Патенты с меткой «ясейка»

Номер патента: 521605

Опубликовано: 15.07.1976

Авторы: Домнин, Маковий, Петров, Савлук, Федоров

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ясейка

...базового тока транзистора 3, ВтоЗО рое кольцо, симметричное первому, состо-, ит иэ соединенных между собой коллек, тора транзистора 4 с базами транзисторов 1 и 7,:коллектора транзистора 7 и базы транзистора 4 с катодом диода 6. ;ЗбПри повышении потенциала беэ транзистдров 2 и 8 потенциал. коллектора транзис тора 8 и первого эмиттерв транзистора 2 понижвются,что приводит к увеличению тока 1 4 О через прямосмещеипый диод 5 а этов своЬ, ,очередь приводит к увеличению тока базы транзистора 3 и к повышению коллекториого тока этого транзистора, Повышение тока коллектора транзистора 3 ведет к увеличе ,р нию базовых токов трвнисторов 2 и 8, т. е, к еще большему повышению потенциала баз .транзисторов 2 и 8. Весь процесс происходит.:в...