Патенты с меткой «выращивания»
Устройство для выращивания личинок морских рыб
Номер патента: 1697656
Опубликовано: 15.12.1991
МПК: A01K 61/00
Метки: выращивания, личинок, морских, рыб
...к активной поверхности биофильтра, что отрицательно влияет нанормальную жизнедеятельность микроорганизмов, существующих на дисках 15 (этодоказано путем экспериментов),При зазоре между дисками 10-12 ммсоздаются достаточные и предельные условия для доступа кислорода ко всей активнойповерхности биофильтра,Увеличение же зазора приведет к увеличению габаритов фильтра беэ значительного улучшения качества воды.Выполнение дисков 15 с толщиной, непревышающей 0,5 мм, и с зазором не более10 - 12 мм позволяет увеличить активную поверхность биофильтра в 1,5 раза, а следовательно и его окислительную способность ссохранением его компактности.Блок 8 бактерицидной обработки с перегородками 9 обеспечивает высокий коэффициент обработки воды,...
Способ выращивания ремонтного молодняка мясных кур
Номер патента: 1697689
Опубликовано: 15.12.1991
Авторы: Ермакова, Зубарева, Фисинин
МПК: A23K 1/00
Метки: выращивания, кур, молодняка, мясных, ремонтного
...доступ к О, воде (2 ч в начале и 2 ч в конце светового дня), Световой режим - по рекомендации ВНИТИП.Контрольной группе птиц в период 8 - 13 недель скармливали комбикорм, включающий 5 травяной муки и содержащий 16,5 ф, ф сырого протеина и 2750 ккал/г обменной энергии, с 14-й по 23 неделю скармливают комбикорм, содержащий 10 О травяной муки, 14 сырого протеина и 2650 ккал/кг обменной энергии, Контрольную группу птицы кормят, ограничивая ее в корме на 50,5 оь от потребления вволю,1697689 Сравнительные показатели выра ивания ремонтного молодняка и яичной продуктивности кур-несушекМолодки опытных групп (1 и 2-й) в течение 7 - 23 недель получаютодин и тот же комбикорм, Первая опытная группа получает комбикорм, имею ий в своем составе 25...
Способ выращивания молодняка крупного рогатого скота
Номер патента: 1697692
Опубликовано: 15.12.1991
Автор: Михайлов
МПК: A23K 1/00
Метки: выращивания, крупного, молодняка, рогатого, скота
...помещение, скорость воздушных пот котором составляла 0,2 м/с.Группы животных 1, 1 Ч, Ч, Ч 1 был мещены в отапливаемом помещении с лируемым микроклиматом, Ско воздушных потоков в помещениях по живали 0,6; 1,1; 1,8; 2,2 м/с соответств Температура и относительная влажн помещениях соответствовала ОНТП СХ. Клинико-физиологические показа второго периода содержания (с 3-месяч возраста) приведены в таблице,Максимальный прирост живой м достигнут в Ч группе, минимальный - в тапливаемом помещении, где скорость духа была в пределах 0,2 м/с, В 1 гр (прототип) телята в зимнее время ежед но находились 4 - 5 ч на открытой площ1697692 мым микроклиматом прирост живой массы составил 550-557 г в сутки, теплоизолирующие свойства шерстного покрова...
Способ выращивания индетерминантных сортов томата
Номер патента: 1699380
Опубликовано: 23.12.1991
Автор: Борисовский
МПК: A01G 31/00
Метки: выращивания, индетерминантных, сортов, томата
...заплетаемую (по способу плетения корзины) прутьяна высоту 300 мм, образуя первыйаж емкости. По центру первого этажа высаживается рассада томата и по мере роста рассады стебель засыпается почвосмесью, затем выводится наружу южки емкости с образовавшейсяе цветочной кистью. Стебельчной кистью крепится к стойкеюжной стенки. Следующим этаащивается второй этаж на высомм и сразу .засыпаются дополникорни на стебле до первой пло.Урожай,Количество Способ выра- Повторщинания ность Сорт томата цветочныхна кисти нповторности кг 32 48 16 .".4 Де Барао Известный 1 ПредлагаеМЕъ 1 Й 4 ч Составитель С,КунаеваРедактор 01. Степина Техред М,Дидык Корректор Н.Ревская Заказ 4410 Тираж Подппсио е ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при...
Способ выращивания растений
Номер патента: 1699381
Опубликовано: 23.12.1991
Авторы: Габель, Чернобровкин
МПК: A01G 31/00
Метки: выращивания, растений
...Вследствие плавучести частицы 5 равномерно распределяются по поверхности раствора, образуя слой равномерной толщины, Толщину слоя 30 подбирают, исходя из кооАициента пропускания света слоем, так, чтобы через него в раствор попадало не более 5 Вт/м . Поскольку частицы 5 гидронобные, то они остаются сухими и микроводоросли на их поверхности не35 развиваются. После слива раствора иэ ванны 1 слой частиц 5 оседает на влажных корнях и дне ванны 1, затеняя их от света ильтр 3 нрепятствует унесе 40 нию частиц 5 с потоком раствора из ванны 1. При подаче раствора в ванну 1 слой частиц 5 снова всплывает. Таким образом в процессе вегетации постоянно затеняются питательный раствор и корневая система растений, препятствуя развитию...
Клетка комплексной линии для выращивания животных
Номер патента: 1699389
Опубликовано: 23.12.1991
Авторы: Соболев, Султанов, Фаляхутдинов, Яппаров
МПК: A01K 1/03
Метки: выращивания, животных, клетка, комплексной, линии
...в процессе ее эксплуатации.При эксплуатации клетки 2 внутрь Нее помещают норку, которая содержитСя в ней весь период выращивания, При этом секция 3 клетки 2 жестко зафиксирована на последней посредством фиксирующего приспособления 23, Корм норке подается через решетчатую верхнюю панель секции 3 на плечо 14 двуплечей пластины, При этом перед подачей корма клетка 2 проходич зону очистки кормовой площадки от остатков корма и загрязнений, где посредством упора очистного механизма, воздействующего на плечо 14 двуплечей пластины, плечо 13 поворачивается на шарнире и прижимается к передней решетчатой панели секции 3 После че.о остатки корма смываются с поверхности пластины струей воды и щетками При,выходе из зоны очистки плечо 13 двуплечей...
Способ выращивания дубового шелкопряда
Номер патента: 1699394
Опубликовано: 23.12.1991
Авторы: Алексеницер, Аретинская, Копелевич, Супрун, Цибульская
МПК: A01K 67/04
Метки: выращивания, дубового, шелкопряда
...насекомых. вызывающего ускорение их развития и повьппение продуктивности. Обработка корма фос фопантотенатом кальция в младших возрастах особенно эффективна потому, что дополнительно поступающий с кормом кальций позволяет нейтрализовать кислые продукты обмена веществ, в большом количестве образующиеся при питании гусениц молодым листом, богатым белками, предупреждая сдвиг кислотно-основного равновесия в организме гусениц в сторону ацидоза, вызывающий чрезмерное напряжение буферных систем организма насекомых и снижение их жизнеспособности, Остаток пантотеновой кислоты, получаемый гусеницами в младших возрастах, оказывает стиму-, лирующее влияние на организм насекомого, что способствует в дальнейшем повьшению устойчивости гусениц к...
Устройство для выращивания монокристаллов из расплава
Номер патента: 864847
Опубликовано: 30.12.1991
Авторы: Багдасаров, Лубе, Федоров
МПК: C30B 15/20
Метки: выращивания, монокристаллов, расплава
...обеспечение контроля структурного совераенства растущего кристалла и повыщейие за счет этого выхода крупных кристаллов беэ дефектов.Цель достигается тем, что в устройстве для Выращивания монокристаллов 35 из расплава, содержащем держатель затравки, механизм. перемещения кристалла, пьезоэлектрический преобразователь, соединенный с одной стороны сзатравкой, а с другой стороны с блоком преобразования и измерения импульсов, пьезоэлектрический преобразователь соединен с затравкой или держателем затравки через волновод и.снабжен средством для охлаждения, выполненным в виде радиационных экранов . и холодильника,.и кинематицески связанным с механизмом перемещения кристалла,. Иа чертеже изображена схема устройства.Здесь нагреватель 1, расплав 2,...
Способ заполнения кассеты для выращивания растений и устройство для его осуществления
Номер патента: 1701143
Опубликовано: 30.12.1991
Авторы: Павлович, Таяновский
МПК: A01C 7/00
Метки: выращивания, заполнения, кассеты, растений
...20 втягивает шток 13 внутрь полого штока 9, Предварительно разрыхляется и обрушается сход отверстия, образованного штоком 13 в субстрате над семенем 6. Сразу же от ЭРВ 31 электросигнал поступает на соленоид клапана 25, который переходит в позицию Б, сообщая полость 24 с баком 26. Вода поступает через полый шток 9 в место высадки семени 6, попутно обмывая полость 24, шток 13, полый шток 9 и экран 17 от прилипшего субстрата. Через определенное время ЭРВ выключает клапан 25 в позицию А. Доступ воды из бака 26 на субстрат 4 прекращается. Цикл работы установки прекращается. Далее плиты 3 (фиг.1) раздвигаются, кассеты 1 вынимают и подают новые. плиты 3 сдвигаются. Цикл повторяется,На фиг.6 представлена принципиальная схема ЭРВ 31 и ЭБУ...
Способ выращивания растений томата на карбонатных почвах
Номер патента: 1701148
Опубликовано: 30.12.1991
Авторы: Кривцова, Симоненко, Ткачук, Харебов
МПК: A01C 21/00
Метки: выращивания, карбонатных, почвах, растений, томата
...15%, Расход удобрений на единицупродукции снизился: азота в 3,6 раза, магния - в 2,3 раза, калия - в 2,3 раза, фосфора -в 1,7 раза,В табл.8 приведены данные подтверждающие эффективность предлагаемого способа, а в табл,9 - данные по эффективностииспользования удобрений.В сумме расход этих элементов на опытном участке составлял 11,7 г/кг плодов против 56,1 к/кг плодов на контрольном, т.е.был ниже почти в 5 раз, Соотношение междувносимыми К:Р;К;М 9 равнялось на опытномучастке 1:1,1:2,7,1 против 1;0,5:1, 7;0.7 наконтрольном участке, На 1 м площади наопытном участке было внесено азота, фосфора, калия, магния в сумме 71,4 г/м против 157 г/м на контрольном участке.Коэффициенты использования макроэлементов при сбалансированном минеральном...
Способ выращивания ягодных кустарников
Номер патента: 1701172
Опубликовано: 30.12.1991
Автор: Попов
МПК: A01G 1/00
Метки: выращивания, кустарников, ягодных
...и укореняют. ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(54) СПОСОБ ВЫРАНЫХ КУСТАРНИКОВ(57) Изобретение отнхозяйству и может бытразведении ягодных кулного садоводства. Цель Изобретение относится к сельскому хозяйству и может быть использовано при разведении ягодных культур в условиях горного садоводства.Цель изобретения - улучшение условий роста растений при выращивании в условиях дефицита влаги и рационального использования площади участка.Для осуществления способа растения высаживают в непосредственной близости с выемочным откосом террасы. После достижения растением высоты, превышающей высоту откоса, в последнем выполняют борозду в вертикальной плоскости, проходящей по оси стебля перпендикулярно кромке полотна...
Способ выращивания земляники на склонах
Номер патента: 1701173
Опубликовано: 30.12.1991
МПК: A01G 1/00
Метки: выращивания, земляники, склонах
...растений и многолетних трав.Сдвинутая к ряду усоплеть .5 расиола.гается в направлении линии 2 рял. Образующиеся впоследствии на усоплети 5 розетки второго и последующих порядков 8 укореняются ио линии расположения усоплети 5, т. е. влоль линии 2 ряда.45 50 с 5 10 15 20 25 30 35 40 По мере отрастания новых усоплетей 5 и образования на них розеток 6 первого порядка, вновь производят их сдвигание и расширение посадочной ленты 1 также на 0,10 - 0,12 А. После трех-, четырехкратного сдвигания усоплетей 5 и расширения посадочной ленты 1 к концу августа - началу сентября формируются полноценные ряды земляничной плантации, характеризующиеся одинаковой шириной с оптимальным загущением (фиг. 4).В первый гол вегетации земляничных растений...
Способ введения ядра-затравки для выращивания жемчуга в мантийную полость моллюсков
Номер патента: 1701214
Опубликовано: 30.12.1991
Автор: Гороховский
МПК: A01K 61/00
Метки: «жемчуга», введения, выращивания, мантийную, моллюсков, полость, ядра-затравки
...Г.ПИЛПенко 1 ех"1, М,МОргент 1 л 1",Орректо 1 р М,Лемчик Заказ 4463 11;,э;.:1 ОДГ 1 и 1;ноеБН 4 ЯПДОсудэ 3 ст;,8 Нг 1, О к .ритет: Г 11:сзогретениям и Открытиям при ГЯ1 ",.(1,"45, М г".,к 38, Ж-,Б, ,:" Слдя нэб., 4 УЬ ПО 01 эвотвен 1 яядэтельсий кп"и:3"чент 1; ."хГорол ул.ГВГэринэ 101 П р и м е р. Отбира 1 гг 2 Ь мЗлгоссв вид; ЯПэпобопта, идентичньх по размеру и массе, составля 1 ощей в среднем 275 Г.МОллюскОВ Осмэтр 1 вэютчОбы От 1 В- лить бОльны 8 зкземплярь 1, и ч 1 рои;ЗВИАД 1 х тщательную Очистку поверхности сгворгк щетинной щекй и скребками от Обрастаний растительного и,минерального пооис хождения. Затем какдото моллюс;э переворачивают вверх "ногой", фиксируют в таком положении в лотке и раэдвигэ 1 от его створки...
Способ выращивания цыплят
Номер патента: 1701216
Опубликовано: 30.12.1991
Авторы: Балаев, Болоцков, Колмык, Скляр, Филоненко, Шоль
МПК: A01K 67/02
Метки: выращивания, цыплят
...ограждений установлены вентиляторы, создающие поток воздуха температурой 18 - 22 С.В результате такой подачи воздуха цыплята большее время суток находятся под брудером, Наличие перфораций в ограждении исключает возможность образования ВЫРАЩИВАНИЯ ЦЫПЛЯТ ение относится к птицеводству использовано при выращиваЦель изобретения - увеличение цыплят. Способ заключается в и цыплят при дополнительном ризонтальных прямых воздушс температурой 18 - 22 С по и размещения птицы, что поичивать массу трехнедельных 0 - 156 г и сохранность на 1,(54) СПОСОб (57) Иэобрет и может быт нии цыплят. сохранности выращивани создании го нцх потоков всей площад зволяет увел цыплят на 15 1 табл. застойных эон, в которых могут скапливат ся ццплята после...
Способ выращивания монокристаллов ароматического соединения
Номер патента: 1701755
Опубликовано: 30.12.1991
Автор: Поезжалов
МПК: C30B 29/54, C30B 7/06
Метки: ароматического, выращивания, монокристаллов, соединения
...что сильно растягивает время выращивания монокристаллов, а при температурах выше 40 С усиливается разложениевещества, цвет раствора изменяется, Этипримеси входят в кристаллическуа решеткуманокристэллэ, ухудшая его оптическое качество. Температура (35 - 40 С выбрана в достаточной мере условно, зависит от степениочистки исходных веществ и растворителейи является усредненной из большого количества экспериментов,Экспериментально было установлночто монокристалль 1 3-метокси-аксибензальдегида вырастают из смеси бензола иэтилового эфира в соотношении 1:1 в видетонких(да 0,1 мм толщиной) гексагонэльныхпластин. Добавка пропиленкарбоната приводит к разращиванию монокристалла втолщину.В приведенном примере рассматривалось влияние...
Способ выращивания лесных культур
Номер патента: 1702948
Опубликовано: 07.01.1992
Автор: Сааков
МПК: A01G 23/00
Метки: выращивания, культур, лесных
...разницы в диаметрах пня и прививаемой кроны на пне 1 выполняют клиновидные распилы 2 по диаметру во взаимно перпендикулярных плоскостях на глубину 40-50 см. С помощью двух скоб 3, например, из полосового железа, на высоте 25-30 см от поверхности среза пень стягивают до соприкосновения поверхностей клиновидных срезов.После получения одинаковых диаметров,пня 1 и кроны 4 подготавливают копуляционные срезы 5 путем выполнения по всей поверхности ствола чередующихся клиновидных выступов и впадин с уменьшением высоты от периферии к центру. Высота выступов и впадин на периферии соответствует 8-10 см, Подготовленные копуляционные поверхности совмещают и на месте стыка накладывают две половинки цилиндрического хомута 6 и соединяют их между собой...
Устройство в. н. чернышова для аэропонного выращивания растений
Номер патента: 1702974
Опубликовано: 07.01.1992
Автор: Чернышов
МПК: A01G 31/02
Метки: аэропонного, выращивания, растений, чернышова
...газовойфиг,З - то же, вид сверху; на Фиг,4 - то же, смесью необходимого состава. Поток воздуви сниз .:,д у.:, " "::": - ха с мелкими каплями воды из кольцевогоУстройство включает камеру 1 с крыш канала 14 через отверстие 6 попадает в обькой 2, в которой имеотся посадочные отвер- ем камеры 1, где образует питательный тустия 3 сустановленцЬщивнихдеРжателямиман, увлажняющий корневую системурастений а виде стаканов 4 с сетчатой от- растений, Благодаря зазору между сакана бортовкой 5. Стакайц 4 имеютменьшийди- ми 4 и стенками отверстий 3 крышки 2 иаметр, чем отаерстйл 3;: . 15 отверстиямсетчатых отбортовок 5 туман аы- .Через отверстие 6 в дне камеры 1 под-ходит к надземйой части растений, уапажсоединенгенератор 7 питательноготумана, няя...
Питательная среда для выращивания бактерий francisella тulаrеnsis
Номер патента: 1703683
Опубликовано: 07.01.1992
Авторы: Абросимова, Бабаева, Гавриков, Шолохов
МПК: C12N 1/20
Метки: francisella, бактерий, выращивания, питательная, среда, тulаrеnsis
...можно хранитьпри 4 С д 60 сут (время испытания).Хранение растворов А и Б возможно, нов этом случае необходимо внесение свежеприготовленного раствора цистеина в раствор Б. Для этих целей исключаютНС-цистеин из состава заренее приготовляемого раствора Б и готовят 10-ный раствор солянокислого цистеина, стерилизуяего автоклавированием при 110 С и давлении 0,5 атм в течение 20 мин, Обычно берут5 г солянокислого цистеина и растворяютего в 50 мл дистиллированной воды. Из стерильного 100 -ного раствора цистеина вносят асептически в стерильный раствор Б13-17 мл непосредственно перед разливомсреды,П р и м е р 2. Готовят питательную средуаналогично описанию в примере 1, используя при этом следующие навески компонентов, г;К-Ма-фосфатный буферКН...
Способ получения питательного субстрата для выращивания дрожжей
Номер патента: 1703684
Опубликовано: 07.01.1992
Авторы: Алексеева, Балашевич, Дмитриев, Михайлов, Риц, Рябов, Стешенков, Шаповалов, Штепенко, Щупляк, Явич
Метки: выращивания, дрожжей, питательного, субстрата
...как в примере 1.Фурфуролсодержащий пар обрабатывают оэоновоздушной смесью. как в примере 2. Расход озоновоздушной смеси составляет 60 л/ч, концентрация озона в оэоновоздушной смеси 23,35 мг/л. При этих условиях общее количество озона на обработку составляет 35 мас, от количества фурфурола в паре. Время контакта озона с фурфуролом 35 мин, Степень использования озона 0,9. Раствор продуктов реакции получают, как в примере 2. Количество фурфурола в отходящем газе после растворения продуктов реакции и остаточного фурфурола составляет 2 ф от количества фурфурола в паре, озона - 4 ф 6 от общего количества озона, поданного на обработку.Полученный раствор смешивают с гидролизатом, подготовленным как в примере 1.В приготовленный субстрат с рН...
Система автоматического контроля качественных показателей процесса выращивания микроорганизмов
Номер патента: 1705337
Опубликовано: 15.01.1992
Автор: Музалевский
МПК: C12M 1/36
Метки: выращивания, качественных, микроорганизмов, показателей, процесса
...17, которое вырабатывает сигнал, например К 1, подключения на продувку устройства 3 отбора пробы из первого ферментера 3, подключаемого к устройству 10 через второй выход блока 5 клапанов. Остальные отборные устройства 1 и устройства 4 в зто время отключены блоком 5 клапанов, По истечении заданного времени, достаточного для завершения переходного процесса и установления показаний датчика-анализатора, по командам К 5 и К 6 управляющего устройства 17 осуществляется запись показаний датчика-анализатора в запоминающее устройство 15. После этого по команде К 1 к датчику-анализатору 9 подключается второй ферментер 3, а на продувку подключается следующий рабочий ферментер, Через заданное время по команде К 1 к входу вычислительного устройства...
Способ выращивания монокристаллов со структурой силленита
Номер патента: 1705424
Опубликовано: 15.01.1992
Авторы: Аккуратова, Гаврилов, Тихонов, Цыганова
МПК: C30B 15/00, C30B 29/32
Метки: выращивания, монокристаллов, силленита, структурой
...происходит отклонение от стехиометрического состава за счет интенсивного испарения ВцОз, имеющего более высокое парциальное давление паров по сравнению с ЯЮг и бе 02. В соответствии с диаграммой состояния это и приводит к снижению темпеоатуры плавления на поверхности слитка. Из расчетов скорость охлаждения слитков силиката висмута диаметром 65 мм равна 7,1 град/ч, однако проведенные исследования показали, что использование малых скоростей охлаждения целесообразно лишь в зоне аномального возрастания напряжений. Для монокристаллов силиката и германата висмута они лежат в диапазоне 500-700 С,Проведенные эксперименты показали, что скорость охлаждения при температурах51 О 15 20 25 30 35 40 45 50 за пределами указанного диапазона можно...
Способ выращивания монокристаллов гадолиний-галлиевого граната
Номер патента: 1347513
Опубликовано: 15.01.1992
Авторы: Бабокин, Бульканов, Иванов
МПК: C30B 15/00, C30B 29/28
Метки: выращивания, гадолиний-галлиевого, граната, монокристаллов
...кислород, о т л и ч а ю -щ и й с я тем, что, с целью увели чения выхода годных монокристалловдиаметром 105-110 мм с плотностьюдефектов кристаллической структуры7 см-, после изменения формы фронта кристаллизации скорость вытягиваЗ 0 ния уменьшают до получения заданногодиаметра монокристалла по закону-ЛЧ = мм/ч - 0,11 ммЬ мм,где Ь - текущее значение длины конуса, отсчитываемое от момента изменения формы фронта кристаллизации, мм,Скорость вытягивания изменяют через каждые 5 мм длины до выхода кристалла на диаметр 110 мм. При этом Ь 40 мм, а скорость вытягивания 2,6 мм/ч. Цилиндрическую часть кристалла растят с постоянной скоростью вытягивания 2,6 мм/ч. Кристаллы выращивают до массы 9-12 кг с плотностью дефектон 0-7 см скорость...
Способ выращивания яблони
Номер патента: 1706457
Опубликовано: 23.01.1992
Автор: Трощей
МПК: A01G 1/00
Метки: выращивания, яблони
...селекц,знн-.го,цессс я,."они путем окупиСЕ 5 ч.,Е, 1 ГЛ ППСДСНСС Щ,., лдг, .: а11 еяп" ток,".3,"1 чс 10 спссс,.а Г,Оно П 5 нпе н у.:а чг 1 - С.й год с мы 1 ентапосев; ги 5:;,;,н.,х сл и. ц сса. Поставленная цель дсст гается тем, что черенок гибридного се 5 нца, загптсоленны,1 из его верхней части, прив.:-д 1 ОТ на ростовой побг, развивший:5; из плодовой сумки плодоносящего дерева, ко 1 соыъй Обладаю бс:;ьшим пстенциэлом плодоношения и ускоряет заклад;у на прил:,том побеге плодовых почек, следствием чего является более раннес (на 1 - 3 года) вступление гибридных ссянцев о плодоношение, Б 5 агодара этому ускоряется селекцинны; процесс и сокращаются 1 рудовые и л 1 а 1 ериальные затраты. Цель изобретения - ускорение селекционного...
Устройство для выращивания растений
Номер патента: 1706476
Опубликовано: 23.01.1992
Автор: Бойко
МПК: A01G 31/02
Метки: выращивания, растений
...управления.Устрс йство рабГ 1 тает следующим образом.В вегетгапионных сос;ах 1 фиксиРУются кс;а;юя рдств 111,. Резервуар 2 зл 11 п 1 ньется питательиь м рлстввром до урсчня(пр 1;лорно на/3 его высоты), при котороКОРг 1 вваЧ Сисвл ъ чЕРЕн 1 ав Расгг 11 ий ОСтетсч на воздухе,иск д 1 с:- положение), Тег 1 лоиэолируОщ,ю кожух 9 накрысэатсякрышкой 15, л 1 ок 16 злс -гвэеСя сетчатой45 50 55 5 10 15 20 25 30 35 1.ры 11 кой (не по;:аза 1;о) для прэдотвг 1 а 1.ценил засорс 1; я 11 ГО ат С 1.11 ого раствора. По исте 1 онии расчет;ого вое 11 е 11: отЭчалг паузы, обеспеч 11 л ощей создуш 11 ый рех;игл пита- НИЛ РаС 1 Е 1 гСХОДНОЕ ПОЛОГКЕНИЕ), ПРОГраЛ 1 лнОе устро 11 ство 18 Г 1 одаст сив,11 л на автомэ 1 и 1 еский ьькл 1 О",атель 13,...
Способ приготовления питательного субстрата для выращивания дрожжей
Номер патента: 1707071
Опубликовано: 23.01.1992
Авторы: Бондарева, Дремова, Ершов, Крылов, Молокотина, Мутовина, Овчинникова, Просолова
МПК: C12N 1/16
Метки: выращивания, дрожжей, питательного, приготовления, субстрата
...и послеспиртоеой барды от 1,0:0,82 до 1:1 обеспечивает возникающее оптимальное соотношение моносахаридов к метаболитам, что обеспечивает повышение продуктивности источника углеродного питания, выражающееся в высокой степени утилизации сахаров при высокой концентрации РВ,П р и м е р 1. Способ приготовления питательного субстрата для выращивания дрожжей осуществляют следующим образом. 2 л бисульфитного щелока ебрабатывают серной кислотой с последующим раэбавлением его 2 л сульфитной послеспиртовой барды, При этом соотношение компонентов источника углерода следующее: инвертированный бисульфитный щелок: сульфитная послеспиртовая барда 1,0:1,0. Затем в источник углерода вводят минеральные соли (сульфат аммония, супер 152025 ЗО3540 45 5055...
Устройство для выращивания монокристаллов из расплава
Номер патента: 1707089
Опубликовано: 23.01.1992
Авторы: Васильев, Лифшиц, Севастьянов, Семенков, Станишевский, Чиркин
МПК: C30B 15/24, C30B 15/30
Метки: выращивания, монокристаллов, расплава
...преобрэзоеэте,.ь 8 регу 1 руемого электроприесдэ Заданная скоппс ь тягиьания кристалла о,еспечиеа-; ся при помощи преобразователя 10 котос. й сравнивает два сигнала - сигнач задания и сигнал тахогенерэтора 9,,с;э овленного нэ еэлу злектподеигателя 8"1 рл нэл чии рассогласпьания скоростьэчектродеи этеля 8 аетс.этическ 11 коррек суется Погрешность поддержэ я скоро:ти вытягивания при этсм не превышает0,5.Для поддержания постоянства диаметра еыращиеаемого кристалла екчючаетсядатчик 5 массы тиля 4 с блоком 15 регулирования мощности нагревателя 3 (при схемеработы устройства с контролел массы растущего кристалла включается датчик 17 массы кристалла), При появлении сигналарэссоласоеания датчиков 5 или 17 массы5101520 25 КР 1 С аЛЛЭ ИЛИ ГИГгЯ С...
Питательная среда для выращивания спорообразующих аэробных бактерий bacillus suвтilis и bacillus liснеnifоrмis
Номер патента: 1708832
Опубликовано: 30.01.1992
Авторы: Коганов, Косюк, Новиков, Чаплинский, Чурсинов
МПК: C12N 1/20
Метки: bacillus, liснеnifоrмis, suвтilis, аэробных, бактерий, выращивания, питательная, спорообразующих, среда
...факторам. Это проявляется в более высокой выживаемости бактерий после лиофилизации и более высокой антагонистической активности по отношению к тест-микробам,Для экспериментальной проверки состава питательной среды подготовлено б вариантов среды, состав которых приведен в табл, 1.После приготовления каждый вариант различают в 50 бактериологических матрацев по 0,25 л и стеризируют текучим паром с избыточным давлением 0,5 атм в течение 30 мин,Засев питательных сред в матрацах производят одной и той же маточной культурой В.зиЬйз и отдельно ВЛспепоггпз, содержащей в 1 мл 1 млрд. микробных тел (по оптическому стандарту мутности), В каждь 1 й матрац вносят 10 мл одной из указанных бактериальных взвесей, которую равномерно распределяют по...
Способ выращивания микроорганизмов
Номер патента: 1708842
Опубликовано: 30.01.1992
МПК: C12N 13/00
Метки: выращивания, микроорганизмов
...его величину и измеряют достигнутую эффектионос ь омагничивания.На фиг,1 представлено распределение магнитного поля в пространстве взаимодействия аппарата омагничиван;я с культуральной жидкостью (а - про; о.; ипа, б - предлагаемого способа); на фиг,2 - одна из возможных установок для реализации предлагаемого способа выращивания микроорганизмов в открытой циркулирующей системе.Установка содержит круглый бетонный бассейн 1, устройство 2 омагничивания, блок 3 питания, регулятор 4 тока электро магнитов, центробежный насос 5 для подачи жидкости из бассейна в устройство омагничивания, устройство 6 перемешивания, трубы 7 и 8 для подвода жидкости, вентиль 9 для отбора пробы на экспрессанализ эффективности магнитной обработки, причем...
Устройство для выращивания растений
Номер патента: 1709957
Опубликовано: 07.02.1992
Авторы: Дыменко, Одринская, Страхов
Метки: выращивания, растений
...каркаса 11 с уложенным на него листовым материалом 12, например 25рубероидом, с образованием полости 13,Емкость 14 для воды установлена в нижнейчасти трубы 4 и обернута герметичным материалом 15, например пленкой, В емкости14 для воды установлен поплавок 16 с расположенным на нем электронагревателем17; поплавок 16 имеет в дне отверстие, Внижней части трубы 4 выше уровня водырасположен клапан 18.Устройство работает следующим образом,При поднятом укрытии 1 в полости 13,образованные внешней поверхностью трубы 4 и поверхностью полок емкостей 5, укладывают субстрат 10, в емкость 14 40наливают воду, в субстрат 10 высаживаютрассаду, клубни или семена и опускают уквых полках, закрепленных ярусами на трубе. Избыток пара выходит через клапаны...
Способ выращивания яблонь
Номер патента: 1709974
Опубликовано: 07.02.1992
Авторы: Балмуш, Кинтя, Кириллова, Питей, Руссу
МПК: A01N 43/08
Метки: выращивания, яблонь—
...выделенного иэ семян перца и известного под названиемкапсикозид.Для приготовления рабочего раствора навеску капсикозида в количестве 10 мг растворяют в 2 мл спирта и доводят водой до 1 л Обработку деревьев проводят в период цветения (по мере раскрытия цветков) до полного смачивания, Примерный расход раствора 1 л на 1 дерево.Испытания проводят на сортах яблони Голден Делишес и Веллспур, на 15 деревьях 4-5-летнего возраста с площадью питания 4,25 х 1,5 м в трехкратной повторности. Испытывают три концентрации препарата: 0,001; 0,005; 0,01 ф 6,1709974 Таблица 1Концен- УроааЯ,трацил, 2 кл с1 деревадк контролю 8 к АНУ Активное везество Голден Дел наес198641,70)00 47,5 1140,005 47,5 14О,О 46,8 2о,оо 49, 80,005 48,5, 1160,о...