Патенты с меткой «выращивания»

Номер патента: 1490948

Опубликовано: 27.04.1996

Автор: Винаров

МПК: C12M 1/04

Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов

АППАРАТ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МИКРООРГАНИЗМОВ преимущественно на малорастворимых углеродсодержащих субстратах, содержащий вертикальную цилиндрическую емкость с расширяющейся верхней частью, соосно установленный в ней циркуляционный стакан, аэратор, размещенный под циркуляционным стаканом, патрубки ввода минеральной питательной среды и углеродсодержащего субстрата, теплообменник, расположенный по высоте аппарата в кольцевом пространстве между стенкой емкости и циркуляционным стаканом, отличающийся тем, что, с целью обеспечения эффективного диспергирования субстрата, повышения массопереноса в газожидкостной среде и, как следствие, увеличения удельной производительности аппарата, циркуляционный стакан выполнен в виде трубы Вентуры, при этом...

Номер патента: 1605584

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Блистанов, Гераскин, Ермаков, Козлова, Мосиевский, Портнов, Розин

МПК: C30B 29/22, C30B 7/02

Метки: выращивания, гексагональной, йодата, лития, модификации, монокристаллов

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЙОДАТА ЛИТИЯ ГЕКСАГОНАЛЬНОЙ МОДИФИКАЦИИ по авт. св. N 1503346, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности оптических элементов, изготовляемых из монокристаллов, размер грани затравки выбирают равной не менее 2d, где d толщина элемента.

Номер патента: 1325899

Опубликовано: 27.05.1996

Авторы: Кувалдин, Михайлова, Погребинская, Финкель

МПК: C12N 1/00

Метки: выращивания, микобактерий, питательной, среды, сухой, туберкулеза, яичной

Способ получения сухой яичной питательной среды для выращивания микобактерий туберкулеза путем смешивания ингредиентов среды с последующим замораживанием и лиофильным высушиванием целевого продукта, отличающийся тем, что, с целью повышения ростовых свойств среды, замораживание осуществляют в охлажденном до минус 40 минус 50oС спирте в течение 30 40 мин, а лиофильное высушивание проводят при температуре, не превышающей 40oС, в течение 16 18 ч в вакууме, при этом создают вакуум 0,026 0,013 кПа в начале сушки и не выше 0,003 кПа в конце сушки.

Номер патента: 1800854

Опубликовано: 20.06.1996

Авторы: Голышев, Гоник

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллов

...дна контейнера. После определения положения фронта кристаллизации начинается кристаллизация путем вытягивания контейнера вверх и сбрасывания шихты 7 из бункера 8 в количестве, равном количеству закристаллизовавшегося расплава, При необходимости кристаллизация ведется при вращении контейнера вокруг вертикальной оси. В этом случае в приведенной формуле для определения положения фронта кристаллизации вместо А, должно использоваться эффективное значение теплопроводности расплава, В процессе выращивания в зависимости от задачи и исходного распределения температур, обусловленного нагревателем ростовой установки, кристаллизация идет с изменением или без изменения мощности тепловыделения контейнера и нагревателя ростовой установки, По окончании...

Номер патента: 1389015

Опубликовано: 27.07.1996

Авторы: Беликов, Гиль, Гопанков, Григорьева, Заименко, Ильин, Мельников, Сандул, Свешников, Сердюк, Турутина, Черевченко, Яремов

МПК: A01G 31/00

Метки: волокнистый, выращивания, гравилен, растений, субстрат

Волокнистый субстрат для выращивания растений, включающий минеральное волокно диаметром 1-10 мкм, фенолформальдегидное связующее и целевые добавки, отличающийся тем, что, с целью улучшения водно-воздушного режима субстрата и повышения продуктивности растений, он в качестве минерального волокна содержит волокно из пироксенового порфирита, а в качестве целевых добавок полиакриламид и природный цеолит с размером частиц 0,5-3,0 мм при следующем соотношении компонентов, мас.Волокно из пироксенового порфирита 86-96Фенолформальдегидное связующее 0,5-2,0Полиакриламид О, 5-2, ОПриродный цеолит 3,0-10,0

Номер патента: 1835845

Опубликовано: 20.08.1996

Авторы: Кузнецова, Кунягина, Михайлова, Шаяхметов

МПК: C12N 1/20

Метки: bacillus, subtilis, выращивания, питательная, среда, штамма

...агаризованную среду Гаузе М 2 штрихом по диаметру чашки Петри. После 72 + 4 ч инкубации при 37 С перпендикулярно к выросшей культуре подсевают штрихом посевной материал тест-микробов (500-миллионные суспензии микробов в 0,9 , растворе натрия хлорида после роста микроорганизмов на мясо-пептонном агаре в течение 18 й 4 ч. Через 18 + 4 ч инкубирования с тест-штаммами при 37 С учитывают зоны задержки роста тест-штамм о в в мм, Контролем роста тест-культур служит их параллельный посев на чашки с той же средой без исследуемой культуры,Данные по изучению антагонистической активности культуры В,зпЪй 11 з М 534, выращенной на среде прототипе, на среде- аналоге и предлагаемой питательной среде, представлены в табл.2.П р и м е р 2. Для...

Номер патента: 1824953

Опубликовано: 27.09.1996

Авторы: Бородин, Романов, Хаджи, Штеренлихт

МПК: C30B 7/10

Метки: аппарат, выращивания, гидротермального, кристаллов

...тепловой поток по стенке внутреннего сосуда из его нижней части в верхнюю по сравнению с односекционным внутренним сосудом.Другим возможным решением является использование теплоизоляционных проклалок, например, из фторопласта, устанавливаемых между секциями в зоне их соединения,На чертеже представлен аппарат впродольном разрезе.Аппарат содержит внешний сосуд 1 ивнутренний сосуд, выполненный разъемнымв виде двух секций: нижней 2 и верхней 3. 1, Аппарат для гидротермального выращивания кристаллов в агрессивных средах, содержащий внешний стальной сосуд высокого давления и внутренний сосуд цилиндрической формы, выполненный из коррозионно-стойкого материала или футерованный им, и имеющий внутри перфорированную перегородку, разделяющую его...

Номер патента: 882247

Опубликовано: 20.11.1996

Авторы: Водаков, Мохов, Рамм, Роенков

МПК: C30B 23/00, C30B 29/36

Метки: выращивания, монокристаллического

Способ выращивания монокристаллического SiC, включающий сублимацию источника SiC, размещенного в тигле, на подложку SiC при 1600 2000oС, отличающийся тем, что, с целью снижения плотности дефектов типа пор, дислокаций и включений второй фазы и увеличения объема кристаллов, сублимацию ведут в присутствии Та, взятого в количестве 1% от веса источника.

Номер патента: 1136501

Опубликовано: 20.11.1996

Авторы: Водаков, Мохов, Роенков

МПК: C30B 25/02, C30B 29/40

Метки: выращивания, газовой, галлия, нитрида, фазы, эпитаксиального

Способ эпитаксиального выращивания нитрида галлия из газовой фазы, включающий пропускание потока аммиака над источником металлического галлия и осаждение слоев на подложки, отличающийся тем, что, с целью увеличения толщины слоев, источник галлия располагают напротив подложек на расстоянии 2 5 мм, поток аммиака пропускают между ними со скоростью 25 50 л/ч и осаждение ведут при температуре 1170 1270oС и температуре источника на 10 50oС выше этой температуры.

Номер патента: 913762

Опубликовано: 20.11.1996

Авторы: Водаков, Мохов

МПК: C30B 23/02, C30B 29/36

Метки: выращивания, карбида, кремния, политипа, эпитаксиального

1. Способ эпитаксиального выращивания карбида кремния политипа 4Н путем пересублимации исходного материала на монокристаллическую подложку карбида кремния в присутствии паров вещества, трансформирующего ее в политип 4Н, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных кристаллов, их совершенства и чистоты, в качестве трансформирующего вещества используют олово, или свинец, или германий, или их смесь.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью уменьшения толщины переходного слоя, пересублимацию ведут со скоростью нагрева исходного материала 100 1000oС/мин.3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что, с целью легирования кристаллов, пересублимацию ведут в присутствии паров легирующего вещества из ряда:...

Номер патента: 1342056

Опубликовано: 10.12.1996

Авторы: Бредихин, Быстров, Ершов, Кацман, Лавров

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов, профилированных, раствора

1. Устройство для выращивания профилированных кристаллов из раствора, содержащее герметичный кристаллизатор с крышкой, установленную внутри него камеру роста с затравочным кристаллом, погружной насос, имеющий выходное сопло, направленное на растущий кристалл, и жестко связанный с приводом, установленным на крышке, и нагреватель, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности, устройства и качества кристалла, устройство снабжено механизмами перемещения насоса и вертикального перемещения камеры роста, соединенными с индуктивными приводами, размещенными на крышке, датчиком роста кристалла, электрически связанным с приводом перемещения камеры, а выходное отверстие сопла выполнено в виде щели.2. Устройство по п. 1,...

Номер патента: 1107589

Опубликовано: 20.01.1997

Авторы: Давиденко, Карпов, Смирнов

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллизации, кристаллов, методом, направленной

Устройство для выращивания кристаллов методом направленной кристаллизации, включающее ампулу и установленный на дне тигель, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности за счет увеличения коэффициента использования тигля, ампула снабжена перегородкой в виде воронки с осевым отверстием, расположенной над тиглем.

Номер патента: 917574

Опубликовано: 20.01.1997

Авторы: Жвирблянский, Степанова, Шутова

МПК: C30B 15/20

Метки: выращивания, монокристаллов

Устройство для выращивания монокристаллов, содержащее герметичную камеру с поддоном, тигель с расплавом, электронагреватель с шинами питания, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности, долговечности работы установки и безопасности ее обслуживания, оно снабжено аварийным датчиком, установленным между тиглем и поддоном, ресивером с датчиком давления и реле, установленным на шинах питания, при этом аварийный датчик соединен с ресивером, а датчик давления подключен к реле.

Номер патента: 1061533

Опубликовано: 20.01.1997

Авторы: Бобырь, Иванов, Радкевич, Рябовол, Смирнов, Стадник

МПК: C30B 35/00

Метки: ампуле, выращивания, кристаллов, расплава

Устройство для выращивания кристаллов из расплава в ампуле, содержащее вертикальную шахтную печь, состоящую из двух камер с нагревательными элементами, охлаждаемую кольцевую диафрагму, ампулу с кристаллизуемым веществом, механизм перемещения ампулы в вертикальном направлении и приводы перемещения ампулы в горизонтальной плоскости в двух взаимно перпендикулярных направлениях, отличающееся тем, что, с целью увеличения выхода качественных кристаллов за счет обеспечения центровки ампулы относительно диафрагмы в течение всего процесса выращивания, оно дополнительно содержит дифференциальные термопары, установленные диаметрально противоположно на внутренней поверхности охлаждаемой кольцевой диафрагмы перпендикулярно направлению перемещения...

Номер патента: 989912

Опубликовано: 27.01.1997

Авторы: Бобырь, Смирнов

МПК: C30B 11/00

Метки: ампуле, выращивания, монокристаллов, расплава

Устройство для выращивания монокристаллов из расплава в ампуле, включающее вертикально расположенные нижнюю и верхние камеры с нагревательными элементами, принудительно охлаждаемую кольцевую диафрагму, расположенную в верхней камере, и системы стабилизации температур нагревательных элементов, каждая из которых состоит из температурного датчика, задающего средства, регулятора и исполнительного усилителя, отличающееся тем, что, с целью упрощения устройства и повышения воспроизводимости условий кристаллизации на начальной стадии процесса выращивания, датчик температуры верхнего нагревателя установлен в объеме верхней камеры так, чтобы выполнялись условия0,5 ...

Номер патента: 1332886

Опубликовано: 27.01.1997

Авторы: Белевич, Груцо, Маковецкая

МПК: C30B 11/00

Метки: вертикально, выращивания, кристаллизации, кристаллов, методом, направленной

Устройство для выращивания кристаллов методом вертикально направленной кристаллизации, содержащее печь, имеющую две зоны, разделенные диафрагмой, и установленную в ней с возможностью перемещения цилиндрическую ампулу с коническим концом, отличающееся тем, что, с целью исключения перегрева ампулы в верхней зоне печи и снижения температурного градиента в расплаве, нижняя часть ампулы снабжена экраном, диаметр которого равен диаметру ампулы, а его нижний торец расположен в нижней зоне печи.

Номер патента: 1774675

Опубликовано: 10.02.1997

Авторы: Волочек, Гарибин, Гусев, Демиденко, Дунаев, Захаров, Зубанков, Миронов, Шаников, Ширяев

МПК: C30B 23/00

Метки: выращивания, газовой, заготовок, контейнер, поликристаллических, фазы

Контейнер для выращивания поликристаллических заготовок из газовой фазы, содержащий камеру испарения, размещенную над ней фильтрующую перегородку, установленную к ней вплотную пластину с отверстием, паропровод и крышку, на внутренней поверхности которой закреплен подложкодержатель, отличающийся тем, что, с целью повышения качества заготовок и уменьшения показателя ослабления в видимой области спектра, отношение площади отверстия в пластине к рабочей площади подложкодержателя в виде сменных вкладышей составляет 0,065-0,400.

Номер патента: 1610942

Опубликовано: 20.03.1997

Авторы: Бобырь, Илькин, Любинский, Смирнов, Чиненов

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: выращивания, кристаллов, щелочно-галоидных

Способ выращивания щелочно-галоидных кристаллов, включающий вертикальное перемещение ампулы с коническим дном, заполненной расплавом, перегретым выше температуры плавления, через охлаждаемую диафрагму, увеличение перегрева после выращивания конусной части кристалла, выращивание цилиндрической части и охлаждение, отличающийся тем, что, с целью ускорения процесса, ампулу перемещают с постоянной скоростью, конусную часть кристалла выращивают в течение временипри перегреве t1= 30-50 C, затем перегрев...

Номер патента: 1709767

Опубликовано: 10.05.1997

Авторы: Абловацкий, Калугин, Куценогий, Петров

МПК: C30B 15/00, C30B 15/20

Метки: выращивания, кристаллов, расплава

Устройство для выращивания кристаллов из расплава на затравку, содержащее охлаждаемую камеру с тиглем, нагревателем тигля и емкость для сбора пролитого расплава, отличающееся тем, что, с целью сокращения времени ремонтных работ, нижняя часть камеры снабжена сливным патрубком, соединенным с емкостью, установленной вне камеры и имеющей предохранительную мембрану.

Номер патента: 1619750

Опубликовано: 20.07.1997

Авторы: Зайцева, Пономарев, Рашкович

МПК: C30B 29/14, C30B 7/00

Метки: выращивания, кдр, монокристаллов, типа

...кристалла, г;У - объем кристалла, см ; р - плотность кристалла г/см ;з,Рр и Рс - исходные веса раствора и солисоответственно, г;СО=а+ЬТ - разновесная концентрация притемпературе Т, г соли/г раствора.Для КДР а=0,799 гс/гр-ра Ь 0,00335гс/гр-рфК; р = 2,338 г/см3Для ДКДР (Х=0,9) а=0,844 гс/гр-ра,Ь=0,0037 гс/гр рафК; р = 2,356 г/смзОбъем кристалла в момент измерения 1вычисляется по его размерам, определяемымс помощью ортогональной сетки на платформе и катетометра. На следующий отрезоквремени Л 1 (например, сутки), зная скоростьроста 2., можно вычислить предполагаемыйобьем У и из уравненияА ехр(В/Т )-(Р -Ч р)Г(а+ЬТ )(Р -Ч р)+1 = О,(3)получить температуру Т, до которой нужно снизить температуру для роста кристалла с Копз 1 за время Л 1,...

Номер патента: 1122012

Опубликовано: 20.10.1997

Авторы: Будаковский, Иванов

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, монокристаллов

1. Устройство для выращивания монокристаллов направленной кристаллизацией расплава, включающий двухзонную вертикальную печь с диафрагменной перегородкой и установленную внутри печи ампулу для расплава в герметичном кожухе, выполненную в виде цилиндра с коническим дном, отличающееся тем, что, с целью повышения качества монокристаллов из щелочно-галоидных материалов, дно ампулы размещено на расстоянии 0,4 0,8 ее диаметра от дна кожуха, а отношение ее диаметра к диаметру кожуха 0,8 0,95.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что кожух вакуумирован.

Номер патента: 1262998

Опубликовано: 20.05.1998

Авторы: Будаковский, Иванов, Петриченко

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллизацией, кристаллов, направленной, расплава

Устройство для выращивания кристаллов направленной кристаллизацией расплава, включающее вертикальную печь, разделенную горизонтальной диафрагменной перегородкой на две зоны, размещенную внутри печи ампулу для расплава, выполненную в форме цилиндра с коническим дном и снабженную кожухом, отличающееся тем, что, с целью повышения качества кристаллов за счет стабилизации положения и формы фронта кристаллизации, устройство снабжено сосудом для хладагента, размещенным в нижней зоне печи, а нижний торец кожуха открыт и погружен в хладагент.

Номер патента: 588670

Опубликовано: 10.09.1998

Авторы: Золотарев, Краснов

МПК: A01K 61/00

Метки: выбора, выращивания, места, моллюсков, морском, шельфе

Способ выбора места для выращивания моллюсков на морском шельфе путем анализа солевого и изотопно-кислородного состава воды, отличающийся тем, что, с целью выбора места, наиболее благоприятного для роста моллюсков, первоначально исследуют состав пробы скелетного вещества, полученного с участка раковины, имеющего максимальный линейный прирост, устанавливают в пробе содержание элементов - индикаторов солей и изотопов кислорода, а выбор места обитания производят путем сравнения полученных данных с данными воды исследуемого шельфа.

Номер патента: 1589688

Опубликовано: 27.03.1999

Авторы: Вааг, Карпов, Лызганов, Самбуева, Смольская, Юрьева

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, калия, монокристаллов, хлористого

Способ выращивания монокристаллов хлористого калия, включающий плавление шихты с добавкой соединения галогена, имеющего температуру испарения ниже температуры плавления хлористого калия, выдержку расплава и выращивание из него кристалла на затравку, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коэффициента поглощения излучения на длине волны 10,6 мкм, в качестве добавки используют C2F4 в количестве 0,02 - 0,10 мас.%.

Номер патента: 1637326

Опубликовано: 27.04.1999

Авторы: Ефременко, Масленникова, Нарбутович

МПК: C12N 1/20, C12Q 1/04

Метки: вибриона, выращивания, питательная, среда, холерного

Питательная среда для выращивания холерного вибриона, содержащая бульон Хоттингера с содержанием аминного азота 50 - 140 мг %, отличающаяся тем, что, с целью увеличения выхода бактериальных клеток, она дополнительно содержит смесь моно-, ди- и трисиалоганглиозидов при следующем соотношении компонентов:Бульон Хоттингера с содержанием аминного азота 50 - 140 мг %, л - 1Смесь моно-, ди- и трисиалоганглиозидов, г - 0,001 - 0,00001

Номер патента: 1202268

Опубликовано: 20.05.1999

Авторы: Авророва, Андрус, Бебуришвили, Вальков, Гребенников, Жога, Куницына, Ревенко

МПК: C12N 1/20, C12Q 1/04

Метки: выращивания, микроба, питательная, среда, чумного

Питательная среда для выращивания чумного микроба, содержащая источник азота, натрий хлористый, метабисульфит натрия, соль натрия, агар и дистиллированную воду, отличающаяся тем, что, с целью повышения ростовых свойств среды, она дополнительно содержит бишофит, в качестве источника азота она содержит промышленный отход производства белково-витаминного концентрата и порошок белково-витаминного концентрата, в качестве соли натрия она содержит натрий углекислый при следующих количественных отношениях компонентов, %:Промышленный отход производства белково-витаминного концентрата - 65 - 75Порошок белково-витаминного концентрата - 1,5 - 2,5Натрий хлористый - 0,2 - 0,3

Номер патента: 758774

Опубликовано: 20.05.1999

Авторы: Ряпис, Шиповская

МПК: C12N 1/20

Метки: возбудителя, выращивания, минимальная, питательная, сапа, среда

Минимальная питательная среда для выращивания возбудителя сапа, содержащая агар-агар, KH2PO4, двузамещенную соль фосфорной кислоты, соль серной кислоты, сернокислый магний, соль лимонной кислоты, источник углерода и воду, отличающаяся тем, что, с целью повышения чувствительности среды, она дополнительно содержит сульфит натрия, в качестве двузамещенной соли фосфорной кислоты она содержит натрий фосфорнокислый двузамещенный, в качестве соли серной кислоты - сернокислый аммоний, в качестве соли лимонной кислоты - лимоннокислый натрий, в качестве источника углерода - молочную кислоту при следующем количественном соотношении компонентов, г/л воды:Агар-агар - 15,0 -...

Номер патента: 1529777

Опубликовано: 10.06.1999

Авторы: Дмитриев, Зуев, Кащеев, Кийко, Макурин, Перепилицын

МПК: C30B 29/16, C30B 9/12

Метки: бериллия, выращивания, монокристаллов, оксида, шихта

Шихта для выращивания монокристаллов оксида бериллия из раствора-расплава, содержащая соединение бериллия и в качестве растворителя V2O5 и PbF2, отличающаяся тем, что, с целью повышения скорости роста и выхода монокристаллов изометрической формы, в качестве соединения бериллия шихта содержит смесь Be(OH)2 и BeСО3, взятых в соотношении, мас.%:Be(OH)2 - 66,7 - 71,5BeСО3 - 28,5 - 33,3и в количестве 16 - 24 мас.% по отношению к растворителю, соотношение компонентов в котором равно, мас.%:V2O5 - 60 - 70PbF2 - 30 - 40

Номер патента: 988008

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Березин, Васильев, Дранкин, Жвирблянский

МПК: C30B 15/02

Метки: выращивания, монокристаллов, расплава

1. Устройство для выращивания монокристаллов из расплава, включающее герметичную камеру роста, тигель для исходного материала, размещенный в нижней части камеры, расположенный над ним затравкодержатель и средство для дозагрузки тигля исходным материалом, выполненное в виде лотка и питателя с приводом, установленным с внешней стороны камеры, отличающееся тем, что, с целью повышения выхода монокристаллов за счет снижения загрязнения расплава, лоток снабжен механизмом перемещения, а питатель размещен в камере и снабжен стержнем, соединенным с приводом через мембрану.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что механизм перемещения лотка выполнен в виде шарнирной тяги, соединенной с одной...

Номер патента: 1169359

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Березовская, Ермакова, Кузьмин, Малиновский, Стуков, Тюльпанов, Щербакова

МПК: C12M 3/04, C12N 1/14, C12N 3/00 ...

Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов, мицелиальных, форм

1. Способ выращивания мицелиальных форм микроорганизмов, включающий приготовление питательной среды, пропитку носителя последней, засев носителя сухими конидиями, инкубирование в воздушной среде для закрепления и прорастания их и сушку готового продукта, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода готового продукта и улучшения его качества, в процессе инкубирования осуществляют периодическое погружение носителя на 2 - 5 мин в питательную среду с выдержкой на воздухе между погружением 15 - 40 мин в течение 72 - 120 ч и последующее выдерживание носителя в токе увлажненного воздуха до образования в нем спороносящей поверхности, а после сушки отделяют конидии от носителя.2. Аппарат...