G11C 19/32 — с использованием сверхпроводящих приборов

Номер патента: 131777

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Мартынов

МПК: G11C 19/32

Метки: дешифратор, регистр, сдвига

...тактового импульса, проходящего по цепи последовательно соединенных обмоток 3, этот тор переключается в состояние о, в его выходной обмотке 4 возникает напряжение такой полярности, что, проходя через диод 5 контура задержки б, опо заряжает конденсатор 7. Цепь разряда конденсатора в этот момент времени разорвана ключевой цепью 8. По окончании следования тактового импульса ключевая цепь замыкается и конденсатор 7 разряжается на входную обмотку 9 следующего тора 10. Таким образом, под действием тактового импульса информация сдвинулась на один шаг, Следовательно, в момент пос"отупления второго тактового импульса в состояние 1 будут переключены торы 10 и 11,При поступлении третьего тактового импульса от сигнала, поступающего с...

Номер патента: 221991

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Кан, Рахубовский

МПК: G11C 19/32

Метки: криотронах, регистр, сдвигающий

...4, поступающий в управляющую обмотку криотрона 5 импульс 1, вызывает срабатывание схемы б.Это приводит к появлению тока С с(тр . Следующий импульс 1, возвращает первый каскад первого разряда в состояние О, воздействуя на управляющие обмотки криотронов 15, 15 и 17, при этом ток С; =О. Поступление импульса 1, приводит к срабатыванию схемы 18 первого контура второго разряда. Это в свою очередь приводит к появлению тока С 1 т,р . Таким образом, единица из первого221991 3 разряда переходит во второй. .Поданный по окончании импульса 1, импульс 14 возвращает второй каскад первого разряда в состояние О, воздействуя на управляющие обмотки криотронов 19, 20 и 21 (С =О). Дальнейшее продвижение единицы происходит аналогично при поступлении на...

Номер патента: 345619

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Громаковский

МПК: G11C 19/32

Метки: криотронный, регистр, сдвиговый

...а (ба) записи последующего(пятого) разряда.Регистр работает следующим образом.Пусть в состоянии 1 (ток, поданный всоответствующую шццу, течет в ветви конту ра, цмеющец оольшую индуктивность) находится ячейка в четвертом разряде ц необходимо перевести в это состояние пятый разряд п далее, для чего посылают ток в шину П, При этом так как криотрон бв закрыт, в 20 контур пятого разряда записывается 1 изакрываются криотроны бв ц 4 г. Если ток в шине 1 снять, то 1 в четвертом разряде стирается. При подаче тока в шину 111 цснятцц тока в шине 11, 1 переносится в шестой 25 разряд.Прц подаче тока в шццу 1 и снятии токав шине 1 П 1 переносится з седьхой разряди т. д.Прц необходимости передачи шфо ц 30 в обратном направлении меняют345619 Составитель...

Номер патента: 526022

Опубликовано: 25.08.1976

Автор: Войтович

МПК: G11C 19/32

Метки: криотронного, памяти, регистра, сдвигающего, ячейка

...отрицательнойполуволны двухполярных сдвигаюших импуль-,сов производится подготовка ячейки к восприятию информации от предыдущей ячейкирегистра, а во время действия каждой по- ф 0ложительной полуволны производится записьинформации в ячейку, Информация в ячейкеопределяется состоянием запоминающегоконтура, в котором постоянный ток можетпроходитьпо ветви оЬд ("1") или по ветви 0ДСД ("О").Постоянный ток должен иметь такое направление, чтобы с токами в вентилях криотронов 3 и 4 совпадала по направлениюотрицательная полуволна сдвигаюшего импульса, а с токами в вентилях криогронов5 и 6 - положительная полуволна.В исходном состоянии в запоминающем,контуре ячейки постоянный ток проходит поя.гьц Осд , т.е. по вентилю криотрона 6,60 4При атом...

Номер патента: 1056270

Опубликовано: 23.11.1983

Авторы: Бахтин, Махов, Пархоменко

МПК: G11C 19/32

Метки: регистр, сдвига

...индуктивностьконтура, как известно пропорциональна линейным размерам структуры ипри обычной ширине пленочных структур л 10 мкм минимальный линейныйразмер контура равен примерно100 мкм. Таким образом, указанныеограничения определяют минимальные размеры квантующих контуров,что не позволяет полностью использовать преимущества криоэлектронныхсхем с джозефсоновскими контактами - высокое быстродействие и низкоеэнерговыцеление (из-за низкой плотности упаковки схем),Целью изобретения является повышение степени интеграции регистрасдвига.0 91 /4 ББ25 60 ное состояние контура существует ,при любой и, в частности, при очень малой геометрической индуктивности, поэтому основной набег фазы может происходить только на джозефсоновских контактах...