Патенты с меткой «выращивания»

Страница 4

Устройство для выращивания растений в теплицах

Загрузка...

Номер патента: 142831

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Ковалевский, Лесничий

МПК: A01G 9/14

Метки: выращивания, растений, теплицах

...предложенное устройство, состоного баллона на лотке, вид сбоку; на фиг. 2 - то же, видфиг, 3 - то же, из нескольких баллонов на тележке; на фигвид спереди,Предложенное устройство выполнено в виде одного или нескольких.расположенных один над други баллонов 1 в виде замкнутых и слегкасплющенных цилиндрических резервуаров. Баллоны изготовляют изпрорезиненной ткани или другого воздухонепроницаемого материала.М 42831 В вербуй чажбаллона помещено углубление - вместилище 2 для питательИи среды и растений. Вместилище может быть выполнено с трубчатымибфдми 3.Баллоны через, патрубки 4 наполняют сжатым воздухом от компрессорной"фустайовки, Для придания баллонам необходимой формы внутри их уведены, диафрагмы 5. По бокам к баллонам...

Установка для непрерывного выращивания культуры плесневых грибов поверхностным методом

Загрузка...

Номер патента: 142986

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Степанищев

МПК: C12M 1/18

Метки: выращивания, грибов, культуры, методом, непрерывного, плесневых, поверхностным

...из его верхней части стерилизованных отрубей в шнек-смеситель б и конденсацию паров (посредством водяной рубашки), прорывающихся из стерилизатора. В шнек-смеситель 6 одновременно со стерилизованными отрубями из бункера 7 через пробковый дозатор 8 подается посевная культура. Смесь стерилизованных отрубей и посевной культуры через распределительный шнек (служащий для поочередного питания двух растильных камер во время остановки одной из них на дезинфекцию) направляется в промежуточный бункер 15 и затем в пластинчатый дозатор 16 сыпучего материала. Из дозатора 16 смесь загружается между сходящимися между собой ситчатыми лентами 9 конвейера, которые в замкнутом положении имеют поперечное сечение полости, где находится смесь, в виде...

Способ выращивания кормовых дрожжей, обогащенных биомицином

Загрузка...

Номер патента: 144455

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Ашкинузи, Беренштейн, Васько, Лысогор

МПК: C12N 1/16

Метки: биомицином, выращивания, дрожжей, кормовых, обогащенных

...ферментатор 4 из сосудов с подают ре;родуцент биомицина, например Ас 1, ацгеоГасепз, который аэрцруОт воздухом в ферментаторе 4 и ферментатсре 5. В результате рЗхнокепи маточной культуры Ас 1, ангесасепз происходит про:уццОвацпе бцсмицина. После накопления некоторого количества бцомццц а перзыц этап выращивания ксрхОвых дрожжей заканивается.В начале второго этапа культральнуО жидкость догсл;:тельно охлакдают в холодильнике 6 и подаОт в ферментатор 7, в котором в охлажденную барду задают цз сосудов 8 маточные ксрмозые дрожжи. Затем массу перемешивают, аэрнруОт и ца:равлгпот в с.;ер.;с;тто 1 9.10 и 11, где и происходит дальнецшее размножение заданных маточных культур. При этсх благодаря широкому спе,тру акт;вцссти бис- и 11 нна происходит...

Теплица для круглогодового выращивания овощных и других культур

Загрузка...

Номер патента: 144668

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Корольков

МПК: A01G 9/14, A01G 9/24

Метки: выращивания, других, круглогодового, культур, овощных, теплица

...ее испарения и добавления свежей воды, взамен пспарившейся.Сохранение температуры в оптимальных пределах ведет к повышению урожая тепличных культур,Наличие водяного фильтра позволяет также аккумулировать в дневные часы тепло солнечной радиации, а в ночное время использовать его для обогрева теплицы.Кроме того, полная герметичность кровли позволяет свести к минимуму потерю тепла теплицей за счет инфильтрации наружного воздуха. Наличие водяного фильтра не снижает прозрачность кровли и предохраняет последнюю от повреждения градом.Конструкция кровли представл 5 ет соб 011 Отдельные, Остекленные стеклом толщиной 4 - 5 сл стальные пли железооетонные рамы 2, уложенные на промежуточные стойки Р.Система обогрева предложенной теплицы кОжет Оыть...

Способ выращивания дрожжей и других микроорганизмов, например, при производстве антибиотиков

Загрузка...

Номер патента: 145875

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Бекер, Пустнынь

МПК: C12N 1/00, C12N 1/16

Метки: антибиотиков, выращивания, дрожжей, других, микроорганизмов, например, производстве

...бактерий или натуральный, приготовляют в виде 5 - 7",о-ного водного раствора и добавляют к нему формалин из расчета 40 г формалина на 1 кг сухого вещества картофельного сока. Полученную смесь интенсивно перемешивают и выдерживают около двенадцати часов. После этого раствор осветляют в отстойных центрифугах и используют для обогащения питательной среды дрожжей. Оптимальное количество смеси, добавляемой к основному сырью, определяют путем проведения лабораторных опытных брожений. При переработке, например, свеклосахарной мелассы в процессе производства хлебопекарных дрожжей, оптимальное количество добавляемой смеси клеточного картофельного сока и формалина составляет 2 - 121% по сухому веществу клет=чного картофельного сока от веса...

Способ выращивания кормовых белковых дрожжей

Загрузка...

Номер патента: 146179

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Андреев

МПК: C12N 1/16

Метки: белковых, выращивания, дрожжей, кормовых

...чанах 1 первой ступени щивание дроккей на сусле с содержанием 2 - . 4% Р веществ) с недобродом на этой ступени 1 - 1,2% РВ зируются главным образом гексозные сахара.Выращенные на первой ступени дрожжи выделяются методом сепарирования или флотации в сепараторах 2 или во флотаторах 3.В дрожжерастительных чанах 4 второй ступени происходит выращивание дрожжей на растворе с содержанием .1,0 - 1,2% РВ с доведением недоброда до 0,2 - ; 0,35% РВ. При этом утилизируются все остаточные сахара, главным образом пентозные.Вторичное выделение дрожжей происходит всбросом обработанной барды в канализацию (гидупаривание (сульфитные щелока).Мо 146179 Фиг.1 Фиг.2ставитель В, В, Рождественский Редактор О, Д. Ус1 екред А. А. Кудрявицкая...

Способ беспочвенного выращивания овощных культур в теплицах

Загрузка...

Номер патента: 147862

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Акопян, Корбут

МПК: A01G 31/06

Метки: беспочвенного, выращивания, культур, овощных, теплицах

...обновлением.Для приготовления питательного раствора в коридоре 1 теплицы установлены баки 2, из которых концентрированные растворы микроэлементов, разбавленные подогретой в бойлерах 3 водой, поступают в резервуар 4, расположенный в торце теплицы,Питательный раствор из резервуара насосной станцией 5 через распределительное устройство подается в стеллажи соответствующего участка,Насосная станция и распределительное устройство в соответствим с заданной программой автоматически включаются при помощи команд ного аппарата 6. Насосная станция подает питательный раствор в дренажные короба 7, из которых они поступают в стеллажи, При достижении раствором заданного уровня в стеллажах участка срабатывает поплавковый регулятор уровня, который...

Печь к аппаратам для выращивания монокристаллов тугоплавких веществ

Загрузка...

Номер патента: 148017

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Гулевич, Фаивусович, Циглер

МПК: C30B 11/10

Метки: аппаратам, веществ, выращивания, монокристаллов, печь, тугоплавких

...обмазкой 3, наружным цилиндром 4 и снизу ограничена фигурным кольцом 5, а сверху крышкой б. Через отверстия в фигурном кольце 5 горячие газы и избыточный водород, необходимый по технологии выращивания монокристаллов, поступают в кольцевую камеру. Отверстия в днище 7 служат для подсоса воздуха, необходимого для сгорания избыточного водорода. Вверху над камерой находится кольцевой сборник 8 для отработанных газов. Снизу печь имеет шлюз, закрывающийся съемной втулкой 9,Таким образом, при выращивании монокристаллов в предлагаемой печи в кольцевой камере образуется тепловой барьер, препятствующий отдаче тепла от муфеля 1 печи в окружающую среду.Предлагаемая конструкция печи более инерциогна по сравнению с известными и снижает температурные...

Способ выращивания картофеля

Загрузка...

Номер патента: 148289

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Самчук

МПК: A01B 79/02, A01C 7/00

Метки: выращивания, картофеля

...и удобренном поле картофелесажалкой делают борозды 1 шириной 30 ся и глчбиной 8 - 1 О см (фиг, 1). На дне борозды сошником делается бороздка 2 глубиной 5 - 6 см. В это суженное дно борозды на расстоянии 25 - 35 см друг от друга высаживают клубни 3 картофеля и заделывают их малым слоем почвы. На небольшой глубине клубни хорошо прорастают, так как прогрев достаточный и, следовательно, хорошо протекает яровизация. При появлении сорняков проводят обработку почвы культиватором со специальными лапами-окучниками и лампами-боронками, которые срезают (фиг, 2, б) верхний слой почвы с сорнвками с гребня,.сбрасывают его в борозду и разравнивают (фиг, 2, в), засыпая при этом в борозде всходы сорняков148289 и картофеля. Как известно, всходы...

Бассейн для искусственного выращивания молоди осетровых и лососевых рыб

Загрузка...

Номер патента: 148653

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Улановский

МПК: A01K 61/00

Метки: бассейн, выращивания, искусственного, лососевых, молоди, осетровых, рыб

...от него.В бассейне предлагаемой конструкции созданы условия для более равномерного обмена воды в нем в период кормления, что выгодно отличает его от известного бассейна. Это достигается тем, что отверстия для стока воды расположены на одинаковых расстояниях от центральной сточной трубы, размещенной под дном бассейна.На фиг. 1 схематично изображен предлагаемый бассейн, вид в плане; на фиг. 2 - его вертикальный разрез.Бассейн для искусственного выращивания молоди осетровых и лососевых рыб имеет стенку 1 с отверстиями 2 для стока воды. Эти отверстия перекрыты сетками (на чертежах не показаны) для предотвращения уноса живого корма и расположены на одинаковых расстояниях от центральной сточной трубы 3, размещенной под дном 4...

Двухстенная емкость для выращивания растений на открытом воздухе

Загрузка...

Номер патента: 149276

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Красин

МПК: A01G 9/02

Метки: воздухе, выращивания, двухстенная, емкость, открытом, растений

...на открытом воздухе. Емкость состоит из наружного 1 и внутренн внутреннего ящика сделаны дренажные отверсти ке выполнено несколько отверстий 4 для регулир обмена воздуха в полости 5 между наружным и В зимнее время теплый воздух из межоконн проемов отапливаемых зданий подают в полость вых трубок, подключаемых к отверстиям 4.ания растен апример, для на от еленеличается от известных тем, емя года и предотвращения ее сообщается с теплым воз. мых эластичных труб.вухстенная емкость для выего 2 ящиков. В днище я 3. В наружном ящиования температуры и внутренним ящиками. ых или междверных 5 с помощью резиноПред м ен ния рас Двухст духе в ограокон, подъе тов, отлич время года ство ее сооб дываемых э ний на открозелененияотапливаемва почвы...

Шахтная печь для выращивания кристаллов методом киропулоса

Загрузка...

Номер патента: 151673

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Беликович, Вайданич, Кулик, Лыскович, Спитковский

МПК: F27B 1/10

Метки: выращивания, киропулоса, кристаллов, методом, печь, шахтная

...от я печь имеет киаметром 40 - 502 - 3 мм) к перином нагревателещиваемых кристдлагаемая шахтная печь предназнов люминофоров Иа 1 Те и Сз 1(Те) дропулоса. Подобно известной, онаревателями. Донный нагревательтолщина которой в центре составлшается до 12 - 15 лм. Диафрагмаметром 40 - 50 мм. Применение дианомерную скорость роста кристаллоптически прозрачные кристаллыхорошими сцинтилляционными хара ерамиче мл. Т иферии , Благо аллов. Диа- чиям выращив 0 - 130 мл ковым и ическуюи к пер альное о оляет об воз мож;30 и выс чена для иаметром 12 снабжена бо имеет керам яет 2 - 3 мм имеет центр фрагмы позв ов, что дает диаметром 1 ктеристика ми кристалл тодом Ки ным наг фрагму, рии повь стие диа чить рав получить 60 мм с анияме- дон- диа- ифе- твер-...

Способ выращивания грибка eremothecium ashybii в производстве рибофлавина

Загрузка...

Номер патента: 152280

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Голышева, Гришанкова, Либер, Успенская

МПК: C12N 1/14, C12P 25/00

Метки: ashybii, eremothecium, выращивания, грибка, производстве, рибофлавина

...применение питательной среды Е, содержащей 2% са сопептончого бульона и 1% дрожжевого автолизата мясного бульона или мясной воды для питательных дает высокую стоимость производства рибофлавина. В данном изобретении, с целью удешевления прои итательной среды предлагается вместо мясно воды вводить обезжиренный технический буль м после варки окороков. По своему составу обезжиренный технический бульон хара зуется следующими показателями (в %):Д егаблице йриведены сравнительные данные по выходу рибофлавина при использовании инокулята на среде Е и на предлагаемой питательной среде БС. Содержание рибофлавина в ферментативнойсреде, //мл Наименование средыСреда Е Среда БС Предлагаемый способ позволяет существенно удешевить производство...

Чан для выращивания аэробных микроорганизмов, например дрожжейвс1-»; . о-laluj -t«w. gt; amp; . 11

Загрузка...

Номер патента: 163574

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Деркач, Мамун, Сингаевский

МПК: C12M 1/04

Метки: t«w, аэробных, выращивания, дрожжейвс1-», микроорганизмов, например, о-laluj, чан

...1 и креилены направляоцие лопасти 8; и размещенная над воздухорасиределителем сетка 5 9, предназначенная для дробления воздуха.Воздухопровод 5 саО;акен патрубкол 10, предусмотренным для подвода питательной среы в нижнюю часть воздухопровода.В случае применения чанов диаметром 10 ббльшим 7 - 8в каждом размешают по несколько аэрирующих устройств, включающих цилиндр 3 с раструбом 4 и воздухопровод 5 с воздухораспределителем и сеткой 9.Выращивают аэробные микроорганизмы в 15 предлагаемом чане следующим образом.В чан загружают питательную среду, охладив ее до требуеъой температуры, вносят посевную культуру, после чего по воздухопроводу подают воздух в необходимом коли честве. Выходящий из воздухораспределителявоздух создает...

Аппарат для выращивания монокристаллов и зонной очистки высокотемпературных разлагающихсясоединений

Загрузка...

Номер патента: 163759

Опубликовано: 01.01.1964

Автор: Юбретеии

МПК: C30B 11/00

Метки: аппарат, выращивания, высокотемпературных, зонной, монокристаллов, разлагающихсясоединений

...регулируется путел 1 отпускания натянутой струны. 25 ддлов рЬлд- давлеуса, в ель ц оцокрис атурных ава под и из кор нагреваля выращивания л стки высокотемпер единений из расплго газа, состоящн рого установлен Аппарат д и зонной оч гающихся со ннем инертно полости кото В известных аппаратах для выращивания монокристаллов и зониой очистки высокотемпературных разлагающихся соединений з расплава под давлением инертного газа контейнер связан с внешним электродвигателем штоком, проходящим через уплотнение,Отличие предлагаемого аппарата состоит в том, что его корпус снабжен направляющей полостью, в которой установлены спиральная пружина и совершающий возвратно-поступательное движение поршень, связанный с контейнером штоком, а с внешним...

Способ выращивания микроорганизмов

Загрузка...

Номер патента: 164869

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Голгер, Колосков, Фремель, Яровенко

МПК: C12N 1/00

Метки: выращивания, микроорганизмов

...которого может быть различным, Сущность способа состоит в том, что питательную среду, например, отруби, стерилизуют, смешивают с посевной культурой и направляют па специальную поверхность, выполненную в виде спирального полого желоба, который размещен в камере установки.Процесс выращивания происходит поверхностным методом в слое 80 - 100 з,ц и более. В результате вибрационного движения, совершаемого поверхностью, по которой продвигается среда последняя перемешивается в слое,Частицы снюю и верхн е рхности сопрпс кислородом установку. Выотводят путе:5 имер Во ой, посщяется смесь, установки рост я, готова 5 кульм воздухом и этим спосоласты, умеив ерхпостсй сое. при миш- крооргянпзмы редмет пзобр ЕПИ 5 Спосо примене ч ающи ции про...

Субстрат для выращивания растений без почвы

Загрузка...

Номер патента: 165027

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: A01G 31/02

Метки: выращивания, почвы, растений, субстрат

...отличающийся тем, что, с целью создания лучших условий аэрации корневой системы, а также прочного кома из корней и частиц субстрата для пересадки растений, оц изготовлен из пластмассы в виде стерженьков прямоугольного сечения шириной 0,5 - 2 мм, толщиной 0,1 - 1 мм, длицой 15 - 80 мм.2. Субстрат по п. 1, отличающийся тем, что, с целью создания прочного кома для транспортировки растеций, субстрат приготавливают в виде церассыпающихся горшков путем о;главления поверхности субстрата в металлической форме. гисцая грувга М 19 с прцсоедицеццем заявки М. Лля выращшыггия растений без почвы применяют твердые химически ццертпые и механически прочные субстраты из частиц округлой или цеправильцоц формы, например кварцевый гравий, Могут быть...

Устройство для выращивания микроорганизмови их сушки

Загрузка...

Номер патента: 165152

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Голгер, Колосков, Фремель

МПК: C12M 1/04

Метки: выращивания, микроорганизмови, сушки

...м 1 к 00 ргя 35 О 1 ц сикс Осщсствл 5110 тсн цспэсрь 1 вцо, 11 схолия 51 с 1)с я цз бункера по:астся черезозятор г стсрцлцзят 01-смеситсль шнек 1 О 0 ц;1 И,155 ГОО т 11 я, напримср со сталы ыми лентами. После стерилизяш;и и смешивяццч с посевной,ультурой среда из стерилизатора смесителя подОтс 51 В ццжшою часть устройстга ця вибрируоций спиральный желоб.Ь этой части роста микроор 1 яц змов 1 с происходит, поэтому воздух туда можно це подавать или подавать цсзцячцтел 1,цое:;олцество. Под влиянием Вибрации среда по желобу годш 1 мастся вверх. Рерсз 12 - 14 час после засева начинается рост культуры, прц этом выделяется тепло. В эту зону по патрубку 11 подается. стерильный коР 1 диццонцТоннный воздух, который отводится черсз патрубок 12....

Способ выращивания монокристаллов слюды

Загрузка...

Номер патента: 165670

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Костин, Техническдй

МПК: C30B 11/02, C30B 29/34

Метки: выращивания, монокристаллов, слюды

...перегреве в центре печи(1440 С), перепаде температуры на расстоянии 150 мм до 1380 С и при движении систе мы тиглей по 1 мм в час снижение температуры в час будет равно 0,4 С.Способ предусматривает перемещение системы тиглей со скоростью, необходимой для поддержания заданной скорости охлаждения 25 или нагрева. Спосоо выры из расплав 0 тигля с распл одписнпя группо ЛБ 33 Известны способы выращивания монокристаллов елоды (фторфлогопита) из расплава путем медленного опускания тигля с раснлавом сквозь зону максимального нагрева. Процесс требует много вр(меня и ведется ступенями.В предлагаемом спосоое, основанном на кристаллизации опусканием тигля (или ряда тиглей) сквозь разо.ретую зону нагревателя (печи), используется промежуточный...

Среда для выращивания дрожжей и грибов

Загрузка...

Номер патента: 166914

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: C12N 1/16

Метки: выращивания, грибов, дрожжей, среда

...на кубовых остатка дства и на чистом денавырибовоизво лица с х рас х гли. глицедержание в микро организмахсиользоваи, Выход микроорганнзсиользован асы дрожжей и грибо сснмнлнруемое вещество М от Глице минеральногоазота (в н) мо линера (в Ж) белков рнн 9922,4 95,5 76,8 иЫц С - 1 лицерн убовые 7,5 0,0 0,0 58,1 42,5 55,1 атк,9 ,6 агЬогса лицеринубовые ос ТКИ 38,533 ,0 одогогеЬа ГлицеринКубовые ос тк 42,42,49,8 42,3 49,8 42,3 гсаг 1 а 95,95,8 нцерннбовые о 00,0 00,0 98,2 97,5 тк 3, 0 44,2 29,3 60,1 36,1 Тг)сЬоя рого ги - 3ГлицеринКуоовые остатки Подписная группа2 о 20,Зонг,) или кубовые неральными солями при производстве 7,2 30,5 9,9 46,3 0,5 42,9 3,8 59,2 4,7 19,1 7,5 40,0 8,7 15,0 5,8 8,6 7,4 7,4 9,5 26,1166914 Предмет изобретения...

Устройство для выращивания одноклеточныхводорослей

Загрузка...

Номер патента: 167972

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Кордюм, Лазуркевич, Ленова

МПК: C12M 1/04

Метки: выращивания, одноклеточныхводорослей

...ия Устройство ных водоросл Веты со штуц 5 тока и оттока чающееся тем пространения верхность кю са трехграннь 0 нями, одписная группа13 Зависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 29, Ч,1962776986/31-16 Опубликовано 05.11.1965. Бюллетень3 Дата опубликования описания 16.111.196 Известные устроистваноклеточных водорослейкювету со штуцерами дпритока и оттока средьУстройства подобного тдостаточного распростращей культуре.В предложенном устройстве, в отличие от известных, поверхность кюветы выполнена в виде комплекса трехгранных пирамид с ромбовидными гранями. Это улучшает распространение света в растущей культуре.На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство, вид сверху; на фиг, 2 - то же, вид сбоку; на фиг. 3 - то же, разрез по А-А на фиг....

Тигель для выращивания кристаллов из расплава

Загрузка...

Номер патента: 168639

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Алешин, Дмитриев, Песоцкий, Скаковский, Тузовский, Шнкгер

МПК: B01D 9/00, B01L 3/04

Метки: выращивания, кристаллов, расплава, тигель

...от расплава, камера, сообщающа донной части при пом штоком. вания кр тимонид целью о внутри яся с по ощи кан одписная группа М 3 ение относится к области химии ия кристаллов материалов, обрасисную пленку на поверхности расвыращиванзующих о:плава.В настоящее время для выращивания кристаллов применяют тигли без дополнительнойвнутренней камеры. В тиглях такой конструкции трудно выращивать кристаллы материалов, образующих окисную пленку расплава,препятствующую росту крпсталла, например 10кристаллов антимонида галлия.Цель изобретения - обеспечить возможность отделения окисной пленки от расплаваматериала. Достигается это тем, что предложенный тигель выполнен с дополнительной камерой, сообщающейся с полостью тигля припомощи канала, запираемого...

Способ выращивания монокристаллов флюорита

Загрузка...

Номер патента: 169063

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Аникин, Бутузов, Шушканов

МПК: C30B 29/12, C30B 7/10

Метки: выращивания, монокристаллов, флюорита

...ра хлорис ивания монокристаллов флюийся тем, что, с целью упроческой схемы и получения с равномерным распределемонокристаллы выращивают юорита путем перекристалли.флюорита в гидротермаль.автоклаве при 450 в 4 С и 200 атм с использованием в ителя водного 45 - 50%-ного того лития. Подпиская гоуггпа Известен способ выращивания монокр лов флюорита кристаллизацией из рас в вакууме при высокой температуре.Описываемый способ отличается от известного тем, что монокристаллы флюорита выращивают на затравку флюорита путем пере- кристаллизации исходного флюорита в гидротермальных условиях в автоклаве при 450 - 480 С и давлении около 200 атл с использованием в качестве растворителя водного 45 - 500/,-ного раствора хлористого лития. При применении...

Кварцевая ампула для выращивания монокристаллов

Загрузка...

Номер патента: 169064

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Изергин, Калашников, Сибирский, Черниговска

МПК: C30B 15/10, C30B 29/42

Метки: ампула, выращивания, кварцевая, монокристаллов

...б. Затравка 7 перемещается с помощью системы магнитного подъема 8. Заданное распределение температуры обеспечивают регулировкой печи 9, индукционного нагревателя 10 и холодильника б. Ампула соединена с фланцем 11 с помощью обычного вакуумного уплотнения 12. Вакуум-провод 13 Перед началом работы внутренние стенки ампулы и ее содержимое тщательно очища После сборки ампулу дополнительно очища путем прокаливания в вакууме мышьяка при 250 в 3 С в течение 2 - 4 час 1 галлия при температуре 600 в 8 С около 2 час). При этом температура стенок ампулы все время поддеркивается 700 С. Затем температуру мышьяка повышают до 608 С, Некоторое количество его конденсируется в наиболее холодной части ампулы вблизи холодильника. Мышьяк создает узкое...

Устройство для выращивания микроорганизмов

Загрузка...

Номер патента: 169200

Опубликовано: 01.01.1965

МПК: C12M 1/34

Метки: выращивания, микроорганизмов

...магнитов 5, приводимых в Подпиская группа13 движение общим приводом б, Последний обеспечивает синхронное вращение магнитов, а следовательно, идентичные условия перемешивания в культуральных сосудах 3.Продувка газа через культуральные сосуды 3 производится при помощи измерителя 7 расхода газа и запорного устройства 8.В каждом сосуде 3 при помощи платинированных электродов 9 измеряется окислительно-восстановительный потенциал, с помощью стеклянных электродов 10 производится измерение рН. Электродом для сравнения этих измерений служит электрод, состоящий из трубки 11 и двух напаянных на нее стеклянных шариков 12 и 13. Шарик 12 имеет платиновый вывод 14. На дно шарика 12 на. ливается слой ртути, поверх которой наносится слой каломели,...

Ферментатор для выращивания микроорганизмов

Загрузка...

Номер патента: 170024

Опубликовано: 01.01.1965

МПК: C12M 1/04

Метки: выращивания, микроорганизмов, ферментатор

...выполненные в виде вертикальной емкости, снабженной кольцевым воздушным коллектором, воздушным колпаком, змеевиковой системой охлаждения и вибрационной мембраной,Предлагаемый ферментатор повышает эффект вибрации. Для этого в качестве вибрационной мембраны применены концентрично расположенные гофрированные конусы.На чертеже схематически изображен предлагаемый ферментатор.Он выполнен в виде вертикальной емкости 1, внутри которой концентрично расположены гофрированные конусы 2. Последние закреплены на вертикальной трубе 3, приводимой в колебательное движение от вибропривода 4. В верхней части емкости 1 укреплен кольцевой воздушный коллектор 5, а в нижней - воздушный колпак б, змеевиковая система охлаждения 7 и шайбы 8.Работает...

Клеточная батарея «циипс-кбэ-1» для выращивания цыплят

Загрузка...

Номер патента: 171224

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Березнев, Дмитриев, Зубкова, Селез, Хмыров

МПК: A01K 31/06

Метки: «циипс-кбэ-1», батарея, выращивания, клеточная, цыплят

...блоке, а другие в на каркасе клетки и разде ляют ее на несколько отделений при снятом обогревательном блоке.На чертеже схематично изобрбатареи, включая две клетки ссов, вид спереди, 5Верхняя клетка показана разделенной на два отделения, при вставленном обогревательном блоке; нижняя - на три отделения, при снятом обогревательном блоке. Батарея имеет каркас со стойками 1, постоянные перетород ки 2, пометный короб 3, обогревательный блок 4 и откидные перегородки 5 и б,В первую половину периода выращивания цыплят обогревательный блок вставлен в клетку, укрепленная на нем перегородка б зафиксирована в вертикальном положении, а перегородки 5 подняты, Таким образом, клетка разделена на два симметричных отделения, каждое из которых...

Устройство для выращивания микроорганизмов на твердых агаровых средах

Загрузка...

Номер патента: 171365

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Васько, Гул, Ковш, Переплеткин, Потемкин, Ребенкова, Сицкий, Сухин, Хорьков

МПК: C12M 1/18

Метки: агаровых, выращивания, микроорганизмов, средах, твердых

...смонтированные в местах установки ванн. Этп механизмы представляют собой зубчатую пару (шестерни 8, 9) с гибкой лентои 10, снабженной грузом 11 и роликами 12. Шестерня 9 выполнена с бараоаном 13, взаимодействующим с фланцами И цилиндров. Цилиндры со звездочками и направляющими представляют собой петле. образный транспортер.Работает устройство следующим образом.Пустотелые цилиндры передвигаются пс направляющим и проходят последовательно через ванну 5, где в результате вращения вокруг своей оси (которое происходит под171365 фиг.1 воздействием гибкой ленты на цилиндры и барабана на фланцы цилиндров) и охлаждения водой, проходящей через их полости, обволакиваются агаром, В полости цилиндров нагнетается насосом с помощью распредели....

Чан для выращивания аэробных микроорганизмов

Загрузка...

Номер патента: 171366

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Мамун, Пшеворска

МПК: C12M 1/04

Метки: аэробных, выращивания, микроорганизмов, чан

...цилиндр с раструбом для направленной циркуляции аэрируемой среды, воздухопровод с воздухораспределителем и патрубком для подвода питательной среды, установленная над воздухораспределителем сетка, предназначенная длядробления воздуха,Для более эффективной аэрации и механического пеногашения в предлагаемом чаненад цилиндром (соосно с ним) размещен отражатель, выполненный по форме гиперболоида вращения,На чертеже схематично изображен предлагаемый чан.Он снабжен теплообменником 1, цилиндром 2 с раструбом 3 для создания направленной циркуляции жидкости, трубой 4 для подачи сжатого воздуха с патрубком б для подачи питательной среды и воздухораспределителем б. Над последним установлена сетка 7,а над цилиндром 2 - отражатель 8, имеющий форму...