Кидяров

Номер патента: 593338

Опубликовано: 27.05.2000

Авторы: Кидяров, Шелопут

МПК: C01B 35/00, C01B 7/00

Метки: водных, выращивания, кристаллизатор, кристаллов, растворов

1. Кристаллизатор для выращивания кристаллов из водных растворов, включающий центральный сосуд роста кристаллов и боковые сосуды растворения, соединенные с центральным сосудом посредством трубок, нагреватель и охладитель, отличающийся тем, что, с целью выращивания кристаллов йодата лития гексагональной модификации методом температурного и концентрационного перепада, соединительные трубки выполнены в виде U-образных и П-образных трубок, причем нижние части U-образных трубок снабжены конусными отводами с вентилями и стаканами с испаряющейся водой.2. Кристаллизатор по п.1, отличающийся тем, что нагреватель расположен по периметру центрального сосуда на 1/3 его высоты вниз от середины...

Номер патента: 486777

Опубликовано: 25.06.1977

Авторы: Кидяров, Митницкий, Шелопут

МПК: B01J 17/04

Метки: выращиваниякристаллов, гексагональной, иодата, лития, модификации

...ных кристаллов гекса иодата лития диаметр рН раствора 2 - 2,5 ве скоростью 0,5 лл/сутк тся к способу выращита гексагональной моходят широкое примеонике, акустооптике и Через трп месяца получают 15 оптически однородных коисталлов со средним дпамет ром 25 лл и длиной 40 - 45 лл. Известен способ выращи иодата лития гексагональн из водных растворов путем и концентрационного переп этого способа является не цесса выращивания кристал вания кристаллов ой модификациитемпературного да, Недостатком табильность пролов. изобретенп 1 О Ф Способ лития гекса зованием м трационног тем, что, с статкчествлити едо ения этого о которому используют фикации, коющий теми рост криста 40 - 50 С. сталлизатор атравочных в к иодат процесса вьпрод кта инальной...