Патенты с меткой «выращивания»
Способ выращивания люцерны на семена
Номер патента: 1817965
Опубликовано: 30.05.1993
МПК: A01B 79/02
Метки: выращивания, люцерны, семена
...ные сроки созревания бобов, что со с междурядиями 70 см, что позволяет увели-,: значительно снижает урожайность семян Ов, :чить площадь питания, освещение, способ- . люцерны, (р ствует лучшему развитию корневой системыи большему образованию тенеративныхар". Отрицательное влияние притенения )ь.ганов. В процессе ухода за посевами прово-:сказывается и на корневой системе-снижа- в дят неглубокое щелевание (до 15 см) ется отток пластических веществ из назем- поперек посевов, в период начала бутониза-нйх частей растений.ции - окучивание растений почвенными ва-ликами высотой 5.8 см и в фазу- Интенсивйый рост вегетативной массыбутонизации(особенно для второго и после- . люцерны можно регулировать подкашивадующих лет жизни люцерны), наряду с...
Способ выращивания женьшеня
Номер патента: 1818001
Опубликовано: 30.05.1993
Автор: Кожуховский
МПК: A01G 1/00
Метки: выращивания, женьшеня
...земляную смесь выравни- ф вают и слегка уплотняют. Такая почва при выращивании растений женьшеня хорошо контактирует с корнями, обеспечивает их питательность и доступ кислорода, В любом возрасте саженцы весной высаживают на гряды рядами на глубину 40 см в каркасах с расстоянием в ряду между растениями 20 см, Затем их обильно поливают и выращи1818001 формула изобретения Составитель Е,КожуховскийТехред М. Моргентал Корректор М.Петрова Редактор Т.Егорова Заказ 1908 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва,Ж, Раушская наб 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 вают до плодоносного возраста, Уход за растениями в период выращивания...
Устройство для выращивания растений
Номер патента: 1818006
Опубликовано: 30.05.1993
Автор: Фомин
МПК: A01G 9/14
Метки: выращивания, растений
...выполненный в виде горизонтально расположенного решета 25, размещенного под отверстиями 19 бункера при помощи упругих подвесок 26 и роликов 27, опирающихся на горизонтальные поверхности 28 боковых стенок 12 корпуса емкости, которые выполнены волнистыми для создания на решете 25 колебательного движения, Решето 25 снабжено вертикальными перегородками 29,. расположенными вдоль направления движения и разделяющими его поверхность на отдельные секции, в каждую из которых поступают семена иэ отверстия 19, равномерно распределяясь на поверхности секции решета,На бункере 17 закреплены зубья 30 в аиде гребенок для рыхления поверхностного слоя почвы и заделки семян.В емкость насыпается почвенный слой 31. Устройство работает следующим обраэом.В...
Способ выращивания цыплят
Номер патента: 1818035
Опубликовано: 30.05.1993
Автор: Трофимчук
МПК: A01K 67/02
Метки: выращивания, цыплят
...допол- экспериментально.нительного количества цыплят при одномвыводке или групповом при.дальнейшей Формула изо 6 рете н ияподсадке инкубаторских цыплят под наседки, обеспечивающие естественное выращи-: Способ выращивания цыплят, пг;лученвание молодняка, ных при насиживании одной наседкой, фСпособ достигается тем, что закладку включающий просвечивание яиц при наси- СО яиц под наседки проводят согласна веса- живании наседкой на 6 - 8-й день после эа-., а вым категориям птицы из расчета на 1 кг кладки и удаление .физиологически (ф "живаго" веса по 10 яиц, полученные цыпля- некачественных яиц, о т л и ч а ю щ и й с я О та группируют сразу же после того как они тем, что, с целью получения допалнительноокрепнут,поднаседкидобавляяинкубатор-...
Синтетическая питательная среда для пропитки полиакриламидного геля, содержащего 0, 95 мас. иммобилизированного гемина, для выращивания бактерий fransiella тulаrеnsis
Номер патента: 1818340
Опубликовано: 30.05.1993
Авторы: Артюхин, Бабаева, Байдусь, Гавриков, Родин
МПК: C12N 1/20
Метки: fransiella, бактерий, выращивания, геля, гемина, иммобилизированного, мас, питательная, полиакриламидного, пропитки, синтетическая, содержащего, среда, тulаrеnsis
...нейтрализуют 20 О солянойкислотой до рН 8,5 и доводят объем дистил 40 лированной водой до 500 мл,В 110 мл нейтрализованного щелочногогидоролизата гемоглобина последовательно растворяют 23,0 г акриламида, 0,7 г персульфата аммония, 0,28 гй,й-метиленбисакриламида и 0,12 млЙ,М,МЮ-тетраметилэтилендиамина (ТЕМЕД). Полученный раствор разливают вформы для получения дисков (напримерчашки Петри) и проводят полимеризацию50 при комнатной температуре в течение 3-4часов.Приготовленные ПАА-диски помещаютв дистиллированную воду из расчета 50-60мл воды на 1 диск, Процесс отмывки ведут в55 течение 5 суток при комнатной температуре, меняя воду каждые сутки, В отмывочныхводах проверяют наличие аминокислот пореакции с нингидрином, Окончанием отмывки...
Способ автоматического управления процессом выращивания кристаллов методом бестигельной зонной плавки
Номер патента: 1818363
Опубликовано: 30.05.1993
Авторы: Балдин, Борисов, Бройтман, Качанова, Коробицын, Подкопаев, Ратников
МПК: C30B 13/28, G05D 27/00
Метки: бестигельной, выращивания, зонной, кристаллов, методом, плавки, процессом
...ил. Устроиство,содержит модуль 1 заданной высоты фронта кристаллизации (переменной при разращивании кристалла), модуль 2 задания диаметра (переменного в момент разращивания кристалла), модуль 3 определения отклонения фактического положения фронта кристаллизации от заданной, модуль 4 определения отклонения фактического диаметра от заданного, модуль 5 преобразования отклонения положения фронта кристаллизации в сигналуправления напряжением на индукторе, модуль 6 преобразования отклонения диаметра кристалла от заданного в сигнал управления двигателем растяжения-сжатия, блок 7 регулятора напряжения, блок 8 регулятора скорости перемещения подплавляемого слитка, индукционная система 9 с переплавляемым слитком, исполнительный двигатель 10,...
Способ выращивания саженцев плодовых культур в. м. колесника
Номер патента: 1819131
Опубликовано: 30.05.1993
Автор: Колесник
МПК: A01G 1/00
Метки: выращивания, колесника, культур, плодовых, саженцев
...субстратом и устанавливают в теплице или на открытой площадке рядами плотно друг к другу на экран - лоток из полимерной пленки или в поддоны. 5 10 15 20 25 За один-два дня до посадки проводят полив для насыщения субстрата влагой, затем в требуемые агротехнические сроки и на оптимальную глубину высаживают в каждый контейнер по одной зимней прививке яблони сортов Голден делишес, Ренет Симиренко на клановых вегетативно размноженных подвоях М 9, ММ 106, ММ 102.После посадки в контейнеры исходных привитых растений уход включает периодическое проведение поливов чистой водой для поддержания оптимального режима влажности субстрата, обеспечивающего благоприятные соотношения между твердой, жидкой и газообразной фазами, При этом в свободной от...
Комплекс для выращивания грибов
Номер патента: 1819132
Опубликовано: 30.05.1993
Автор: Листопад
Метки: выращивания, грибов, комплекс
...между щитами 9. Заборный барабан 16 вращают в сторону транспортера 15 и с помощью установленных на нем эластичных пальцев 19 подают солому транспортером 15, через загрузочную головину бункера 25 на отминочный агрегат,Солому подают на вращающиеся навстречу друг другу ведомый 32 и ведущий 31 ролики, которые ее отминают и подают на подпружиненную пластину 24,Под действием вибрации и гравитационной силы опускают солому по пластине 24 в сторону опущенной ее части, а затем на воздушный поток, исходящий из продольной щели 27 воздуховода 26, где с воздушным потоком укладываемая масса поступает в свободное пространство между щитами 9 для формирования бурта,Уплотненные части соломы, не отбрасываемые воздушным потоком, попадают на вращающийся...
Способ выращивания черной смородины
Номер патента: 1819534
Опубликовано: 07.06.1993
МПК: A01G 1/00
Метки: выращивания, смородины, черной
...двух-трехлетнее формирование кустов и обеспечивает получение урожая уже на второй год после высадки посадочного материала. После 4-5 лет плодоношения проводят омоложение ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОВЕДОМСТВО СССР(57) Использование. сельское хозяйство, в частности садоводство, Сущность изобретения: закладывают плантацию черной смородины одно-двухлетними саженцами с шириной междурядий 140 - ЗОО см и расстоянием в ряду 35 - 50 см, На 4-5 год от начала их плодоношения проводят омолаживающую обрезку путем сплошной срезки надземной части растений, оставляя на ветках 2-3 почки. устаревших посадок сплошной их срезкой, оставляя на ветвях 2 - 3 почки. Все операции механизированы, После очередного высоко- урожайного(2 - 3 года) цикла...
Устройство для выращивания кристаллов
Номер патента: 1819920
Опубликовано: 07.06.1993
Авторы: Клубович, Мозжаров, Толочко
МПК: C30B 7/00
Метки: выращивания, кристаллов
...прохо. дя через патрубок 5, выходит из отверстий 7 а гидронасадки 6 в виде нисходящего потока, ОО) образованного системой незатопленных струй, падающих на кристалл 3, При этом вся поверхность кристалла покрывается пленкой стекающего, постоянно обновляющегося раствора,П р и м е р 1, Выращивают кристалл С) КДР из водного раствора в предлагаемом устройстве. Емкость кристаллизационного сосуда 5 л. Внутри него на расстоянии от дна 8 см установлена кристаллическая затравка с размерами вдоль осей х и у 2 см (вершина пирамиды направлена вверх). Над кристаллом на расстоянии 4 см установлена гидро- насадка в виде цилиндра диаметром 3 см и высотой 5 см, в нижней торцевой стенке которого выполнена система отверстий диаметром 1,5 мм,.отстоящих...
Способ выращивания монокристаллов группы дигидрофосфата калия (кдр)
Номер патента: 1819921
Опубликовано: 07.06.1993
Авторы: Васев, Пополитов, Соболенко, Спицына, Толочко
МПК: C30B 29/14, C30B 7/08
Метки: выращивания, группы, дигидрофосфата, калия, кдр, монокристаллов
...кристаллов ДКДР, а такжедля частей призм кристаллов КДР и ДКДР35 (см, фиг,2),Отклонения вектора колебаний затравки от ее оси Е больше 2 вызывало запара- .эичивание кристаллов КДР и ДКДР, врезультате чего большой объем таких кри 40 сталлов непригоден для изготовления оптических элементов. Поэтому колебаниядержателя с затравкой направляют по оси 2затравки.Таким образом, использование данного45 способа по сравнению со способом-прототипом 2 позволяет снизить коэффициентпоглощения в Уф-области кристаллов КДРи ДКДР на 5-24 фД и снизить дефектную область в призатравочной области кристаллов50 до 50% ее объема, получаемого по способупрототипу, что позволяет увеличить выходоптических элементов из этих кристаллов на5-10. ями затравки (кривая 4) с...
Способ выращивания кристаллов методом вернейля и установка для его осуществления
Номер патента: 1820925
Опубликовано: 07.06.1993
Авторы: Гусев, Каргин, Царев, Циглер, Чиркина
МПК: C30B 11/10
Метки: вернейля, выращивания, кристаллов, методом
...одного материала к другому в ходе одного циклакристаллизации при выращивании многослойного кристалла.Так, в эксперименте установлено, чтопри выращивании сложного кристалла, например лейкосапфир-рубин-лейкосапфира,.с постоянным диаметром при переходе отодного материала к другому расход кислорода, согласно программе автоматическогорегулирования расхода газов, меняется на 4 - 6 от общего расхода. кислорода центральной горелки и соответственно берется тем больший процент измерения расхода,. тем больше диаметр вцращиваемого кристалла.Процесс выращивания кристаллов повышенной оптической однородности диаметром от 10 до 100 мм с использованием вновь разработанных систем нагрева и расположения Фронта кристаллизации эффективно осуществляется при...
Устройство для группового выращивания профилированных кристаллов на основе меди
Номер патента: 1445277
Опубликовано: 15.06.1993
Авторы: Василенко, Кандыбин, Косилов
МПК: C30B 15/34
Метки: выращивания, группового, кристаллов, меди, основе, профилированных
...1 подводят эатравочиыекристаллы б, закрепленные в затрав"кодержателе 7.Устройство работает следующимобразом.После заполнения капиллярнвп каналов Формообразователей 1 к их рабочим торцам подводят затравочные 40кристаллы 6 и начинают вытягиваниекристаллов. При высоте сужающейсяверхней части Формообразователя 1равной (2-4) й, где (1 - толщинакристалла, и угле сужения равном30-50 уровень расположения фронтакристаллизации (вблизи середины сужающейся, верхней части формообразователя) соответствует максимальномуградиенту температуры вдоль оси вытягивания. Кроме того, отсутствует50охлаждение периферии столба распла 7 2ва, Эти условия необходимы для получения моиокрнсталлов с максимальной скоростью выращивания. Изобретение...
Способ выращивания растений на гидропонике
Номер патента: 1822679
Опубликовано: 23.06.1993
МПК: A01G 31/00
Метки: выращивания, гидропонике, растений
...для осуществления способа. 30Способ осуществляется следующим образом.Емкость 1 в форме лотка заполняют субстратом, в качестве которого используютполые керамические микросферы, выделенные из золы - унос ТЭЦ(химсостав и физические параметры приведены выше). Попатрубкам 2 и 3 в лоток подают питательныйраствор. который содержит азот в виде мочевины 200 мг, бор 0,4 мг в форме кислоты, 40молибден 0,11 мг в Форме молкбдвновокислого аммония (расчет приведем на 1 л раствора). Такие микроэлементы как железо,магний, цинк, кобальт, калий, кальций в раствор не вводятся, так как находятся в самих 45микросферэх золы-унос. Таким образом, влотке образуется двэ слоя: один из плавающего субстрата 5, а другой слоЯ 4 из питательного растворе. Слой...
Аппарат для выращивания микроорганизмов
Номер патента: 1822871
Опубликовано: 23.06.1993
Автор: Бормотов
МПК: C12M 1/02
Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов
...с трапецеидальной резьбой посредством ударного инструмента. Перед отбивкой нэкидных гаек на трубопроводе подачи воды в теплообменник перекрывается отсекающая запорная арматура 11.Сверху монтажные люк ников закрыты крышками 12.Питательная среда поступает в аппаратчерез патрубок 13 и при прокачивании турбинными самовсасывающими мешалкаминасыщается кислородом воздуха, всасываемого из атмосферы. Аэрированная среда 5при прохождении через теплообменники охлаждается водой, поступающей в трубчаткутеплообменников через вентили 11, посредством которых, в случаях возникновения необходимости замены теплообменника при 10образовании в его трубчатке течей воды,теплообменник отключается и заменяетсяна резервной без полной остановки аппарата,Центральная...
Способ приготовления питательной среды для выращивания соматических структур макроскопических грибов
Номер патента: 1824092
Опубликовано: 30.06.1993
Авторы: Акопян, Аксеновская, Багдасарьян, Гургенян, Зурабян, Мелконян
МПК: A01G 1/04
Метки: выращивания, грибов, макроскопических, питательной, приготовления, соматических, среды, структур
...ГОСТ 10832 - 83 ГОСТ 12085 - 73 ГОСТ 125 - 79 примеры осуществления льные примеры с показа(57) Использование: в сельском хозяйстве, в частности, при получении мицелия сьедобных грибов, Сущность изобретения: приготовление питательной среды осуществляют путем смешивания пшеничных отрубей; перлита, гипса, мела и последующего увлажнения смеси водой. При этом в смеси используют вспученный перлит, который предварительно фракционируют и берут фракцию 1,25 - 5,0 мм при следующем соотношении компонентов, мас.: пшеничные отруби 11,0 - 21,0; вспученный перлит 10,0 - 20,0; гипс 1,5 - 2,5; мел 0,2 - 0,9, вода остальное. 1 табл,телем повышения жизнеспособности мицелия приведены в таблице.Как видно из таблицы, предлагаемый способ по сравнению с...
Способ выращивания овощных культур в условиях защищенного грунта
Номер патента: 1824110
Опубликовано: 30.06.1993
Авторы: Гусаров, Добровольский, Захаров, Казенас, Мудрак, Прикупец, Протасова, Свентицкий, Сторожев
МПК: A01G 31/00
Метки: выращивания, грунта, защищенного, культур, овощных, условиях
...в УФ-области дополнительно использовалась комбинация светофильтров БС, БС, БС,П р и м е р. Полученные выводы иллюстрируются на результатах выращивания в условиях светокультуры растений редиса сорта "Рубин", Условия эксперимента: температура воздуха в камере в период облучения - 2122 С, ночью - 18 ф.1 С, влажность - 80 фконцентрация С 02 - 0,035, фотопе. риод - 16 ч.Продолжительность периода вегетации 30 дней.В предварительных экспериментах, проведенных е остекленных теплицах, при использовании ламп типа ОЭбыли выявлены ожоги листьев и, в итоге, гибель растений, вызванные УФ-излучением с Л 290 нм. В дальнейшем, в условиях фитотрона, эритемные ЛЛ в экспериментах не использовались.Результаты экспериментов с использованием...
Способ выращивания рассады сельскохозяйственных культур
Номер патента: 1825587
Опубликовано: 07.07.1993
Автор: Сушенцов
МПК: A01C 7/00
Метки: выращивания, культур, рассады, сельскохозяйственных
...посева семян укладывают второе покрытие иэ прозрачной пленки, которое снимают после появления всходов.Согласно изобретению при посеве семян в рассадочный ящик в начале укладывают снег, на который раскладывают семена сельскохозяйственных культур.Когда снег растает семена пр почвой, затем снегом. Ящики засветонепроницаемой пленкой, пос ления всходов ее снимают. аемый способ осуществляюобразом.осевом семян.Ы 2 1825587 А 1 ность изобретения: для руда и увеличения выхода адут непосредственно на ия его семена покрывают га. Ящики покрывают свепленкой и ставят в теплое ния всходов, после чего Сразу же на слой снега производят посевсемян сельскохозяйственных культур, Когдаснег растает, семена засыпают почвой и покрывают еще раэ снегом, а в...
Способ выращивания сельскохозяйственных культур и устройство для его осуществления
Номер патента: 1825603
Опубликовано: 07.07.1993
Авторы: Генин, Малышев, Петровский, Юделевич
Метки: выращивания, культур, сельскохозяйственных
...ниже устройства реализации способа,П р и м е р 2, При 12 = 15 С и Юг = 80 для гороха значение Нг = 1,25 + 0,23 = 1,48 к В/см.П р и м е р 3. При 1 з = 35 С и Юз = 55 для гороха значение Нз = 0,23 + 0,8 = 1,03 кВ/см.Неправильный выбор значений напряженности электрического поля может привести к снижению интенсивности роста или к гибели растения из-за активного обмена вещеСтв (влаги) между растением и окружающей средой.Пользуясь представленной зависимостью, можно для приведенных выше параметров окружающей среды (примеры 1-3) определить напряженность электрического поля для;а) свеклы - Н 1 = 3,35 кВ/см; Н 2 = 1,48 кВ/см; Нз = 1,03 кВ/см;б) томатов и гвоздики; Н 1 = 0,75 + 1,0 = 1,75 кВ/см, Н 2 = 0,4+ 0,23 = 0,63 кВ/см, Нз = 0,23+ 0,02 =...
Способ получения субстрата для выращивания растений
Номер патента: 1829892
Опубликовано: 23.07.1993
Авторы: Березко, Васюченок, Перебитюк, Пигулевский, Пучко
МПК: A01G 31/00
Метки: выращивания, растений, субстрата
...рекомендациями по проведению опытов с овощными культурами в сооружениях защищенного грунта" - М 197 б. Повторность четырехкратная. Выращивали рассаду огурца гибрид Р Родничок, Через месяц после посева семян проводили биометрические измерения рассады,Для оценки однородности распределения клеток бактерий в массе субстрата в вариантах 1 и 3 перед посевом семчн отбирали по 30 проб субстрата, в которых определяли титр бактерий по общепринятой методике.Однородность распределения бактерий в субстрате рассчитывали по формуле;100Сгде С; - титр бактерий в отдельной пробе;С - средний титр бактерий в субстрате; у - козффициент неоднородности, В субстрате перед окончанием выращивания рассады в зоне корневой системы определяли титр...
Устройство для выращивания и транспортировки рассады
Номер патента: 1831258
Опубликовано: 30.07.1993
Автор: Харченко
МПК: A01G 9/00
Метки: выращивания, рассады, транспортировки
...формы со штырями на верхней ее части; Планки 8 выполнены, как и в первом варианте.Для облегчения извлечения рассады из ячеек 2 перед заполнением субстратом на дно ячейки укладывают плоский элемент, выполненный в виде двух перпендикулярно установленных друг к другу планок, равных сторонам основания ячеек, Точка пересече 1831258ния должна проходить по центру ячейки, где выполнено отверстие.Устройство работает следующим образом.Ячейки 2 емкости заполняют субстратом и размещают в пакете 7. Боковые стенки пакета складывают и заводят под петли 3. В этом случае пакет является поддоном при выращивании рассады. Каждое растение или семя помещают а ячейку емкости. После выращивания рассады до нужных размеров в петли 3 и ячейки (карманы)...
Устройство для выращивания рассады
Номер патента: 1831259
Опубликовано: 30.07.1993
Автор: Виноградов
МПК: A01G 9/02
Метки: выращивания, рассады
...он выступал за пределы плиты 11, накоторой установлен каркас 1, Это в случаеустановки на плите каркасов нескольких устройств позволяет производить одновременное смещение всех их короткихцилиндров 9 воздействием на штоки 10,При массовом производстве каркас устройства, изображенного на фиг,2, можетбыть изготовлен в виде развертки из влагостойкОГО картона или друГОГО влаГОстойкОГОлистового материала, которую изгибают исклеивают перед сборкой устройства, 25Выращивание рассады томата (фиг,1)Осуществляют следующим образом.Каркас и держатель слоя почвы устанавливают на основании 8 таким образом, чтобы нижние торцы стенок каркаса и ножек 7 30упирались в ее поверхность. При этом расстояние от верхних торцов стенок каркасадо верхней...
Способ выращивания рассады ремонтантной земляники
Номер патента: 1831269
Опубликовано: 30.07.1993
Автор: Лазаренков
МПК: A01G 1/00, A01G 31/00
Метки: выращивания, земляники, рассады, ремонтантной
...облегчает транспортировку и временное хранение узлов, высадку в грунт, Во время заготовки расположенные сверху продолжения цвето- носов обрезают непосредственно над узлом, нижний срез делают таким образом, чтобы участок отделяемого вместе с узлом побега был как можно длиннее. Если заготавливают узел первого порядка, то нижний срез черен.ка делают у самого основания побега. При заготовке последующих порядков - над расположенным ниже узлом. Отделяемый участок цветоноса служит источником пластических материалов для формирующихся в узлах розеток в начальный период выращивания, и чем больше его длина, тем с большим запасом питательных веществ высаживаются черенки. Срезанные черенки связывают в пучки и устанавливают нижней частью в воду...
Способ выращивания бройлеров
Номер патента: 1831281
Опубликовано: 30.07.1993
Авторы: Муртазаева, Рябов, Фролов
МПК: A01K 67/02
Метки: бройлеров, выращивания
...первые 10 дней жизни птицы (период П 1) для более активного развития организма цыпленка на него воздействуют максимально ярким светом при максимальной продолжительности светового периода, а именно: период освещения (О) и период затемнения (3) устанавливают в соотношении (О/3)1 = 10 - 12/1 т.е. 10 - 12 ч освещения на 1 ч затемнения. Яркость освещения устанав-, ливают 20-30 лк. При таком режиме обеспечивается максимально частый подход цыпленка к корму, что усиливает его клева- тельный инстинкт и создает хорошие условия для развития всех его жизненно важных органов, особенно кишечника. В этот период время прохождения корма через желудочно-кишечный тракт цыпленка составляет ориентировочно 1 ч. Два темновых интервала по 1 ч в течение 1...
Каркас теплицы для гидропонного выращивания растений
Номер патента: 1834634
Опубликовано: 15.08.1993
Авторы: Миронов, Попов, Хорхордин, Шарупич
МПК: A01G 9/14
Метки: выращивания, гидропонного, каркас, растений, теплицы
...площадей 5 отделений овощного, рассадного и сеянцев как 80:15;5 также обеспечивает непрерывность комплексного процесса выращивания и повышает эффективность использования теплицы, так как при таком соотношении площадей конечный, выходной объем сеянцев соответствует необходимому объему рассады, что в свою очередь снижает время на замену растений в контейнерахНа фиг.1 изображен общий вид каркаса комплексной гидропонной теплицы, отделение сеянцев расположено между отделениями рассады, овощным и техническим коридором (сеткой обозначено расположение многоярусных установок); фиг, 2 - то же отделение сеянцев расположено в середине овощного отделения и между техническим коридором; фиг,3 - тоже отделение сеянцев расположено между рассадным...
Установка для выращивания растений
Номер патента: 1835999
Опубликовано: 23.08.1993
Автор: Шарупич
МПК: A01G 1/04, A01G 31/02, A01G 9/00 ...
Метки: выращивания, растений
...38 предназначены для сброса, питательного раствора с выходных отверстий лотков в магистральный лоток, связан 40 ный с емкостью 20,Внутри теплицы между каждой паройстоек подвешены источники света 39 первой группы с распределением спектра 400- 500, 500 - 600, 600 - 700 нм соответствен 45 но 15, 20 и 65 ), а внутри воздуховодов -источники света 39 второй группы с распределением спектра 400 - 500, 500 - 600 и 600- 700 нм соответственно 20, 60 и 20 ) сотражателями 40,50 На фиг.2 подробно показано расположение источников света второй группы 39 сотражателями 40 внутри воздуховодов 9.Ролики 13 закреплены на съемных фиксаторах 41, Кронштейны 42, с которыми связаны55 лотки 8, связаны со стойками 4. Держатели41 закреплены на вертикальных...
Гидропонная установка для выращивания растений
Номер патента: 1836000
Опубликовано: 23.08.1993
Авторы: Нестругин, Николаев, Шарупич
МПК: A01G 1/04, A01G 31/02, A01G 9/26 ...
Метки: выращивания, гидропонная, растений
...держателей 4 труб 19 соединеиы входы лотков 5 с коллек- подвешено по два лотка 5, причем места торами 20, которые размещены в верхней закрепления в шарнирах 46 расположены части каждой рамы (со стороны подачи рас- по разные стороны от осей возможного вратвора). Коллекторы 20 соединены с трубоп- щения держателей, На внешних поверхнороводом 21 и питательной емкостью 22 при 50 стях лотков закреплены поворотные помощи гибких шлангов 23 и насоса 24. На- светоотражающие полосы 7, Шарниры,44 сос 24 снабжен электоическим двигателем обеспечивают возможность вращения по. лос 7 вокруг оси, перпендикулярной плоскоПитательная емкость 22 с помощью стям треугольных рам;шлангов 26 и насосов-дозаторов 27(каждый 55 Установка работает следующим обрана свой...
Оболочка для выращивания биологических объектов
Номер патента: 1836419
Опубликовано: 23.08.1993
Автор: Малькольм
МПК: A01G 31/00, C12M 3/00
Метки: биологических, выращивания, оболочка, объектов
...и 97 были образованы путем складывания (сгибания)трубчатой мембраны на четвертушки длиныв местах сгибов 110, 112, 114, 116, Сгибы106, 108 направлены внутрь, как показанона фиг. 13, и один конец 118 трубчатой мембраны 92 сваривается швом в 120 в согнутомположении, как показано на фиг, 12, дляобразования ячейки 122, опоясывающейткань лиственного овоща и питательнуюсреду. Ячейка 122 имеет обьем примерно1000 мл, который может изменяться в соответствии с конкретной растительной тканьюлиственного овоща, выращиваемой в ней,Другой конец 124 трубчатой мембраны 92первоначально оставляется открытым, каквходное отверсти 126 для приема ткани лиственного овоща и питательной среды.Ячейка 122 предпочтительно включает всебя камеру 130 листвы и камеру 132...
Установка для выращивания микроводорослей
Номер патента: 1837750
Опубликовано: 30.08.1993
МПК: A01G 33/02, C12M 1/00
Метки: выращивания, микроводорослей
...5 заливают питательный раствор, В газообменник 7 загружают раствор и ино.кулят фотосинтезирующей микроводоросли, Оператор включает насос 8, который осуществляет принудительную циркуляцию суспензии микроводоросли из газообменника 7 в змеевик реактора и обратно, После того как суспензия начнет циркулировать по установке, включают источники света 3, световой поток от которых освещает суспенэию, циркулирующую в стеклянном змеевике реактора, при этом клетки микро- водоросли поглощают часть светового потока и эа счет фотосинтеза клеток осуществляется их рост. Компоновочная схема расположения труб змеевика позволяет максимально увеличить световоспринимающую поверхность трубчатого реактора и практически исключить потери света, т.к. расположение...
Способ выращивания рыбы в прудах, садках и бассейнах
Номер патента: 1837758
Опубликовано: 30.08.1993
МПК: A01K 61/00
Метки: бассейнах, выращивания, прудах, рыбы, садках
...ф 6 при сокращении затрат корма на прирост на 18,2-19,1формула изобретен ия Способ выращивания рыбы в прудах,садках и бассейнах, включающий посадкурыб, кормление с помощью кормораздатчи1837758 30 Таблица 1 Результаты выращивания рыбы при использовании предлагаемого способа и прототипа в прудах 3 зоны рыбоводстваЗаявляемый способ П ототип Показатели Плотность посадки, тыс. экз./гаНачальная масса рыб, г/экз.Конечная масса рыб, г/экз.Штучный выход, ф Общий выход рыбопродукции, т/гаПрирост рыбы, т/гаЗат аты ко ма на и и ост, т/т 15 25 396 82 4,87 4,56 2,72 1525347814,213,913,24 Та бл и ца 2 Результаты выращивания рыбы в садках с подогретой водой при использовании предлагаемого способа и прототипаявляемый способ Показатели 200 30 587...