Элемент памяти с тремя устойчивыми состояниями
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Союз СоветскихСоциалистическихРеспубпик ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕИДЬСТВУ,01.75(21) 2093464/21 М. Кл.Н 03 К 21/06 Н 03 К 29/00 явлен рисоединением заявкиГасударственный номнтет Совета Министров СССР оо делам изобретений и открытий(43) Опубликовано 05.06,76.Бюлл (45) Дата опубликования описани 1; 621,374, . 32(088,8 ь 21(72) Авторыизобрете В, П. Грибок 71) Заявитель 4) ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ С ТРЕМЯ УСТОСОСТОЯНИЯМИ ЫМ Изобретение относится к области вычиительной и импульсной техники и мож элементы 7, 8, 9 "И-Н выходных элементов со. Первые входы инены с выхоет та ыть использовано в специ выходных элемент в данного плеча входом 10 вводом вхо леча, Первы единены сиверсальных вычислительных машиэлемента памяти, вторые - соэлемента памяти, третьи - сного элемента предыдущего ивходы выходных элементов со нах или системах,Известен элемент памяти с тремя устойчивыми состояниями по авт. св.328529, недостатком которого являегся низкое быстродействие.Пель изобретения - повышение быстроного плета памяхс ами выходами входных элементов данча, вторые - с выходами элемен0 ти данного плеча, третьи - с вы двходных элементов предыдушего плеча.Работа устройства осушествляедующим образом,Предположим, что в начальный моментв собственно элементе памяти находитсячисло 101 (высокие сигналы на выходахэлементов "И-НЕ" 1 и 3 и низкий - навыходе элемента 2).20При отсутствии импульса на входе 10на выходе элемента 7 будена выходе элемента 8 - вьвыходе .элемента 9 - низкиПри изменении сигналанизкого на высокий на вы тся сле что выход входИ-НЕ" каждоговыходного элеме дуюшего плеча,схема элементами состояниямина фиг. 2 работы. тельной логики;диаграммы его пол временнь игнала т низкий стсокий, а нй,на входе,10 сходе элемента тремя у собстве Элемент памяти тойчивыми но элементИ-НЕ, вхо и выходные состояниями содержитяпамяти на элементахные элементы 4, 5 и 3ействия элемента. Цель достигается тем, ого элемента "И"-НЕ/ИЛплеча соединен со входомта "И-НЕ/ИЛИ-НЕ после На фиг, 1 изображенапамяти с тремя устойчивы Г, С. Анурьев и А. ф, Косоруко5 появляется низкий сигнал, который вызывает появление на выходах схем 9 и 2высоких уровней напряжении. После ихустановления на всехвходах элемента 3окажутся единичные сигналы, что приведетк формированию на его выходе нулевогоуровня напряжения. Все остальные ситналы останутся неизменными до тех пор,пока на счетном входе присутствует едичичный уровень напряжения. При изменениисигнала на счетном входе с единичного нанулевой на выходе элемента 5 появитсяединичный потенциал. После его установления на всех входах элемента 8 окажутсявысокие сигналы и на его выходе будетформироваться низкий сигнал. Других изменений сигнала на выходах логическихсхем не произойдет. Таким образом, послепрохождения одного импульса элемент памяти переключился из состояния 101 всостояние 110. С приходом очередного импульса на вход 10 элемент памяти перейдет в состояние 011, а с приходом ещеодного в начальное положение 101. Элемент памяти с тремя устойчивыми состояниями по авт.св. М 328529, о тличающийся тем, что,сцелью увеличения быстродействия элемента выход входного элемента И-НЕ/ИЛИ-НЕ каждого плеча соединен со входом выходного элемента И-НЕ/ИЛИ-НЕ последующего плеча 15 формула изобретенияо517162 Квачад ак 1029 Подписноекомитета Совета Министрообретений и открытий5, Раушская наб., д. 4/5 Закаэ 1382/1 ЦНИИПИ34 Тираж Государственногопо делам иэ 113035, Москва, Жфилиал П "Патентф, г. Ужгород, ул. Проектная,оставитель Л. Дарьинаехред Н. Андрейчук Корректор А. Власенк
СмотретьЗаявка
2093464, 06.01.1975
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-3759
ГРИБОК ВЛАДИМИР ПЕТРОВИЧ, ДИВИН ЕВГЕНИЙ ВЛАДИМИРОВИЧ, АНУРЬЕВ ГЕННАДИЙ СЕРГЕЕВИЧ, КОСОРУКОВ АЛЕКСАНДР ФЕДОРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H03K 21/06
Метки: памяти, состояниями, тремя, устойчивыми, элемент
Опубликовано: 05.06.1976
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-517162-ehlement-pamyati-s-tremya-ustojjchivymi-sostoyaniyami.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Элемент памяти с тремя устойчивыми состояниями</a>
Элемент памяти с тремя устойчивыми состояниями
Номер патента: 328529
Опубликовано: 01.01.1972
МПК: G11C 11/56, H03K 3/29
Метки: памяти, состояниями, тремя, устойчивыми, элемент
...(Е=1,2 или 3) будет логическая сдцииця,1(од ив выходах д,1(од на выходах ЦГе,1 и Я, в момент времсЯ, в момент времени 1 ии 1 с 1На входы д; поступают сшцалы с элементов И - НЕ 7 - 9. 11 ри этом в момент действия положительного импульса ца счетном входе ца входах а, в : а, будут логические сдицицы, и поэтому выходной сигнал элсмситон И - НЕ 7 - 9 определяется сцпьдлами Яь Я 2 или ЯзТаким образом, только на одном цз элементов И - НЕ 7 - 9 будет логическая единица, а именно ца том, которому соответствует логический нуль выхода Я (Е= 1,2 или 3), Следовательпо, по окончании действия положительного импульса иа счетном входе только ца входах одного из элементов И - НЕ 4 в будут все логические единицы и соответственно иа выходе этого элемента -...
Многоустойчивый элемент памяти
Номер патента: 585548
Опубликовано: 25.12.1977
Авторы: Губский, Малевич, Постоянов
МПК: G11C 21/02
Метки: многоустойчивый, памяти, элемент
...формирователя 3, при.срабатывании которого цикл повторяется, На выходе вы. ходного усилителя 1 О прн этом регламентируется начальное устойчивое состояние многоусФойчивого элемента.Переход из одного устойчивого состояния в другое происходит при изменении (относительно начального - при увеличении) частоты входного сигнала. Прн этом закрывается (на время, равное одному периоду начального устойчивого состояния) ключ 4, в результате чего осуществляется подавление (срыв) колебаний предыдущего устойчивого. состояния и вслед за этим: ключ открывается и производится фиксация (установление очередного устойчивого состояния, соответСтвующего новому значению входного сигнала, Для этого, как и при фиксации основного начальйого устойчивого...
Элемент памяти
Номер патента: 268492
Опубликовано: 01.01.1970
Автор: Золотухин
МПК: G11C 11/34
...величины, также во много раз меньшей тока включения тиристора. Общий ток, протекающий через тиристор (с учетом тока, отдаваемого в нагрузку, например газоразрядный индикатор), остается во много раз меньшим тока включения и тока выключения тиристора (рабочая точка тиристора всегда расположена ниже точек, соответствующих току включения и выключения на статической вольтамперной характеристике). Это исключает само- удержание тиристора в устойчивом проводящем состоянии.Диод 3 служит для защиты транзистора от высокого анодного напряжения высоковольтного источника и включен встречно высокому потенциалу этого источника при закрытом тиристоре. Эмиттер транзистора подключен к положительной шине низковольтного источника. Коллектор транзистора через...
Интегральный элемент памяти
Номер патента: 858102
Опубликовано: 23.08.1981
Авторы: Игнатенко, Кузовлев, Либерман, Федонин, Чернихов, Черняк
МПК: G11C 11/34
Метки: интегральный, памяти, элемент
...то вРемЯ как к анодУ тиристора 17 сброса приложено только импульсное трапецеидальное напряжениеОп , т.е. в каждом периоде напряженйя Оимеется интервал времени,когда оно было равно нулю,В интервале времени, когда напряжение питания Оп. равно нулю, а напряптжение У - номинальному значению и внэлемент памяти не занесена информация,транзистор 28 препятствует протеканиютока по цепи: О д- резистор 18-диод20-резистор 16- Оп , в результатечего в интервале времени между сбросоми записью информации элемент не потребляет мощности.Устойчивость тиристора 1 записи ксамопроизвольным включениям из-за эффектав выключенном состоянииаообеспечиьается подачей на- базуэтого тиристора через резистор 5 идиод 4 в проводящем направлении постоянного напряжения для...
Элемент памяти
Номер патента: 888207
Опубликовано: 07.12.1981
Авторы: Бондарев, Иванов, Петров, Прушинский, Филиппов
МПК: G11C 11/40
...3Анод диода 4 подключен к эмиттерутранзистора записи и к шине 6 записи.Элемент памяти работает в трех режимах: хранения, считывания и записи информации,В режиме хранения между шинами 2и 5 устанавливают напряжение достаточное для поддержания бистабильногосостояния тиристора 1, Величина тока 1 охранения, протекающего через включенный тиристор, выбирается минимальнодопустимой (1-3 мкА), Если тиристорвключен (логический "0"), то по цепи. шина 2 - тиристор 1 - шина 5 протекает ток хранения, а транзистор 3и диод 4 закрыты.В режиме считывания повышается потенциал (относительно режима, хране,ния) одновременно на шинах 2 и 6.Если транзистор находился во включен-.ном состоянии, то повышается потенциал на шине 5. Если в режиме хранения тиристор был...
Предыдущий патент: Электронно-лучевой преобразователь разности напряжений в ток
Следующий патент: Устройство для умножения частоты следования импульсов
Случайный патент: Устройство для измерения плотности газов при высоких давлениях