Патенты с меткой «выращивания»

Номер патента: 99498

Опубликовано: 01.01.1954

Автор: Балан

МПК: C12M 1/04

Метки: выращивания, дрожжей, непрерывного

...к его продольной осиустановлен ряд аэрирующих приспособлений 5. Воздух в аэрирующиеприспособления Б поступает от компрессоров по магистральной трубе б,через отводные трубы 7, а подача питательного сусла осуществляется изпитательной трубы 8 через вводы 9.Кинетическая энергия подавае.мого для аэрации воздуха используется для образования аэрогидравлических заслонов, разделяющихаппарат по его длине на отдельныезоны, снабженные рубашками 10для поддержания в этих зонах необходимой температуры,Наличие отдельных зон позволяетвести в одном аппарате технологический процесс выращивания дрожжей при различных режимах в каждой зоне.Аппарат имеет патрубки 11 длявывода отработанного воздуха ввытяжную трубу 12, Вытяжная труба 12 снабжена пеноотбойными...

Номер патента: 100124

Опубликовано: 01.01.1955

Автор: Поздняков

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллизатор, кристаллов, способа, этого

...заканчивается отростком 2, сияружи которого рзсио- ЛОЖЕН ЭЛЕКтрИЧЕСКИй ИЯГрСВатепп. о, иагреваюший раствор в отростк, до температуры, прсвышающс и тс 1 иср- туру раствор в кристяллизаторс. С помощью электроиягреватс;1 я т и терморегулиру 1 оиего устройств (и 1 чертеже ис ио 1 сяз 11 и) достигается и поддерживается иужиая тсмперятура раствора и кристаллизаторс. сс)ез к 1 зыпку 1 с 1)истяллизятор 11 Грс 1 ходит ось б кристллоиосця, которая имеет постояисюс или рсвсрсивиос вр;нцси ис. Кристаллизуемос всцсство вводится в кристаллизатор чсрсз трубку б, проходяпую сквозь крышку.Вводмыс в кристаллизятор чстицы кристаллизусмого вссцсств, п- дая на диище, скатываются ио сго коиичсской повсрхиости вниз и иои- дают в отросток, гдс происходит их...

Номер патента: 100514

Опубликовано: 01.01.1955

Автор: Колосков

МПК: C12M 1/14

Метки: выращивания, грибов, культуры, методом, плесневых, поверхностным, способа

...циркулирует пар, поддерживающий в камере 1 температуру в пределах 130 в 1.Засеваемый материал насыпается на транспортер тонким слоем и, находясь в непрерывном движении, прогревается до заданной температуры и выдерживается в течение времени, необходимого для стерилизации. Из камеры 1 горячий стерилизованный материал питателем 7 непрерывно подается в камеру 2, оборудованную форсунками 8, подающими в камеру под давлением струи мелко распыленной холодной воды для увлажнения до 55 - 60% и охлаждения до 30 стерилизованного материала, находящегося в камере 2 во взвешенном состоянии.Из последнего, ряда форсунок 9 вместе с водой в камеру 2 подается посевная культура гриба.Из камеры 2 увлажненный материал с помощью питателя 10 подается в камеру 3...

Номер патента: 100988

Опубликовано: 01.01.1955

Авторы: Поздняков, Штернберг

МПК: C30B 29/14, C30B 7/00

Метки: выращивания, затравок, кристаллов

...выращивания кристаллов весьма вакен правильный выбор формы, размеров и ориентировки затравок, позволяющий выращивать однородные лишенные дефектов кристаллы, имеющие наряду с этим наиболее удобные размеры и форму, опредсляемые требованиями производства.Для выращивания кристаллов с большим поперечным сечением предлагается использовать стержнеобразную затравку, необходимая ориентировка которой, согласно изобретению, осуществляется путем вырезания ее из тела кристалла параллельно ребру, образованному пересечением быстрорастущих граней.В частности, в случае использования фосфата аммония, кристаллы которого, как уже указывалось, имеют вид призм квадратного сече:н я, сочетающихся по обоим основаниям с четырехугольными пирамидами,...

Номер патента: 101179

Опубликовано: 01.01.1955

Авторы: Поздняков, Штернберг

МПК: C30B 29/56, C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов

...явлений регенерации для получения однородных кристаллов большого размера пред,.1 агается использовать пластинчатую затравку, помещаемую в щелеобразЛ/450364 в Министерстредств связи ные углубления (карманы) плоского кристаллоносца таким образом, чтобы из щели выступала лишь вершина затравочной пластины, образованная пересечением быстрорастущих граней кристалла.Для осу 1 пествленця предлагаемого способа выращивания кристаллов веществ, обладающих резко выраженным односторонним ростом, в частности, кристаллов виннокислого этилецдиамцна, головка кристалла разрезается на пластины рядом плоскостей, параллельных или почти параллельных диагональной плоскости, рассекающей кристалл по длине. Прц этом образуется несколько пластин треугольной...

Номер патента: 101189

Опубликовано: 01.01.1955

Авторы: Поздняков, Штернберг

МПК: C30B 29/56, C30B 7/00

Метки: виннокислого, выращивания, затравок, калия, кристаллов, последних, этих

...образованному пересечением грс 1 и С(00) иииаода с одной 1;.; б:.:с-. - рорастущих граней диэдра.Полученные таким образом затравки при выращивании кристаллов располяга отся на плоском кристал;Оносцс тяк, что оы Грань, Охтядяощая на;большей скоростью роста, была направлена наружу.Сущнос; изобретения поясняется 1 ертежом, изобряжяющ 1 м полю 1 О естественнуо форму кристалла ":инокислого калия.Как показа;и исследования, скорости роста различных граней кристалла виинокислого кал.я сущестгеино различны.ДЛЯ ПООИЗЬОДСТВа ЖЕЛЯТЕЛЬНО иметь кристаллы, имсО 1 цис широкие, хорошо развитые гря;и С. Зто обусловлено тем, что пластины д,.я пье зорезснаторов выреза;отся -араллельно этой грани так, ;то д,-,иня их состазляет угол г 45 с высотой...

Номер патента: 101624

Опубликовано: 01.01.1955

Авторы: Акулова, Грезим, Саркисов

МПК: A23K 1/17

Метки: антибиотиков, выращивания, использованием, молодняка, откорма, птицы

...3. Зак. 5992 Механизм действия антибиотиков на организм молодняка птицы окон. чательно не выяснен, однако, можно полагать, что антибиотики способствуют улучшению процесса обмена веществ в организме птицы и подавлению развития патогенных для птицы микробов. Это способствует резкому сокращению отхода молодняка в первый месяц его выращивания, в течение которого в основном отмечается падек, а такке ускорение роста и повышение привеса,молодняка птицы с использованием антибиотиков, от ли чаю щи й с я тем, что, в целях повышения жизнедеятельности, лучшего развития и получения более высоких привесов, цыплятам с первого дпя выращивания в течение тридцати дней, а затем при промышленном откорме с шести- десятидневного возраста, па 1 кг...

Номер патента: 101929

Опубликовано: 01.01.1955

Авторы: Гавалов, Золотов, Степанищев, Фениксова

МПК: C12M 1/18

Метки: аспергиллус, выращивания, грибов, культуры, методом, плесневых, поверхностным

...к 10 ВСТЬ 1 (Д) 0011 ЫВ(110 ТС подои Р каттере (1) и постуийтот иод оупкср (3), снйоткскныи Рииз, Зцс,те)тидт(тяз 01- НО)1, Высота которого панна тзыГОс к)ОВст. Етоветьт ттрокодят иод бункером Вилтиуто Одга к другои н заГру)к 110 гс 51 роииь)з (.ло- (ЗЗ ОтрубЕй ИЫСОтОто О - 10 ММ.ОРса 1 т с Отрубз(и иодйтотс и кймер) (4) 1 а сгсрилизатПЕО. 3 т( кчзСрз 1)аздс,тсий ил отделения ,О) псрсгоро,к(зт(и ироемлмп для рокодл трлисиортсиой левгы с ктовст(1(п; прост 1,( изолированы чет(- ор;)пооорйзитт(и п)тсвзизтичсскичи клйпл)лзи. Стстиь 1 изйц)(я к(окот иро)икоит(ч ищ)1 При рй 31 итк ио )р(чсии ил ,(иныл )сзт(срйгрс и;ль;и Ии и и;(рл и ккдо читДСЛСНПП 1(ат(СРЫ.. 110(тсв ку:(ьурь )в из)0 тсри,и 30 Вйкнь( отруб; Осуисстдз:(естет...

Номер патента: 103067

Опубликовано: 01.01.1956

Авторы: Васильева, Степанов

МПК: C30B 15/00

Метки: выращивания, искусственных, кристаллов, крупных, печь, электрическая

...дополнительное нагревание дна отдельно регулируемым, нагревателем, позволяющим изменять Форму изотерм роста кристаллов.Принципиальная схема печи изображена на чертеже.Печь состоит из кожуха, кварцевого, ФарФорового илн платюнового тигля вьгбор которого зависит от температуры плавления и хпмическпх свойств кристаллизуемой соли, и огнеупорной керамической подставки для нагревателя, расположенной под тиглем.Непосредственно на тигель (1) намотано сопротивление (2) (нагреватель) с меныиим шагом в верхней части тигля по сравнению с нижней. Снизу тигля на дне огнеупорной керамической подставки (3) расположен отдельно регулируемый нагреватель (4).Свободное пространство в кожухе (5) заполнено пзоляционнъгм материалом.Работа печи протекает...

Номер патента: 105798

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Албяков, Гиргидов, Стратанович

МПК: A01B 79/02, A01G 23/00

Метки: выращивания, вырубках, зоны, культур, лесных, свежих, таежной

...от 2,5 до 3 я каждая. Ня ыскполосное пространство, шириной 3 - 4 л, сдвигаются порубочые остатки, пни, хворост и Всс, Осте)Висосся Отвялежя, Очень КРУПНЫС :1) И КЯ)Н), ВСТРЕс)ЯЮЩИС- ся я прок,)ядь)вас )Ой полосе, не выкорсевь)вью. Ся и 1)е удаляются с )ючве) )о о горизонта. маши;)а или орудис обходи: их стороной, тяк как безусловная прямолинейность полос еобяз)тельна,В результате проклся)дк полос расчгп)с)г) Я 51 площадь составляет около 85 - 45",) от общей площади вырубок. Следующей операцией является проведение Вдоль очищенных полос вспашки ня заданную ггуоину:) арезки двухотвальным плугом ЛКАпродольных борозд ширИой 30 - 40 сза этим следует операция прикатывания образсваюшихся пластов, выполняемая с помощью гусениц трактора ;С....

Номер патента: 106063

Опубликовано: 01.01.1957

Автор: Мироненко

МПК: C12M 1/14

Метки: автоклав, аспергиллус, выращивания, например, спор, сухих

...(ня чертеже не показана).Автоклав с помощью патрубка 6 присоединен к вакуум-линии, обор овян патруоком 7 Лля эжекции спор и штупсрями ) лля спуска питательной срслы после окончания цикла развития.Автоклав устанавливают в стерильной компятс, микробиологическая 1 истота которой поддерживается псриоли-(еским включением оактерппидных ламп, расположенных на 1 отолкс в шахматном порядке. Перед зарядкой автоклав вместе с кюветами 3 и ватным фильтром 4 стерилпзуют при нормальном давлении в течение 20 мин. После стерилизации в горячие кюветы на,(иваОт 6 - 8",-ГОе сусло слосм 1 - 1,5 с.(. Полготовленньш ТЯКИ:)1:УТС.)1 ЯВТОК,1 аВ ВНОВЬ В ТЕ)1 С Лс 10 б 0 б 3ние некоьких 1 ииут стсрилизуют,ся ЗЯТСМ ОХ,яЕЛс)ОТ;О 38Прн ПО)0 цИ БсКууМя В 50 - 100 )....

Номер патента: 106552

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Доросинский, Чернов, Чернышева

МПК: C05F 11/08, C12N 1/20

Метки: азотобактера, выращивания

...в ннт 1)тсльной с 1)(.дс ргяничсского происхождения, о т л ни 3 10 НС Н И С 51 ТС, ТО, С ЦС,П 5 ПО ускорения процесса и новыненни Итря жн,кой куьтъры 1 зотоо 1 К- тс ря вял среды, процесс всдут в гг 1 убоко) Слое жидкой нпяте.изной среды, ооогящен)юй воз,(ухом.2 Способ по и. 1, о тл и ч 3 1 оц н й с я тем, что в п)тяте)ьнон среде используется ме.11 сся., Чернов, Л. )1 ДОР ОСОБ ВЫРАЩИВ Заявлено 24 июляи Комитет ио;гсгам изооретсин и о Известно приготовление азотобактернна - -с)актсридлынп о удобрения для питания сельскохозяйственных растений - в виде агарового препарата,1( недостаткам такого препарата следует отнести сравнительно быстрое снижение титра ояктсрий и неооходнмость приметснгя в питательной среде пищевого сахара и ,чОРООст...

Номер патента: 107867

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Голубева, Емельянова, Плоскирев, Семчева, Уарова

МПК: C12N 1/20

Метки: агара, бруцеллеза, возбудителей, выращивания, питательного, приготовления, сухого, туляремии

...смеси до- ОЯВ,Я 1 от Около 24 л х. ч, со;иной кислоты до рН -- 4,0 - 4,5, нагревают до кипения и отфильтровывают че- РСЗ фн, 1 эТЭОВЯЛ 1 э 11110 ТКЯНЬ ОТ ОСЯД- ка, которьи отбрасывают. К полученным 1500 1 т,г прозрачного коричневого цвета гидролпзату добавляют около 30 иг 40",0-ного раствора едкого натрия до рН. - 8,0 - 8,2, вновь нагревают до кипеш 1 я и фильтруют. Осядок Отб 1)яс 1 э 1 В 31 от, 3 фильт 1 зат (1400 л.г), содсржа 1 инй 0,3 - 0,35". миного азота и 10": с;хоО Осгдтка, упарпвают до 60 о-ноо сухого остатка. Получается до 20 .1.т концентрированного гидрол изта, к которому ДООЯВля 10 т 60 г, 1(орсдковского В 1 хОроженого агар-агар Вт,1 сшего сорта, тщательно перемепшвдют до равномерного пропитыВ 311 ия яЯра:к 11 дкост 110,...

Номер патента: 108256

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Попов, Шефталь

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, динамического, монокристаллов

...промежутками ПОК 051.2, Прием выполнения спосооа по п. 1, о т л и ч а ю щ и 1"1 с я тем, что выращивание монокристаллов производят из расплавов, а также из газовой среды.3, Прием выполнеция способа по П,1 и 2, отличающийся тем, что при кристаллизации из раство ров и газовой фазы в одном кристаллизаторе получают несколько кристаллов. ИСАНИЕАВТОРСКОМУ В известных способах выращиваци 51 крист аллоя . для Оптического, пьсзоэ,н ктрического и иных цазцаеп ццй с укрепленными в крцсталлцза Гор 1:1 дтравочными кристалла ми применяют динамические методы выращивания монокристаллов, со. стоящие во вращении растуцего кристалла или в перемешивани и раствора.К недостаткам известных способов относится однообразный характер движения, что...

Номер патента: 108648

Опубликовано: 01.01.1957

Автор: Добровенский

МПК: C30B 15/26

Метки: выращивания, вытягивания, методом, монокристаллов, по, процесса, расплава, чохральскому

...дополнительного устройства.ДОПОЛНИТЕЛЫНОЕ УСТРОЙСТВО, ЯВЛЯЮ 1 ЦЕЕСЯ ЭТаЛОННОЙ ЧаСТЬЮ СХЕМЫ,состоит из радНоактинного источника 9, аналогечеоо источнику 1, клива 10 поглотителя со стрелкой, приемника излучения 11, аналогичногоприемнИку 6 и формируемого блока 12,РазностныЙ сигнал должен модулиронаться, уоиливаться и подаватьзатем к исполнительно)у механизму 13, который изменяет положениесердечника индукционной катушки 14, являющей:я датчиком телеметрической системы вторичного прибора 15, воздействуОщего лИбо на регуляровочный трансформатор нагрева, либо на скорость )ытягивания кристалла, либо на то и другое одновременно. Необходимый диаметр кристаллаустававлИвается за время процес а один раз рукояткой 6 путем вводсния спбциально пРОт 21)1...

Номер патента: 108804

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Попов, Шефталь

МПК: C30B 7/00

Метки: выполнения, выращивания, динамического, монокристаллов, прием, способа

...ноябри 1956 г. на имя тел же лин способ динамического 1 я кристаллов для оптиоэектрического н иных с укреплением в крие затравочных нристалсв.108256, где беспоижение раствора по отмонокристал.чу создают сивного вращения криа по горизонта.чьнон льной оси, чередуюшссутками покоя. Эт 11 м доорения роста и пмуце.однородного монокрипособа выпутсм ре- исталгчоносряле случасталлов появляется витнем динамического с ращивания кристаллов, версивного вращения кр ца или мешалки, что в ев получения монокри динамическому способу единственно возможным Известенвыра шиван едмет изобретенн полнения динамическовыращнвания монокрнавт. св.108256, отй с я тем, что хаотиче. ие среды выращиваемоа создают реверсивным криста,члоносца и.чи меПредложен метод...

Номер патента: 111468

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Емельянова, Мисюрева, Чернов, Чернышева

МПК: A23K 3/00, C12N 1/20

Метки: бактерий, выращивания, кормов, молочнокислых, силосования

...ири:ен 51 стс 51 пи ч 1 ег(ьця 5(срсда следующего состава:я) Для выращивания цо(.сногомят(риа,я в ицокулятор.(:1. Вода водоцороодцяя -1000 7, 1 шеничцый или кукурузныи эклрякт-Чее я се( 20,5 Чсл сгсрильцый - 5;0) Д,(я массового 1)(1 ц(ив(ния вреактора(,1. Вода одоцроодняя в 10 .н.2. Еукурузныи экстракт6,3. (ормовь(с дрожэи б4. Чсг(ясса - 20,5. Чсл стерльный 5;Этс Нцтатсгьця 51 среда 00(.(п(.чцвяст ы)рОшес р;1 звитие мог)чнокислык бактерий, и); ысокий титрири массовом выраццанни и р(;иторяк (от 600 до 1500 млц. бактерий в 1 .1(.1.Вырашш)ашгс культуры мо.(о цокцс(ы 0(ктсриц ирои 1 одисяиоклятор(1 (мколНо ОО . Нрц111468 температуре ЗО - -32" В течение 15 20 ч 11 с. Ь,7 ьтра ВырвиВВястс 5 б) 5 Яра ци и 4 раза с сохранением высокого...

Номер патента: 113495

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Абрамов, Аветисов, Ильин, Скотников, Соколин

МПК: C30B 11/02, C30B 29/32

Метки: выращивания, монокристаллов, электроустановка

...клапаном с жесткои передачей от электрических часов.Конструкция печи поясняется чертежом.Электропечь состоит из корпуса 1, имеющего теплоизоляцию 2. Печь имеет в качестве нагревательных элементов силитовые стержни 3, Внутри электропечи заключен жаропрс)щяй, например из алунда, глухой в виде цилиндра экран 4, который имеет отверстия с керамическими трубками для впуска и выпуска сжатого воздуха. Внутри экрана проходит воздухопровод 5, в виде спирали, дающей возможность омывать и равномерно охлаждать стенки экрана воздухом.Расход сжатого воздуха, проходящего внутри спирали, обеспечивает программное регулирование температуры рабочего пространства печи.Таким образом, темп;ратура тигля б с расплавом, потоком воздуха в алундовом...

Номер патента: 113626

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Поздняков

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов

Номер патента: 113791

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Колосков, Фениксова

МПК: C12M 1/14

Метки: выращивания, грибов, культуры, непрерывного, плесневых

...водная суспензия спор посевной куль.туры, что обеспечивает равномерное распределение их в среде. При сбрасывании с барабана-распылителя засеянная среда по параболе падает вниз и рыхлым слоем ложится на движущуюся под ним стальную ленту транспортера 9. На этой ленте протекает первая фаза выращивания плесневых грибов в слое высотою около 300 мм.Лента транспортера 9 движется с такой скоростью, что среда находится на ней 8 - 10 часов. При этом через каждые 2 - 3 часа среда перемешивается с,помощью,ворошителей 10. При сходе с ленты транспортера 9 среда разрыхляется с помощью ротационного рыхлителя 11, несущего на себе зубчатые лопасти, Разрыхленная среда поступает в распределитель 12, представляющий, собой раму с высокими бортами.Под...

Номер патента: 113806

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Добровенский

МПК: C30B 15/26

Метки: выращивания, монокристаллов, процесса, расплава

...попадает в приемник излучения б, сигнал усиливается усилителем б и попадает в электронный преобразо.ватель 7, где сравнивается с сигналом от эталонного устройства, состоящего из источника 8, приемника 9 излучения, клина-поглотителя 10 и усилителя 11,Скорость кристаллизации задается скоростью вращающихся от мотора 12 винтов 13, с помощью которых перемещаются источник и приемник излучения. Если скорость процесса кристаллизации изменится, то изменится положение границы раздела твердой фазы и расплава В этом случае изменится интенсивность попадающего на приемник излучения, а значит изменится разйостный сигнал на выходе электронного преобразователя. Этот сигнал, воздействуя на исполнительный механизм 14, перемещает сердечник...

Номер патента: 114662

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Жуковский, Тимофеюк

МПК: A01K 61/00

Метки: водоемах, вырастных, выращивания, молоди, нерестово, промысловой, хозяйств

...14Известны способы выращивания промысловой молоди, когда водоемы нерестово-вырастных хозяйств после спуска из них молоди бездейстВ 7 ют.Предлагаемый способ дает возможность повысить продуктивность водоемов и использовать последние после удаления из них промысловой молоди.Это достигается тем, что в пруд одновременно с личинками г помысловой рыбы, например судака и леща, производят посадку карпа годового возраста и выращивают его до полного товарного веса совместно с молодьюПосле того как молодь в пруду достигнет определенного веса, ее вместе с водой спускают в открытый водоем через бетонный приямок, сделанный у водоспуска; вход в приямок защищен сеткой с крупнои ячейкой, свободно пропускающей молодь, но задерживающей карпа, который...

Номер патента: 115066

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Горецкий, Хмыров

МПК: A01K 39/01

Метки: батареям, выращивания, клеточным, кормушка, поворотная, цыплят

...вырезы коромысел, а упоры ложатся на противоположных прямых концах.Таким образом, кормушка занимает положение в соответствии с положением коромысел. Минимальное число положений - три, но при необходимости оно может быть увеличено за,счет увеличения числа фиксаторов.Первое положение (фиг, 1),предназначено для цыплят в возрасте от 1 до 10 - 12 дней. В,этом положении устанавливаются минимальные размеры Н 1 от сетки 7 и Н 2 - от обреза, кормушки до уровня корма. В первом положении объем кормушки - наименьший, что соответствует малым количествам кормов, потребляемых цыплятами в возрасте от 1 до 10 - 12 дней, Обрез кормушки совпадает с нижним краем малых кормовых отверстий дверки Л.Второе положение (фиг, 2) предназначено для цыплят в...

Номер патента: 116247

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Дубинский

МПК: C12N 1/20

Метки: выращивания, культур, молочнокислых, чистых

...следующим образом.На чашку Петри укладывают слой гигроскопической ваты толщиной в 5 - б игл и стсрилизуют ее в автоклаве Затем на вату наливают несколько кубических сантиметров стерильного обезжиренного молока. На поверхность смоченной ваты укладывают мембранные ультрафильтры, окрашенные слабым водным раствором метиленовой синьки. Верхнюю поверхность этих фильтров засевают бактериологической петлей по обычной методике,Благодаря капиллярному натяжению обезжиренное молоко все время подается на поверхность засеянных ультрафильтров и молочнокислые культуры беспрерывно получают оптимальную питательную жидкость (обезжиренное молоко) в потребном количестве. Так как поры ультра- фильтров меньше, чем размеры микроорганизма, то,...

Номер патента: 116935

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Витовский, Земцов

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллов, расплава

...устанавливаемая вне высокотемпературной зоны печи, ниже кольца, мало зависит от колебаний температуры верхней горячей зоны печи, что позволяет вести процесс без нарушения его скорости, при устойчивом положении изотер. мической поверхности кристаллизации.3) Изотермическая поверхность кристаллиза обращенная в случае отсутствия кольца выпуклостью книзу, ст тся обращенной кверху, в результате чего нарастание нового слоя алла начинается в середине сосуда и идет к периферии.Это обстоятельство позволяет получа стые (без включений) кристаллы, даже не пользуясь безук стыми исходными материалами. ции,ановикрист ть более чи оризненно чи1116935 Устройство позволяет, кроме того, вести кристаллизацию при зна;ительном перегреве расплава, что...

Номер патента: 117452

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Бутузов

МПК: C30B 29/18, C30B 7/10

Метки: выращивания, кварца, монокристаллов

...монокристаллы. .С этой целью вьцэатциваниемоъто кристаллов ведут на затравкак, изготовляемых из многих одинаково ОрИЕНТИрОВНННЫХ И МСХЭНИЧССКНскрепленных меэкду собою пластов кварца.Автоклав объемом 9.4 г на 75 заполняют водным БЧЬ растворомсоды. В автоклав помещают квар цевые затравки, вырезанные параллельно большому ромбоэдру. затравки составлены из мгтогнх пластов кварца, скрепленных между собою платиновой проволокотт и прикрепленных к металлической пластинке из нержавеющей стали.растворения тетхапература зоны ЮСТЗСкорость роста в указанных условиях колеблется для разных частей крт-тсга.г 1.па в пределах 1,11,:1 п:.2 в сутки. Составные загравктт растут только в одну сторону. Кристаллы. нметоньттт больптхткз площадь, весит от 350...

Номер патента: 117556

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Пигулевский, Рабинович, Сосина, Хорев

МПК: C12M 1/16

Метки: выращивания, грибов, действия, культуры, методом, непрерывного, плесневых, поверхностным

...и пи тательную среду.Аппарат для выращивания и аэрации состоит из двух перфориро ванных труб 5 и б, коаксиально установленных в герметическом кожухе 7, в полость которого через трубопровод 8 подается кондиционированный воздух. Внутренняя перфорированная труба б является одновременно шнеком.11755 бДля непрерывной подготовки среды, засеянной культурой гриба, предназначен выдерживатель 9, представляющий собой трубу конической формы с гладкой внутренней поверхностью. Выдерживатель 9 широкой нижней частью сообщается через головную часть аппарата для выращивания и аэрации с трубой б (шнеком), Верхняя узкая часть выдерживателя 9 присоединена к смесителю 4,Смесь питательной среды и посевного материала поступает из смесителя 4 в выдерживатель...

Номер патента: 120202

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Пигулевский

МПК: C12M 1/18

Метки: выращивания, грибов, действия, культуры, методом, непрерывного, плесневых, поверхностным

...в аппарате 4, выполненном в виде секторной колонны с камерами 5 для выращивания. Камеры образованы перфорированными дисками 6, снабженными секторными проемами, расположенными по вертикали таким образом, что проемыМ 120202идут по винтовой линии и обеспечивают переброску материала из одной камеры в другую.Внутри "екторной колонны вращается вертикальный вал 7, несущий лопастные колеса 8, установленные над каждым перфорированным диском и обеспечивающие непрерывное перемешивание выращиваемой культуры.Для осуществления аэрации материала секторная колонна установлена в кожух 9, образующий с колонной узкий кольцевой проход для воздуха, поступающего через штуцер 10. Воздух проходит через радиальные отверстия 11, равномерно распределяясь...

Номер патента: 120309

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Алексеева, Худадов

МПК: C12N 1/20, C12Q 1/16

Метки: выращивания, микобактерий, туберкулеза, ускоренного

...диагностику заболевания туберкулезом,Сущность способа заключается в том, что к среде перед посевом исследуемого материала добавляют радиоактивный фосфор Р" в виде двузамещенного фосфорнокислого натрия.Для осуществления способа приготовляют среду, содержащую 0,3 г фосфорнокислого натрия, 0,25 г сернокислого калия, 0,8 г цитрата натрия, 0,8 г сернокислой магнезии, 10 лел глицерина, 20 за казеинового гидролизата на 500 м,г дистиллированной воды, которую подвергают автоклавированию при 1 атм в течении 2 мин.После автоклавирования в среду добавляют 125 мл нормальной лошадиной сыворотки и 62,5 мл 40%-ной глюкозы.Перед употреблением среду разливают в пробирки (по 5,0 л 1 л) и вносят в нее радиоактивный фосфор Р" в виде двузамещенного...

Номер патента: 120709

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Мураш

МПК: A01G 31/06

Метки: выращивания, овощей, тепличного

...достигается возможность применения более простых и легких стеллажей, например из плотной пленки, создания более благоприятных воздушных условий для развития корневой системы растений и резкого снижения себестоимости товарного урожая.На фиг. 1 изображена схема механизации подачи питательных растворов, вид и плане; на фиг. 2 - вертикальньш разрез стеллажа.Для осуществления способа установлены резервуары 1 для приготовления растворов, трубы 2 для подач;1 растворов к стеллажам и их сброса, центробежный насос 3 с электродвигателем и реле времени, стеллажи 4, крышки О стеллаже 1, сетчае стакаит 1 ики 6, напорны трбо. проВод 7 д:1 я пода 1 и ра, твора От насоса и нагнетате,1 ьны. коллектор 11 ы 1М 120709трубам , из которых производитс...