Патенты с меткой «выращивания»

Номер патента: 1253182

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Асланов, Коваленко, Промоскаль, Скоробогатов

МПК: C30B 15/10, C30B 29/22

Метки: выращивания, монокристаллов, окислов, тугоплавких

...водоохлаждаемого индуктора 5 с помощьютраверс 8 устанавливают тигель 7, боковая часть которого выполнена в виде многогранной призмы, грани кото"рой представляют собой набор из нескольких пластин, установленных сзазором параллельно друг другу ипоследовательно соединенных, а донная его часть выполнена иэ секций,установленгак с зазором относителнно друг друга, Тигель 7 устанавливают так, чтобы его кромка находи"лась на одном уровне с кромкой верхнего витка индуктара 5. Объем тигля7 и дополнительный объем между,тиглем и индуктором 5 заполняется ис"ходным порошкообразным сырьем, Ьункер 9 заполняется сырьем тогО жесостава. Увеличением мощности, под3водимой от источника б индукционного нагрева к индуктору 5, повышает ся температура тигля 7...

Номер патента: 1496332

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Асланов, Коваленко, Промоскаль

МПК: C30B 15/10, C30B 29/22

Метки: выращивания, монокристаллов, окислов, тугоплавких

...Промоскаль Изобретение относится к техноложбы тигля,эана схема устройция монокристаллов ов, на фиг. 2 горизонтальный - разрез А-А на во включает герметичнуюток 2 для вытягиваниялов, имеющий возможност вертикального вращения и перемеще ния (механизмы вращения и перемещ нйя не показаны), затравку Э, пр соединенную к штоку, иа которую в тягивают монокристалл 4, ицдуктор ехацизмом 10 подачи сырьщую трубу 11 . 2 (фиг. 2) вь гогранной призмь состоят из неско установленных с о друг другу и п иненных. К месту ей пластины с по й в каждой гран дополнительная149Устройство работает следующим образом.В герметичной камере 1 внутри ицдуктора 5 неподвижно устанавливают тигель 7 с помощью траверс 8. Объем тигля 7 и дополнительный объем между...

Номер патента: 1457463

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Асланов, Балакирев, Коваленко, Промоскаль, Стрювер

МПК: C30B 11/00, C30B 29/22

Метки: выращивания, кристаллов, оксидов, сложных

...в центре, Надотверстием устанавливают трубу 11,служащую для подачи сырья иэ бункераПлавным увеличением мощности падвадимой от источника 12 идукционног(1нагрева к идукгарушихту нягре,вают и доводят пО расплавления, Необходимый уровень расплава получаютпутем дополнительной подачи шихтыиз бункера 7.После наплавления трубу11 отводят в сторону, доводят -асплавда температуры затравленил,. Онускаот .в него вращаощуюся затравку 9 и прова"дят затравление. Плавным изменением скорости опускания тигля 3 в пределах0,02-0,2 мм/ч по зависимости, представленной на фиг. 2, асущестнлиотразращиванне кристалла да заданногопоперечного размера (примерно 35 мм),После раэращивания коррекцию поперечного размера кристалла осуществляют изменением...

Номер патента: 1790834

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Васыльчук, Ризничук, Шологон

МПК: A01B 79/02

Метки: выращивания, зерновых, культур

...1 - 1,2 ц/гэ фосфора, 0,60,8 ц/га калия, Азотные удобрения вносятдо высева. В условиях обеспечения необходимых для первой культуры фосфора и калия наилучшим способом являетсявнесение фосфорных и калийных удобренийв запас.Вторые культуры на зерно высевают непозднее 5 - 10 июля, Норма высева должнабыть выше на 15-20.Сразу после посева обеспечивают полив для стимулирования появления всходов(250 - 300 м /га) и еще двэ полива в период3вегетации (600 - 800 м/га).Уборка вторых культур на зерно проводится в период зрелости, после их предаврительной обработки десикантами,Урожай зерна (ц/га) вторых культурпредставлен в таблице,К недостаткам этого способа относятся:допустимость уборки первой культуры в фазе молочно-восковой спелости, что ведет...

Номер патента: 1790835

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Кононов, Такунов

МПК: A01B 79/02

Метки: бобовых, выращивания, культур

...механическое удаление (обламывание боковыхпобегов моноподиального ветвления трудоемко и приводит к повреждению эпидермиса в местах крепления бокового побега кстеблю, а в образующиеся ранки проникаетмикрофлора.Использование ухода за растениями сприменением биологического пасынкования (удаления) боковых побегов моноподиального ветвления снижаетразнокачественность семян кормового люпина при этом исключает ручной или механизированный труд по удалению их, и крометого, на стебле отсутствуют у растения ранки, которые неизбежны при ручном или механическом обламывании боковых побегов,Используя биологическое пасынкование (удаление) боковых побегов моноподиального ветвления у однолетней бобовойкультуры можно формировать новый морфотип растения,...

Номер патента: 1790867

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Алейников, Колесник

МПК: A01G 1/00

Метки: выращивания, интенсивного, сада

...м е р. Формирование кроны плодовых деревьев-проводили следующим образом. После осенней посадки саженцев- однолеток в форме уплотненных двухстрочных посадок ранней весной произвели их кронирование на высоте 70-80 см от поверхности почвы, В дальнейшем, чтобы усилить рост центрального проводника дерева и обеспечить его растущей верхушке доминирующее положение, проводят выломку зеленых побегов, Все ниже расположенныепобеги с острыми углами отхождения, склонные к сильному росту, удаляют (см.фиг,1),На втором году центральный проводник дерева не укорачивали, Весной на нем аналогично провели выломку зеленых побегов (см.фиг,2).На третьем году вегетации весной также провели выломку зеленых побегов на однолетнем приросте центрального проводника...

Номер патента: 1790869

Опубликовано: 30.01.1993

Автор: Криворучко

МПК: A01G 9/02

Метки: выращивания, растений

...субстрата, отличающегося оптимальными свойствами применительно кданной фазе развития растений, Для реализации этого каждое растение 5, полностью освоившее корнями субстрат в одной ячейке 1, размещают в блоке между двумя такими же ячейками 4, заполненными питательным субстратом, но без растений, совмещая при этом дренажные отверстия в нижней части трех соприкасающихся друг с другом ячеек. Корни растений 3 из ячеек 1 через смежные отверстия 2 соприкасаю1790869 Составитель Г,Криворучко Р т 1 Г, Я,актор А.Егорова Техред М.Моргентал Корректор Н,Кеше каз 105 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ ССС113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 оизводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород,...

Номер патента: 1790872

Опубликовано: 30.01.1993

Автор: Тупицкий

МПК: A01G 17/08

Метки: выращивания, огурцов, преимущественно, растений, тыквенных

...шпалеру в сторону ряда растений, и под нее подводят раму 7 с ножами 8 для срезания плодов, приемным транспортером плодов 9, кетами 10, распределительными трубами 12 и распылителями жидкости 11, культиваторами 13, как показано на фиг,2 и 3, При этом внешний прогон 4 опирается на катки 10 с ребордами, Рамы 7 при помощи узлов крепления 14 навешиваются на самоходное шасси (на фиг. не показано) с одной или обеих сторон. Множество рам 7 может навешиваться к специальному агрегату, изготовленному, на базе дождевальных установок, позволяющих10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 свободно перемещаться по полю во время дождя. В таком случае можно вести уборку плодов во время дождя, т.е, в условиях, когда даже вручную на поле нет возможности убирать...

Номер патента: 1792236

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Потоцкий, Янковский

МПК: A01B 79/00

Метки: выращивания, зерновых, культур

...растений (25- 30%) наблюдается изгиб, а у 70-75% - излом основных стеблей в районе первого, Рост растений на 10-12 дней практически прекра- Ы щается, б 0% первых и вторых междоуалии, Ой лежащих на поверхности почвьч, дагот рост дополнительным корням, Верхушка основного стебля принимает вертикальное поло- кккк жение (первое междоуэлие находится на поверхности почвы) и в последующем наблюдается синхронный рост, развитие и созревание зерна в основных и вторичных стеблях.Устойчивость к полеганию в этом случае определяется формированием более короткого стебля, Затормаживая рост стеблей в длину, этот прием способствует разраста1792236 Сравнительнйе данные по состоянию зерновых культур и урожайности при выращивании известным способом и...

Номер патента: 1792265

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Меликов, Штефан

МПК: A01G 31/02

Метки: выращивания, растений

...выполнен, например, из пластика йли (Я соответствующего размера пожарногб рука- ва. на котором с помощью парфоратора вмполняются отверстия.Внутри трубопровода 1 размещен армирующий спиральный элемент 2, обеспечивающий поддержание стенок рукава 1 в напряженном состоянии. Спиральный элемент 2 выполнен иэ антикоррозионного материала, например из стекловолокна, Рукав 1 одним из концов связан с патрубком 3, к1792265 которому посредством шлангов 4 и 5 подсоединены емкости для удобрений и емкости для дезинфицирующих растворов(на чертеже не изображены).Рукав 1.соединен также с источником 6 5 подачи воздуха. Устройство работает следующим образом.Предварительно осуществляют укладку 10рукава"1 йй"грунт вместе со спиральнымэлементом Ъ%=заСыпают...

Номер патента: 1792267

Опубликовано: 30.01.1993

Автор: Шарупич

МПК: A01G 31/02

Метки: выращивания, растений

...в плоскости, параллельной йлбСкоСти расположения цепи,Угол Ф равен 45 О, а угол а 2 - 90 О, Позицией 10 обозначены растения.На фиг.3 изображены зубчатыепланки11, на которых установлены оси шестерен 7 с помощью подшипников, Планки кинематически связаны с приводами, соединенными электродвигателями 12, зубчатыми шестернями 13. Планки 11 установлены в направляющих (содержащих ролики 14 и шестерни 15, установленные с возможностью свободного вращения на держателях 16). Направляющие жестко закреплены на неподвижных стойках 17. Из фиг,2 видно, что планки 11 установлены под углом 45 к вертикальной оси цепи и под углом 90 друг к другу, Электродвйгатели 12 и, следовательно, приводы электрически связаны (через шкаф управления 18, содержащий...

Номер патента: 1792282

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Гоготов, Корсунский

МПК: A01N 65/00

Метки: выращивания, культур, овощных

...обработка семян и рассады бесклеточным экстрактом азоллы оказывает стимулирующеевлияние на урожайность и улучшает качество продукции. При этом каждая из стадийобработки дает прибавку к урожаю (табл, 1и 2), Наблюдается более созревание продукции,увеличение,причемзначительное(в1,5-3 раза), содержания каротиноидов, сухого вещества при одновременном оченьрезком снижении содержания нитратов, Ес 50 ботку проводили при высадке рассады в поле путем полива высаженной рассады из расчета 300 мл на 1 растение. Данные приведены в табл. 6,Также отмечалось более раннее созревание капусты (на 20 дней) чем на контроле.Использование преДлагаемого способа позволит значительно увеличить энергию прорастания семян и всхожесть, получатьболее ранний урожай...

Номер патента: 1792296

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Булавин, Воронцов

МПК: A23K 1/00

Метки: выращивания, молочного, периода, телят

...выращивания телят молочногопериода, предусматривающий выпойку теИзобретение относится к сельскому хозяйству, в частности к способам выращивания телят. Цель изобретения - повышение сохранности животных и увеличение прироста их живой массы,П р и м е р 1, Первоначально телятам спомощью кормораздатчика жидких кормоввыдали жидкий корм (молоко, ЗЦМ), который телята мгновенно(сразу) выпили, Послетого, как был выпит жидкий корм, через 3 сс помощью кормораздатчика концентрированных кормов выдали концентрированныйкорм, увлажненный жидким раствором заменителя цельного молока в количестве 0,13 лна 1 кг концентрированного карма, Концентрация раствора ЗЦМ, разведенного водой,составила соотношение 1;7,Увлажнение концентрированного корма...

Номер патента: 1123326

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Асланов, Коваленко, Промоскаль, Скоробогатов, Стрювер

МПК: C30B 15/10, C30B 29/22

Метки: выращивания, монокристаллов

...электромагнитного поля в придонной части тигля, как 25и в приведенном аналоге, значительноослабляется путем взаимодействияэлектромагнитных полей, создаваемыхтоками, протекающими в индукторе идне тигля, Величина индукционноготока, протекающего в верхней частитигля, по сравнению с нижней, будетзначительно выше, что и приводит кее перегреву и, как следствие, куменьшению эффективности конвекциив расплаве. Это влечет за собойуменьшение передачи тепла от тигляк расплаву за счет конвективного механизма и разрушения тигля в процессе выращивания, начинающееся в еговерхней части.Целью изобретения является повышение надежности устройства за счетувеличения срока службы тигля.Поставленная цель достигается тем,что в устройстве для выращивания...

Номер патента: 1792593

Опубликовано: 07.02.1993

Авторы: Иванов, Колпаков, Латыпов, Лялин, Фоменко

МПК: A01G 31/00

Метки: выращивания, растений, субстрата

..."колючесть" по- мм, плотность до 115 кг/м, сжимаемость верхностей. Стекловолокнистый холст 5 .при 10 процентном сжатйи до 8, на повер"покрывающий гофры минераловатной осно-. хности гофр нанесены слои стекловолокнивы, будет препятствовать, с одной стороны, стого холста, Поверхности этого субстрата интенсивному испарейию вносимой при имеют повйшенное качество - отсутствует поливах влаги, с другой стороны, влага вне- рыхлость поверхной, т,е. отсутствует "колю- сенная в субстрат более равномерно рас честь", Прочность основы субстрата повыпределяется и удерживается в объемах шена в сравнейии с субстратом без гофр, ограниченных стекловолокнистым . покрытия, что способствует уменьшению холстом, что способствует улучшению вод- усадки и...

Номер патента: 1793834

Опубликовано: 07.02.1993

Автор: Теблоев

МПК: A01B 79/02

Метки: выращивания, картофеля, кукурузы, совместного

...кукурузы, проникая в борозды на глубину до 1 м, создают хорошую аэрацию, обеспечивая тем самым питательные вещества для картофеля. Известно, что картофель потребляет много калия для своего развития. Кукуруза, наоборот, использует калия мало, но отзывчива на азотные удобрения, Следовательно, потребляя азот из почвы, кукуруза снижает нитратные соединения в картофеле.Если использовать гребни шириной 70 см, то картофель будет чрезмерно затеняться кукурузой, При очень широких гребнях (более 1,5 м) будет слабее затенение картофеля и недостаток влаги. При гребнях 1,4 - 1,5 м тепло и влага усваиваются равномерно, Небольшая высота гребней-гряд(18-20 см) не затеняет молодые растения кукурузы в начальный период роста, находящиеся в борозде, В...

Номер патента: 1793877

Опубликовано: 07.02.1993

Авторы: Жданович, Кузьменкова, Курочкин, Левченко

МПК: A01N 37/28, A01N 59/16

Метки: выращивания, люпина

...микроэлементов и мочевины позволяет увеличить урожай10 семян люпина на 17,0-22,7 в сравнении сприменением микроэлементов каждого вотдельности и на 20,0-22,7 фбез их применения. 15 Способ выращивания люпина, включающий некорневую обработку раствором 20 микроэлементов, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что; с целью увеличения урожайности семян люпина и повышения их качества как в год применения способа, так и при однократном последующем пересеве, обработку про водят путем опрыскивания вегетирующих 0,8 - 10,00,02 - 0,030,03-0,03Остальное составляла 100-200 м, а общая площадьгпосева 1,0 - 1,5 га, Расход рабочего раствора - 500 л/га, Схема опытов и результаты исследований с расчетом коэффициента синергизма представлены в таблице. П р и м е р 2,...

Номер патента: 1794086

Опубликовано: 07.02.1993

Авторы: Бордулева, Дудикова, Сулимова, Тулякова

МПК: C12N 1/18

Метки: выращивания, дрожжей, хлебопекарных

...рост культуры молочнокиспых бактерий до 300-500 10 клеток в 1 мл,Бражку в количестве 15-25% к полезно му объему дрожжерастильного аппарата,содержащую молочнокислые бактерии, вносят в питательную среду при выращивании дрожжей порционно; 350 всего расчетного количества подается в складку, по 250 по- "0 дается на втором и третьем часах культивирования и 15% подается на четвертом часу по объему взамен воды, а по количеству сухих веществ взамен мелассы, которую уменьшают с последующих трех часов при тока равными порциями. Затем вносят засевные дрожжи, в качестве чего используют чистую культуру дрожжей ЯассЬагоаусез сегечз 1 е и осуществляют процесс выращивания.20 П р и м е р 1. Засевную чистую культурумолочнокислых бактерий 1. Ьгечзна...

Номер патента: 1228526

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Дубовик, Назаренко

МПК: C30B 15/14, C30B 29/22

Метки: выращивания, монокристаллов, оксидов, расплава, сложных

...1 б в керамическом диске 15, после че.о привод вытягивающего механизма отключают. В камере 7 охлаждения монокристалл 20 выдерживают 2 ч, затем охлаждают до комнатной температуры со скоростью 50 Кч, а в области температур, в которой существует аномалия термического расширения кристаллов лантангаллиевого силиката (850- 700 К), со скоростью ЭО К/ч.При этом платиновый экран 10,крышка 17 и керамические экраны 8, 9 прорези 11, выполненные в экране 8, а также удаленный верхний виток, на указанное расстояние обеспечивают выравнивание теплового поля в камере 7 охлаждения, повышают ее инерционность при охлажчденни и обеспечивают линейный температурный градиент по длине кристалла в области аномалии термического расширения 3 град/см.Для...

Номер патента: 1794400

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Заименко, Зарицкий, Сандул, Свешников, Черевченко

МПК: A01G 1/00, A01G 31/00

Метки: выращивания, саженцев

...почвосмесь, используемую длявыращивания плодовых лиан, включающейдерновую землю, перегной, песок, В качестве прототипа использовали клиноптилолити торф в соотношении 4:1,.5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 В табл, 3-4 представлены данные по выходу саженцев плодовых лиан, повышению их приживаемости в зависимости от параметров субстрата и заявленного способа выращивания, а также результаты вегетационных испытаний с учетом 10-кратной повторности и статистической обработки по выходным параметрам саженцев плодовых лиан, Выход первосортных саженцев супер- элиты - экстра-класса, 1-го класса-элиты и всего) рассчитан от длины прироста с учетом объема корней. При этом показатель объема корней является вспомогательным,Как видно из данных табл....

Номер патента: 1794415

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Машарская, Мохов

МПК: A01G 31/02

Метки: выращивания, растений

...сухой, поэтомуполив стараются осуществлять так, чтобыподъем воды был немного ниже уровня вер 20 хнего слоя субстрата. Для этой цели и служат переливные трубки, которыеустанавливаются чуть ниже уровня субстрата,По мере роста зеленой культуры и эна 25 чительного развития у них корневой системы этот уровень должен увеличиваться, т.е.сухой слой должен быть больше. Вышеописанная конструкция устройства не позволяет этого сделать.З 0 Целью изобретения является повышение урожайности путем регулированияуровня полива по мере роста зеленой культуры.Цель достигается тем, что в предложенЗ 5 ном устройстве, содержащем вегетационную емкость с субстратом, снабженнуюпереливными трубками, световую панель,трубопроводы подачи воды и перелива, насос,...

Номер патента: 1794416

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Кангур, Кауп, Литвинцева, Маргулян, Нормет, Паккас

МПК: A01G 31/00

Метки: выращивания, растений, субстрат

...- 0,70 М Па (см, ГО СТ 10832- 83, табл.1 и 3), а прочность гаэосиликатного заполнителя составляет 1,5 МПа, что увеличивает сроки его использования, а также1794416 1,2 - 5,0 мм;1,7 г/см; размеры частицудельный весплотность(объемная масса)общая пористостьводопоглощение 0,40 г/см;90%;2,0 МПа. 30 улучшает свойства, т.к, он менее уплотняется.Кроме того, благодаря большой пористости газосиликатного заполнителя (наличие открытых макро- и микропор), 5 водопоглощение его достигает 85 - 95% по массе, У перлита, вследствие закрытой пористости, при той же насыпной плотности материала, водопоглощение составляет 50 - 75%10Газосиликатный заполнитель, полученный путем дробления и фракционирования бракованных изделий, выпускается согласно техническим...

Номер патента: 1795872

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Алиев, Годжаев, Кулиев

МПК: A01B 79/02, A01G 1/00

Метки: выращивания, картофеля, раннего

...остановки и быстро. Урожай созревает на 10 - 13 дней раньше, товарная устойчивость повышается на 15-20 Я При высадке клубней в защищенном ф грунте делают пониженную гряду шириной 1 м и глубиной 5 - 10 см и на каждый м гряды О укладывают 10-12 кг 50 - 70-граммовых (Л клубней и производят засыпки их слоем по- р чвы 1-2 см с последующим поливом, При этом рассаду выращивают до высоты 20-30 см и далее полученную рассаду выбирают вместе с клубнями и осуществляют глубокукт высадку ва в открытый трупу(20 апраяя) )в на поверхности стебли высотой 12 - 20 см, Сд) после чего растения сразу окучивают. При этом на каждый лунок сажают 1 клубень с 2 - 5 стеблями, Посадка рассады может быть осуществлена рассадопосадочной машиной с приспосабливанием ее...

Номер патента: 1798395

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Калугин, Куценогий, Петров

МПК: C30B 15/00

Метки: выращивания, кремния, кристаллов, расплава

...с нижней опорой 17, приводом 19 кассета устанавливается в положение выращивания, После затравливания и выращивания монокристалла, приводом 21 затравкодержатель 7 поднимается в верхнее положение, приводом 19 кассета 9 поворачиваются в положение перегрузка, при этом как только ось гнезда совпадает с осью выращивания, срабатывает фиксатор 18, удерживая кассету в этом положении, При этом автоматически сраба 1798395тывает самозапирающееся захватное устройство 14, удерживая кристалл от падения, а приводом 21 кристалл 22 опускается в опору 15 нижнего корпуса кассеты 9, таким образом кристалл оказывается зафиксированным по оси выращивания, При дальнейшем повороте кассеты 9 происходит излом шейки кристалла и его отделение от затравки. Затем если...

Номер патента: 1798396

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Курлов, Петьков, Редькин, Россоленко

МПК: C30B 15/28, G05D 27/00

Метки: автоматическом, выращивания, кристаллов, расплава, режиме

...следуюьцие размеры: диаметр - 50 мм, высота - 50 мм, толщина стенки - 3 мм. Тепловая зона была выполнена в виде труб из спеченной окиси алюминия, также использовался платиновый конический экран, Расплав находился при температуре 1160 С, В расплав опускали платиновую пластину диаметром 30 мм и толщиной 1 мм на глубину 2 мм от поверхности расплава. Температуру Тп пластины измеряли при помощи Рс-РЯтермопэры. После затравливания и формирования перетяжки выращивание проводили в автоматическом режиме. При этом перемещение пластины при выращивании кристалла осуществляли таким образом, чтобы расстояние между пластиной и поверхностью расплава сохранялось постоянным. Выращивание проводили при скорости вытягивания 5 мм/час и скорости вращения...

Номер патента: 1799237

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Белоконь, Каменев, Никитчин, Рябота, Щербань

МПК: A01H 1/02

Метки: выращивания, гибридных, подсолнечника, семян

...думка, 1980, с.5 - 8,Изобретение относится к сельскому хозяйству и может быть использовано в семеноводстве гибридов подсолнечника.Целью изобретения является увеличение производства гибридных семян путем рационального распределения исходных форм во время посева,За счет рационального распределения родительских форм во время посева, наряду с уменьшением отцовской формы увеличится выход гибридных семян с высокими посевными свойствами.На фиг,1 и 2 показаны схемы распределения родительских форм во время посева.Способ осуществляется следующим образом, В хорошо подготовленную почву в оптимальные сроки с противоположных концов поля 1 поперек господствующих ветров засевают пыльцевые барьеры 2 семенами отцовской формы 3, Размеры пыльцевых барьера...

Номер патента: 1797770

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Батарчук, Васильев, Горбылева, Пазий, Тимошенко, Цыбулько

МПК: A01C 7/00

Метки: белого, выращивания, донника, кукурузы, силос

...семян на гектар с шириной междурядий 40 - 45 см. Затем после посева на 2 - 3 день проводят боронование легкими боронами и при появлении всходов при необходимости проводят рыхление междурядий культиватором, За месяц до предполагаемого начала уборки (август) химические обработки посевов прекращают, В более раннее время их проводят только в исключительных случаях (при сильном повреждении посевов тлей, при сильном заростании посевов сорняками на ранних стадиях развития растений, К уборке силосной массы приступают при увядании листьев донника или кукурузы, В зто время и кукуруза при загущенных посевах тоже увядает из-за ограниченных запасов влаги в почве.Данные, приведенные в таблице показь 1 вают, что кукуруза, посеянная с...

Номер патента: 1797805

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Барон, Ерохин

МПК: A01K 61/00

Метки: выращивания, моллюсков, море, открытом

...в виде полости, отделенной от моря гибкой мембраной, расположенной в подводной части емкости 1. и снабженной патрубками с невозвратными клапанами 11 и 12, Клапан 11 может сообщать емкость 2 переменной плавучести с атмосферой и с выходом 10 насоса 9.Устройство функционирует следующим образом.Камеру 1 постоянной плавучести устанавливают в зоне выращивания с помощью якорной системы 3, К камере 1 гибкой связью 5 присоединяют камеру 2 переменной плавучести, к которой с помощью гибкой связи 8 присоединены коллекторы 4, Расположенное на камере 2 водозаборное устройство 6 устанавливают на высоте над уровнем моря. соответствующей высоте волны, при которой надо заглубить коллекторы 4, При шторме, когда волна достигнет заданной высоты, вода...

Номер патента: 1800941

Опубликовано: 07.03.1993

Автор: Стенин

МПК: A01G 1/00

Метки: выращивания, декоративных, культур, плодовых, саженцев

...их кроной, при этом увеличивается качество саженцев, получаемых с одного куста. Одновременно использование многолетних побегов позволяет омолодить куст.Таким образом, сходные признаки совместно с новыми обеспечивают в заявленном способе по сравнению с выявленным новые свойства, следовательно заявленный способ соответствует критерию существенных отличий,Способ осуществляют следующим образом.П р и м е р, Испытания предлагаемого способа проводили для калины. Вокруг куста-маточника, не повреждая корневую систему, осторожно лопатой или вилами перекапывают землю глубиной 7 - 10 см по радиусу, равному длине пригибаемых отводков, Перекопанную землю снимают окучником или скребком, перемещая ее к периферии куста, укладывая валиком вокруг куста,...

Номер патента: 1801012

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Аликин, Наумкин, Ноздрин

МПК: A01K 67/02, A61K 35/72

Метки: выращивания, телят

...отмечался в период между 30 и 60-м днями жизни, по сред- ф несуточному привесу опытные телята превосходили аналогов из контроля на 20,7. Более интенсивный рост подопытных животных зарегистрирован и в последующий период до конца опыта.1801012 Таблица 1 Доза, мг/кг Г ппа Препарат П ть вве ения Кратность 1 0,1Таблица 2 Интенсивность роста животных Группа 10 30 60 90 120 с 10по ЗО сЗОпо 60 с 60по 90 с 90 по 120Таблица 3 Белковый состав сыворотки крови телят тных, дни 120 77.071.98 5 й 2.5.82 + 75 + 1,8 Двукратное введение испытуемого средства вызвало повышение некоторых гуморэльных факторов иммунитета (табл,З и 4),Данные, представленные в табл,З и 4,свидетельствуют о том, что с 30-дневного 5возраста у телят опытной группы отмечалось...