Патенты с меткой «выращивания»

Номер патента: 1801403

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Белоконь, Никитчин, Рябота, Щербань

МПК: A01B 79/00, A01C 7/00

Метки: выращивания, гибридных, подсолнечника, семян

...и удобрения 6 в раздельные семенные 7 и туковые 8 лунки, которые располагают в шахматном порядке, Туковые лунки 8 располагают на расстоянии 5-6 см с обеих сторон от семенных лунок 7 и по уровню глубже их на 3-5 см,В продольной плоскости обе туковые лунки 8 равномерно смещены относительно семенной 7, Это дает возможность более компактно распределить в них стартовую дозу удобрений,6,Посев семян отцовской формы 5 по предварительно нарезанным гребневым поверхностям осуществляют комбинированной луночной сеялкой, снабженной семенными и туковыми сошниками, которые на приводных валах располагают в шахмат, ном порядке.Рациональное распределение семян отцовской формы 5 и удобрений 6 в гребни 4 позволяет полностью исключить затенен- ность растений...

Номер патента: 1801991

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Курлов, Петьков, Редькин

МПК: C30B 15/00, C30B 15/34, C30B 29/32 ...

Метки: выращивания, гадолиния, кристаллов, молибдата, ориентации

...скоростью 20-50 об/мин до достижения толщины кристалла более 15 мм, при вытягивании кристалл вращают со скоростью 90-110 об/мин. Получают кристаллы длиной до 60 мм, шириной 32 мм, толщиной 25 мм хорошего качества, 2 табл. ращивании составляла 40 об/мин. При этом толщина кристалла 25 мм, После разращивания скорость вращения увеличили до 100 об/мин - толщина кристалла осталась прежней. Длина участка разращивания составила 15 мм, Было выращено 12 кристаллов молибдата гадолиния 90 ориентации длиной 50 - 60 мм, шириной до 32 мм, толщиной 25 мм хорошего качества, Из каждого кристалла вырезали 6 элементов шириной 10 мм, толщиной 11 мм, длиной 40 мм,В табл,1 приводятся значения толщин выращиваемых кристаллов в зависимости От толщины кристалла...

Номер патента: 1802677

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Кирдода, Кузнецов, Кулик, Лукьянов, Ткаченко

МПК: A01G 1/04

Метки: выращивания, грибов, комплекс, приготовлению, субстрата

...образом:Согласно рецептуре компонентов суб 5 страта, например. солома, конский навоз,птичий помет и другие органические отходыподаются транспортером на соломорезку 1,в которой измельчаются и поступают в переносную емкость 2, потом электропогруэ 10 чиком 3 емкость 2 устанавливается натоварные весы 4, измельченная масса взвешивается для учета и при помощи электропогрузчика 3 емкость 2 с измельченноймассой компонентов субстрата устанавли 15 вается на опрокидыватель 5, при помощикоторого из емкости 2 измельченная массапоступает в бункер склиэа 6 (шнека) и далеев емкость 7 или 8 или 9 или 10 через люк 11,имеющий гидрозатворную герметизацию,20 Указанные емкости размещены в подвальном помещении, Для обеспечения длительного хранения...

Номер патента: 1804287

Опубликовано: 23.03.1993

Автор: Давыдов

МПК: A01G 9/02

Метки: выращивания, растений

...ей оказывает сопротивление кольцо 3, Деформация от силы В вызовет прогиб стенки подстаканника 10, не влияя на стаканчик 1,Подстаканник 1 снабжается дренажными отверстиями 11, в том случае когда устройство ставится в лоток с водой, например в случае необходимости оставить рассаду томата на длительное время без присмотра, В противном случае подстаканник 1 изготовляют без отверстий 11,Стаканчик 1 со временем изнашивается. Стенки его прорываются корнями растений. Случайные повреждения наносятся при извлечении стаканчика из почвы осенью. Подстаканников 10 у садовода-овощевода окажется больше, чем стаканчиков 1, В этом случае владелец садово-огородно1804287 Составитель А.Давыдоведактор М.Кузнецова Техред М,Моргентал Корректор С.Пек аказ...

Номер патента: 1804295

Опубликовано: 23.03.1993

Автор: Халилуллин

МПК: A01K 61/00

Метки: водных, выращивания, других, организмов, рыб

...цилиндрической перегородки устанавливается легкосъемный кольцевой водораспределительный лоток (12) с перфорированным дном, необходимый для равномерного распределения воды по загрузке фильтра, Легкосъемность лотка обусловлена тем, что он ни к чему не крепится, а только ложится на радиальные штанги. Механический фильтр (3) имеет трубопровод подачи промывающей смеси (13) и сброса осадка (14), Блок термоподготовки воды (4) имеетсистему нагрева и охлаждения воды до оптимальных значений, термодатчики,Установка работает следующим образом,Подача свежей воды, необходимой для заполнения замкнутой системы или на восполнение потерь (испарение, промывка механического фильтра) осуществляется через трубопровод (15). После заполнения установки водой...

Номер патента: 1805845

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Иващенко, Макаревич, Тулаев

МПК: A01K 61/00

Метки: водоснабжения, выращивания, замкнутого, рыбы, системе

...10 - 12 мг/л, что обеспечивает высокую жизнеспособность рыб и хорошую поедаемость корма; товарный вес рыбы достигается за 3,5 - 4 мес, где кормовой коэффициент не превышает 2,5 кг на 1 кг привеса; снижаются эксплуатационные расходы. Себестоимость рыбы не превышает 1,7 руб/кг.Примеры конкретного выполнения представлены в таблице, где видно, чтов начальный период содержания рыб качество воды обеспечивалось за счет подачи оэоно-воздушной смеси при концентрации озона 5 мг/л и продолжительности контакта с водой 30 мин. С увеличением срока выращивания рыбы качество воды в бассейнах поддерживалось эа счет увеличения времени контакта. Однако уже в октябре, с увеличением плотности посадки (за счет ее роста) озоно-воздушная смесь при...

Номер патента: 1806548

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Мухин, Мухина

МПК: A01G 1/00

Метки: выращивания, культур, плодовых, саженцев

...удаляли дикуюпоросль, обеспечивая оптимальные условияроста для привитых растений, При отрастании окулянтов на 60 см их опрыскиваютхлор-халин-хлордом (ТУР) в дозе 0,6. Через 2 недели опрыскивание повторяли, Весной на третий год однолетки срезали накрону на высоте 80 см от поверхности почвы. Поросль подвоя, отрастающую нижеповерхности почвы, срезают над поверхностью, а при новом ее отрастании окучивают,для получения к осени 2-3 укоренн ых вертикальных отводков подвоя. На протяжениивсех лет ухода за саженцами не допускалироста сорных растений, До высоты 50 см у.саженцев путем ошмыгивания удаляли всебоковые разветвления - формировалиштамб.В целях недопущения полеглни саженцев под тяжестью урожая в июне связываливершины четырех саженцев...

Номер патента: 1806559

Опубликовано: 07.04.1993

Автор: Курилов

МПК: A01G 31/02

Метки: выращивания, растений

...благоприятно сказывается на ускорении их роста в условиях высокой освещенности и хорошей аэрации, обусловленной наличием аэрационных отверстий в лотках и тем, что не происходит подтопления корневой массы раствором, а раствор свободно проходит сверху вниз. Не требуется и мощной насосной установки,Существенным является, наличие вращающейся от централизованного привода консоли с трубопроводом, позволяющей производить в автоматическом режиме основные технологические операции в установке: корневую, внекорневую подкормку растений, распылять жидкость в виде "тумана", производить подсветку растений.Важным и новым является наличие каркаса с внутренним герметичным пространством, используемым в качестве воздуховода для подогрева восходящим потоком...

Номер патента: 1807101

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Гриднев, Ростовцев, Рудницкий, Сидоров, Стукалов

МПК: C30B 11/02, C30B 29/52

Метки: выращивания, магнитных, монокристаллов, сплавов

...на боковой поверхности формы не происходит. П р и м е р, Выплавляют сплавыНДК 35 Т 5, ЮНДК 40 Т 8 по ГОСТ исходные поликристаллдиаметром 24 мм. Загото180 101 Таблица 1Зависимость качества кристаллов и производительности технологического процесса и кратности использования огнеупорных форм от условий изготовления (выращивание на установке"Кристалл ЕМ", диаметр кристалла 24 мм) Кратность использования огне- упорных Количество Темпера- Скорость турный гра- выращива Магнитная Производи"паразитэнергия,кДж/м тельность тех, процесса выращивания моно ния,мм/минных" кристалловв верхней части отливки, шт диент град/ммсвойствам защигцают и помещакп в кер мические формы и окиси алюминия, собранные формы усганавливлют в тепловой узел...

Номер патента: 1658668

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Адонкин, Данько, Калашников, Катрич, Качала, Мирошников

МПК: C30B 11/00, C30B 13/00, C30B 15/00 ...

Метки: выращивания, монокристаллов, оксидов, тугоплавких

...паров воды (более 3:10 мг нэ 1 дм) приводит к увеличению расхода вольфрама и молибдена и загрязнению кристаллаэ этими примесями.Аналогично связывается кислород, десорбирооэнный с поверхности.экраноо и нагревателя, Дальнейшее пооьииение температуры не приводит к каким-либо процессам, способным вызвать мзссоперенос молибдена и оольфрэма в зону нагреоа.В процессе плавления оксида алюминия и его кристаллизации при указанных выше давлениях сколько-нибудь заметной реакции между расппэоом и компонентами газовой середы не установлено. Таким образом, проведение кристаллизации о защитной восстановительной а 1 мосфере/ состоящей иэ Лг, И 2 и СО, в отличие от вакуума ипи атмосферы инертного гзэз (зргона) полностью ликвидирует процесс...

Номер патента: 1808239

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Афанаскина, Игнатенко, Калевич, Рудаковская, Рупасова, Русаленко, Сидорович

МПК: A01C 21/00

Метки: выращивания, клюквы, крупноплодной, культуры, промышленной

...азота целесообразно производить за счет внесения двух видов удобрений - аммиачной или кальциевой селитры и сернокислого аммония, В качестве микроудобрений рекомендуем использовать сернокислые.соли железа, марганца, цинка, меди и борную кислоту. Микроудобрения можно предварительно смешать с одним из негигроскопичных видов макроудобрений (азотным или калийным) либо вносить в виде водного раствора. подкисленного до рН 3-3,5 серной или соляной кислотой, равномерно распределяя по поверхности почвы обычными опрыскивателями с последующей заделой.Приблизительно через месяц после за- правки субстрата, во второй декаде мая производят посадку клюквы черенками длиной 12 - 15 см по два черенка в одно гнездо из расчета 25 гнезд на 1 м . Дальнейший...

Номер патента: 1808254

Опубликовано: 15.04.1993

Автор: Попов

МПК: A01G 1/00

Метки: выращивания, кустарников, террасах, ягодных

...Использование: впри выращивании селкультур на террасах. о.ьЫ а 1 808254 А 1 БРЕТЕ Н ИЯ" 2ния: при выращивании облепихи на террасах после посадки саженца его корневую систему формируют вдоль вертикальной стенки. Для этого почву по обе стороны от куста перекапывают на глубину до 30 см вдоль вертикальной стенки, После появления корневых отводков последние выращивают без отделения от материнского растения. При достижении ими высоты вертикальной стенки надземную часть укореняют в вертикальной стенке аналогично материнскому растению. личество., дождавшись их роста на у вертикальной стенки террасы, укор ствол саженца в стенку террасы.В результате освобождается осн полотно террасы под другие культурыТаким образом, производит уплат...

Номер патента: 1808255

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Богомаз, Бухало, Володина, Дудка, Качуровская, Коваленко, Митропольская, Соломко, Чуйко

МПК: A01G 1/04

Метки: выращивания, грибов, макроскопических, питательная, соматических, среда, структур

...согласно вышеуказанной методике.П р и м е р 4, 1,1 г аэросила добавили к 301 л приготовленной питательной среды (рецептура 5), взболтали и внесли мицелий вешенки обыкновенной, Результаты опытаобработаны и представлены в таблице 2,Несмотря на увеличение количества 35.вводимого аэросипа выход мицелия не увеличился существенно.П р и м е р 5, К 1 л питательной среды,приготовленной по рецептуре 6(с повышенным содержанием глюкозы), добавили 1,1 г 40аэросипа, затем инокулировали мицелиемгриба вешенки обыкновенной, Контрольпроведен на 3-е и 5-е сутки. Рост мицелияпоказан в табл, 2,П р и м е р б. 20,0 г кукурузного экстракта, 25,0 г глюкозы и сопевые добавки (см.рецептуру 7) растворили в 1 л дистиллированной воды, добавили 0,9 г...

Номер патента: 1809749

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Еременко, Пономарев

МПК: A01K 61/00

Метки: выращивания, гидробионтов, морских

...Ч, Снимается вспомогательный25 трос 14 и отпускается якорный трос 8.В результате этого устройство всплывает до взаимодействия рамы 1 со стопорнымприспособлением 11 и занимает рабочуюглубину на время выращивания продукта.30 При этом контрольный буйок 12 находится на поверхности.Работа с устройством при сборе урожая.Фаза Ч, Плавсредство подходит к контрольному буйку 12 и оператор вытягивает из35 воды технологическую петлю 13, затем крепит к ней конец вспомогательного троса 14,За вспомогательный трос 14 операторвытягивает из воды . стопорное приспособление 11 и снимает его с якорного троса40 8. Все устройство при этом погружается.Фаза Ч. Отпускается технологическийтрос 14, от чего, за счет плавучести рамы 1,происходит всплытие на...

Номер патента: 1143128

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Даниленко, Заславский, Колоколова

МПК: C30B 15/00

Метки: выращивания, монокристаллов, расплава

...покрытие выполнеове фторопластэ толщиной, - 0,005 толщины стенки камеры. мещенныи женный с щий. тепло установлен чем на внут поверхност крытие, о т целью увел и повышен нокристалл но на осн равной 0,6 центральный штуцер в крышке 3 в обьем камеры введен вращающийся водохлаждаемый шток 7 затравкодержателя. Охлаждающая вода циркулирует между внутренними стальными обечайками 8 полукорпусов 1 и 2 и рубашками 9, а в крышке 3- между нижней плитой 10 и рубашкой 11, Подача охлаждающей воды и вывод ее осуществляется через патрубхи 12 Фторопластовое защитное покрытие 13 нанесено на рабочие поверхности обечаек 8, крышки 3 и на наружную поверхность штока 7.Устройство работает следующим образом. В тигель 4 загружается исходное сырье (йодистый...

Номер патента: 820277

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Апилат, Ефременко, Заславский

МПК: C30B 15/20

Метки: выращивания, кристаллов, расплава

...размера смотрового окна.2. Устройство по и. 1, о т л и ч а ю щ е ес я тем, что уплотняющие прокладки выпол-.нены из антифрикцион ного материала.Это устройство имеет сложную конструкцию, трудоемко в изготовлении и малопригодно для наблюдения при выращивании кристаллов из расплавов, содержащих летучие компоненты. Во время наблюдения оператор периодически (через 10-30 мин) осматривает всю,поверхность растущего кристалла, Практически одно наблюдение длится в течение одного оборота кристалла 1-5 мин.При выращивании сцинтилляционныхкристаллов, активированных таллием; этого .времени достаточно, чтобы одно из стекол потеряло прозрачность из-за осаждения конденсата. Устройство наблюдения долж. но иметь большое количество стекол, чтобы...

Номер патента: 1700954

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Бондаренко, Бондарь, Бурачас, Загвоздкин, Кривошеин, Пирогов, Тиман

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Метки: висмута, выращивания, германата, монокристаллов

...при этом увеличивается, и кристалл начинает подплавляться. Поэтоиу в этом случае для сохранения прежнего поперечного сечения необходимо понизить температуру расплава эа счет уменьшения мощности нагревателя с помощью ЛСУТП. При этом происходит быстрая кристаллизация в центре фронта кристаллизации внизу кристалла. В результате в течение некоторого времеви в расплаве формируется нижний конус кристалла, содержащий большое количество дефектов 1 пузырей и включений). Такая дефектная структура имеет значительномевьиую теплопроводность, так как поглощает н рассеивает излучение, цдущее от расплава, что уменьшает передачу, тепла от расплава к кристаллу,Вследствие этого при отделении кристалла (со сформированным таким образом нижним...

Номер патента: 176565

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Захарин, Коновалов, Костенко, Куцикович, Мохир, Эйдельман

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: активированного, выращивания, йодистого, монокристаллов, натрия, спектрометрических, таллием

...или в гтредварительно вакуумированных ампулах Однако полученные монокристаллы содержат примеси, влияющие на их спектрометрические свойства.По предложенному способу непосредственно перед выращиванием монокристаллов проводят полную дегидратацию сырья в вакууме вплоть до его расплавления. Затем впускают в ампулу сухой воздух для сжигания органических примесей. содержащихся в расплаве, и удаляют летучие продукты химических реакций дополнительным вакуумированием.П р и м е р. Соль йодистого натрия заливают в ампулу с длинной трубкой, выходящей наружу из печи, На конце трубки имеются два патрубк один из которых используется для откачки и впуске воздуха, к 5 Ц 17 б 565 А.1 Пэ С 30 В 11/02, 29/12 другому с помощью гибкого вакуумного...

Номер патента: 1704311

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Бумагина, Ветчинникова, Ермаков

МПК: A01G 23/00

Метки: березы, выращивания, декоративной, древесины, растений, текстурой

...липкая лента, кроме того, закрывает сверху зазоры, герметизируя 25 их.После пересадки коры уже через двое-трое суток можно обнаружить в зазорах появление калйуса со стороны растения-реципиента. Бурное Формиро"; ванне каллуса является одним из пер" вых показателей "нормального" хода процесса срастания компонентов, так как он оказывает стимулирующее влияние на каллусообразование на внутренней поверхности донорской норы и прилегающей к ней поверхности ствола растения-реципиента. 8 процессе роста дерева под пересаженным участком кдры донора - карельской березы формируется богатая по текстуре древе 40 сины карельской березы, органично связанная с окружающей ее обычной древесиной растения-реципиента.П р и м е р . В качестве реци"...

Номер патента: 1810401

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Бондаренко, Бондарь, Бурачас, Загвоздкин, Кривошеин, Мартынов, Пирогов

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Метки: висмута, выращивания, германата, монокристаллов

...части, а во втором случае наоборот. Например, для германата висмута в одном из опьтов температура стенок тигля в первом случае снижается с 1146 до 1024 С в течение - 60 с., а во втором случае с 1148 до 972"С в течение того же времени.Таким образом, в результате снижения подводимой к индуктору высокочастотной мощности в 1,5-2,5 раза в течение 2 - 10 с (непосредственно сразу после отделения кристалла от расплава увеличением скорости вытягивания) кристалл не растрескивается и у него отсутствует дефектный нижний конус. При этом доля годного качественного кристаллического материала близка к 100, (т,е. увеличивается по сравнению с прототипом на 5 - 10 ), отсутствуетдеформация тигля. производительность ростовых установок увеличивается на "...

Номер патента: 1811357

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Кальман, Кереши, Мараи, Филатов

МПК: A01C 1/00

Метки: выращивания, левзеи, сафлоровидной

...отмечалось в фазу бутонизации - начала цве1811357 Оптимальное содержание действующих веществ в разных органах левэеи сафлоровидной Название действующих веществ Оптимальная фаза максимального соСодержание действующих веществ,на абсолютйо сухое ве- щество Органы растения держания действуюих веществ Эгдистероиды Флавоноиды Полиацетатыпобег корни побег корни корни бутонизация - до начала цветения цветение - до полной спелости семян после уборки отавы -2-й укос после 1-го или 2-го укосов в фазу бутонизации начала цвете-,ния0,61 - 0,80 0,59 - 0,68 0,63 - 0,71 0,38 - 0,59 0,18-0,25 Флюоресцентирующие вещества 0,42 - 0.51 корни тени, флавоноидов - в фазу цветения и полной спелости семян, полиацетатов - после второго укоса надземной массы,...

Номер патента: 1811361

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Зиборов, Михайлов

МПК: A01G 9/14, A01G 9/24

Метки: выращивания, растений, теплица

...изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул,Гагарина,.101 Изобретение относится к сельскому хозяйству, а именно к строительству и оборудованию теплиц и парников.Целью изобретения является упрощение конструкции, снижение себестоимости и расширение функциональных возможностей теплицы.На чертеже схематично представлен общий вид теплицы в разрезе,Теплица состоит из каркаса 1 со свето- прозрачным, например, пленочным покрытием 2, перекрывающим электрообогреваемое основание, состоящее из плотно прижимающих друг к другу формованных из обезвоженного навоза брикетов 3, на нижнюю грань которых нанесен (при формовке брикетов) электропроводящий слой 4...

Номер патента: 1811766

Опубликовано: 30.04.1993

Автор: Мильченко

МПК: A01B 79/02

Метки: выращивания, засушливых, зерновых, культур, районах, яровых

...уничтожения сорняков, не задевая семян, и одновременно получают влагоизолирующий слой, Недружные всходы сорняков снижают эффективность способа. А задержка с этой операцией невозможна. На посевах пропашных культур борьба с сорняками выполняется междурядной обработкой, которая уменьшает значение способа, так как он не предусматривает устранение междурядной обработки.Предлагаемый способ отличается от известного тем, что довсходовое лущение производится на глубину посева семян культуры в период прободания проростками плодовых оболочек семян. При применении предложенного способа созданный мульчирующий слой сохранит почвенную влагу до периода кущения,Проведение довсходового в фазу прободания проростками плодовых оболочек семян. а не сразу...

Номер патента: 904347

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Асланов, Скоробогатов, Стрювер

МПК: C30B 15/12, C30B 29/22

Метки: выращивания, монокристаллов, окислов, основе, сложных

...механизма 10 подачи через трубку 11. В процессе подачи шихты образуется слой гарнисажа 15,удерживающий образовавшийся расплав,Различный перегрев расплава определяет эффективность его очистки. Перегревниже 100 С не дает существенного эффектапо очистке сырья и улучшает качество кристаллов незначительно,Перегрев в сторону более высоких тем 10 ператур, свыше 150 ОС, ограничивается температурой плавления материала тигля.Поэтому можно считать предлагаемый диапазон перегрева расплава оптимальным,П р и м е р. Выращивают монокристалл15 УЗА 5-012:Иб, Общий вес загрузки исходного сырья при этом составляет 4200 г.После получения заданного уровня расплава увеличением мощности йсточника индукционного нагрева уменьшают толщину20 слоя гарнисажа...

Номер патента: 1813325

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Кононученко, Куценко, Мороз, Руденко, Шарапа

МПК: A01B 79/02

Метки: выращивания, картофеля

...высокообьемных гребней,Для осуществления предлагаемого способа выращивания картофеля осенью поподготовленной почве на предшественникудля картофеля высевают сидеральную культуру (например, озимая рожь), Весной, придостижении оптимальной физической спелости почвы и в фазу отрастания вегета- .тивной массы сиде ратов проводятпредпосадочную обработку почвы полосамичерез 35 см фрезерными рабочими органами на глубину 16 - 20 см с одновременнымизмельчением на этих полосах сидератов иперемешиванием их с почвой, Причем обработку почвы проводят перпендикулярно кнаправлению сева сидератов, Такая обработка почвы обеспечивает в дальнейшемблагоприятные условия для распределенияклубней, а также роста и развития растений,повышает урожай...

Номер патента: 1813374

Опубликовано: 07.05.1993

Автор: Фомин

МПК: A01G 31/02

Метки: выращивания, растений

...закреплена на кронштейне 20. На звездочке 24 размещен кривошип 25, связанный со штоком 26 гидроцилиндра 27, размещенного на кронштейне 20, Таким механизмом снабжен каждый нож 19. Этот механизм кроме перемещения ножа по вертикали обеспечивает фиксацию ножа,Устройство работает следующим образом.В сегментные полости 4 нагнетают под давлением жидкую питательную среду, например водный раствор солей, содержащих азот, фосфор, калий и другие необходимые для питания растений элементы в отдельности или в смеси, После наполнения источник питательной среды (не показан) выключают.Жидкая питательная среда, находящаяся в сегментных полостях 4, поступает в поры 7, которые забирают ее нижними основаниями за счет сил поверхностного натяжения и за счет...

Номер патента: 1813782

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Аманов, Аширбаев, Курбанниязов

МПК: A01G 31/02, C12M 3/00

Метки: выращивания, микроводорослей

...15 струйного насоса смесителя 6 и, истекая из нее, создает разрежение в камере 16. Вследствие разрежения из верхней части циклона 7 по трубопроводу 22 тепло- аккумулирующие шары 8 с небольшЪм количеством суспензии попадают в верхнюю часть вертикального теплообменника 5. В летнее время тепловой насос 11 с помощью приспособления 12 переключен такчто теплообменный прибор 13 является испарителем, а теплообменный прибор 1 - соответственно конденсатором, В этом случае происходит охлаждение суспензии в вертикальном теплообменйике 5 и нагрев45 50 лирующими шарами 8 нагревается, шары 8 всплывают и засасываются вместе с нагретой суспензией в струйный насос, где смешиваются с холодной суспензией до оптимальной температуры и подаются в...

Номер патента: 1813816

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Кашевич, Михневич, Цыбин, Шуть

МПК: C30B 29/54, C30B 7/08

Метки: выращивания, монокристаллов, раствора, сегнетоэлектриков

...в пределах впемени раста даменай кристалла,Заявляемым способам можно также выращивать кристаллы с необходимыми параметрами чз кристаллизуемой жидкости с прилес,о, концентрация которой ниже, чем концеТрация примеси в известном способе, так как ее неоднородное распределение создает такую же униполярнасть о кристалле, как о случае однородного распределения, но с большей концентрацией примеси. Ниже приоедены кОРкратные примерыОсуществления заявляемого спОсаба. 10 15 20 25 П р и м е р 1. Проводилось выращивание кристаллов триглицинсульфата (ТГС) из раствора с примесьО 1: а-аланина в качестве добавки для стабилизации спонтанной направленной поляризации данного кристалла. Готовили насыщенный раствор ТГС с примесьо 1=а-алаР 1 ина,...

Номер патента: 1813819

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Арендаренко, Барышев, Буравцев, Иванов, Лобызов

МПК: C30B 25/14

Метки: выращивания, полупроводниковых, слоев, эпитаксиальных

...В крышке 10 реакционной камеры 2 выполнено центральное отверстие 11, и она установлена с зазором 12 к колпаку 1, при этом зазор 12 соединен со средством сброса 13. Вокруг реакционной камеры 2 размещен нагреватель 14.Устройство работает следующим образом. изводят загрузку подлож арсенида галлия, на вн ость граней подложкодерют реакционную камеру 21. Продувают реакционную камеру 2 инертным газом и водородом, После этого нагревают подложки 4 нагревателем 14 и подают газовую сглесь и водород через трубки 6 и б и кольцевой коллектор 7.В предлагаемом устройстве перфорированная перегородка обеспечивает равномерность поля скоростей не по всему сечению реактора, а лищь непосредственно над перегородкой, между коаксиальным вводом газа и внутренней...

Номер патента: 1817672

Опубликовано: 23.05.1993

Автор: Криворучко

МПК: A01G 9/00

Метки: выращивания, растений

...закрепляют на стенок освободившихся емкостей 5. Расшиконцевых скобах, Свисая со скоб 3 до осно- рившиеся блоки-емкости с рядами растенийвания контейнера-грядки 1, полимерная досыпают недостающим питательным субпленка 4 образуетв форме параллелепипе- стратом с оптимальными физико-химичеда открытыесверхуемкости 5, Эти емкости 10 скими свойствами, применительно к фазезаполняютсубстратом 6, имеющим опти- . развития растений. При прореживании содмальныедля укоренения черенков или про- .ной стороны ряда корнеобитаемое про .растанияя семян физико-химические странство увеличивается вдвое, а присвойства. Проемы между стенкамй двух со- прореживании с двух сторон - втрое, то естьседних контейнеров-грядок являются до...