Патенты с меткой «выращивания»

Номер патента: 1827754

Опубликовано: 15.10.1994

Авторы: Бумагина, Ветчинникова, Ермаков

МПК: A01G 23/00

Метки: березы, выращивания, растений

...длину обеспечили практически полную приживаемость донорской Коры, и полную синхронность в формировании текущего прироста древесины обоих компонентов, исключили непроизводительные затраты труда и пересадочного материала, а также повь;сили последующий выход древесины березы карельской,Оптимальной с точки зрения достижения высокой (в среднем) приживаемости коры оказалась фенофаза листораспускания и роста побегов в длину, что наглядно подтверждается данными учета сохранностипересадок 1988 года. представленными втаблице.Способ прошел опытно-производствен 5 ную обработку на участке Машезерскоголесничества Петрозаводского мехлесхоза в1988, 1989 г,П р и м е р 1, Реципиент - березапушистая, донор - береза карельская узор 10 чатая. 7 июля 1988 г,...

Номер патента: 1182817

Опубликовано: 15.10.1994

Авторы: Бехтерев, Иванов, Кузнецов, Пименов, Хорьков

МПК: C12N 5/02

Метки: выращивания, клеток, культур

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КУЛЬТУР КЛЕТОК, включающий подготовку поверхности стекла, нанесение клеток на поверхность стекла, внесение и периодическую замену питательной среды, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа и удешевления его, в качестве микроносителя используют волокна из стекла диаметром 5 - 45 мкм при плотности волокон в питательной среде 2 - 40 г/л.

Номер патента: 1707999

Опубликовано: 15.11.1994

Авторы: Захарюгина, Зверева, Линев, Петров

МПК: C30B 29/12, C30B 9/12

Метки: бариевого, выращивания, гексаферрита, монокристаллов, основе, шихта

...в качестве растворителя висмутата натрия естествен 1707999ное вхождение в кристалл ионов висмута1+В и натрия йа . что, в свою очередь,приводит к нарушению электронейтральности кристаллической решетки и обраэова 2+нию ионов двухвалентного железа ЕеПоследние относятся к быстрорелаксирующим ионам и существенно ухудшаютмагнитную добротность материала ( Л,Н)наряду с ионами ВР и Ма 1+,Присутствие в шихте углекислого кальция в значительной степени препятствуетэтому за счет снижения содержания висмута и натрия в кристалле в среднем в двараза.Снижению содержания ионов Ее 2+ в 15растущем кристалле способствует и углекислый марганец МпСОз за счет протеканияв раствор-расплаве окислительно-восстановительной реакции ЕеМпз+ - Еез+Мп 20Что касается...

Номер патента: 1503346

Опубликовано: 30.11.1994

Авторы: Блистанов, Гераскин, Козлова, Портнов, Розин

МПК: C30B 29/22, C30B 7/02

Метки: выращивания, гексагональной, иодата, кристаллов, лития, модификации

1. СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИОДАТА ЛИТИЯ ГЕКСАГОНАЛЬНОЙ МОДИФИКАЦИИ, включающий приготовление водного раствора иодата лития и кристаллизацию на затравку Z-среза заданной формы изотермическим испарением раствора, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет уменьшения объема фантомной области кристалла, затравку берут прямоугольной формы, ограниченной по периметру гранями {1010} и {1120} с соотношением сторон по плоскости {1010} и {1120} не менее 1/ . .2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения кристаллов в виде пластин, затравку берут с соотношением сторон по плоскости {1010} и { 1120} более 1,5.

Номер патента: 1779052

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Винаров, Осипов, Смирнов, Соколов

МПК: C12M 1/04

Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов

АППАРАТ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МИКРООРГАНИЗМОВ, содержащий вертикальную цилиндрическую емкость в виде колонны, разделенную по высоте перфорированными перегородками на отдельные сообщающиеся секции, барботер, размещенный в нижней секции емкости, механический пеногаситель, расположенный в верхней секции и внешний циркуляционный контур, включающий насос и трубопроводы для отвода и подвода среды, и побудитель расхода аэрирующего газа, отличающийся тем, что с целью повышения производительности и снижения удельных энергозатрат, пеногаситель представляет собой лопастное колесо, установленное горизонтально на валу по оси емкости, диаметр которого составляет 0,8 - 0,95 диаметра секции, при этом в стенке секции напротив лопастей колеса размещены форсунки,...

Номер патента: 1376633

Опубликовано: 09.02.1995

Авторы: Диордиева, Кунакин, Майор, Матяш

МПК: C30B 25/08

Метки: выращивания, слоев, эпитаксиального

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ СЛОЕВ соединений А3В5, включающее вертикальный реактор, размещенные внутри него по оси коаксиальные трубки для ввода газовых реагентов, источник элементов третьей группы, закрепленный на этих трубках, дисковый подложкодержатель с подложками, соединенный со средством вращения, и наружный нагреватель, отличающееся тем, что, с целью улучшения морфологии за счет исключения попадания поликристаллических включений на поверхность слоев, устройство снабжено вертикальным цилиндром, внутри которого размещен источник элементов третьей группы, снизу цилиндр снабжен подставкой, соединенной со средством вращения, а сверху на цилиндре размещен подложкодержатель с выполненными в нем...

Номер патента: 1746759

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Куриленко, Саенко

МПК: C30B 11/04, C30B 29/26

Метки: выращивания, марганец-цинкового, монокристаллов, феррита

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ МАРГАНЕЦ-ЦИНКОВОГО ФЕРРИТА, включающий размещение в тигле затравки и исходного материала, его расплавление и направленную кристаллизацию путем перемещения тигля в менее нагретую часть печи при периодической подпитке расплава гранулами исходного материала, расплавляемыми в питателе, нагретом до температуры выше температуры плавления гранул, отличающийся тем, что, с целью повышения монокристаллов и исключения нарушения процесса выращивания за счет поддержания постоянной требуемой температуры питателя, определяют интервал плавления гранул из соотношения:пл= (0,50-0,75)

Номер патента: 1805556

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Винокурова, Годун, Душин, Климкова, Северин

МПК: A01G 1/04

Метки: вешенки, выращивания, гриба, мицелия, обыкновенной, питательная, плодовых, посевного, среда, тел

...отходов растительногопроисхождения.Недостатком его является ограниченность ресурсов. обогатителя в связи с использованием пивной дробины накормовые цели в животноводстве. Целью изобретения является расширение сырьевой базы и снижение себестоимости производства посевного мицелия,Это достигается тем, что в качестве ис 5 точника углеводов используется содержимое преджелудков убойных животныхкрупного рогатого скота.Кроме того, каныга обогащена и другими необходимыми питательными компонен 10 тами, таким как фосфор, макро- имикроэлементы, витамины группы В, азот,из общего содержания которого 60-80 составляет бактериальный белок. Постоянство химического состава содержимого15 преджелудков и значения рН, а также высокая буферная емкость...

Номер патента: 1619444

Опубликовано: 27.03.1995

Автор: Колесник

МПК: A01G 1/00

Метки: выращивания, колесника, саженцев

...с Высаженными растениями транспортируют э теплицу или Открытую площадку ленточнцмй транспортерамиили наполнени 8 кОнт 8 йнеров субстратом и пОсаДку Осуществляют непосредственно на участке,В этих случаях п 8 ред устанОвкой контейнеров на постоянное место на поверхности почвы в блоках расстилают пленку на50 у саженцев В контейнерах происходит естественным путем. При реализации посадочного материала в летний период саженцы отгружают в облиственном жизнедеятельном состоянии. На транспорт контейнеры с растениями устанавливают в несколько ярусов.Способ Обеспечивает увеличение выхода стандартных саженцев на 20-25,всю ширину блока, образующую по всейдлине каждого блока цельный экран-лоток.На него устанавливают плотно друг к другуконтейнеры с...

Номер патента: 1791969

Опубликовано: 10.04.1995

Автор: Колесник

МПК: A01G 1/00

Метки: выращивания, колесника, саженцев

...труда исредств, но и создает условия для проявления дополнительного эффекта, проявляющегося в отсутствии сорняков, что также .сокращает затраты ручного труда в связи сполным отказомот многочисленных ручныхпрополок и рыхлений, еще более повышаетпроизводительность труда и снижает себестоимость посадочного материала,П р и м е р 1. Зимние прививки яблониразличных сортов на клоновых вегетативноразмножаемых подвоях М 9 и ММ 106 в конце марта - начале апреля высаживают поодкой в светонепроницаемые пленочныеконтейнеры, открытые сверху и без дна,Цилиндры изготавливают иэ светонепроницаемой черной или черно-белой полиэтиленовой пленки термоимпульснойсваркой на машине Мб - АПС. Ра. мерныепараметры высоты и диаметра подбирают сучетом необходимой...

Номер патента: 1501316

Опубликовано: 10.05.1995

Автор: Колесник

МПК: A01G 1/00

Метки: выращивания, колесника, саженцев

1. Способ выращивания саженцев, включающий посадку прививок, черенков, сеянцев или отводков в наполненные субстратом открытые снизу емкости, установленные в блоки, и уход за растениями, отличающийся тем, что, с целью снижения трудозатрат по уходу за растениями и повышения качества посадочного материала, емкости из полимерной пленки устанавливают вверх дном, причем перед посадкой в их дне выполняют отверстия, в которые высаживают растения, формируя при посадке воронку из пленки.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью предотвращения прорастания сорняков из почвы и улучшения снабжения растений влагой, поверхность почвы по ширине блока выстилают полимерной пленкой.

Номер патента: 1800837

Опубликовано: 09.07.1995

Автор: Полуничев

МПК: C12M 1/04

Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов

...участок 6 трубопровода для подвода воздуха 7 соединен с внутренней полостью 8 стакана 2. С приводным валом мешалки жестко соединена ведомая магнитная полумуфта 9, Привод состоит из электродвигателя 10, укрепленной на его валу магнитной полумуфты 11, расположенного между ведомой и ведущей 11 полумуфтами экрана 12.. Аппарат работает следующим образом.Емкость 1 заполняют культуральной жидкостью, вносят засевную культуру микроорганизмов, В ключают электродвигатель 10, который при помощи магнитных полу- муфт 9 и 11 приводит во вращение приводной вал мешалки З.и укрепление на нем лопасти 5 перемешивающего устройства и перфорированный стакан 2. По трубопроводу 7 через участок 6 технологический воздух подают во внутрен-, нюю полость 8 стакана...

Номер патента: 1405296

Опубликовано: 09.07.1995

Авторы: Бондаренко, Родичкин

МПК: C12M 3/02

Метки: аппарат, выращивания, клеток, культур, суспензионного

АППАРАТ ДЛЯ СУСПЕНЗИОННОГО ВЫРАЩИВАНИЯ КУЛЬТУР КЛЕТОК, содержащий емкость, снабженную крышкой и технологическими патрубками, расположенную внутри емкости мешалку и привод вала мешалки, размещенный вне емкости и включающий электродвигатель и сальниковое уплотнение вала, отличающийся тем, что, с целью повышения стерильности процесса культивирования, емкость снабжена установленной концентрично валу трубой с образованием кольцевого канала для отвода отработанного воздуха, при этом ее нижняя часть связана с корпусом сальникового уплотнения, а верхняя размещена над предполагаемым уровнем жидкости и имеет отверстие для прохода воздуха, причем верхний конец вала размещен в подшипнике над торцом трубы и снабжен стаканом, а лопасти мешалки...

Номер патента: 1264604

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Брюквина, Иванов, Фигура, Хулугуров

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, кристаллов, лития, основе, фторида

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ ФТОРИДА ЛИТИЯ для лазерных элементов из расплава, содержащего фторид и гидроксид лития, в тигле, отличающийся тем, что, с целью удешевления процесса при сохранении концентрации ионов гидроксила, стабилизирующих F+2-центры в кристаллах, процесс проводят в тигле из никеля или стеклографита в атмосфере инертного газа при добавлении в расплав оксида бора в количестве 0,001 0,100 г/см2 поверхности расплава.

Номер патента: 1314667

Опубликовано: 09.08.1995

Авторы: Вольфович, Гетман, Диканская, Калунянц, Куликова, Федулова, Фишер

МПК: C12N 1/32

Метки: бактерий, выращивания, метанолокислящих

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МЕТАНОЛОКИСЛЯЩИХ БАКТЕРИЙ, предусматривающий их совместное культивирование с другими не окисляющими метанола микроорганизмами, способными расти за счет продуктов метаболизма метанолокисляющих бактерий, на питательной среде, содержащей метанол в качестве единственного источника углерода, а также источника азота, фосфора, минеральные соли и микроэлементы, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода биомассы, при совместном культивировании из метанолокисляющих бактерий используют ацидофильные бактерии, а в качестве микроорганизмов дрожжи, способные образовывать в процессе культивирования пантотеновую кислоту, при этом последние используют в количестве 0,1 50% от общего числа клеток.

Номер патента: 1665732

Опубликовано: 10.09.1995

Авторы: Барышев, Большаков, Геркен, Калашникова, Коломина, Куратьев, Михеев, Сильницкая, Шестаков, Янчук

МПК: C30B 15/36, C30B 29/28

Метки: выращивания, гадолиний-скандий, галлиевого, граната, монокристаллов

...точность ориентации торца затравки относительно кристаллг 3 графиескбЙ плОскОсти (112; В дгух взаимно перпендикулярных направленилх по мдкслмуму отражений второго г 1 орядка ,22412 Г)1224 =-) 15 5)4 . %24 ="7" 576)24 == 7 17 . д 224 =.измсренцое измеренноеРазориентдция торца затравки относительна кристаллаграфической плоскости (12 у в двух Взаимна перпендикулярных ндправлецилх составляет 7 и 15, Общая разориентацил торца прямоугольной затравки относительно кристаллогрдфической плоскости находится согласна номограмме и не пОевышает 0 18.о РддарИЕНтацИЮ бОКОВЫХ грИНЕй ПрЛМОугольной затравки относительно кристдллографических плоскостей 1221) и (110няхсд 57 т также В двух Взаимно герпецдикуЛЛРЦЫХ НЯПРДВЛЕНИ 5 Х ПО МДКСИ 14 УМУ ОТГ 3 д 1-...

Номер патента: 403300

Опубликовано: 27.09.1995

Авторы: Генделев, Зверева

МПК: C01G 49/00

Метки: бариевого, выращивания, гексаферрита, монокристаллов, шихта

ШИХТА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ БАРИЕВОГО ГЕКСАФЕРРИТА Ba Fe12O19 из раствора в расплаве на основе флюса BaO B2O3, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения анизотропии скорости роста монокристаллов и увеличения скорости роста по оси С, исходные компоненты шихты берут в следующих соотношениях, мас.Барий углекислый 51,74 55,25Окись железа 33,56 38,10Окись бора 10,16 11,19

Номер патента: 1824958

Опубликовано: 10.10.1995

Автор: Худицын

МПК: C30B 15/00, C30B 29/06

Метки: выращивания, кремния, монокристаллов

...внутри кварцевую ловушку 5. На фиг. 2 и 3 дан вариант выполнения ловушки с боковой поверхностью в виде полукольца (вид сбнку и в плане); на 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 фиг. 4 и 5 - другой вариант выполнения ловушки с боковой поверхностью виде двух пересекающихся кварцевую прутков. Дно одного и другого варианта выполнено с отверстиями для стекания расплава при подьеме ловушки. Для упрощения вылавливания частичек кварца в первом варианте(фиг, 2 и 3) полукольцо выполнено усеченным, во втором варианте (фиг. 4 и 5) один из прутков расположен по горизонтали, а другой небольшим углом к горизонтали.Далее загружается тигель, Сначала проводится загрузка остатков кремния в тигле, затем оборотный кремний, После расплавления загрузки тигель с...

Номер патента: 1630314

Опубликовано: 10.10.1995

Авторы: Азаренок, Горошкин, Жавненко, Жаворонок, Зайцев, Кис, Семенов, Ходос

МПК: C12N 1/20

Метки: бактерий, белок, выращивания, питательная, продуцирующих, среда

...йа 2 НР 04 и 2,33 г/л КН" РО 4Компоненты А и Б осветляют сепарированием, центрифугированием или фильтра цией, разводят водопроводной водой доопределенного содержания аминного азота. смешивают их в соответствующем соотношении, затем стерилизуют при 120-118 С 45 мин, добавляют 3-7 об,% этанола, 0,3-0,7 об,400 -ного стерильного раствора глюкозы и используют для культивирования микроорганизмов.П р и м е р 2. Приготовленные в соответствии с примером 1 компоненты А и Б 15 после осветления и разведения смешиваютв объемных соотношениях, об.3:1, т,е.69,0 об,компонента А и 23,0 об. компо.нента Б и закачивают в ферментер, Смесь охлаждают до 38-40 С и добавляют 4,0 об. 20 этанола и 0,3 об.40-ного раствора глюкозы, В ферментере с питательной...

Номер патента: 828726

Опубликовано: 27.10.1995

Автор: Тарасов

МПК: C30B 7/14

Метки: выращивания, кристаллов, раствора

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСТВОРА по методу химических реакций, включающее емкости для исходных растворов, кристаллизационную камеру со смесителем на входе, соединенную с емкостями для растворов стационарными трубопроводами, и подвижный резервуар с гибким трубопроводом, для приема отработанного раствора, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности и стабильности подачи растворов в течение всего процесса и обеспечения постоянства состава раствора, поступающего в камеру, последняя размещена наклонно и имеет вход в нижней части, на выходе камеры установлен отстойник, соединенный капилляром с подвижным резервуаром, а под ним установлен стационарный резервуар, соединенный с емкостями для исходных растворов...

Номер патента: 1167895

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Воллосович, Мартынова, Полищук

МПК: C12N 5/02

Метки: алкалоидов, выращивания, змеиной-продуцента, культуры, питательная, раувольфии, среда, ткани

ПИТАТЕЛЬНАЯ СРЕДА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КУЛЬТУРЫ ТКАНИ РАУВОЛЬФИИ ЗМЕИНОЙ - ПРОДУЦЕНТА АЛКАЛОИДОВ, содержащая KNO3, NH4NO3, MgSO4 7H2O, KCl, (NH4)2SO4, NH4H2PO4, (NH4)2HPO4, Ca(NO3)2 4H2O, FeSO4 7H2O, NaЭДТА, H3BO3, MnSO4 4H2O,...

Номер патента: 1441776

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Приемов, Танковский

МПК: C12M 1/02

Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов

1. АППАРАТ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МИКРООРГАНИЗМОВ, включающий вертикальную емкость с крышкой, равномерно расположенные по ее периферии циркуляционные трубы, снабженные коническими отражателями, размещенные под трубами аэраторы, подключенные к коллектору сжатого воздуха, и воздуховод для подачи наружного воздуха внутрь емкости, отличающийся тем, что, с целью улучшения условий выращивания путем интенсификации испарительного охлаждения, между выпускным отверстием каждой циркуляционной трубы и коническим отражателем установлены с зазором одна над другой расширяющиеся кверху конические тарелки, имеющие центральные отверстия, уменьшающиеся по высоте, и отбортовки на больших основаниях, при этом воздуховод для подачи наружного воздуха на выходном...

Номер патента: 1720282

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Гельфанд, Новожилов, Перевязкина

МПК: C13K 1/02

Метки: выращивания, дрожжей, питательного, субстрата

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПИТАТЕЛЬНОГО СУБСТРАТА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ДРОЖЖЕЙ, включающий отделение сульфитного щелока от целлюлозы, его облагораживание, нейтрализацию, введение питательных солей, охлаждение, разбавление сульфитно-дрожжевой бражкой, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода дрожжей и упрощения процесса, разбавление щелока сульфитно-дрожжевой бражкой проводят до стадии облагораживания при соотношении между щелоком и сульфитно-дрожжевой бражкой 10:90 65:35 по сухим веществам.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что разбавление щелока бражкой проводят перед отделением щелока от целлюлозы или непосредственно в процессе отделения щелока от целлюлозы.3. Способ по пп. 1 и 2, отличающийся тем, что бражку перед подачей на...

Номер патента: 1783934

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Бирюков, Гатько, Сорокин

МПК: H01L 21/66

Метки: анодного, выращивания, качества, окисла, оценки, процессе

СПОСОБ ОЦЕНКИ КАЧЕСТВА АНОДНОГО ОКИСЛА В ПРОЦЕССЕ ЕГО ВЫРАЩИВАНИЯ, заключающийся в измерении характеристик токовых шумов системы образец-окисел-электролит и оценке качества окисла по измеренным характеристикам, отличающийся тем, что, с целью повышения экспрессности измерений, в качестве характеристики токовых шумов измеряют их автокорреляционную функцию, причем измерения проводят при подаче на систему полупроводник-окисел-электролит постоянного напряжения, а о качестве окисла судят по наличию на измеренной характеристике участка с отрицательным значением измеряемой величины.

Номер патента: 850765

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Емельченко, Ушаковский

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллов

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ на затравку, включающее тигель для расплава с затравкодержателем внутри, выполненный в виде полого закрытого цилиндра, закрепленного в керамической оболочке, которая установлена в нагревательной камере с возможностью поворота, отличающееся тем, что, с целью увеличения срока службы, тигель выполнен разъемным в виде двух одинаковых стаканов, состыкованных открытыми краями.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что, с целью исключения попадания расплава в разъем для стыковки стаканов, на их краях выполнены цилиндрические проточки, а затравкодержатель установлен на дне стакана с внутренней проточкой.

Номер патента: 1309621

Опубликовано: 20.03.1996

Автор: Рубаха

МПК: C30B 29/10, C30B 7/02

Метки: liio3, выращивания, кристаллов

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ -LiIO3, основанный на методе испарения, включающий испарение растворителя из исходного раствора LiIO3 и HIO3, приготовленного при температуре t0, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности и снижения себестоимости кристаллов, рост кристаллов проводят при температуре t, связанной с кислотностью исходного раствора соотношением 1,5 - 0,007 (t - t0), где

Номер патента: 1771214

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Потапенко, Рубаха

МПК: C30B 29/14, C30B 7/00

Метки: выращивания, группы, дигидрофосфата, калия, монокристаллов

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГРУППЫ ДИГИДРОФОСФАТА КАЛИЯ из переохлажденного раствора на размещенную на дне формы затравку, соответствующую ее размерам и вырезанную параллельно естественной грани, отличающийся тем, что, с целью снижения отходов, в качестве затравки используют пластину из дефектного кристалла и в начале процесса визуально контролируют возникновение в растущем кристалле источника центра образования дефектов, который удаляют на всю толщину затравки.

Номер патента: 946266

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Бабашова, Емельченко, Ильин

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллов

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ на затравку по авт. св. N 850765, отличающееся тем, что, с целью повышения его надежности за счет исключения вытекания расплава из тигля при его переворотах, торец первого стакана с затравкодержателем в месте разъема тигля выполнен с выемкой, имеющей внутреннюю цилиндрическую и внешнюю коническую форму, высота выемки с конической формой меньше высоты выемки с цилиндрической формой, а торец второго стакана выполнен с выступом, имеющим форму, соответствующую выемке первого стакана.

Номер патента: 955741

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Ершов, Кацман

МПК: C30B 29/14, C30B 7/00

Метки: выращивания, группы, дигидрофосфата, калия, монокристаллов

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГРУППЫ ДИГИДРОФОСФАТА КАЛИЯ из переохлажденного водного раствора на размещенную в кристаллизаторе затравку, вырезанную параллельно грани (100) или (101), отличающийся тем, что, с целью повышения скорости роста и оптической однородности кристаллов, используют затравку, соответствующую размерам дна кристаллизатора, и размещают ее на дне так, чтобы ее кристаллографическая ось Z и ось кристаллизатора лежали в плоскости осей затравки XZ или YZ и составляли между собой угол в 45 - 90o, и процесс ведут при переохлаждении раствора более 5oС.

Номер патента: 1050300

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Бабашова, Емельченко, Куриленко, Титова

МПК: C30B 9/00

Метки: выращивания, монокристаллов, растворов, твердых

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ, включающее нагревательную камеру, установленную в ней с возможностью поворота вокруг горизонтальной оси керамическую оболочку, кристаллизатор, расположенный в оболочке и имеющий внутри затравкодержатель и установленный напротив него подпитывающий тигель, снабженный в верхней части перфорированной крышкой, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности и уменьшения расхода сырья, нижняя часть подпитывающего тигля выполнена с отверстиями и расположена на расстоянии B от горизонтальной оси кристаллизатора, выбираемом из следующего соотношения: