Установка для выращивания кристаллов

Номер патента: 220959

Авторы: Никитин, Штернберг

ZIP архив

Текст

220959 ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистичеснив РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 12,Ч.1967 ( 1155452/22-1)с присоединением заявкид. 12 д, 17 МПК В 011 иорит Комитет по делам иэобретений и открыти при Совете Министров СССР.Ч 1,1968, Бюллетевь,ния описания 10,1 Х.1968 пуоликова опублико Авторы зобретени С, Г. Никитин и Е, М, Сабурен тер Заявител нстнтут кристаллографии АН СС УСТАНОВКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛО В известных установках для выращивания кристаллов в гидротермальных условиях автоклав, помещенный в полость печи с секционированным нагревателем, установлен в полости печи вертикально и неподвижно. полости корпуставки 5 опиракрепленные ккорпуса устанооси кольца корточки 11, соотвмер роста и ра Отличием описываемои установки является то, что автокав расположен горизонтально на кольцевой подставке, установленной на двух жестко прикрепленных к ней опорах в виде ножевых призм, причем подставка снабжена прикрепленным параллельно оси кольца коромыслом. Такое выполнение установки дает возможность определять непосредственно в процессе выращивания скорость роста кристаллов по величине наклона оси автоклава к горизонтали и регулировать ее, изменяя температурный режим в зонах автоклава. Загруженныи автоклав помещают в полость печи и устанавливают на кольцевой подставке 5 таким образом, чтобы отсчетные точки 11 на коромысле 10 соответствовали расположению камер роста н растворения автоклава, Так как в начальныи период ось автоклава не совпадает с осью печи (перекристаллизуемое вещество целиком находится в камере растворения), автоклав уравновешивают, перемещая грузы 12 по коромыслу. В процессе выращивания, в связи с переносом вещества из камеры растворения в камеру роста, ось автоклава будет смещаться относительно горизонтали. Скорость роста кристалла, соответствующую скорости переноса вещества в автоклаве, можно определить, подвешивая к соответствующей отсчетной точке груз, необходимый для установления прикрепленной к коромыслу стрелки в нулевое положение, при котором ось автоклава горизонтальна.Наблюдение за перемещением стрелки осуществляется через отсчетный микроскоп 13. ываемая устафиг, 2 - то же,оклав 1, помещенционированным наорого регулируютасположен в полоцевой подставки 5, а жестко прикрепосей б ножевых на расположена в На фиг. 1 изображена о новка, поперечный разрез; продольный разрез.Установка включает авт ный в полость печи 2 с сек гревателем 3, секции 4 кот ся раздельно. Автоклав р сти печи с помощью коль подвижно установленной н ленных к ней с помощью призмах 7, Печь неподвиж а 8. Ножевые призмы 7 под. ются на призмы 9, жестко прикорпусу 8, К подставке вне вки прикреплено параллельно омысло 10, имеющее отсчетные етствующие расположению кастворенпя автоклава,Составитель Т. ФирсоваЕ, Поздняк Текред А. А. Камышникова Корректор Т. ф. Старостин Реда аказ 2692/3ЦНИИПИ Комп ге 1 а Тираж 530лам изобретений и открытий приМосква, Цепр, пр, Серова, д. 4 Подписновете Министров СССР Типография, пр. Сапунова,Вес выросших кристаллов за период времениопределяют по формуле где т - вес выросших кристаллов;т, - вес груза;рр - плотность кристаллов;р,р - плотность среды в нагретом автоклаве. Точность определения составляет 10 - 20 оо и является достаточной для относительной оценки скорости кристаллизации в течение процесса и управления его путем изменения разности температур между зонами роста и растворения. В установке возможно производить многократную перекристаллизацию вещества для получения кристаллов с таким же содер.жанием примесей, как исходный материал, синтез шихты из элементов и осуществлять выращивание кристаллов на затравке с за данной скоростью кристаллизации. Предмет изобретенияУстановка для выращивания кристаллов вгидротермальных условиях, включающая ав токлав, помещенный в полость печи с секцио.нированным нагревателем, отличающаягя тем, что, с целью регулирования скорости роста кристаллов непосредственно в процессе выращивания, автоклав расположен горизонтально 15 на кольцевой подставке, установленной надвух жестко прикрепленных к ней опорах в виде ножевых призм, причем подставка снабжена прикрепленным параллельно оси кольца коромыслом.

Смотреть

Заявка

1155452

А. А. Штернберг, С. Г. Никитин Е. Сабуренков Институт кристаллографии СССР

МПК / Метки

МПК: C30B 7/10

Метки: выращивания, кристаллов

Опубликовано: 01.01.1968

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-220959-ustanovka-dlya-vyrashhivaniya-kristallov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Установка для выращивания кристаллов</a>

Похожие патенты