Элемент памяти
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 521604
Автор: Ермолов
Текст
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Советских Социалистических Республик(43) Опубликовано 15.07 Государственный комитет Совета Министров СССР по делам изооретений и открытийюллетень26 15.12.76 45) Дата опубликования аписа 72) Автор изобретен В,А,Ерм Научно-исследовательский и опытно-конструкторский институт автоматизации черной металлургии 71) Заяв(54) ЭЛЕМ ЕНТ к вычислительной пользовано в прочастности, для Изоб гение относит может быть и техник мышле управл ными н автоматике,мощными инду ными и актив зками,О есто ине нуле- зделкгельаписи, чечерез перт ныи диод - рез второй тирис торьный диод ато зделите льный управля з втородополнисброса,оду тирисд ткристора ный резис- к катоиодющий ыи дополнитеора сброса,ашения череор и второй ни тель и диод о тель ду гиристорадополнительн о перв н диод аралл описывам, что включ зис Известен элемент памяти на кремниевых тиристорах, содержащий тиркстор, диоды и резисторы 1, Этот элемент памяти имеет низкую нагрузочную способность. Наиболее близким к изобретению является элемент памяти, содержащий тиристоры записи, сброса, шину нулевого потенциала, шины постоянного и переменного напряжения, нагрузочный резистор 23. Однако он может быть применен только при питании его от сети трехфазного напряжения и не може быть использован с чисто активной нагрузкой. Возможно управление известного элемента коротким импульсом, но только при условии его привязки синхронизатором к соответствующей фазе напряжения сети.Целью изобретения является улучшение эксплуатационных характеристик. В емом элементе это достигается те него введены ткристор гашения, диод гашения, разделительные диоды, буферный дкд, первый к второй дополнктельнь.е дкоы, резистор гашения, гервый, второй к ретий дэпэлнительные резисторы, причем нэды тиристэрэв записи и сброса пэдклюены к шине постоянного напряжения, катод кристора запкск через кагрузочнь,й резисторкатод ткристора сбороса через третий доолнительный резистор подключены к шине улевэго пэтенциала, анод тиристэрагашения ерез буферный диод пэдключен к шине переменного напряжения, катод тир ния через первый дополнительный 5 и резистор гашения подключен к швого потенциала, через первый раНа чертеже показана схема описываемого элемента .Постоянное или непрерывно пульсирующее напряжение подают на шину постоянного напряжения 1 эпемента памяти, а переменное напряжение - на шину переменного напряжения 2, В исходном состоянии ни один из тиристоров не включен, напряжение на нагрузке 3 равно нулю, При поступлении импульса "Запись" на вход тиристора запи си 4 последний открывается и остается вкпюченным (если характер нагрузки не обеспечивает за время дпитепьности входного импульса вкпючение тиристора т.е если за время длительности импульса ток нагрузки не дорастет до тока включения тиристора, применяются известные меры для ускоренного нарастания анодного тока тиристора, например в простейшем случае установка активного резистора в его катодной цепи). Дпя отключения нагрузки подают импульс "Сбросф на вход тиристора сброса 5, Третий допопнительный резистор 6 обеспечивает включение тиристора сброса 5. Напряжением на этом резисторе, прикладываемым к управпяющему электроду гиристора гашения 7 через второй допопнительный резистор 8 и второй дополнитепьный диод 9, включается тиристор гашения, если при этом к его аноду приложена положительная попуволна переменного напряжекя, поданного на шину 2.Буферный диод 10 увепичивает вентильную прочность тирисгора 7 в случае, когда ,на его вход подано управление, а на его аноде существует отрицательная полуводна напряжения, имеющая место на шине 2. Первый допопнитепьный резистор 11 ирезистор гашения 12 обеспечивают вкпючение тиристора 7. Если в момент включенияэтого тиристора мгновенное значение напряжения на его катоде больше, чем напряжение на нагрузке, то первый раздепительныйдиод 13 открывается и выкпючаегся тиристор4, так как напряжение на катоде тиристора4 становится бопее попожигепьным, чем наего аноде, Чуть позже с выключением гирисгора 4 аналогично выключается тиристор 5.Запирающее напряжение к катоду тиристора5 приклацываетсяс катода тиристора 7 черезвторой разделительный ди од 14 и первый дополнительный диод 15,Если нагрузка активная, то, когда анодное напряжение тиристора 7 падает до "Оф(полуводна синусоидального напряжения),он выключается также, и устройство возвращается в исходное состояние,В случае активно-индуктивной нагрузки выключение тиристора 4 происходит такжери положительной попувопне напряжения нашине 2, а выключение тиристора 7 наступаетпри отрицательной попувопне напряжения нанине 2, когда мгновенное значение этогонапряжения достигает такой величины, чтоток, протекающий через прибор оказываетсябольше тока нагрузки. Диод гашения 16 замыкает цепь спадающего тока нагрузки. Ре 10 зистор 12 способствует ускоренному спадениютока.Вкпючение тиристора 7 возможно толькопри появпении попожительнойполувопны напряжения на его аноде. Если включение его проц изошло в те моменты времени, когда напряжение на шине 2 больше напряжения на шине 1, тиристоры 4 и 5 выключаются вэтомже попупериоде напряжения сети, в противном спучае выключение тиристоров 4 и 5ЗО начинается с задержкой, меньшей периодасетевого напряжения. Так как времявыкпючения тиристоров 4 и 5 разное, то в моменты времени, когда спадающее напряжение на шине 2 мало отличается от напряжения на шине 1, возможно выключениетиристора 5, но не тиристора 4, что недопустимо,Для обеспечения коммутационной устойчивости схемы установпен элемент с отсечкой напряжения, первый дополнитепьный диод 15, бпагодаря которому первым выключается тиристор 4,Тиристоры записи и сброса управпяютсяиспупьсами напряжения, подаваемыми на ихуправпяющие эпектроды относительно катодов или относительно нулевой шины питания,На вход тиристора записи можно подаватьи потенциальный сигнап управления, но тог,р да его надо снять до момента подачи импупьса сброса на тиристор 5.Особенно удобно согласование такогоустройства с внешними цепями управпенияпри применении тиристорных оптронов. При45 этом резистор 8 и диод Ь оказываются ненужными. Светодиод опгрона устанавливается в аноде опгрона и последовательно с ним,На шину 1 можно подавать и выпрямленное напряжение ог грехфазной сети. ОднаЮ из фаз этого выпрямпенного напряжения должна иметь меньшее значение напряжения, чемдругие фазы; в этом случае на шину 2 подают напряжение с фазой меньшего напряжения, чем на шину 1, но с амплитудой, например, равной напряжению других фаз на шине 1,Преимущества описываемого элементапамяти заключаются в том, что он работаетот однофазной сети, управляется сигналоммапой длительности и может быть нагружен521604 Элемент памяти, содержаший тиристоры записи и сброса и нагрузочный резистор, отличаюшийся тем,что,сцелью улучшения эксплуатационных характеристик 3 Ф элемента, он содержит тиристор гашения, диод гашения, разделительные диоды, буферный диод, первый и второй дополнительные диоды, резистор гашения, первый, второй и третийдополнительные резисторы, причем аноды тиристоров зь-ф писи и сбооса подключены к шине постоянного напряжения, катод тиристора записи через нагрузочный резистор, а катод тиристора сброса через третий дополнительный резистор подключены к шине нулевого потенциала, анод тиристора гашения через Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:1. Патент ФРГ734120, кл, 5 11С 11/34, 1967.фф 2. Авт, св. СССР251621, кл. 511С 11/34, 1969. Составитель В. Фролов Редактор Л, Тюрина Техред А, Богдан Корректор Б, ЮгасЗаказ 4861/515 Тираж 723 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж 35, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 как на активно-индуктивную, так и активнуюнагрузку. Формула и;обретения буферный диод подключен к шине переменного напряжения, катод тиристора гашениячерез первый дополнительный резистор ирезистор гашения подключен к шине нулевого потенциала, через первый разделительный диод - к катоду тиристора записи, через второй разделительный диод и черезпервый дополнительный диод - к катодутиристора сброса, управляющий электродгирисгора гашения через второй дополнительный резистор и второй дополнительныйдиод поключен к катоду тиристора сброса, а параллельно первому дополнительномурезистору включен диод гашения.
СмотретьЗаявка
1956593, 24.08.1973
НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ И ОПЫТНОКОНСТРУКТОРСКИЙ ИНСТИТУТ АВТОМАТИЗАЦИИ ЧЕРНОЙ МЕТАЛЛУРГИИ
ЕРМОЛОВ ВИЛИЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/34, G11C 11/39
Опубликовано: 15.07.1976
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-521604-ehlement-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Элемент памяти</a>
Предыдущий патент: Запоминающий элемент
Следующий патент: Ясейка памяти
Случайный патент: Устройство для продувки труб