение обы недо необходим количеств нты. Одно эти сп В первом случае вать очень малы гирующей компо аточно удобны. точно дозироподаваемой ле 3 Й современнои технике широкое распро странение получили методы эпитаксиального ,выращивания слоев полупроводников, состоящие в том, что пары (как правило хлориды) химических соединений т.1 е, 51 или другихэлементов (31 С 1 йеС 1 ЯНС 1 з и др.) восстанавливаются подходящим агентом, например водородом, на нагретой подложке.Для получения заданных электрофизических свойств в эпитаксиальные слои вводят легирующие примеси - атомы элементов 11 и Ч...

Номер патента: 203639

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Гул, Литвинов

МПК: C30B 11/10

Метки: выращивания, монокристаллов

...в виде двух керамических полуцилиндров 1 и металлического корпуса, также состоящего из двух полуцилиндров 2. Части муфеля соединены с частями корпуса, шарнирно установленными на вертикальной штанге д аппарата с помощью перекрестных рычагов 4, которые через ролики б связаны с эксцентриками б приводного вала 7. Части корпуса прижаты друг к другу пружинами 8, степень сжатия которых регулируют с помощью гаек 9. На валу 7 может быть расположено несколько пар эксцентриков, количество которых соответствует числу аппаратов ростового блока,5 11 одготовленное к работе устройство закрывают, поворачивая приводной вал. 11 ри этом эксцентрики взаимодействуют с роликами рычагов, и керамические части муфеля соединяются. Части корпуса установлены...

Номер патента: 205424

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Ермаков

МПК: A01G 31/06

Метки: выращивания, почвы, растений

...является устройсгво, в котором устраняются указанные выше недостатки. Устройство представляет собой узкий стеллаж с продольной щелью в дне для,поступления воздуха. Воздух поступает через щель благодаря разнице в температуре верхней и нижней части стеллажа. Увлажнительные трубки, заполненные питательным раствором или отдельно раствором и водой, находятся в верхней трети слоя субстрата и обеспечивают полное его смачивание раствором или раздельно раствором и водой. На чертеже изображен стеллаж в аксонометрии с вырезом.Стеллаж 1 имеет продольную щель 2 с боковыми стойками и крышкой 3. Стеллаж за полнен субстратом, в верхней трети которогонаходятся трубки 4 с продольной щелью, в которую пропущен материал б, опускающийся на желоб б.Для слива...