Патенты с меткой «выращивания»
Способ автоматического управления процессом выращивания микроорганизмов
Номер патента: 602541
Опубликовано: 15.04.1978
МПК: C12B 1/08
Метки: выращивания, микроорганизмов, процессом
...билизации концентрации углекислого газа, регулирования расхода воздуха нааэрацию, стабилизации давления и ре"гулирования температуры, регулятора 11соотношения расходов подаваемого наЙэрацию воздуха и хладагекта, исполительнцх механизмов 12-14; установленных соответственно иа линиях подаМи воздуха, хладагента к отходящих газов,Система работает следующим образом.Вследствие Физиологического развития микроорганизмов повышается интенсивность дыхания, что приводит кувеличению тепловыделения к повышениюконцентрации углекислого гаоа и температуры среды в аппарате 1. Увеличение концентрации углекислого газа воспринимается газоанализатором 2 и вызывает возрастание сигналя на выходерегулятора 7. Этот сигнал в виде корректирующего...
Способ выращивания спиртовых дрожжей
Номер патента: 602542
Опубликовано: 15.04.1978
Автор: Дерканосов
МПК: C12C 11/18
Метки: выращивания, дрожжей, спиртовых
...1,14 Т 0,05 и запланированным выходом .Удельный расход воздуха составляет 80-100 мф на 1 мз культуральной жидкости. Расход мелассового сусла в пересчете на 46-ную мелассу при выходе 701000 кг. Общая выработка дрожжей составляет 1350-1400 кг.Конечный набор культуральной жидкости в аппарате за счет притока сусла воды и раствора сол)зэй минерального питаания равен 28"29 м . Общий расход ди" аммонийфосфата при содержании. пятиокиси фосфора в эасевных дрожжах 1 составляет 8-9 кг, сульфата аммония при содержании азота в эасенных дрожжах 2,2 равен 4-5 кг, Водные растворы укаэанных солей задают равными пор3 Формула изобретения Составитель И, ЗолотареваРедактор л.новожилова тех едААлатыРев ко екто д.Мельниченко чакаэ 1768/23 Тираж 568 Подписное...
Питательная среда для выращивания
Номер патента: 602549
Опубликовано: 15.04.1978
Автор: Гаджиева
МПК: C12K 1/06
Метки: выращивания, питательная, среда
...компонентов, вес,е:)т но 12,5Глутаминоваякислота 13,0Цистнн О , 12Тиами н О , О 5Трис- буфер 1 9 , 0Глюкоза 5 О , ОМЯ 604 6,0Агар-агар 150,0Эти компоненты закладывают в смеситель и перемешивают н течение 1 ч. Затем навеску сухой среды (4,1 г) растворяют в 100 мл дистиллированной воды нагревают на медленном огне до полно.го расплавления агар-агара н автоклавируют в течение 20 мкн при 0,5 атм.Среда светлая, прозрачная рн 7,4, Мейьеа е.е п иД 48% рас602549 формула изобретения Составитель С.МалютинаР акто Л.Новожилова Тех М.Келемеш Ко екто Д.Мельниченко Эаказ 1768/23 Тираж 568 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035 Москва Ж"35 Ра ская наб. , 4 5Филиал ППП Патент, г. Ужгород,...
Аппарат для выращивания микроорганизмов
Номер патента: 603658
Опубликовано: 25.04.1978
Авторы: Бойко, Мельников, Ревазов, Чечура, Юревич
МПК: C12B 1/10
Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов
...присоединен" ными к обечайке; соссно обечайке встроен патрубок для отвода газа. Пе ногаситель 4 установлен в этоМ патруа 1 ке, на стенках которого укреплены ре бра, предотвращающие завихрение отхо. дящей среды. Аэратор 5 размещен в ниЩ- ней части аппарата и выполнен в виде закрытой турбинной мешалки,разделен. ной горизонтальной перегородкой на две камеры, верхняя горловина аэратора 5 установлена в коническом переходе системы 2 теплообменно-цирку" ляционных труб, а нижняя горловина сообщена с воздуховодом б через ко" нический переход 7, укрепленный на днище аппарата. Соосно аэратору 5 установлен статор 8, который служит для придания потоку газожидкостной смеси вертикального направления. Воздух по дается через воздуховод 7.Аппарат...
Устройство для выращивания химиоустойчивых микробов
Номер патента: 122583
Опубликовано: 30.04.1978
Автор: Утенков
МПК: C12K 1/10
Метки: выращивания, микробов, химиоустойчивых
...баллоне 1 налита жидкая питательная 20среда без испытуемого химического вещества,в баллоне 2 - та же питательная жидкость,смешанная с химическим веществом в концентрации, в пять раз большей, чем установленная бактериостатическая - останавливающая размножение. Третий баллон 3 являетсясмесителем для жидкостей из баллонов 1 и 2и имеет градуировку на 10 - 15 частей, каждая3 бы вносятся пипеткой в культиватор 3 4 через трубку 5, развиваясь в пространстве 6 н стекая в каплях через капельницу в сборник 7. Для микроскопии и посевов берутся падающие капли нз капельницы,Сначала микроб выдерживается в потоке питательной среды без химического вещества 1 - 2 ч, причем прн регулировке зажимов 8 и 9 падающие капли стекают в культиватор 4 с...
Аппарат для выращивания фотоавтотрофных микроорганизмов
Номер патента: 604543
Опубликовано: 30.04.1978
Авторы: Анисимов, Задорин, Тимошков
МПК: A01G 33/00
Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов, фотоавтотрофных
...кран 10.Реактор 1 состоит из цилиндрического корпуса 11 с помещенной в него коаксиально по. ристой перегородкой 12 и цилиндрическоготочника 13 света. Между пористой перегодкой 12 и источником 13 света размещен3теплообменник 14, выполненный в виде спирально изогнутой трубы, соединенной с системой 6 поддержания температуры в контуре. Отфильтрованная культуральная среда через регулирующий вентиль 15 собирается в емкости 16,Аппарат работает следующим образом, Суспензия фотоавтотрофных микроорганизмов, например хлореллы, циркулирует под действием побудителя 3 расхода через реактор с источником 13 света и газообменник 4, в котором насыщается воздухом и углекислым газом. Часть культуральной среды, содержащая метаболиты, под действием...
Способ выращивания микроорганизмов
Номер патента: 608830
Опубликовано: 30.05.1978
МПК: C12B 1/08
Метки: выращивания, микроорганизмов
...инкубацияР, цогезсепз 310 при 28 С в течение 5 суток 25 30 35 40 45 50 55 60 65 на качалках со скоростью 100 об/мин в питательной среде следующего состава: КзНРО ЗНО 0,05 /о, МАЗО 7 Н 20 0,003 /оф янтарная кислота. 0,1 о/о, глицерин 0,4/о, смесь микроэлементов 1 мл/л, дрожжевой автолизат 0,001 о/о, (ХН) 250 0,1%, РеСз 6 НзО 0,0001 о , неорганическая полифосфорная кислота 0,003%, остальное дистиллированная вода.Состав контрольной среды: К,НРО ЗНО 0,05 о/о, МАЗО 7 Н 20 0,003 о , янтарная кислота 0,1%, глицерин 0,4%, смесь микроэлементов 1 мл/л, дрожжевой автолизат 0,001%, (МН)280 01 о/о, РеС 1 з 6 Н 20 0 0001 о/о, диметилсульфоксид 100 р.р,т.Прирост биомассы Р. Лцогезсепз 310 в среде с неорганической полифосфорной кислотой па вторые...
Аппарат для выращивания микроорганизмов
Номер патента: 608831
Опубликовано: 30.05.1978
Авторы: Доросинский, Логиновских, Мельников, Чечура
МПК: C12B 1/10
Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов
...ь 12, снабженный окнами 13 и дом 14 для отбора культуральной а в верхней части - окнами 15 отработанных газов. Над газоот.делителем 12 размещен влагокаплеотделитель 16 для очистки отработанных газов.Аппарат работает следующим образом.После заполнения аппарата питательной средой и засева микроорганизмов через воздухоподводящие трубопроводы 7 в кольцевые аэраторы 5 и конусные щелевые насадки 8, расположенные под диффузорами, подается воздух, Благодаря этому в кольцевом пространстве и пространстве, заключенном во внутренних обечайках 2 диффузоров, возникает восходящий газожидкостный поток, а в пространстве, расположенном за наружными обечайками 3 диффузоров, - нисходящий поток. Таким образом обеспечивается организованная циркуляция среды...
Питательная среда для выращивания кормовых дрожжей
Номер патента: 609763
Опубликовано: 05.06.1978
Авторы: Калугина, Коган, Татаренков
МПК: C12B 3/12
Метки: выращивания, дрожжей, кормовых, питательная, среда
...среды используют стоки мочки льна, получаемые прн замачивании льносоломы водой при 351 1 оС в течение 30-48 час.В процессе мочки вода обогащается различными элементами, вымываемымн из льносоломы, и продуктами распада стеблей под воздействием микроорганизмов рН стоков 5,0 5,5.Состав стоков мочки льна дан в таблице 1,609763 Таблица 1 Количество мг на 1 л среды Компонент,Количество 2700-4800 10-50 Уксусная кислота а+Са 1 ЗО800-1600 Пропион оная кислота 75-100 600-1900 Масляная кислота э+ 50-350 20-140 Валериановая кислота Ге 10-60 20-100 О, 16-0,30 200-400 0,70-2,0075-250 Азот 0,05-0,08 СО 0,03-0,06 Остальное Вода Компонент, мг на 1 л среды Изовалериановая кислота К стокам мочки льна добавляют 01-10% Зосолей аммония и качестве...
Аппарат для выращивания микроорганизмов
Номер патента: 610859
Опубликовано: 15.06.1978
Авторы: Бортников, Вайтехович
МПК: C12B 1/10
Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов
...конец трубок 15размещен в кармане на перегородке спереливным порогом 17.Аппарат работает следующим обраэск.Питательная среда через штуцер 8подается на верхнюю перегородку 2 ипо переливньм трубкам 16 перетекаетна нижерасположенные перегородки 2.Воздух подается снизу через штуцер 7и, проходя в .зазоре между горизонтальными параллельными трубками, распределяется в жидкости. Над перегородкой2 происходит интенсивное перемешиваниеи насыщение питательной среды кислородом, необходимым для роста микроорганизмов.Образующаяся над перегородкой 2 пена поднимается вверх и попадает в завихритель 3, где под действием газового потока часть ее разрушается,Проходя между изогнутыми лопатками З 04, газожидкостная смесь приобретаетвращательное движение в...
Способ очистки основы питательной среды для выращивания микроорганизмов
Номер патента: 611933
Опубликовано: 25.06.1978
Авторы: Бендас, Габрилович, Копылов, Меркулов, Милютин, Преображенская, Харабаджахян
МПК: C12K 1/06
Метки: выращивания, микроорганизмов, основы, питательной, среды
...в горячуюсмесь дробными порциями добавляют сухойкристаллический двузамещенный фосфорнокислый натрий под контролем качественных проб на иов кальция и фосфаты-ион врастворе ао исчезновения положительнойреакции на кальций и появления слабо положительной рекацни на фосфат, Расход фос.фата составляет 8,1 г на 1 л концентрата Аминный азот 260 мг%Хлоридов в пересчетена хлор-ион 1,25%Фосфатов 20 мг%Сухих веществ 9%.В таком виде гидролизат пригоден дляиспользования в широкой бактериологическойпрактике в качестве основы для жидких иплотных питательных сред,В табл, 1 приведены данные роста патогенных микроорганизмов на полученнойоснове,навсего 120 г) рН смеси снижают до 9,3,оСмесь прогневают пои 70 С в течение15 мин и профильтровывают поа...
Устройство для выращивания эпитаксиальных структур из газовой фазы
Номер патента: 612316
Опубликовано: 25.06.1978
Авторы: Гольдин, Демьянец, Коробов, Куклев, Маслов, Хлебников, Юшков
МПК: H01L 21/20
Метки: выращивания, газовой, структур, фазы, эпитаксиальных
...ВГЫрац)ГВЕЕ,4 ЫХ ЭПИ т. ЯКСИЕГ 1 Ь-ных структур.1 ЦЕПЬО ИЗ О 6 ГтЕТЕНтня явпяэтся у;,Е-, т ГЧ - ,цие производительности устройства иповышение однородности параметров получаемых эпнтаксиальцых структур,Достигается это тем, что:; извесллв ном густройстве, содержащем нагреваТЕЛИ ИСТОЧНИКЕ И ПОДЛОЖКИ, ВЕРТИКЯ;тьный трубчатый реактор со штуцерамиддя ввода и вывода газа, расположенныйв нем блок для размещения подложек иустановленный параллецьцо ему блок дпяРаЗМЕШЕЦИЯ ТВЕРДЫХ ИСТОЧНИКОВ, ПРГНЕМблоки закреплены ца соосных штокахпроводящих через пх центр и связанныхс приводами для вращения и перемеще.ния, блоки для крепления источников иподложек выполнены в виде дисков, периферийная часть которых выполнена в виде плоских сплошных...
Устройство для выращивания эпитаксиальных структур из газовой фазы
Номер патента: 612317
Опубликовано: 25.06.1978
Авторы: Бочкарев, Гольдин, Коробов, Маслов, Хлебников
МПК: H01L 21/20
Метки: выращивания, газовой, структур, фазы, эпитаксиальных
...блок 10, шток 11, уппогнения 12 и 13, привод. 14, нагреватель 15, кварцевую трубку 16, штуцеры 17 и 18, смотровые окна 19 и 20, бортик . 55 21, источник 22, подножку 23, средство крепления 24, В устройстве кварцевый трубчатый реактор 1 эакаочен в метаппический водоохпаждаемый кожух 2 Граитовый бпок 5 со средством креппения 24 источников 22 выполнен в виде плоского диска с бортиками 21, ограждающими со всех сторон каждый источник, и закреппен на штоке 6, соединенном с приводом 7. Средства креппения 24 выполнены, например, в виде винта с шайбой. Над графитовым блоком 5 установлен нихромовый нагреватель 8, заключен ный в кварцевую трубку 9. Трубка 9 выполнена в виде плоской спирапи. Кварцевая трубка 9 с нагревателем 8 через уплотнение (на...
Установка для выращивания микроорганизмов
Номер патента: 612953
Опубликовано: 30.06.1978
Авторы: Анисимов, Задорин, Николаева
МПК: A01G 33/00, C12N 1/12
Метки: выращивания, микроорганизмов
...к ресиве 1 у 15, рый в свою очередь через побудитель 16 расхода газа сосд:неп с входным газовым штуцсром 17 газообмешшка.Установка работает следующим образом.Из реактора 1 суспензия микроорганизмов, насыщенная газом. подающпмся из рсспвсра 15 побудителем 16 расхода газа, направляется в газообменпик 5, где освобождается от пзоыт,а газа и Охладастся. Затеи Ох,чаждснная суспензия поступает во всасывающий патрубок 13 побудителя 3 расхода жидкости и вновь направляется в реактор 1. Газ, десорбированный из суспспзии и насыщенный па.,Х - -,=сг-;, гсг 1 г1 г Составитель Г. Лошк Техрсд И. Рыбки гит иев едакт Тирагк 558а Совета Министровий и открытийаунгская паб. д 45 Иад. ЛЪ Государственно по деляги 113035, гЧоскв, )К, Р Заказ 125 г 815Н...
Аппарат для выращивания микроорганизмов
Номер патента: 615129
Опубликовано: 15.07.1978
Авторы: Бойко, Бурганов, Воинов, Кречмер, Матусяк, Медведев, Мельников, Чечура, Юревич
МПК: C12B 1/10
Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов
...всему объему и, следовательно, полного ее смешения.Цель изобретения -- организовать перекрестные циркуляционные потоки, обеспечить полное смешение среды и, следователь но, повысить производительность аппарата.Для этого в предлагаемом аппарате емкость снабжена установленными продольными вертикальными перегородками, которые образуют боковые циркуляционные каналы.е При этом поперечные вертикальные перегородки расположены между продольными с образованием секций, в которых черезодну укреплены в нижней части попарно 25 Бойко, Ю, И. Юрьевич6 о 129 Фиг. т аказ 38461Э Подпненое нраж о ППП Патент, г. Ужгород, тл, Проектная и. да жидкости и образования продольных циркуляционных контуров, Продольные перегородки 2 имеют отверстия 9 для прохода...
Установка для выращивания пекарских дрожжей
Номер патента: 618408
Опубликовано: 05.08.1978
Авторы: Гандзюк, Лозенко, Мардер, Семихатова, Соколенко, Степанец
МПК: C12B 1/10
Метки: выращивания, дрожжей, пекарских
...1 посредством переливной трубы 7, причем газовые пространства аппаратов сообщены5через трубопровод 8. Аппарат 1 снабжен датчиком 9 минимального уровнякультуральной жидкости,Установка для выращивания,пекарскихдрожжей работает следующим образом,В дрожжерастильный аппарат 1 потрубопроводу 10 непрерывно подаютсяпитательные вещества, По трубопроводу11 нв гидромеханический пеногаситель2 непрерывно подается вода, откуда ввиде распыленного потока с большойскоростью отбрасывается к периферииаппарата, частично разрушая образующуюся в процессе аэрации пену. По перьливной трубе 7 воздух с пеной передается в отборочный аппарат 4, В связи сконцентрацией в пене инфицирующеймикрофлоры она отводится из дрожжерастильного аппарата, при этом...
Способ выращивания пленок
Номер патента: 466816
Опубликовано: 05.08.1978
Авторы: Горина, Калюжная, Кузнецов, Максимовский, Никифоров
МПК: H01L 21/36
Метки: выращивания, пленок
...в замкнутом объеме с независимо контродируемыми источниками паров компонентов иди примесей.2На чертеже изображена принциниадь ная схема установки, работающей по предлагаемому способу.П р и м е р . Изгоговдение р=,Ф м, +аэО р - р- Ь- у 1 а переходов в , соединении СОТеВ кварцевую обезгаженную ампулу 1 помещают 3-5 Г чистого иди дегированного теддурида кадмия, на щдаждаелую подэз ставку 2 кладут механически подированную подложку 3 размером 1 х 1 см и годшиной 1,5 мм, а в боковой отросток 4 амйуды вводят летучий компонент Сд иди Те . После этого ампулу вакуумируют, оф 40 заполняют чистым водородом, герметизируют и помещают в печь 5 сопротивления, На боковой отросток ампулы надевают печь 6 соцротивдения. Кроме того, в ампуду...
Аппарат для выращивания микроорганизмов
Номер патента: 619505
Опубликовано: 15.08.1978
Авторы: Доросинский, Ревазов, Рудевич, Чечура
МПК: C12B 1/10
Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов
...концентрнчно валам и сообщены с всасывающими горловинами аэраторов. Одновременно в воздуховодах размещены подшипниковые узлы валов, т.е. они служат силовыми элементами.Патрубки для ттодачи питательной среды, отвода готового продукта и отработанно го газа условно не показаны и могутбыть размещены в зависимости от принятой.м Ф ф 61 Ц 5053 Таким образом, организация вертикаль ной циркуляции и интенсивного перемешивания в центре емкости способствует аффективному выращиванию микроорганизмов, а также повышению производительности аппарата. Аппарат для выращивания микроорганизмов, содержащий емкость с концентрич но размещенными в ней не доходящими до днища и крышки емкости диффузорами, между которыми установлены аэраторы, центральный...
Способ выращивания микроорганизмов
Номер патента: 619506
Опубликовано: 15.08.1978
Авторы: Беликова, Диканская, Долгая, Калунянц, Ронская, Фишер
МПК: C12C 11/08
Метки: выращивания, микроорганизмов
...уд. Проектная 4 чалке при Зд"С на минеральной среде ридер (рН 5,5), состава г/л;Сульфат аммония 0,3Сульфат магния 0,7Хдорид натрия 0,5фосфаты калияОднозамещенный 1,0Двуэамещенный 0,1Источником углерода служит метанол, добавляемый в количестве 1 мл на 100 мл среды. В среду вносят из расчета 01% стимулятор роста - суспензию клеток ауксоавтотрофных бактерий Рвввдоопаь кр,выращенных на метаноле и выдержанныхв течение 1 ч на кипящей водяной бане.Суспензия содержит 10% сухих веществ,За 48 ч выращивания на этой среде достигают концентрации абсолютно сухой биомассы дрожжей 1,9 гЬл. За такой же период роста иа аналогичной среде, нос автодизатом пекарских дрожжей, также добавленным иэ расчета 017 о концентрация биомассы составляет 16-17 г/л по...
Способ автоматического управления процессом непрерывного выращивания микроорганизмов
Номер патента: 619511
Опубликовано: 15.08.1978
МПК: C12K 1/10
Метки: выращивания, микроорганизмов, непрерывного, процессом
...с исполнительныммеханизмом 17, Задание регулятору 14 з 5расхода устанавливается регулятором 13концентрации биомассы, на который поступает сигнал от датчика 4, Коррекциязадания регулятору 13 вводится регулятором 12 рН среды величина которого 40измеряется датчиком 5.,Чемпература сбраживаемой среды контролируется датчиком 6 и поддерживаетси регулятором, связанным с исполнительным механизмом 16, 45Количество воздуха на транспортныйврлифт 2 измеряют расходомером 8, уровень сбраживаемой среды - датчиком .3и стабилизируют регулятором 11, соединенным с исполнительным механизмом 5015,Сущность предлагаемого способа автоматического управления процессом неп. рерывного биосинтеза заключается в следующем. В соответствии с заданной производительностыо...
Клетка для выращивания птицы
Номер патента: 623539
Опубликовано: 15.09.1978
МПК: A01K 31/06
Метки: выращивания, клетка, птицы
...1, На каркасе закреплена кормушку 2, поилка 3 и нолик 4, который установлен с воэможностью поворота относительно горизонтальной оси 5,Поилка 3 уравновешена с попиком 4,Противоположный от оси 5 край поликасвязан с каркасом 1 посредством пружины 6. Этот же край попика 4 связан споилкой 3 посредством троса 7, которыйвзаимодействует с установленными на каркасе блоками 8.Регулирование расстояния до кормушки и поилки по мере роста птицы осуществляется следующим образом.В клетку загружают однодневных цып.лят. При этом нолик 4, уравновешенныйс поилкойнаходится в горизонтальномположении, а расстояние до кормушки20 2 и поилки 3 позволяет цыплятам потреблять корм без существенных его потерь.По мере роста птицы увеличиваетсяее масса и попик 4,...
Питательная среда для выращивания культуры гриба 22 продуцента кислой фосфотазы
Номер патента: 623864
Опубликовано: 15.09.1978
Авторы: Писарева, Портнова, Родзевич, Яровенко
МПК: C12B 3/04
Метки: выращивания, гриба, кислой, культуры, питательная, продуцента, среда, фосфотазы
...потребность в амилолириготовленсевного материала ведут следующим об- тических ферментах, вводится в осахаразом. ривающую смесь совместно с глубинныВ.конические колбы емкостью 250 мл ми культурами Епйотсарз 1 э аврора,.раскладывают по 15 г пшеничных отру- АэрегрИоз Ьа 1 о 1 ое -6-продуцентамибей влажностью 45-50. Колбы со сре" р амилолитических ферментов и проводит- .до стеой стерилизуются в автоклаве при 1 ся осахаривание ячменного затора придавлении 1 атм в течение 1 ч. Охлаж-58 С. При этом общий расход Фероденные до 40 С отруби засевают сус- ментов на осахаривание составляет,пензией конидий чистой культуры гри- ед/г крахмала: глюкоамилаза 6; сЕ-амиба Азр.оеатиог( -22 иэ расчета 2,5-. 18 лаза 2; кислая фосфотаза 50-70,3 мл на 1 колбу....
Аппарат для выращивания микроорганизмов
Номер патента: 625622
Опубликовано: 25.09.1978
Автор: Петер
МПК: C12B 1/10
Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов
...свободное пространство е.Принцип работы аппарата заключается в следующем. Корпус 1 через патрубок 9 заполняют на половину субстратом. уровень последнего в емкости А находится на половине высоты ее участка в,При аэробном процессе через патрубок 9 и аэратор 10 в корпус 1 подают газ, преимущественно кислород или воздух, Затем включают насос 4, субстрат стекает вниз по участку г емкости А и поднимаются по пространствам д и е. Поднявшись, субстрат попадает в полость емкости А. Таким образом происходит циркуляция субстрата. Процесс газообмена проте 55 кает наиболее интенсивно при прохождении субстратом пространствад.Пространство е субстрат вследствие волнообразной формы наружной поверхности емкости А проходит с пе ременнои скоростью....
Способ выращивания рассады земляники
Номер патента: 626726
Опубликовано: 05.10.1978
Авторы: Брик, Винер, Деменко, Полосухин, Трушечкин
МПК: A01G 1/00
Метки: выращивания, земляники, рассады
...роста 11. ва е и активнэг витие в ом числ образование, рост и ных частей растения,тирование усов и розет ьма важно для иолуче енного посадочного маленэ на гетатив стен также спо цтванияобработвыр ючающи физиолог рассады земляники, вкл ку маточных растений тивными веществами ков Г 23Однако при обработ ки физиологически акти ра на ески акя высо о ериала.од цветений ачест Скаление цветвание листьев в и ы земляниществами 15 активиза -е рас ными я обраспособстустов и последующическим вещество маточных ка физиол сходит так и о удаления цветков истьев,аюшие влению летннх тьев.оличеция ро Целакладываются а как цветоно изобретения - увеличен вьпцение качества расс енна ательно; п ь этнх опе ный эффект аций да которы ства чт остигаетс ных вый...
Аппарат для выращивания микроорганизмов
Номер патента: 627164
Опубликовано: 05.10.1978
Авторы: Воронков, Мирошниченко, Николаев
МПК: C12K 1/10
Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов
...дифманометр, вторичный прибор с регулятором и регулирующий клапан, установленный иа линни подачи,отработаннойгазовой смеси в сепаратор.На чертеже схематично изображен пред 15 лагаемый аппарат.Аппарат для выращивания. микроорганизмов включает цилиндрическую. емкостьс концентрично установленным диффузором 2, кольцевые воздушные 3 и проточную 4камеры, перемешивающее устройство 5 сцентрально расположенным отверстием инаправляющими лопатками 6 и 7, камеру 8,внутри которой расположена крыльчатка 9,укрепленная на одном валу О с перемеши627164 формула изобретения ИИПИ заказ 5897/49 тираж 566 ПодписноеФилиал ППП Патент, г. Ужгород, ул, Проектнан вающим. устройством, сепаратор1.для отделения отработанного воздуха, трубопроводы 12 - 14 подачи...
Способ выращивания монокристаллов кремния
Номер патента: 331607
Опубликовано: 15.10.1978
Авторы: Березенко, Блецкан, Веселкова, Сахаров, Фалькевич, Шашков
МПК: B01J 17/18
Метки: выращивания, кремния, монокристаллов
...относится к металлургии полупроводников.Известен слособ выращивания моно- кристаллов кремния из расплава на затравке, имеющей Форму четырехгран- б ной призма, ориентированной в направлении 100,Описываемый способ отличается от известного тем, что используют затравку с боковыми гранями, совпадаю щими с кристаллографическими плоскостями100 ).Это дает возможность повысить выход монокристаллов в связи с тем, что их рост происходит более устойчиво. 18По описываемому способу монокристаллы выращивают на затравке квадратного сечения площадью ЗхЗ мм, вырезанной иэ монокристаллических слитков, ориентированных в направлениях 1111 и 11003 . Вытягивание производят обычным путем. Способ выращивания монокристаллов кремния из расплава на...
Способ выращивания монокристаллов кремния, ориентированных в направлении 111
Номер патента: 331608
Опубликовано: 15.10.1978
Авторы: Березенко, Блецкан, Веселин, Веселкова, Данковский, Доброхотов
МПК: B01J 17/18
Метки: выращивания, кремния, монокристаллов, направлении, ориентированных
...(111 моно- кристаллов кремния из расплава на затравке в виде правильной четырехгранной призмы.Описываемый способ отличается от известных тем, что используют затравку, имеющую форму трехгранной призмы, боковые грани которой совпадают с кристаллографическими плоскостями 11 12Это позволяет исключить образование. двойников в начальный период рос та, в связи с чем увеличзвается производительность процесса.П р и м е р. Монокристаллы кремния, ориентированные в направлении 111, вытягивают из расплава по способу Чохральского, Затравки в виде трехгранных правильных призм с высотой треугольника в поперечном сечении, составляющей 4 мм, вырезают из моно- кристаллов, ориентированных в направ-. лении 1111 таким образом, что боковые грани...
Способ выращивания растений на каменистых почвах
Номер патента: 627774
Опубликовано: 15.10.1978
МПК: A01C 5/04
Метки: выращивания, каменистых, почвах, растений
...посадокЭто достигается тем, чтоза растениями в период вегвидную часть щели углубляют Способ осуш вляется сл у мобразом.На склоне в горизонтальном направлении нарезают щель и 1 рыхлят ее верхнюю часть до образования рыхлой клиновидной зоны. Шелевание проводят в почве и в некрепких скальных породах до монолитного слоя непреодолимых материнских пород,встречающихся по глубине обработки.Щелевание можно провести шелеобразуюшим ножом с почвоподъемными пластинами. Отвалом, сочлененным со шелеобразуюшим ножом, в рыхлой клиновидной зоне щели, формируют микротеррасу так, чтобы середина щели располагалась в середине тер627774 Составитель М. ДранишниковРедактор Г. Яозжечкова Техред А, Алатырев Корректор Н. Тупица Заказ 5677 Л Тираж 748 Подписное...
Установка для искусственного выращивания растений
Номер патента: 627790
Опубликовано: 15.10.1978
Авторы: Вазенмиллер, Краснощеков, Морозов, Пукенец, Чупико
МПК: A01G 31/00
Метки: выращивания, искусственного, растений
...лампы 6 постоянного освещения и .проводят выращивание. Периодически вво дят между витками чдвтформы 3 каркас 22 с лампами 7 импульсного освещения в трубку 16 с соплами 17, после чего проводят импульсное освещение и подив 1 аналогично тому, как производился посев. По истечении срока выращивания проводят уборку, вводя между витками платформы 77903 уборочный шнек 12, Иэ кожуха 13 уборочная масса по приемному рукаву 14подается нв выгрузной ленточный транспортер 15,Подъем и опускание каретки 5 осуществляется с помощью копирующего родика 18, разгруженного от излишнеговеса каретки 5 противовесом 21, соединенного с кареткой 5 с помощью троса19 и блока 20,Применение данной установки обеспечит достижение заданных режимов корневого питания...
Аппарат для выращивания микроорганизмов
Номер патента: 628169
Опубликовано: 15.10.1978
Авторы: Бортников, Вайтехович, Вержбицкий, Прудников
МПК: C12B 1/10
Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов
...эакаичн.вается раструбом 6. Боковые вершины полой,лопасти имеют нагнетающие отверстия 7.Над раструбом 6 помещен аэратор 8,Аппарат работает сле Вал 2 приводит во вр При вращении лопастей бежная сила, которая отбр находящуюся в полых ло ра вращения к перифери через нагнетающие отвер628169 Формула изобретения Я/ 1= С. Еелаявая Корректор Л. Веселовская 1 одснос -роя СССР ехрсл )ра:к бба Редактор Заказ 57 ЬЦ 1111 И ПлохзЭ-та рцяоткрытий наб., д. 1 Й Госудрстсогопо дел а з в зоб11 З)зб, Мое:ва, )К.З лвал Г 1 Гп к Г 1 гс э оятета С орстекк) в в ауск Г 1 роек та я, Л г. Укго р тате разрежения, созданного в полых лопяс. тях, туда засясывяотся жидкость через ццжнее всасывающее отверстие 5 и цеця через верхнее всасывающее отверстие 4. В результате...