Ясейка памяти

ОП И(:АНЙЕК ЗОЬРЕТЕ И Ия,К АВ 7 ОРСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик(22) ЗаявленоОЭ с присоединение осударственный комитетСовете Миннетрое СССРоа делам иэаоретенийи открытий 23) Приорит ДК 681.327,6.76.Бю опубликования описан й, А. С. Савлук Н. Петров, А. И, М и Д. П, Федоро Помнив 2) Авторы изобретения 71) Заявнтел 54) ЯЧЕ х Изобретение относится к вычислительно технике и может.бйть использовано при по.строении быстродействующих запоминающих . ,устройств с малой потребляемой мощностьк,Известна ячейка памяти, содержащая ,многоемиттерные и загрузочные транзиотоиы с триггерными связями 11, Эта ячейка ,памяти имеет низкую помехоустойчивость и термостабильность. Наиболее близкой к изобретению является ячейка памяти, содер, жащая диоды, усилительные многоэмиттер-, ные транзисторы и нвгрузочные транзисто" ., коллектор первого из которых соединета с первым, эмиттером первого и базой втор- го усилительных транзисторов, коллектор .второго нвгрузочного транзистора соединен с первым эмиттером второго и базой перво;- го усилительных трачзисторов 21. Однако и эта ячейка имеет низкую помехоустойчи вость и термостабильность и невысокое быстродействие;Цель изобретения - повышение быстродействия помехоустойчивости н термостабильности, Б предлагаемой ячейке это достигается тем, что в нее включены первый и вто-,2 н 2рой дополнительные транзисторы, причембаза первого нагрузочного транзистора со;единена с катодом первого диода и коллектором второго дополнительного транзистора,база второго нвгрузочного транзистора соединена с катодом второго диода и коллентором первого дополнительного транзистора,эмиттеры дополнительных транзисторов лод-.ключены к коллекторам усилительных тран-:зисторов, а базы дополнительных транзистоеров подключены к базам соответствующих1 усилительных транзисторов,На чертеже представлена принципиальная;схема предложенной ячейки,Ячейка памяти содержит двв инверсновключенных усилительных .многоэмиттернытранзистора 1 и 2, коллекторы которыхсоединены между собой и образуют общую,коллекторную связь, что значительно умень.швет размер ячейки при ее интегральномиснолнении. Первые эмиттеры транзисторов1 и 2 соединены с коллекгорами нагрузочныхтранзисторов противоположного гила проводимости Э и 4, выполняюних роль активных динамических нагрузок, у которых эмит"2160;" теры соединены между собой и подключены к анодам диодов 5 и 6 и источнику питания, Бвзы транзисторов 3 и 4 соединены соответственно с коллекторами дополнительных транзисторов 7 и 8, базы которых подключены соответственно к базам многоэмиттер ных усилительных транзисторов 1 и 2 и к коллекторным цепям нагруэочнюх транзисто+1 ров 3 и 4 противоположных плеч, Эмиттерш дополкительных транзисторов 7 и 8 соедин О ны между собой и подключены к коллекто- рам транзисторов 1 и 2. Вторые эмиттеры транзисторов 1 и 2 подключены к разрядным шинам 9. Коллекторы транзисторов 1 и 2 подключены к адресной шине 1 О, Вся ячей-. 1 к кв строго симметрична.В одном из состояний ячейки потенциал баз многоэмиттерного транзистора 2 и транзистора 8 выше, чем потенциал. бвз тран 4 зисторов 1 и 7 относительно коллекторов щ транзисторов 1 и 2, В этом случае образу ., тотся два кольца с замкнутой положитепьной ,обратной связью. Первое кольцо состоит из соединенных между собой коллектора трвн 1 эистора 3, баз. транзисторов 2 и 8, коллек тора транзистора, 8 и базы транзистора 3 с катодом диода 5, являющегося одновре-,. менно нвгрузочным элементом транзистора 1 ,8, а также параметрическим термостабилизатором базового тока транзистора 3, ВтоЗО рое кольцо, симметричное первому, состо-, ит иэ соединенных между собой коллек, тора транзистора 4 с базами транзисторов 1 и 7,:коллектора транзистора 7 и базы транзистора 4 с катодом диода 6. ;ЗбПри повышении потенциала беэ транзистдров 2 и 8 потенциал. коллектора транзис тора 8 и первого эмиттерв транзистора 2 понижвются,что приводит к увеличению тока 1 4 О через прямосмещеипый диод 5 а этов своЬ, ,очередь приводит к увеличению тока базы транзистора 3 и к повышению коллекториого тока этого транзистора, Повышение тока коллектора транзистора 3 ведет к увеличе ,р нию базовых токов трвнисторов 2 и 8, т. е, к еще большему повышению потенциала баз .транзисторов 2 и 8. Весь процесс происходит.:в активном режиме до значения коэф фициентв усиления по кольцу обратной свя ,чО эи, равного единице. При этом потенциал кол- лектора транзистора 8 приближается к по .тенцивлу его эмиттера, в потенциал коллектора транзистора 3 приближается к: потенци- алу его эмиттерв, Поскольку потенциал пер,йб ваго эмиттерв транзистора 2 стремится к потенциалу его коллектора, то в этом слу чве потенциал баз транзисторов 1 и 7 по нижвется, что ведет к зыирвнию этих трвн зисторов. При этом уменьшенный ток через 60 4диод 6 снижает ток базы транзистора 4 и,следовательно, ток его первого коллектора,,т, е. ток первого эмиттерв транзистора;. 2.Благодаря наличию кольца положительнойобратной связи процесс происходит в активном режиме до значения коэффициента уси-ленйя, равного единице, Токи транзисторов1, 4 и 7 резко уменьшаются и транзисторынаходЯтсЯ на гРанице Режима отсечки. Посольку ток первого эмиттера транэистора 2;езко снижен,. а ток базы приближается квеличине;тука коллектора транзистора 3,то транзистор 2 по первому эмиттеру вамдит в режим насыщения. Так как коэффициенты усиления транзисторов 7 и 8 относи-тельно высоки, го за счет термостабильной положительной обратной связи устойчивое состояние ячейки сохраняется при работе в широком интервале температуры и пи-тающих напряженяй, а также при весьма з ачительных токах разрядных шинт, е. би-"стабильностьсостояния и помехоустойчивость ячейки повышаются.Потребление тока происходит по цепи,транзистор 3-базы" транзисторов 2 и 8-коллектор трвнзйстора 8. Другое плечо ячейкинаходится в состоянии, близком к состояЙию отсечки и ток не потребляется.Диоды Б и 6 являются не только элементами нагрузки в кольце обратной связи,но и выполняют функции термоствбильностибазовых гоков транзисторов 3 и 4, что улучшает термоствбильность ячейки при работев широком диапазоне. температуры, Поскольку транзисторы 3 и 4 являются активнымидинамическими нагрузками транзисторов 1и 2, г. е. сами выполняют функции усилениясигнала и, следовательно, транзисторы 2и 1, 8 и 7 и их базы являются нвгрузочными элементами транзисторов 3 и 4, то про .цесс нарастания величины импульса проис-.ходит с высокой скоростью,Испытания предложенной ячейки памяти показали, что она имеет высокое быстродействие и помехоустойчивость при высокой термоствбильности,Формула изобретени я Ячейка памяти, содержащая диоды, усвлительные многоэмиттерные транзисторы и нагрузочные транзисторы, коллектор первого из которых соединен с первым эмиттером первого и базой второго усилительных траь. эисторов, коллектор второго нвгрузочного транзистора соединен с первым эмиттером второго и базой первого усилительных трввзисторов, о т л н ч в ю а а я с я тем,Подписное омитета Совета Минно эобретений и открытий 35, Раушскаи иаб., д, 4 Государственного ло делам 113035, Москва, Жиал ПЙ 3 Патентф, г. Ужгород, ул. П я, 4 что, с. целью повышения быстродействия,помехоустойчивости и термостабнльности ячей;и, в нее включены первый и второй дополнительные транзисторы, причем база первого нагрузочного транзистора соединена.с катодом первого диода и коллектором второгодополнительного транзистора, база второгонагруэочного транзистора соединена с като .дом второго диода и коллектором первогодополнительного транзистора, амиттеры допсл нательных транзисторов подключены к кол 6;лекторам усилительных транзисторов, а баэь дойолнщельных транзисторов подключены кбазам соответствующих усилительных тра- , эис торов. Источники информаиии, принятые во вн(ьмание при эксиертизе: 1. Патент США % 3531778, кл. 340