Патенты с меткой «выращивания»

Номер патента: 1837790

Опубликовано: 30.08.1993

Автор: Брайан

МПК: A23K 1/00

Метки: выращивания, свиней

...традиционных методов, таких как инъекции или импланты, и скармливание свиньям диеты, в которую входитлизин в количествах, достаточных для того, чтобы в сочетании с сСТ синергетически стимулировать рост, улучшить привес и повышать эф. фективность использования корма.В предпочтительном исполнении изобретения сСТ вводится свиньям в дозе 5-15 мг/день на свинью, а предпочтительно 3-5 мг/день на свинью, а лизин вводится в корм свиней в количестве примерно 0,9 - 1,6 7 О От массы лизина, входящего в ежедневный рацион, предпочтительно около 1,1-1,4.П,р и м е р 1, Для проведения эксперимента были отобрань 1 семьдесят два полученных в результате скрещивания поросенка-борова, исходя иэ состояния их здоровья и веса тела. Поросята случайным...

Номер патента: 1837791

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Калитка, Лысенко

МПК: A23K 1/00

Метки: выращивания, кур, молодняка, племенных, ремонтного

...Китг)огГО СООТВЕГСтВ О В а Л аС Т а и О 13," ЕЦ Ы) Н О ) 7 Я )и,П риЫЕН 11 ЛЭС); СИСТЕМаГ) Ъ 1);,;,1.Ого;г) г 1.мления, Гдна гг)гги) 1 кг)нт)ргл):.,; с.: Гъ.)ла: ;,:,р; ниях, а такке,) составе ростостимулиру огцей ,Гоба 13 ки в к.: мз ":, Я ЦЬ 1 пгГт-Ооойл еров. ТохЦИЧЕ " ОЕ.,С 1 Ий Г.)Е КгП.)ЕКС ,:;И 11 Сг г;,ртг г).,: ", г,. бегк),ц)я сок)Вв)ец 1," срок,Г, 3,31 ИБ,;: 1 ц ремснт)ОГО гг)лс)д;яа г.-:,1 г);г х ирВЦЯВЛцплекс 1:11 Т и РУСО. г;.Ст.гг цццй г избы г, г) ДМ 1., Боатомуоца от", "Озт":я г г:хо-.: цх КОМПОЦЕ 1 ГО)В Ка; ПО с:":ЗИКГ Х1 фЕГ Кг; СаойСТ)ЗВМ Так )1 Г 1 О 1,",","ОГ 1;Ч,- 1;Г)К),., г., )и) г)р)че). з.,ли ат)О 1.л 1 Тзс.;ИЬЦОгггь КО;:Г)л:";Цг), Ог,", ;1; ."., и ГИО НОСГО, )Х,)Г 1",;: - . .О 1)Г)1".Г, ;.г)У( О) г 1 ЗО"...

Номер патента: 2000048

Опубликовано: 07.09.1993

Автор: Трейман

МПК: A01G 31/00

Метки: выращивания, культуре, песчаной, питательная, пшеницы, смесь

...введением нового компонентаЗ.Т 1 ИСЛ ОГО КЗЛ Ы 4 ИЯ.А элиз известных стандартных слесей,и поп:.зуел 1 ьк для выращивания растений в,.," Ил;ют те свойствэ, которые пров лег;редлазамэя; значительное улучше 1,е ззо 1 ного питания пшеницы зз счетвведения ззотнокислого кальция и, кэкследствие, - повышение содержания белка 35в зерне и улучшение условий роста,Для экспериментзльной проверки былаподготовлена стандартная питательнаясмесь Прянишникова и предлагаемая смесь(см.табл.1). 40Смеси готовили простым смешиваниемкаждого компонента с песком, Яровую пшеницу выращивали в вегетационном домикес крышей иэ полиэтиленовой пленки в сосудах (по 6 растений), вмещающих 5 кг песка 45и 0,5 кг полиэтиленовых гранул в качестведренажа, Кварцевый песок...

Номер патента: 1669100

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Безвершенко, Бибиков, Бондаренко, Боровский, Гюллинг, Дубров, Шаркова

МПК: A23K 1/16

Метки: выращивания, птиц

...его в ривающий введение в организм профилак- организм в дозе 0,005-0,1 мг/кг живой мастической вакцины и стимулятора роста, о тсы с первого для жизни не менее трех дней, л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повыше-, а также дополнительно с профилактической ния прироста живой массы и увеличений вакциной втой жедозе.Составитель Н, ГорячеваТехред М.Моргентал Корректор Тираж Подписное НПО "Поиск" Роспатента113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Заказ 3186 Произеодстеенно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 Изобретение относится к сельскому хозяйству, в частности к выращиванию птиц.Цель изобретения - повышение прироста живой массы и увеличение сохранности птиц. 5П р и м е р, Было подобрано шесть групп цыплят по 22...

Номер патента: 2001554

Опубликовано: 30.10.1993

Автор: Давыдов

МПК: A01G 9/24

Метки: выращивания, растений

...поддона, примененный в этой теплице, Авторы претендуют на новые техниченуждается е специальной защитной влаго- ские решения устройства, а именно на:55 чконструкцию поддона из пенопластовых плит, заключенных в каркас, обеспечивающую наименьшее количество строительного материала;форму приспособления для подачи воды, растворов в ней и газов в виде плоской камеры с отверстиями, с патрубками с отверстиями, направленными преимущественно поперек поддона, обеспечивающую небольшое замещение питательного грунта конструктивными узлами устройства и в то же время обеспечивающую равномерную подачу жидкостей и газов в питательный грунт;применение пористого материала для прикрытия камеры и патрубков, устраняющего закупорку отверстий камеры и патрубков...

Номер патента: 2001563

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Машинский, Нечитайло, Подольский

МПК: A01G 31/00

Метки: выращивания, растений, субстрат

...не приводится.Авторы ставили своей задачей решениевопроса о соотношении размеров пор ипришли к выводу о целесообразности наличия двух характерных диаметров пор (т. е,пор аэрации и водоудерживающих пор) сразмерами, указанными в формуле.Сопоставительный анализ с прототипом показывает, что заявляемый субстрат 15отличается наличием пор аэрации с характерным диаметром 1,8+2,6 мм и водоудерживающих пор, имеющих характерныйдиаметр в 2-13 раз меньше диаметра пораэрации, 20Таким образом, заявляемый субстратсоответствует критерию "новизна".На фиг. 1 представлен один иэ вариантов субстрата для выращивания растений,поперечный разрез; на фиг. 2 показана зависимость скорости впитывания питательного раствора на начальной стадиипроцесса от...

Номер патента: 2001583

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Гришин, Крыжановская, Менкин, Седых, Таранова, Хлыстова

МПК: A23K 1/16

Метки: выращивания, цыплят-бройлеров

...А и по нормам виталины Дз, Е и В 2, а гр,г)пз 6 т)ль;О виталинь Дз, Е и В 2.Состзо и итзтельость комбикормов приведены в табл.4 Г 1 О содержанию основныл питательных веществ комбикорма всех групп были сбалансированы и соответствовали рекомедуемым нормагл.Результаты опыпгз (табл.5) показали, что наличие в комбикорме травяной муки мари белой о2 до 5% о первом периоде выращивания и о 3 до 10% оо втором не оказало отрицательного олиянит нз зоотехнические показатели ырзщ.озния бройлеров.2001583 Таблица 1 Химический состав сухого вещества травяной муки мари белой и горохоовсяной, 6 (урожай 1990 г )мари бел 25 0,040,790,663 44 78 блица минокислотный состав травяной муки мари белой и горохоовсяной, г/кг сухого вещества (урожай 1990 г,)На...

Номер патента: 1313027

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Андреев, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34

Метки: внутренней, выращивания, кристаллов, полостью, профилированных

...затягивается в кдпиппярный эдзар 11 между перфорираззанныл 111 кольцам 10 и кольцом 7формообразоодтеля 3. Полость 6 оказываетСЯ ИЗОПИЗОВД Н НОЙ ПЗ 1 ПО 1 лГЗЩИ ТаКОГ 0 ЖИД костного затвора, по мере роста изделия давление о ней падает, Перепад наружного и внутреннего давления приводит к изменению формы вплоть до полного здхлспывания полосги 6, после чего кольцо 10 пооорачиодется таким образом. чтобы отверстия 9 совпадали с перфорацией 12, Открыва,отся отверстия 9, при этом жидкостный затвор перестает действовать. и процесс выращивания повторяется П р и м е р. Выращивают монокристаллические пробирки из корунда наружного диаметра 8 мм, внутреннего 5 мм, длиной 40 мм, Для получения изделий используют молибденовый тигель диаметром 80 мм ц...

Номер патента: 1445270

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Аверин, Данько, Катрич, Качала, Мирошников, Шерафутдинова, Шлее

МПК: C30B 11/00, C30B 29/18

Метки: выращивания, корунда, кристаллов

...проплавление. для чего включают механизм 5 перемещения тигля и со скоростью 100 мм/ч передвигают тигель 4влево до положения, когда часть его носикас затравочным коисталлом окажется в 35зоне нагрева 1 (30 мм затравочного Из приведенных данных видно, что при превышении верхнего и занижении нижнего предельных значений интервала скоро стей выход годного продукта уменьшается,Производительность электропечи при использовании предлагаемого способа увеличивается с 60 кг корунда в год до 80 кг. Материалоемкость технологического про цесса при этом снижается на 25-30,. В коисталла при этом остаются в зоне 3 отжига), В этом положении тигля 4 проводят затравление. Повышают мощность нагревателя 2 до величины, при которой длина зоны расплава в тигле...

Номер патента: 1275931

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Коршикова, Коток, Моисеенко, Романова, Салийчук, Федорова

МПК: C30B 15/00, C30B 29/30

Метки: выращивания, лития, монокристаллов, ниобата, танталата, шихты

...мельницы изорганического стекла загружают 2711,74 гпрокаленной при 1150 С.в течение 4 ч пятискиси ниобия и 712,48 г прокаленного при130 С в течение 6 ч углекислого лития иперемешивают на валках мельницы в течение 4 ч, Смесь исходных компонентов загружают в платиновые лодки и обжигают вкамерной печи при 1100 С в течение 5 ч,Выход готового продукта 98,8 О.Стехиометрический состав шихты следующий, мас.о,МЬ 63,2.0 (теор. 63,19)4,46 (теор. 4,46)Содержание микропримесей, мас,о/,А 1,Ге,М 9210; РЬ,К 1,Сг,Ч1 10Я 1 10; Мп 5 10 , Длительность процесса16 ч,П р и м е р 5. В барабан мельницы изорганического стекла загружают 2711,74 гпрокаленной при 1150 ОС о течение 4 ч пятиокиси ниобия и 712,48 г прокаленного при140 С в течение 5 ч углекислого лития...

Номер патента: 1284281

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Бутинев, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, корунда, кристаллов, профилированных

...соображенийвысота Ь равна 0,150радиус а плоского сечения сегмента раРк - 2 Ьвен, где Ь - ширина капиллярного2канала;2 + Ь 2радиус шара г равенУстройство работает следующим образом,Тигель 1 нагревают до температуры плавления сырья 2050 С, На затравку выращивают кристалл 6,П р и м е р, Выращивание моноблока изсапфира диаметром 14 мм.В тигель 1, выполненный из молибденадиаметр тигля 80 мм, высота 80 мм), поме щают исходное сырье в виде отходов корунда Вернейлевского производства, На верхний торец пучка капилляров 2 помещают капиллярный формообразователь в сборе, элементы которого изготовлены из 10 молибдена, Диаметр наружной обечайки 3равен 14 мм. Внутренний элемент 4 капиллярного формообразователя выполняется в виде шарового сегмента...

Номер патента: 1515789

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Космына, Машков, Прокопович, Семиноженко

МПК: C30B 29/22, C30B 9/06

Метки: выращивания, высокотемпературных, монокристаллов, основе, сверхпроводящих

...отношение размеров кристаллов вдоль оси с и размерам вдоль оси а составляет 0.16. а для предлагаемого способа 0.9.Параметры монокриствллов 40 45 50 УВаэ хЗгСоэОт-д.НоВаэ.хЗгСцзОт-д оптимальны (температура сверхпроводящего перехода - Тс соответственно равна 85 и 80 К) и получены беэ дополнительной термообработки. Ширина сверхпроводящего переРазмеры монокристаллов составляют0,7 х 0,7 х 0,6 мм, вдоль направления оси с размер составляет 0,6 мм, отношение размеров вдоль оси с к размеру вдоль оси а составляет 0,86.П р и м е р 3, Выращивание монокристаллов 08 аг-хЗгхСозОт-д.8 платиновый цилиндрический тигельдиаметром 60 мм загружают исходные ве щества в количестве, г: б 20 з 53,15; ВаСОз96,94; ЗгСОз 21,66: СцО 78,25; что соответствует...

Номер патента: 1522792

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Воронов, Космына, Машков, Некрасов, Прокопович, Семиноженко

МПК: C30B 29/22, C30B 9/06

Метки: выращивания, высокотемпературных, монокристаллов, основе, сверхпроводящих

..."РИФ", Нагревают со скоростью 80 С/ч до 1280 С, при этом шихтурасплавляют и расплав выдерживают 10 чдля полной гомогенизации, затем охлаждают со скоростью 3 С/ч до 1140 С и далееохлаждают со скоростью100 С/ч до комнатной температуры. Монокристаллы отделяют от застывшего расплава механическимпутем. Размеры монокристаллов 0,7 х 0,7 хх 0,3 мм, 2,3 х 2,3 х 0,4 мм. Выход монокристаллов составляет 7,6/ что намного превосходит выход кристаллов поспособу-прототипу ( 1 ).П р и м е р 3. Выращивание монокристаллов Мб Ва 2 Сц 07 - д.В платиновый цилиндрический тигельдиаметром 60 мм загружают исходные вещества в количестве, г; Кб 20 з 39,08; ВаСОз99,28; СцО 61,64, что соответствуетс оста ву, м ол, /,: 75 М б В а 2 С оз 07-4,25 (0,5 ВаО - СцО).Тигель...

Номер патента: 1116763

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Горилецкий, Львович, Неменов, Проценко, Радкевич, Эйдельман

МПК: C30B 15/20

Метки: выращивания, монокристаллов

...затравки 15 прекращается.Затем путем снижения температуры радиально разращиват монокристалл 14 до заданного диаметра. Затем включают систему 30автомазированного управления ростом монокристалла. При этом задают следующиезначения:1) Ь Ь - величина вертикального дискретного перемещения кристаллодержателя 3516 (в датчике 8 перемещения кристаллодержателя);2) временные интервалы (в блоке 11 задания временных интервалое).Ьт 1 - время дискретного вытягивания 40монокристалла 14 н величину Ь Ь,62- время, в течение которого осуществляется измерение и сравнение уровнейрасплава и дается коррекция на изменениетемпературы данного нагревателя 2; 45Ь 1 З - время подпитки;Ьц - время выдержки после подпитки;Ьто - общее время цикла;Ь то = ( Л т 1+ Ь т...

Номер патента: 2003249

Опубликовано: 30.11.1993

Автор: Кощер

МПК: A01G 33/02, A01K 61/00

Метки: выращивания, гидробионтов

...несущие тросы 4, соединенные с горизонтальными субстратами 5 и с буями 3 постоянной плавучести посредством оттяжек 6. К несущим тросам 4 и горизонтальным субстратам 5 с помощью поводцов 7 прикреплены буи 8 переменной плавучести,Каждый якорь 1 выполнен в виде основания 9, являющегося балластом. На основании 9 закреплена вьюшка 10 с буйрепом 2 и стопор 11, представляющий собой подпружиненный двуплечий рычаг, к одному плечу которого прикреплен с помощью линя 12 груз 13. Вьюшка 10 закрыта кожухом 14, закрепленным на основании 9,Буй 8 переменной плавучести содержит емкость 15. прикрепленную к втулке 16, являющейся балластом и снабженной отверстием 17 для крепления поводца 7, Емкость 15 выполнена с возможностью изменения своего объема,...

Номер патента: 2004131

Опубликовано: 15.12.1993

Автор: Давыдов

МПК: A01G 9/02

Метки: выращивания, растений, стаканчик

...линии, и фигуры с перемычками в отдельных местах;б) Направление лепестков сверху внизпо ходу корней,Не претендуем на стаканчик с боковымии донными отверстиями, покрытыми лепестками.На фиг, 1 изображен пластмассовыйтонкостенный стаканчик, общий вид; на фиг,2 - разрез А-А на фиг, 1; на фиг. 3-10 - видщелей на боковой стенке, на фиг, 11 - стаканчик с растением с отверстиями, прикрытыми лепестками треугольной формы послеудаления перемычки между сходящимисяконцами щелей,На фиг. 1 и 2 обозначено: 1 - стаканчиксо стенкой 2 и дном 3, 4 - горловина, усиленная для жесткости металлическим кольцом5, б - дренажные отверстия, 7 - щели сперемычками 8 между их близкими концами,На фиг. 3-10 обозначения те же самые,что и на фиг, 1 и 2,На фиг....

Номер патента: 2004143

Опубликовано: 15.12.1993

Автор: Балабаев

МПК: A01G 31/02

Метки: выращивания, растений

...желоб для сбора и рециркуляции питательного раствора закрепляется на вертикальных опорах под нижней стороной колеи каждого яруса, Распылитель жидкости для полива размещается над одним из ярусов поперек конвейера, его привязка определяется при мочтаже, Такая форма кон. вейера делает его универсальным.2004143 Верхняя горизонтальная часть конвейера (например, два-четыре яруса) может размещаться над производственными площадями другого назначения, в частности в животноводческих помещениях над живо тными, в птичниках над птицами, для выращивания корма, рассады или в существующих теплицах, в их верхней части для выращивания овощей, рассады.Поиск показал, что предложенное техническое решение не совпадает ни с одним из известных,...

Номер патента: 2004158

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Блинохватов, Боряев, Галочкин, Галочкина, Харитонова

МПК: A23K 1/16

Метки: выращивания, цыплят

...жира. Хорошо перемешивают, следя за полнотой распределения жирового раствора селенопирана. Благодаря разной окраске жирового раствора селенопирана и жира хорошо видна степень перемешивания. Жировой раствор селенопирана добавляют в оставшиеся 2,5 кг расплавленного жира, тщательно перемешивают, Полученный раствор селенопирана вводят в готовый комбикорм при тщательном перемешивании в смесителе.Испытания проводили в условиях вивария института. Цыплят-бройлеров кросса гибро-Ч выращивали в клеточных батареях при рекомендуемых параметрах температурного, светового режимов, плотности посадки, фронта кормления и поения. Цыплята получали полнорационный комбикорм по нормам ВАСХНИЛ, имели постоянный доступ к корму и воде. В группе...

Номер патента: 1157889

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Кобзарь-Зленко, Коновалов, Носачев

МПК: C30B 11/02, C30B 29/48

Метки: выращивания, кристаллов, селенида, цинка

...мощности устанавливают ширину расплава в графитовом тигле по сплавившемуся порошкообразно 40 последующую повторную кристаллизацию с меньшей скоростью пропускания, отличающийся тем, что, с целью улучшения оптических свойств кристаллов, повторную кристаллизацию ведут при ширине эоны расплава 1,2 - 4,0 см, величине давленияинертного газа, не превышающей кристаллизационное давление, развиваемое рас тущим кристаллом. Формула и зоб рете н и я СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНИДА ЦИНКА, включающий плавление исходного материала, его кристаллизацию при пропускании тигля с расплавом через температурный градиент под избыточным давлением инертного газа и му селелиду цинка, которая вначале не должна быть более 2 см. Руководствуясь полученными при...

Номер патента: 1577400

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Алексенко, Ботев, Буйлов, Варнин, Спицын, Теремецкая

МПК: C30B 23/02, C30B 29/04

Метки: алмаза, выращивания, слоев

...выпрямитель мощностью 10 кБт с регулируемым напряжением до 400 В и током до 40 Л. Напряжение подают на стержень 5 и один из токоваодов 2 через реоста 1 20 м. Подогрев подложек осуществпяют при пропускании переменного тока до 600 А через подложкодеркатепь и токовводы 2.П р и м е р. Дпя инициирования роста алмаза по всей площади подложки 3 на нее равномерно нпнося 1 затравки - частицы ал 5 10 15 20 25 30 35 40 50 мазного порошка размером не более 1 мкм так, что среднее расстояние между отдельными частицами составляет 1-2 мкм. После помещения подложек на рабочую поверхность подложкодержателя 1 реактор откачивают до давления 10 атм и продувают газовой смесью в течение 1 ч при зоасходе 2 л/ч, Далее при давлении около 10 атм подают...

Номер патента: 1839181

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Краснолуцкая, Муравьев, Попов, Соколов, Шаповалов

МПК: C12M 1/00

Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов, фотосинтезирующих

...стин, и укрепленных внутри нее по высоте та пластины для создания на их и площади рамки параллельных один друповерхности пленки микроорганизмов и, гому рядов штырей, расположенных в шахустройство для снятия микроорганизмов с матном порядке с образованием пластин, установленное с возможностью горизонтальных и вертикальных рядов, возвратно-поступательного перемещения 50 причем каждая из пластин размещена в вертикальной плоскости, отличающийся между двумя соседними вертикальными тем, что, с целью повышения производи- . рядами штырей,Составитель И.ДамировТехред М.Моргентал Корректор О, Густи Редактор С.Кулакова Заказ 3403 Тираж Подписное НПО "Поиск" Роспатента113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Проиэволственно-иэдэтельскии комбинат...

Номер патента: 1075758

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Квичко, Коток, Некрасова, Рамакаева

МПК: C30B 15/00, C30B 29/24

Метки: выращивания, иттрия, моноалюмината, монокристаллов

...вследствие чего улучшается стехиометрия целевого продукта.Отделение твердой фазы от жидкой производят путем фильтрации на нутч-фильтре или упариванием. В результате одностадийной термической обработки (при температуре 1200 - 1250 С в течение 2 - 2,5 ч) происходит твердофазное взаимодействие окисловиттрия и алюминия,5 Навеску прокаленных окислов иттрия иалюминия, взятых в стехиометрическом соотношении, загружают в барабан мельницы, добавляют жидкость (вода, спирт и др.)в количестве 1-1.2 л на 1 кг смеси окислов"0 и перемешивают на валках до полной гомогенизации смеси. Полученную суспензиюупаривают или фильтруют на нутч-фильтре.Осадок подсушивают и прокаливают притемпературе 1200 - 1250 С в течение 2 - 2,5 ч,15 Полученный продукт...

Номер патента: 1131259

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Андреев, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, кристаллов, профилированных

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ путем вытягивания кристалла на затравку из расплава, подаваемого через систему капилляров и формообразующий элемент при контроле процесса по толщине слоя расплава с регулировкой мощности нагрева, отличающийся тем, что, с целью улучщения качества кристаллов, между системой капилляров и формообразующим элементом создают демпферный слой расплава и контроль процесса ведут по его толщине.

Номер патента: 1752023

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Бондаренко, Бондарь, Бурачас, Кривошеин, Мартынов, Пирогов

МПК: C30B 29/02, C30B 33/02

Метки: восстановления, выращивания, драгоценных, металлов, монокристаллов, тиглей

СПОСОБ ВОССТАНОВЛЕНИЯ ТИГЛЕЙ ИЗ ДРАГОЦЕННЫХ МЕТАЛЛОВ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ, включающий прокатку тигля и сварку трещин, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы восстановленных тиглей, перед прокаткой тигель отжигают при 1200 - 1400oС и давлении 10-1 - 10-3 Торр в течение 0,5 - 5,0 ч.

Номер патента: 1728995

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Бумагина, Ветчинникова, Ермаков

МПК: A01G 23/00

Метки: выращивания, декоративной, древесины, текстурой

1. СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ДРЕВЕСИНЫ С ДЕКОРАТИВНОЙ ТЕКСТУРОЙ, включающий пересадку участков донорской коры на ствол растения-реципиента, отличающийся тем, что, с целью снижения трудозатрат, в качестве донорской коры используют участок коры растения-реципиента после удаления с него проводящего слоя луба.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при удалении проводящего слоя луба удаляют часть непроводящего.

Номер патента: 1431391

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Матвеев, Нахабцев

МПК: C30B 11/02, C30B 29/48

Метки: выращивания, кадмия, монокристаллов, теллурида

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ, включающий нагрев поликристаллической загрузки и кадмия, расположенных в разных секциях герметичного контейнера, плавление загрузки, выдержку расплава и его последующее охлаждение с заданной скоростью, отличающийся тем, что, с целью уменьшения плотности дислокаций, исключения двойников в кристаллах и упрощения процесса, при охлаждении в секции с расплавом поддерживают безградиентное температурное поле, а температуру в секции с кадмием 755 - 765oС и охлаждение ведут со скоростью, равной или меньшей 3 град/ч.

Номер патента: 1462857

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Жиляев, Кечек, Куликов, Маркарян

МПК: C30B 25/08, C30B 25/14

Метки: выращивания, многослойных, полупроводниковых, структур, эпитаксиальных

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР из газовой фазы, содержащее реактор, неподвижно установленный в нем подложкодержатель, источники исходных компонентов, каждый из которых соединен со средством ввода газов, и средство их вывода, отличающееся тем, что, с целью уменьшения толщины переходных слоев, устройство снабжено проточной камерой роста, в которой размещен подложкодержатель, при этом камера роста соединена с одним из источников поворотным коммутатором.

Номер патента: 1591537

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Литвинов, Пищик, Пузиков

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, монокристаллов, профилированных

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ, включающее камеру роста, тигель для расплава с установленным в нем формообразователем в виде закрепленной на основании насадки, соединенной с вертикальным капиллярным каналом и имеющей на поверхности канавки, и затравкодержатель с затравкой, отличающееся тем, что, с целью увеличения прочностных и оптических характеристик монокристаллов в виде изделий неправильной геометрической формы с удлиненными выступами, насадка имеет выступы, канавки расположены в каждом из выступов в направлении их наибольшей длины и выполнены несквозными.

Номер патента: 1755409

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Волков, Грибачев, Ильин, Ильчук, Княжев, Морев, Шестера

МПК: A01K 61/00

Метки: выращивания, рыбы

1. УСТАНОВКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ РЫБЫ, содержащая рыбоводный бассейн, систему очистки воды, узел насыщения воды кислородом, включающий корпус, теплообменник и патрубок для подачи кислорода, установленный непосредственно перед бассейном, и трубопроводы, соединяющие упомянутые устройства с образованием замкнутой системы циркуляции воды, отличающаяся тем, что, с целью упрощения установки и снижения энергозатрат на ее эксплуатацию, теплообменник узла насыщения воды кислородом выполнен рекуператиным, установка снабжена дополнительным рекуперативным теплообменником, установленным в емкости с нагревающей или охлаждающей средой, оба теплообменника связаны между собой посредством компрессора, регулируемого клапана и трубопроводов с регулируемыми...

Номер патента: 1774654

Опубликовано: 15.10.1994

Авторы: Авдонина, Боярчук, Жаров, Кан, Кожокина, Листов, Литманс

МПК: C12M 1/04

Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов

АППАРАТ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МИКРООРГАНИЗМОВ, включающий вертикальную емкость с технологическими патрубками, циркуляционный контур, размещенные по высоте емкости перфорированные тарелки с переточными отверстиями и аэрирующее устройство, отличающийся тем, что, с целью снижения удельных энергозатрат, переточные отверстия размещены в шахматном порядке, причем площадь переточных отверстий составляет 0,10 - 0,25 площади тарелок, а расстояние между тарелками составляет 0,2 - 0,6 эквивалентного диаметра емкости.