Патенты с меткой «выращивания»

Страница 55

Способ выращивания растений

Загрузка...

Номер патента: 1563619

Опубликовано: 15.05.1990

Авторы: Заименко, Миронов, Русин, Тарусина

МПК: A01C 21/00

Метки: выращивания, растений

...исследований о влиянии применения полиметилсилоксанов в предлагаемых пределах и выходящих за граничные пределы представлены в табл,3-6. Анализ данных табл.3 показывает, что предлагаемое двухэтапное внесение полиметнлсилоксанов является оптимальным, так как одноэтапное внесение дает илИ прибавку урожая, или снижение содержания количества нитратов в зависимости от сроков внесения препарата. Двухэтапное внесение полиме:тилсилоксанов увеличивает урожайность и улучшает качество растительной продукции за счет снижения накоплениянитратов, Т этап необходим для всхожести семян и роста корневой системы;ТТ этап - для сбалансированного питания растений и повышения активностинитратредуктазы. Внесение полиметилсилоксанов в ТТТ этапа...

Способ выращивания плодовых культур

Загрузка...

Номер патента: 1563630

Опубликовано: 15.05.1990

Автор: Серегин

МПК: A01G 1/00

Метки: выращивания, культур, плодовых

...повышение морозостойкости, ускорение вступленияв пору плодоношения и унификация вподборе подвойных компонентов при Изобретение относится к сельскомухозяйству, а именно к плодоводству,и может быть использовано при закладке интенсивных скороплодных насаждений яблони и груши, а также для ускорения селекционного процесса при выведении новых сортов этих пород,Цель изобретения - придание деревьям слаборослости, повышение морозостойкости, ускорение вступления впору плодоношения и унификация вподборе подвойных компонентов при выращивании деревьев груши и яблони,П р и м е р. На 100 однородныхсеянцах дикой груши прививали черенком слаборослый подвой яблони Быстрецовской. На следующий год однолетниепобеги его использовали как вставкудлиной 18-20...

Способ выращивания тепличных растений

Загрузка...

Номер патента: 1563639

Опубликовано: 15.05.1990

Авторы: Кармадонов, Мартыненко

МПК: A01G 31/00

Метки: выращивания, растений, тепличных

...их тургор начал уменьшаться, причем корневые подкормки в этом случае не влияли на1563639 Продуктив- Примечание ность 1 кг/м Характер восстановления тургора, 3 от исходного Состав раствора Способ внесения бее допол- с дополнительного нительоблучения иым облученнем Вода 38,5+0,5 Отмирание листь ев нижнего яруса 38 3+0,7 41,5+0,7 0 040 100 Вода Отмирание листьев нижнего ярусаВсе листья сохранились ЮаС 1 О50 39,810,9 Отмирание листьев нижнего яруса 38,210,5 10 10 Отмирание листьев 2-х нижних ярусовОтмирание листьев2-х нл,них яру- сов 10 Питательный растворАлиева 38,4+0,7 ние) включали дисковый распылительДля опрь 1 скивания листьев растений и Дополнительные облучатели, доводя суммарную облученность растений до 150-200 Вт/мРезультаты опыта...

Способ выращивания дрожжей

Загрузка...

Номер патента: 1564189

Опубликовано: 15.05.1990

Авторы: Андреев, Белый, Караченцева, Кислая, Маринченко, Якунов

МПК: C12N 13/00

Метки: выращивания, дрожжей

...дрожжи подвергаютобработке сверхвысокочастотными волнами миллиметрового диапазона приразной длине волны в течение 10 мин изадают в питательную среду для пригртовления производственных дрожжей.Установлено, что максимальное количество дрожжевых клеток в производственных дрожжах накапливалось приобработке СВЧ волнами с частотой 2041,75 ГГц (табл.1).Смещение частоты до 41,74 или41,77 ГГц при обработке засевных дрожжей не стимулирует их рост, но и неугнетает. Их накапливается на уровне контроля. Опыты проводят .не менее20-кратной повторности.П р и м е р 2. Выращивание дрожжей проводят по примеру 1Для уста,новления оптимального времени обработки засевные дрожжи обрабатывают,СВЧ-волнами при частоте 41,75 ГГцв течение 0,5-50...

Устройство для выращивания личинок златоглазки обыкновенной

Загрузка...

Номер патента: 1565443

Опубликовано: 23.05.1990

Авторы: Дану, Карелин, Яковчук

МПК: A01K 67/00

Метки: выращивания, златоглазки, личинок, обыкновенной

...для этого крьшкой в садке дляразведения насекомых, переносят в,устройство для выращивания личинок.Пластину 3 с отложенными на ней яйцами скрепляют с пластиной 1 с помощьюкаркаса 4 с зажимами 5. Пластина 1выполнена в виде решетки из полоствердого материала, например иэ алюминия40Ширина полос (высота решетки)7-10 мм, а толщина 0,5-1 мм, Эта толщина позволяет распределять стебельчатые яйца златоглазки по ячейкам(по 2-3 н каждую) при наложении пластины 1. С помощью каркаса 4 и зажимов5 пластина 3 с мягкой поверхностьюплотно прижимается в местах соприкосновения ее с ячеистой перфорированнойпластиной 1, что гарантирует надеж.ную изоляцию ячеек и исключает миграцию отродившихся личинок, С другойстороны пластины 1 изоляция ячеекобеспечивается...

Аппарат для выращивания железобактерий

Загрузка...

Номер патента: 1565880

Опубликовано: 23.05.1990

Автор: Бобейко

МПК: C12M 1/00

Метки: аппарат, выращивания, железобактерий

...14 для подвода в цее водоро"да. Аппарат обеспечивает культивирование железобактерий при сниженныхэнергозатратах, а также, являетсяисточником электроэнергии, получаемой за счет преобразования, водородаи биохимических реакций бактерий,1 ил. секцию 8 через патрубок 14 подаютводород, а в секцию 7 - углекислыйгаз в смеси с воздухом или чистымкислородом,Водород в секции 8 адсорбируетсяна аноде 10 и вступает в электрохиемическую реакцию Н - у 2 Н , В секции 7 в результате жизнедеятельностижелезобактерий происходит образованиеионов железа Ре э. Образовавшиеся всекции 8 свободные электроны по электропроводам 15 поступают в секциюгде также происходит электрохимичес 13" гкая реакция Ре + е - РеПолученные таким образом ионы жег+леза Ре...

Аппарат для выращивания микроорганизмов

Загрузка...

Номер патента: 1565881

Опубликовано: 23.05.1990

Авторы: Белков, Борисов, Гусляков, Карлаш, Кузнецов, Лобода

МПК: C12M 1/02

Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов

...выброшенной из кольцевого сопла соседней турбины 9, и направляется далее вдоль стенки емкости 1, а.частично всасывается одной из горловин соседней турбины 9, Свежая питательная смесь, содержащая субстрат, 20питательные соли и микроэлементы врастворе воды, подается непрерывночерез патрубок 22 в центральнуюсекцию (Х 111), в первую секцию 8,зоны 6 выращивания, где всасывается 25нижней горловиной турбины 9. Таккак в зоне 6 выращивания в восьмисекциях стенки диффузоров 10, а вдевятой последней секции стенкистаканов 11 подняты значительно вышерабочего уровня культуральной жидкости в аппарате, то верхние горловины турбин 9 во всех секциях отделены по жидкости от их нижних горловин.Производительность каждой турбины 9по жидкости составляет...

Установка для выращивания микроорганизмов

Загрузка...

Номер патента: 1567622

Опубликовано: 30.05.1990

Авторы: Голубкович, Туков

МПК: C12M 1/00

Метки: выращивания, микроорганизмов

...осуществляю 1 культивирование,Включают подачу воздуха, лторыйпо патрубку 11 подается в барботар 10.Внутри Ферментера 1 образуется пена,которая вместе с воздухом переходитпо трубе 6 в камеру 3 на слой химического пеногасителя сверху. При попадании пены на слой химического пеногасителя происходит разрушение пены,воздух выхонит в атмосферу, а суспензия микроорганизмов, образовавшаясяиз пены, начинает заголнять камеру 3,при этом слой пеногасителя остаетсясверху, так как его удельный вес меньше удельного веса суспензии, В камерепроисходит аэрирование, поэтому пеногаситель во время работы установкирасполагается тонким слоем на поверхности культуральной жидкости, В период пуска установки, а тэкж при проведении периодических процессов...

Аппарат для выращивания фотосинтезирующих микроорганизмов

Загрузка...

Номер патента: 1570678

Опубликовано: 15.06.1990

Авторы: Воротников, Жаворонков, Зыков, Казенин, Махоткина

МПК: A01G 33/00

Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов, фотосинтезирующих

...суспензии за счет увеличениячисла Рейцальдса в перемениваемойжидкости, 2 ил .1571678К данном Яппа 1 а тетакм Обр;3 з(и устройство для перемешиванпя среды включает собственно лопастную е;,- ку 5 и источники света 4, пыполняощие роль отбойных перегородок наряду со своей основной функцией - освещением культуры фотосинтеэируюцих микроорганизмов.Так как источники света 4, выполняющие роль отбойных перегородок,создают вокруг себя зоны с повышенной степенью турбулентности среды,характеризующиеся увеличением числаРейнольдса, то освещенность клеток вцелом улучшается, поскольку условияперемешивания среды обеспечивают высокую кратность обновления освещенного слоя суспензии, что необходимодля дискретного характера...

Питательная среда для выращивания гриба oospora lастis источника белково-витаминной биомассы

Загрузка...

Номер патента: 1573024

Опубликовано: 23.06.1990

Авторы: Давранов, Демиденко, Сабиров, Табак, Щелокова

МПК: C12N 1/14

Метки: lастis, oospora, белково-витаминной, биомассы, выращивания, гриба, источника, питательная, среда

...гриба Ооярога 1 асгдя.55 Динамика накопления биомассы штаммом гриба Ооярога 1 асс 1 я УзЛМприкультивировании на предлагаемой питательной среде в разных условиях культивирования представлена в табл. 2.Из табл. 2 видно, что оптимальнаядлительность культивирования на качалке 18-20 ч, в ферментере 14-16 ч.П р и м е р 1. Для приготовленияпитательной среды используют 67 крахмалосодержащего отхода производствафитина, вода - остальное, рН 5,5-6,0устанавливают 5 н, раствором НС 1. Среду разливают в колбы Эрленмейера объемом 250 мл по 50 мл, закрывают ватно-марлевыми пробками и стерилизуютпри 1 атм в течение 30 мин, Среду засевают 47 односуточного инокулюма.Инокулюм получают путем засева питательной среды, содержащей 57. отхода,суспензией...

Способ управления процессом выращивания sтrертомyсеs griseus штамм 420

Загрузка...

Номер патента: 1573028

Опубликовано: 23.06.1990

Авторы: Агафонов, Лебедев, Сарайкина, Хозяйчиков

МПК: C12Q 3/00

Метки: griseus, sтrертомyсеs, выращивания, процессом, штамм

...О, 1; Ин ХОз 0,7. Объем питательной среды 40 м . Условия культивирования обеспечивались согласнотехнологического регламента и соот ветствовали следующим данным: температура культивирования 27+ 1 С, дав;.пение 0,3-0,4 кгс/см 2, интенсивностьперемешивания 120 об/мин, Н 6,5-6поддерживали раствором аммиака,Культура микроорганизма выращивалась с целью получения антибиотика30гризина (целевой продукт) заданнойактивности. После загрузки в промышленный ферментатор объемом 63 м питательной. среды ее аэрировали минимальным количеством воздуха 800 м/ч изасевали, Объем посевного материала353-6 мз, В ферментатор на верхнем. уровне 1/3 от всей высоты заполненного объема был установлен погружнойдатчик прибора для определения парци 40ального давления...

Устройство для выращивания монокристаллов из раствора расплава

Загрузка...

Номер патента: 1574696

Опубликовано: 30.06.1990

Автор: Абдуллаев

МПК: C30B 9/00

Метки: выращивания, монокристаллов, расплава, раствора

...4 так, что ее вертикальные участки размещены в разных температурных зонах.Устройство работает следующим образом.Смесь безводного Сг, Сз, Сд и Яе, взятые в соотношении 1:2:2, загружают в ампулу 1 через загрузочный патрубок 2. В процессе загрузки в ампулу 1 помещают затравки. Затем ампулу 1 откачивают до 50мм рт. ст, и запаивают загрузочный патрубок 2. Ампулу 1 устанавливают в печи 4 патрубками 2 и 3 вверх. Включают Я 111 5746 ре вано в полупроводниковои промышленности, Обеспечивает управление скоростью потока раствора-расплава. Устройство содержит кварцевую ампулу в виде трубчатой рамы. Верхний горизонтальный участок рамы снабжен загрузочным и подпитывающим пагрубками. Патрубки соединены между собой в месте присоединения к ампуле. Ампула...

Питательный субстрат для выращивания мицелия съедобных грибов

Загрузка...

Номер патента: 1576033

Опубликовано: 07.07.1990

Авторы: Коджоян, Мелик-Хачатрян

МПК: A01G 1/04

Метки: выращивания, грибов, мицелия, питательный, субстрат, съедобных

...пищевой продукт, как зерно злаковых, .полученный посадочный материал более устойчив к поражению микроорганизма, нри его получении значительно снижен процент брака, Предлагаемый способ обеспечивает таьже и хорошую сыпучесть питательной среды содержаей Вулканический шлак а следовательно, и выращенного на ней мицелия, что необходимо для механизированной посадки. Формула изобретения Питательный субстрат для выращивания мицелия съедобных грибов, содер-жащий гипс, мел, няполнитель и источ - ник элементов питания, о т л и ч а - ю щ и й с я тем, что, с целью повы - щения его устойчивости к поражению микрофлорой и исключения пищевого сыркя, он в качестве источника элемен - тов питания содержит хлореллу, а в качестве наполнителя -...

Способ выращивания многополосного разновозрастного защитного лесонасаждения а. я. самарцева и а. б. левшукова

Загрузка...

Номер патента: 1576045

Опубликовано: 07.07.1990

Авторы: Левшуков, Самарцев

МПК: A01G 23/00

Метки: выращивания, защитного, левшукова, лесонасаждения, многополосного, разновозрастного, самарцева

...Т На втором этапе освоения участка земли под трехполосное защитное лесонасаждение при наличии еще действуют щей механической защиты после первого временного интервала создается вторая лесополоса 4 (диг, 2).На третьем этапе освоения участка земли, создается третья лесополоса 5 у границы со стороны объекта и Ьормируется разновозрастное защитное лесонасаждение, Текущее содержание созданного разновозрастного лесонасаждения в несколько раз дешевле, чем содержание известного одновозрастного защитного лесонасаждения (Фиг. 3). На первом этапеосвоения участказемли, при котором одновременно посажены две крайние лесополосы 6, примыкающие к границам участка 2, в кон -це первого временного интервала обекрайние полосы вЬрастут до...

Способ выращивания однополосного разновозрастного защитного лесонасаждения а. я. самарцева и а. б. левшукова

Загрузка...

Номер патента: 1576046

Опубликовано: 07.07.1990

Авторы: Левшуков, Самарцев

МПК: A01G 23/00

Метки: выращивания, защитного, левшукова, лесонасаждения, однополосного, разновозрастного, самарцева

...лесонасаждения с применением временных интервалов приводит егок разновозрастному, что позволяет получить огромный экономический эффект,6 ил емли под защитное лесонас аличии действующей механичбрать на себя часть работы механической защиты (фиг. 1).На фиг. 2 изображен второй этапосвоения участка земли второй частью4 однополосного защитного лесонасаждения, На фиг. 3 изображен третийэтап освоения участка земли третьейчастью 5 у границы со стороны объек.та, когда полностью формируется разнонозрастное однополосное защитноелесонасаждение.,В начале первого этапа (фиг. 4)высаживают дне крайние части 6 будущей разновозрастной лесополосы. Поистечении первого временного интерва-,ла крайние части будущей лесополосыдостигают...

Аппарат для выращивания микроорганизмов

Загрузка...

Номер патента: 1576556

Опубликовано: 07.07.1990

Авторы: Анисимов, Шляховецкий

МПК: C12M 1/04

Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов

...Затем в сопло 8 пер-. вого по ходу технологического процесса устройства 7 подают сжатый газ, который расширяется в сопле 8 и"пре", дбретает большую кинетическую энергию. То же самое в дальнейшем происходит в соплах 8 всех устройств 74каждого из контуров. Циркулирующая жидкость поступает в камеры 18 и,проходя через отверстия 19, поступает в трубы 17, где смешивается с газом за,счет диспергирования, а дальнейшее насыщение жидкости газом про% исходит в камерах 9.смешения, В результате газодинамического взаимодействия между высокоскоростным по-током газа и струйками жидкости происходит раздробление жидкости на капли, диаметр которых составляет 5-60.мк, Гаэожидкостная смесь иэ камеры 9 смешения поступает в гидро- циклоны 10, где...

Способ выращивания семенной люцерны

Загрузка...

Номер патента: 1577714

Опубликовано: 15.07.1990

Авторы: Бабич, Квитко, Олоничева, Поединок, Прокопенко

МПК: A01B 79/02

Метки: выращивания, люцерны, семенной

...и оставляют часть листьев для начала Формирования генеративных органов, Способ предусматривает укорачивание верхушечных побегов на части стеблей. 1 з.п, Ф-лы, 2 ил тодом подкоса оставляли для отрастания. Параллельно с помощью специального рабочего органа или вручную снимали 80-85 Х листьев и укорачивали верхушку основного стебля на 3-5 см. При этом на основном стебле оставляли 15-20% листьев. Растения возобновляли рост в самый ранний период 18 марта, самый поздний 6 апреля, Достигали Фазы бутонизации: самый ранний срок 30 мая, самьп поздний ; 12 июня. Средняя продолжительность периода отрастания до бутонизации 71 день. После подкоса в Фазу бутонизации растения достигали фазы полного цветения, самый ранний срок наступал 2 августа,...

Фотореактор для выращивания микроводорослей

Загрузка...

Номер патента: 1578185

Опубликовано: 15.07.1990

Авторы: Жданов, Синельникова

МПК: A01G 33/00, C12M 1/00

Метки: выращивания, микроводорослей, фотореактор

...4, регулятоо сковости 5 25цотока и гаэообменник б. Источникисвета представляют собой электролюмиНисцентное покрытие расположенное навнешней поверхности светопрозрачныхТруб 2 и состоящее из двух электропро-З 0водящих слоев - внешнего 7 и внутреннего 8, например из БпО или СцБ, между которыми размещен электролюминофор 9, например, из ЕпБИа или ЕпБИпСц.Электролюминесцентное покрытие можетбыть нанесено на поверхность труб частично или полностью, Внешнее элект"ропроводящее покрытие может быть выполнено в виде светоотражающего экрана 10, например, из А 1. 40Фотореактор работает следующим образом.. Светопрозрачные трубы 2 заполняютКультуральной жидкостью с маточнойкультурой микроводорослей и осущестВляют ее циркуляцию в устройстве...

Аппарат для выращивания микроорганизмов

Загрузка...

Номер патента: 1578186

Опубликовано: 15.07.1990

Авторы: Карасев, Корнеев

МПК: C12M 1/02

Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов

...12 перемещения,. выполненные в виде колец 13 и 14,укрепленных на внешней и внутреннейповерхности стенок обечаек 8.45Аппарат для выращивания микроорганизмов работает следующим образом.В емкость 1 загружается питательная среда до минимального уровня,При этом на том же уровне находитсяи верхний торец обечаек 10, связанных с тягами 11 и 12. В процессеКультивирования после посева в барботер 6 подается аэрирующий воздух,который барботируется через слойжидкости, заполняющей емкость 1,55Пузырьки воздуха заполняют всепространство жидкости с наружной стороны обечаек 8, а внутри них жидкость не содержит практически газовых включений. В результате резкости плотностей газожидкостной смеси и жидкости возникает движение среды в емкости 1. При...

Питательная среда для выращивания дрожжей

Загрузка...

Номер патента: 1578188

Опубликовано: 15.07.1990

Авторы: Василенко, Винаров, Волох, Григорьев, Захарычев, Казанцев, Котишов, Максимова, Скворцов

МПК: C12N 1/16, C12N 1/26

Метки: выращивания, дрожжей, питательная, среда

...в табл.3.Общий объем питательной среды составил 1 л.Приготовленную питательную среду разливали в качалочные колбы по 1 00 мл, в каждую колбу вносили посевной материал в виде дрожжей СаптЫа ша 1 Тоза ВСБи выращивали на ротационной качалке в течение 28 ч при 32-34 С, рН среды 5,5.Концентрация биомассы составила 5,56 г/л, т.е. выход биомассы составил 72,207. В контрольном опыте, т.ебез добавки стимуляторов, концентрация биомассы составила 4,43 г/л; выход биомассы составил 57,537 В опытах с добавкой лишь 0,01 г/л корич- невого сока концентрация биомассы составила 5,00 г/л, выход биомассы составил 64,547. В опытах с добавкой лишь 0,005 г/л фосфолипидов концентрация биомассы составила 4,50 г/л, выход биомассы составил 58,447.П р и...

Способ выращивания клеток печени

Загрузка...

Номер патента: 1578192

Опубликовано: 15.07.1990

Авторы: Абрамов, Алексеева, Быкорез, Михаловский, Немлий, Осипова

МПК: C12N 5/00

Метки: выращивания, клеток, печени

...качестве матрицы используют углеродный сорбент с объемомсорбционных пор по бензолу 0,5 смз /г,структурированный в виде войлока толщиной 3 мм, но без предварительногопокрытия Коллагеном или полилизином.При этом количество клеток, выявленных в среде для культивирования на 2-е и 3-и сут после нанесения, составляют соответственно 32и 35% от числа нанесенных. Следовательно, данный вариант матрицы, не покрытой коллагеном илиполилизином, непригоден для культивирования гепатоцитов,П р и м е р 4. Условия проведения эксперимента соответствуют примеру 1 за исключением толщины матрицы, составляющей 5 мм и объемом сорбционных пор по бензолу 0,5 см /г. Количество гепатоцитов, не прикрепившихся при92 бпатоцитов составляет 23,5, в последующем также...

Способ выращивания пушных зверей

Загрузка...

Номер патента: 1579489

Опубликовано: 23.07.1990

Авторы: Бернацкий, Вигдорчик, Давыдов, Рапопорт, Солодкая, Суворов, Худякова

МПК: A01K 67/02

Метки: выращивания, зверей, пушных

...содержалось переваримаго протеина 9,9 г, жира 4,6 г, БЭВ 3,0 г,и животные получали в сутки до 15 июня по4 паации корма, с 16 июня па 6 августа по 5и с 6 августа да забоя по 5 и б порций корма,Норкигруппы гормональной обработке не подвергались, животнымруппы 20июня были имплантированы подкожно таблетки из биодиструктируемых полимеров,содержащие 3 мг мелатонина,группе давали 5 мг и В О мг мелатонина, ЖивотнымЧ и И групп один раз в неделю давали скормом соответственно по 3 и б мг тиреаидина. Контрольная И группа норок содержалась на хозяйственном(базовом) рационе ив одной порции (100 ккал) было переваримого протеина 8,6 г, жира 5,3 г и БЭВ 2,9 г присодержании триптафина 79, метионина ицистина 274 и лизина 566 мг на порцию при;оотнашении...

Аппарат для выращивания микроорганизмов

Загрузка...

Номер патента: 1581739

Опубликовано: 30.07.1990

Авторы: Акатов, Битрих, Бородин, Григорьян, Осипов, Пузанков, Шеповалов

МПК: C12M 1/04

Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов

...газа.Аппарат обеспечивает повьппение степени насыщения жидкости газом, что способствует увеличению скорости накопления биомассы микроорганизмов. 3 ил. Аппарат для выращивания микроорганизмов работает следующим образом,Питательную среду подают в патрубок 16 к насосу 5. Перемещенная насосом 5 среда по наружному циркуляционной трубе 4 нагнетается в колонну 1,где равномерно распределяется по всему сечению с помощью раэбрыэгивателя15. Попав на верхнюю тарелку 3 в видесекторов 7, жидкость последовательноперетекает через отверстия 10 в перегородках 9 на нижние уровни контактных тарелок 3 смежных секций 2, спускаясь в зависимости от схемы их расположения до самого низа аппарата повинтовой, либо по ступенчатой траектории до самого низа...

Способ выращивания плодовых культур

Загрузка...

Номер патента: 1583035

Опубликовано: 07.08.1990

Авторы: Андриенко, Васюта, Чиж

МПК: A01G 1/00

Метки: выращивания, культур, плодовых

...10 - 15 деревьев для карликовых, но общая длина ряда в пределах группы должна составлять 12 - 16 м. Сорта-опылители могут размещаться поперек рядов такими же группами, что и основной сорт, чередуясь в необходимых соотношениях, но не реже чем через 45 - 60 м по длине ряда. При необходимости, если сорта очень различаются по габитусу и силе роста, деревьям каждого сорта в группе можно дать соответствующие расстояния, так как прй одинаковых продольных и поперечных междурядьях это не будет усложнять уход за насаждениями. Например, при сочетании сортов Мекинтош и Айдаред на семенном подвое деревьями первого сорта в ряду дают расстояние 4 - 6 м, второго 3 - 4 м при общей длине ряда в пределах группы 2 - 6 м, междурядьях 6 - .7 м.11 ри...

Способ выращивания монокристаллов -нитро метилбензальанилина

Загрузка...

Номер патента: 1583476

Опубликовано: 07.08.1990

Автор: Поезжалов

МПК: C30B 29/54, C30B 7/06

Метки: выращивания, метилбензальанилина, монокристаллов, нитро

...полного растворения и-нитрои -метилбензальанилина в кристаллизатор помещают затравочный кристаллэразмером 5 ф 3 "2 мм (получают предварительно путем выпаривания раствора этого ке состава), Затравку закрепляют на фторопластовой подложке и устанавливают на дно кристаллизатора. 1 О После этого медленно снижают температуру кристаллизатора до тех пор, пока не начнется рост затравочного кристалла, Это видно по образующимся граням. Температура начала роста 38 С 15,о На этом уровне ее поддерживают за . время выращивания с точностью 0,050 С.Отбор растворителя осуществляют следующим образом, Подбирают специальные фторопластовые прокладки между 20 кристаллизатором и крышкой и устанавливают зазор. Величину зазора подбирают...

Способ гидротермального выращивания кристаллов со структурой типа ктр

Загрузка...

Номер патента: 1583477

Опубликовано: 07.08.1990

Авторы: Демьянец, Мельников, Триодина

МПК: C30B 29/14, C30B 7/10

Метки: выращивания, гидротермального, кристаллов, ктр, структурой, типа

...Р, КН РО 4 при 1000 СПРоцесс ведут при соотношениижидкой и твердой Фаз, равном 10:15:1 по объему.4 1583477 Шнхт Концентрация ра створите ие ическая а мас. Стекло КГКА 1 РО Г 5О,КА 1 РО Г 100% 0,7 0,6 КА 1 РО Г (скоростьроста уменьшаетсяна порядок) КА 1 Р 04 Г (100%)кристаллы в видепластин 150 О,РО с талл100%) иэомермы 0 0,8 0 ской 5 КАУРО,Г (100%) КА 1 РОГ размером 0,5 см удлиненно Формы (100%)длиненная форма 0 4 10 100 0,7 У Г (г 0%),о КА 1 РОГ (80%)4 Г (50%) р+ Си (50%) 300 ст 5 5КНГ На дно автоклава объемом 160 см,футерованного медным вкладышем, помещают 40 г шихты, представляющейсобой фториднофосфатное стеклостехиометрического состава (КА 1 РОГ).Вкладыш с шихтом заполняют растворителем КГ концентрацией 5 мас.%с коэффициентом...

Устройство для выращивания профилированных монокристаллов

Загрузка...

Номер патента: 1009117

Опубликовано: 15.08.1990

Авторы: Андреев, Каплун, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, монокристаллов, профилированных

...и тепловой оси тигля 1. Так как каждыйиз них коаксиален этим осям, то температура у любых эквивалентных частейформообразователя, расположенных пообе стороны от осей, одинакова.1Устройство работает следующим образом,В тигель 1 через отверстия в крышке 2 загружают сырье, Устройство помещают в установку для выращиваниякристаллов известной конструкции, Вростовой камере создают контролируемую среду и, повышая температуру,расплавляют сырье. Расплав по капиллярам поднимается в зону кристаллизации. Затем к формообразователямподводят затравку плоской 9 (фиг. 3)или цилиндрической 10 (фиг. 4) формы,.Затравочный кристалл 9, 10 может бытькруглого или прямоугольного сечения,перекрывающего каждый формообразователь хотя бы в одной точке. Затравку 9, 10...

Способ выращивания картофеля

Загрузка...

Номер патента: 1584781

Опубликовано: 15.08.1990

Авторы: Балабанов, Черников

МПК: A01B 79/02, A01G 1/00

Метки: выращивания, картофеля

...на глубину 8 - 9 см, ка - 33,0 см. Затем йн-уширитель 5 длиия окучников 6 так, тную зону от высанями 5-.-16 см. По анавливают на 7 -18 см. В задний держатель 7 секции устанавливают кронштейн-удлинитель 8 длиной 40 см для крепления окучника 9 на глубину 17 - 18 см, Между секциями на цепных подвесках 10 устанавливают зубовые рыхлители 11 так, чтобы в процессе работы зубья не выбороновали маточные клубни 12, а глубина хода зубьев составляла 4 - 6 см. Ширина захвата зубового рыхлителя 70 - 80 см.В процессе перемещения культиватора при работе трехъярусного окучника 4 происходит интенсивное крошение почвы путем разрезания пласта дна борозды толщиной 8 - , 9 см на двух ярусах. Нижний ярус толщиной 3 - 4 см после некоторого подъема (оа 3 - 5 см)...

Способ выращивания овощных корнеплодов на торфянистых почвах

Загрузка...

Номер патента: 1584798

Опубликовано: 15.08.1990

Автор: Иващенко

МПК: A01C 21/00

Метки: выращивания, корнеплодов, овощных, почвах, торфянистых

...вносят в полной дозе от запрограммированной урожайности при соотношении Р;К 1:3. Калийные удобрения вносят вразброс под предпосевную культивацию, а фосфорные - локально при посеве. Изобретение позволяет значительно уменьшить содержание нитратов в корнеплодах без снижения урожайности. 2 табл. улучшается лежкоспособность, снижается опасность заболеваний корнеплодов, При локальном способе внесения удобрения вносились с помощью овощной сеялки на глубину ниже семян на 2-3 см. В остальном агротехника общепринягая для данной культуры и почвенно-климатических условий,По предложенному способу удобрения вносили разово, недробно. Калийные удобрения в виде хлористого калия вносили вразброс с помощью разбрасывателя минеральных удобрений, под...

Устройство для выращивания морских водорослей

Загрузка...

Номер патента: 1584834

Опубликовано: 15.08.1990

Авторы: Кощер, Малыгин

МПК: A01G 33/02, A01K 61/00

Метки: водорослей, выращивания, морских

...от якорей 1, равном величине заглубления устройства в зимний период. Величина заглубления зависит от толщины льда, образующегося в данном районе моря.55Для большей надежности между якорями 1 и грузами 3 крепят цепные участки 10. К грузам 3 подсоединяют участки оттяжек 2 из троса с напланами, состоящими из основной идополнительной секций 8 и 9,К оттяжкам 2 с помощью поводцов5 крепят трос 4 с прикрепленными кнему выростными субстратами 6, концыкоторых соединены с канатом 7.Подбором длины поводцов 5 устанавливают глубину погружения троса4 при нахождении устройства в верхнем положении в летний период.На акватории моря, пригодной длявыращивания водорослей, с помощьюплавучего средства 1 1, оборудованного тяговым приспособлением 12,...