Патенты с меткой «выращивания»

Номер патента: 805667

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Сытин, Чиркин

МПК: C30B 11/10

Метки: вернейля, выращивания, кристаллов, методу

Устройство для выращивания кристаллов по методу Вернейля, включающее кристаллизатор со смотровым окном и горелку, установленную над ним, отличающееся тем, что, с целью более равномерного обогрева торца растущего кристалла и улучшения за счет этого его оптической однородности, нижний торец горелки выполнен сферическим с радиусом R = 2F, где F - расстояние от нижнего торца горелки до оси смотрового окна, и имеет зеркальную поверхность.

Номер патента: 403236

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Пискун, Сытин

МПК: C30B 11/10

Метки: вернейля, выращивания, методу, монокристаллов

Установка для выращивания монокристаллов по методу Вернейля, содержащая кристаллизационную камеру, нагревательное устройство, например водородно-кислородную горелку, бункер с дозатором и шихтопроводом, кристаллодержатель с механизмом для его вертикального перемещения и вращения, отличающаяся тем, что, с целью обеспечения возможности введения дополнительных компонентов на периферию кристалла, она снабжена дополнительным бункером с дозатором и шихтопроводом, введенным в кристаллизационную камеру эксцентрически относительно ее вертикальной оси.

Номер патента: 522567

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Пискун, Сытин

МПК: C30B 11/10

Метки: вернейлю, выращивания, кристаллов

Устройство для выращивания кристаллов по Вернейлю, содержащее кристаллизационную камеру с переменным поперечным сечением, отличающееся тем, что, с целью увеличения диаметра выращиваемого кристалла, кристаллизационная камера выполнена в виде четырех секций при следующем соотношении диаметров d1 : d2 : d3 = (3 - 4) : (6 - 7) : (5,5 - 5) и высот h1 : h2 : h3 : h4 = (11 - 13) : (4 - 6) : (3 - 4) : (15 - 32).

Номер патента: 304784

Опубликовано: 27.05.2002

Автор: Ильин

МПК: C30B 11/10

Метки: вернейля, выращивания, монокристаллов, способу

Устройство для выращивания монокристаллов по способу Вернейля, включающее кристаллизатор, систему подачи газа, бункер с дозатором, шихтопровод, входящий в полость горелки, и кристаллодержатель с приводом для его вращения, отличающееся тем, что, с целью уменьшения температурного градиента вдоль выращиваемого кристалла, горелка с шихтопроводом и бункером с дозатором размещена на каретке, перемещающейся по вертикальным направляющим при помощи привода, между шихтопроводом и верхней частью кристаллизатора выполнено уплотнение, а кристаллодержатель закреплен на одном уровне с кристаллизатором.

Номер патента: 778363

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Зелигман, Малахова, Сытин, Циглер

МПК: C30B 11/10, C30B 29/16

Метки: вернейля, выращивания, кристаллов, методом, окислов, тугоплавких

Способ выращивания кристаллов тугоплавких окислов методом Вернейля, включающий подачу кислорода по внутренним, центральному и соседнему с ним каналам и последующее чередование раздельных потоков водорода и кислорода, отличающийся тем, что, с целью обеспечения более широкого фронта кристаллизации и увеличения за счет этого диаметра выращиваемых кристаллов, скорость истечения кислорода по внутренним каналам поддерживают равной 0,5 - 3,0 м/с, а в каждом последующем внешнем потоке в 1,5 - 4,0 раза большей.

Номер патента: 1294032

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Емельянов, Севастьянов, Соболева, Хапаева, Чиркин

МПК: C30B 11/00, C30B 29/28

Метки: выращивания, граната, иттрий-алюминиевого, легированного, монокристаллов, неодимом

Способ выращивания монокристаллов иттрий-алюминиевого граната, легированного неодимом, из расплава исходных компонентов, содержащих Y2O3, Al2O3, Nd2O3, с заданной скоростью, отличающийся тем, что, с целью получения концентрации неодима в монокристалле до 2,6 мас.% при обеспечении его стехиометрического состава и удешевления процесса, исходные компоненты берут в следующем соотношении, мас.%:Al2O3 - 41,82 - 42,64Nd2O3 - 7,89 - 2,17Y2O3 - Остальноеи выращивание ведут со скоростью 0,6 - 1,0 мм/ч.

Номер патента: 976726

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Браташевский, Васильков, Дорошенко, Стоян

МПК: C30B 15/10, C30B 25/02

Метки: выращивания, кварце, контейнер, кристаллов, облицовки, расплава, углеродсодержащей

1. Контейнер для выращивания кристаллов из расплава, выполненный из кварца с углеродсодержащей облицовкой, отличающийся тем, что, с целью уменьшения смачивания стенок контейнера расплавом и обеспечения возможности наблюдения за процессом кристаллизации, облицовка выполнена из -карбида кремния в виде пленки с шероховатой поверхностью.2. Способ получения углеродсодержащей облицовки на кварце путем термического разложения CH3SiCl3 в потоке водорода, отличающийся тем, что, с целью получения облицовки в виде оптически прозрачной шероховатой пленки, осаждение ведут при концентрации...

Номер патента: 1746756

Опубликовано: 10.07.2003

Авторы: Денисевич, Иванов, Радучев, Штейнберг

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллов

Устройство для выращивания кристаллов тугоплавких веществ, содержащее герметичную камеру из диэлектрического материала, размещенный в ней холодный тигель, выполненный из трубчатых элементов, расположенных с зазором, и снабженный штуцерами для ввода и вывода хладагента, и индуктор, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности устройства и уменьшения потерь исходного материала, холодный тигель выполнен в форме двух полусфер, навитых вокруг оси, перпендикулярной оси индуктора, герметичная камера выполнена в виде сферической оболочки, на внутренней поверхности которой размещен герметизирующий слой, контактирующий с холодным тиглем, а штуцеры для ввода хладагента расположены соосно с...

Номер патента: 811884

Опубликовано: 27.07.2004

Автор: Гамазов

МПК: C30B 15/10

Метки: выращивания, монокристаллов, тигель

Тигель для выращивания монокристаллов, содержащий сосуд для подпитывающего материала с отверстием в дне, установленный в верхней части тигля, и поплавок, снабженный направляющим стержнем, расположенным в отверстии сосуда, отличающийся тем, что, с целью предотвращения проливания подпитывающего расплава при приготовлении исходного раствор-расплава, поплавок снабжен тарелкой, закрепленной на направляющем стержне и размещенной в сосуде для подпитывающего материала.

Номер патента: 729874

Опубликовано: 27.08.2004

Авторы: Гащенко, Кузьменко, Степанов

МПК: A01K 31/02

Метки: выращивания, клетка, птицы

Клетка для выращивания птицы, включающая сетчатые стенки, на одной из которых закреплены дверка и поилка, отличающаяся тем, что, с целью обеспечения поения птиц разного возраста, дверка консольно прикреплена под углом к стенке клетки, причем ее свободный конец изогнут по форме внутренней поверхности поилки и расположен в ней.

Номер патента: 1565088

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Байцар, Воронин, Красноженов, Мустафин, Островская

МПК: C30B 25/00, C30B 29/06, C30B 29/62 ...

Метки: выращивания, кремния, кристаллов, нитевидных

1. Способ выращивания нитевидных кристаллов кремния для струнных резонаторов в вакуумированной кварцевой ампуле, содержащей исходный легированный бором кремний, добавки золота и оксида бора, путем переноса паров галоидом из "горячего" конца ампулы в "холодный" при постоянной температуре "горячего" конца и снижении температуры "холодного" конца в процессе выращивания, отличающийся тем, что, с целью увеличения механической прочности кристаллов, в качестве исходного кремния берут кремний, легированный бором до номинального удельного сопротивления 20 Ом·см, в ампулу дополнительно вводят медь с концентрацией (2,54-2,64)·10-3...

Номер патента: 1215378

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Голубятников, Дмитрук, Журавлев

МПК: C30B 15/34

Метки: волокон, выращивания, группового, монокристаллических

Устройство для группового выращивания монокристаллических волокон из расплава, включающее лодочку для расплава, снабженную формообразователем, содержащим вертикальные пластины, установленные в лодочке параллельно друг другу и образующие капилляр, и токоподводы, присоединенные к торцам лодочки, отличающееся тем, что, с целью увеличения срока использования лодочки и формообразователя и повышения надежности процесса, формообразователь снабжен формообразующим элементом, выполненным в виде расположенной над лодочкой горизонтальной пластины, имеющей наружные выступы со сквозными отверстиями, расположенными вдоль капилляра между вертикальными пластинами, в верхней части которых выполнены...

Номер патента: 1811725

Опубликовано: 10.06.2006

Авторы: Иващук, Коваленко, Колесниченко, Латаш, Шаповалов, Шейко

МПК: C30B 11/10

Метки: выращивания, металлов, монокристаллов, тугоплавких

Устройство для выращивания монокристаллов тугоплавких металлов, включающее камеру роста, поддон с затравкой, установленный в камере с возможностью вертикального перемещения, плазменный источник нагрева, размещенный над поддоном, высокочастотный индуктор с токоподводами, прикрепленный к стенкам камеры соосно поддону и снабженный охлаждаемыми металлическими секциями, имеющими торцы в виде сопряженных криволинейных поверхностей, установленными последовательно с зазором в полости индуктора по контуру его внутренней поверхности и закрепленными на нем через электрический изолятор, отличающееся тем, что, с целью увеличения размеров кристаллов и повышения их качества за счет регулирования...

Номер патента: 1096933

Опубликовано: 10.08.2008

Автор: Зимин

МПК: C12M 1/02

Метки: аппарат, выращивания, микроорганизмов

Аппарат для выращивания микроорганизмов, содержащий вертикальную емкость, снабженную патрубками для подвода питательной среды, воздуха и отвода биомассы и имеющую подъемный и опускной каналы, образованные стенкой емкости и вертикально расположенной по меньшей мере одной направляющей пластиной, и барботер для подвода воздуха, отличающийся тем, что, с целью повышения удельной производительности, верхняя часть направляющей пластины имеет отбортовку, наклоненную к стенке или оси емкости для расширения подъемного канала, при этом над отбортовкой с зазором размещен отбойник, а барботер для подвода воздуха расположен в расширенной части подъемного канала.

Номер патента: 1282582

Опубликовано: 10.11.2009

Авторы: Ассанович, Бодячевский, Ковалева, Лингарт, Симонов, Чередниченко

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, монокристаллов, тугоплавких

1. Способ выращивания монокристаллов тугоплавких материалов, включающий расплавление исходного материала в вакууме и направленную кристаллизацию расплава в контейнере с затравкой при наличии температурного градиента на фронте кристаллизации, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности свойств монокристаллов и повышения производительности, направленную кристаллизацию ведут в неподвижном контейнере при перемещении фронта кристаллизации со скоростью 18 - 20 мм/ч и температурном градиенте 25-30°С/см, создаваемом с помощью тепловых экранов со стороны затравки, а кристаллизацию ведут при распределении температуры вдоль контейнера по параболическому закону с минимумом в его...

Номер патента: 987912

Опубликовано: 10.03.2013

Авторы: Смольянинов, Спицын

МПК: C01B 31/06, C30B 25/02

Метки: алмаза, выращивания, слоев

1. Способ выращивания слоев алмаза на поверхности затравочного кристалла разложением паров углеродсодержащих соединений в потоке водорода, отличающийся тем, что, с целью ускорения процесса и получения монокристаллических слоев, пары углеродсодержащего соединения получают непосредственно в процессе выращивания нагреванием твердого материала, например, графита, расположенного рядом с затравочным кристаллом.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что процесс ведут при нагревании твердого материала до температуры 1500-2500°С, температуре затравочного кристалла 500-1500°С и температурном градиенте между ними 103-107 град/см.