Способ выращивания полупроводниковых монокристаллов сульфидов и селенидов группа” и а”1

Номер патента: 709541

Опубликовано: 15.01.1980

Авторы: Веденеева, Вишневский, Горовой, Ижевский, Прийма, Рижамадзе, Сафонов

МПК: C01G 9/08

Метки: кадмия, люминофоров, сульфидов, цинка

...3 - 6 мкм и интенсификация процесса их осаждения.Поставленная цель достгаемым способом полученияка или кадмия для люминофщимся в осаждении их из ксульфата соответствующего7(В 541 Формула изобретения Составитель И. Соловьева Редактор Н. Данилович Техред К. Шуфрнч Корректор Г. Назарова Заказ 8687/26 Тираж 565 Подписное ЦН И И П И Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4образным сероводородом при интенсивном перемецгивании при числе Рейнольдса 40000- 10000.Предлагаемый способ обеспечивает получение сульфидов цинка и кадмия в виде однородных монодисперсных осадков размером частиц 3 - 6 мкм, Процесс осаждения интенсифицируется...

Номер патента: 410641

Опубликовано: 25.08.1976

Авторы: Боев, Бондарева, Данилова, Марковский, Мироненко, Михалев, Пивнева, Таушканова

МПК: C09K 11/08

Метки: кадмия, основе, светосостава, сульфидов, цинка

...в количестве 0,1-10 вес.%.П р и м е р 1, 95 г сульфида цинка, 5 г сульфида кадмия, 1 мл раствора соли меди (концентрация 10 г Си /л) и 15 мл раствора соли алюминия (концентрация 10 г А 1/л) тшательно перемешивают. Шихту высушивают до пылениа, просеивают, добавляют 5 вес. % серы и 3 вес. Ъ щавелевой кислоты, перемешивают и загружают в кварцевый тигль с крышкой.Шихту весом .600 г прокалывают протемпературе 1150 С и течение 1,5 часПосле прокаливания шихту обрабатываютобычной технологии,Пример 2,1410641 80 30 91 87 117 90 43 120 Составитель И. ГородецкаяРедактор О, филиппова Техред Г. Родах Корректор В. Микита Заказ 5224/461 Тираж 830 Подписное ШИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035...

Номер патента: 1228526

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Дубовик, Назаренко

МПК: C30B 15/14, C30B 29/22

Метки: выращивания, монокристаллов, оксидов, расплава, сложных

...1 б в керамическом диске 15, после че.о привод вытягивающего механизма отключают. В камере 7 охлаждения монокристалл 20 выдерживают 2 ч, затем охлаждают до комнатной температуры со скоростью 50 Кч, а в области температур, в которой существует аномалия термического расширения кристаллов лантангаллиевого силиката (850- 700 К), со скоростью ЭО К/ч.При этом платиновый экран 10,крышка 17 и керамические экраны 8, 9 прорези 11, выполненные в экране 8, а также удаленный верхний виток, на указанное расстояние обеспечивают выравнивание теплового поля в камере 7 охлаждения, повышают ее инерционность при охлажчденни и обеспечивают линейный температурный градиент по длине кристалла в области аномалии термического расширения 3 град/см.Для...

Номер патента: 1364630

Опубликовано: 07.01.1988

Авторы: Вербицкий, Витюгин, Кайгородова, Косинцев, Чернова

МПК: C09K 11/54

Метки: кадмия, люминофора, основе, сульфидов, цинка

...изготовления различных люминесцентных экранов.Цель изобРетения - повышение выхода люминофора на основе сульфидовцинка и кадмия,П р и м е р 1 Пасту сульфидацинка с влажностью 40-60 к общеймассе в количестве 180 кг смешиваютс пастой сульфида кадмия влажностью,40-60% в колнчестве 8 кг и добавляютк полученной смеси 12 л воды до образования сметанообразной массы, Затем в смесь вводят растворенные вводе 1500 г тиомочевины, 100 г МН 1,800 мл А 1(Юэ) и 600 мл Сц(ЯО ) .Полученную массу перемешивают 1-2 ч,затем включают пар и сушат ее досостояния пыления, После этого к смеси добавляют серу из расчета 1500на 30 кг смеси,Приготовленную таким образом шихту затем используют для гранулирования,Для этого шихту увлажняют до 20%раствором...

Номер патента: 1397555

Опубликовано: 23.05.1988

Авторы: Аврутик, Алексиев, Атларски, Бончев, Бородин, Велков, Георгиев, Караризов, Козин, Курлов, Латев, Медко, Миха, Морев, Осипян, Редькин, Россоленко, Столяров, Татарченко, Топчийски, Трифонов, Шишков, Шопова, Яловец

МПК: C30B 15/00, C30B 15/30

Метки: выращивания, монокристаллов, окислов, расплава, тугоплавких

...37 на вал 38. На валу выполнены шпицевые пазы 39 для скольжения шестерни 40, находящейся в зацеплении с шестерней 41, жестко укрепленной на штоке. Полукольцо 42 соединяет верхние торцы вертикальных перегородок. Герметичная полость 43 непосредственно примыкает к датчику 44, имеющему тягу 45. Уплотнение 46 герметизирует полость весового датчика и штока, Штуцеры 47 и 48 служат для ввода и вывода воды.Установка действует следующим образом.Через индуктор, штоки и систему охлаждения камеры пропускают охлаждающую воду. Подают высокочастотное напряжение на индуктор 12, Увеличивают напряжения до расплавления загрузки н тигле 9. Расцепляют электромагнитную муфту 24 с винтом 18, Включают электродвигатель 29 ускоренного перемещения затравки,...