Магнитная ячейка памяти

ОП ИСАНИЕИЗОЬЕЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республиксоединением за асударстаенныи иемнтетСената Министраа СССРпа делам изобретенийи открытий(72) Авторы изобретения Мочалов, А, Г, Жучков и Т, С, Ткачева аявнтель 4) МАГНИТНАЯ ЯЧЕИКА ПАМЯТИ 2Белью изобретения является упрощениеячейки и снижение потребляемой мощности.Поставленная цель достигается путемтого, что в магнитной ячейке памяти, содер,жащей пластину из магнитоодноосного ма -;териала с БМД и расположенные на ней то,ковые проводники управления и ферромаг;ную аппликацию, последняя выполнена Г,разной формы, а токовые проводники управ10 пейия расположены перпендикулярно еесторонитобапьна Изобретение относится к области авто, матики и вычислительной техники и можетбыть использовано для построения ОЗУ,Известны магнитные ячейки памяти, содержащие пластину иэ магнитоодноосного.материала, в которой при определенных условиях возникают стабильные цилиндрические магнитные домены (БМД), и различныесредства управления доменами, расположенные на поверхности пластины 1 2 .Опна иэ известных магнитных ячеек памяти содержит пластину из магнитоодноосного материала с БМД и располон енныена ней токовые проводники управления 1,Недостатком этой ячейки является ее сложность,Наиболее близким техническим решениемк данному изобретению, является магнитнаяячейка памяти содержащая, как и предложенная, пластину иэ магнитоодноосного ма- рОтериала с БМД и расположенные на ней токовые проводники управления. и ферромагнитную аппликацию 2. Недостатком известной ячейки является ее относительная сложность и большая потребляемая мощность. 2 б, иам. На чертеже представлена принципсхема магнитной ячейки памяти, Магнитная ячейка памяти содерж 1 тину 1 иэ магнитоодиоосного материала сцилиндрическими доменами 2, источник Эмагнитного поля смещения, ферромагнитнуюаппликацию 4 Г-образной формы и токовыепроводники управления 5 и 6, расположенные перпендикулярно ее сторонам,Г-образная ферромагнитная аппликация4 может быть расположена относительно то,ковых проводников управления 5, 6 уаапЫйвобразом; под проводниками, между ними,над ними - в зависимости от назначения,520620 условий работы и технологических возмож - ностей изготовления устройства,В пластине 1 при наличии постоянного поли смещения, создаваемого источником 3 н напРавленного перпендикулярно к поверхности пластины, под аппликацией 4, играющей роль магнитостатической ловушки, находится домен 2, Под действием градиентного магнитного внешнего поля, создаваемого током, протекающим по проводникам 5 или 6, 10 и накладываемого на поле смещения, домен 2 начинает перемещаться в плоскости пластины в направлении максимального уменьшения суммарного магнитного поля, т. е. вдоль сторон Г-образной аппликации 4. 15Магнитная ячейка памяти работает следующим образом.Наличие домена 2 под одним из концов Г-образной ферромагнитной аппликации 4 принимается за нулевое состояние ячейки па - 20 мяти.Тогда запись единицы в ячейку осуществляется подачей токового импульса сначала по проводнику 5, а затем по проводнику 6. При этом полярность импульсов такова, что 2 градиентное магнитное поле заставляет домен 2 перемешаться вдоль сторон Г-обра:.ьной аппликации 4 к позиции "1".Стирание единицы или запись нуля в ячейку производится подачей токового импульса сначала по проводнику 6, а затем по пров воднику 5, При этом полярность импульсов противоположна полярности импульсов запи 4си в ячейку единицы, Домен 2 переходит впозицию фО . Сравнительные испытания данной магнитной ячейки памяти с известной показали,что она позволяет снизить в несколько размощность, потребляемую от источника питания,ф ормула из о бр етения Магнитная ячейка памяти, содержащая пластину из магнитоодноосного материала с цилиндрическими доменами и расположенные на ней токовые проводники управления и ферромагнитную аппликацию, о т л и ч а ющ а я с я тем, что, с целью упрощения устройства и снижения потребляемой мощно сти, ферромагнитная аппликация выполнена Г-образной формы, а токовые проводники управлении расположены перпендикулярно ее сторонам. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:1, Патент США % 3460116, кл. 340- 174 от 5.08,1969.2. М. А. Боярченков и др, фМагнитные доменные логические и запоминающие устройства, изд-во "Энергия", 1974 г стр.63.ЦНИИПИ Заказ 4635/190 Тираж 723 Подписное Филиал ППП "Патент,г. Ужгород, ул. Проектная,